【課題】分光感度特性の安定化に貢献することができ、製品にばらつきが発生し難いうえ視感度特性に近似した特性を容易に確保することができる受光素子、半導体装置、電子機器、および受光素子の製造方法、並びに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１積層構造体Ｂ１は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ａと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ａと、ポリシリコン膜からなる第３層２０ａと、を有し、第２積層構造体Ｂ２は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ｂと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ｂと、多結晶シリコンゲルマニウム膜からなる第３層２１ａと、を有し、第３積層構造体Ｂ３は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ｃと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ｂと、ポリシリコン膜からなる第３層２０ｂと、多結晶シリコンゲルマニウム膜からなる第４層２１ｂと、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板に支持される光電変換ユニットと、前記基板に隣接した絶縁体とを含むイメージセンサー画素を提供する。
【解決手段】前記画素は、一部が空気界面を有するように、前記絶縁体の開口内にあるとともに前記絶縁体の上に延びている縦列接続式光導波路１３０，１１６を含む。前記空気界面は、前記縦列接続式光導波路の内部反射を改善する。前記縦列接続式光導波路は、隣り合ったカラーフィルター同士の間に空隙を有する自己整合カラーフィルター４３０を含んでもよい。空隙が透明な封止膜によって上方から封止されもよい。前記透明な封止膜は、前記凹面を渡って前記空隙に入る光を前記空隙から離れ隣接するカラーフィルターに発散させるように、前記空隙の真上に凹面を備えもよい。さらに、一対のカラーフィルターの間にある支持壁の一部は、カラーフィルターを保持するために、首の形が形成されるように上方が下方よりも大きい幅を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、良好な時間的および空間的なコヒーレンスを有し、高い実装密度を有する、バイスペクトル検出器を提供する。
【解決手段】第1の導電型の上側半導体層１８および下側半導体層１４のスタックであって、上側層１８および下側層１４の間の電位バリアを形成する中間層１６によって分離される、スタックと、第2の導電型の上側半導体領域６８および下型半導体領域６６であって、半導体領域６６が、少なくとも部分的に、上側層および中間層を通過する開口２２の底部に位置する、半導体領域６６，６８とからなる。上側層と下側層の少なくとも1つの上面が、半導体層６６，６８で全体が覆われる。半導体層６６，６８を形成するために、スタックの上面から、かつ半導体層６６，６８の少なくとも厚みを通って、各単位検出要素の周囲で切り欠き６２が作られ、半導体層６６，６８が、半導体層１８，１４の一方またはもう一方の全体を覆う。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加や製造歩留まりの低下を招くことなく、コアに所望の特性を持たせることができるダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード５は、ＳｉＣで作製された棒状コア１と、ｎ型のＧａＮで作製された第１のシェル２と、ｐ型のＧａＮで作製された第２のシェル３とを備える。ダイオードの２極の役割は、ｎ型の第１のシェル２とｐ型の第２のシェル３とが担うので、コア１の材質として第１,第２のシェル２,３とは異なるＳｉＣを選択できる。棒状コア１の屈折率(３〜３.５)が第１のシェル２の屈折率(２.５)よりも大きいので、第１,第２のシェル２,３のｐｎ接合面で発生した光が第１のシェル２から棒状コア１内へ入射し易いと共に棒状コア１内へ入射した光は、棒状コア１と第１のシェル２との界面で全反射し易い。よって、発生した光をコア１へ導波してコア１で強く発光させることができる。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上した撮像素子、撮像モジュール及び撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の撮像素子は、基板と、光検出部と、回路部と、貫通配線と、を備える。基板は、凹部及び貫通孔を有する。凹部は基板の第１主面に設けられる。凹部は、第１主面とは反対の第２主面の方向に後退して設けられる。貫通孔は第１主面と第２主面とに連通し第１主面から第２主面に向かう第１方向に延在する。光検出部は、凹部の上で基板と離間して設けられる。回路部は、光検出部と導通し、第１主面の上に設けられる。
貫通配線は、回路部と導通し貫通孔の内部に設けられる。凹部は、第１主面に対して傾斜する第１傾斜面を有する。貫通孔は、第１傾斜面に平行な第２傾斜面を有する。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の低減を図ることができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】
ｎ型の基板１０と、基板１０上に積層されたｎ型の第１半導体層１１と、第１半導体層１１上に積層されたノンドープの光吸収層１２上に積層され、Ａｌを含有するｐ型の第２半導体層１３と、第２半導体層１３上に積層されたキャップ層１４と、を備え、キャップ層１４の一部が第２半導体層１３を露出するようにエッチングされ、第２半導体層１３の露出面から基板１０側の界面まで第２半導体層１３の一部が酸化されることで、Ａｌ酸化物を含有する酸化領域１５に囲まれたｐ型の半導体領域１３ａが形成されていることにより、ｐｉ接合面を露出させずに受光部を形成することで、エッチングに起因した結晶欠陥がｐｉ接合面に発生することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】メサ表面に由来する暗電流を低減することができるＡＰＤを提供することを目的とする。
【解決手段】ＡＰＤ３０１は、半絶縁性基板１と、半絶縁性基板１面上に、ｐ形電極層２、ｐ形光吸収層３Ａ、低不純物濃度の光吸収層３Ｂ、バンドギャップ傾斜層４、ｐ形電界制御層５、なだれ増倍層６、ｎ形電界制御層７Ａ、及び低不純物濃度の電子走行層７Ｂの順で積層された第１積層構成からなる第１メサ１０１と、積層方向から見て、外周が第１メサ１０１の外周の内側にあり、電子走行層７Ｂ側の表面上に、ｎ形電極バッファ層８Ａ、及びｎ形電極層８Ｂの順で積層された第２積層構成からなる第２メサ１０２と、ｐ形電界制御層５より第２メサ１０２側にある層の、第１メサ１０１の外周の内側で第２メサ１０２の外周を取り囲む包囲部分１４に形成され、バイアス印加時にｐ形電界制御層５の包囲部分が空乏化することを防止する空乏化抑制領域１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】微弱光から強光までの光を検知することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換層を有するフォトダイオードと、トランジスタを含む増幅回路と、
スイッチとを有し、入射する光の強度が所定の強度より小さいと前記スイッチにより前記
フォトダイオードと前記増幅回路は電気的に接続され、光電流は前記増幅回路により増幅
されて出力され、入射する光の強度が前記所定の強度より大きいと前記スイッチは前記フ
ォトダイオードと前記増幅回路の一部又は全部を電気的に切り離して光電流の増幅率を下
げて出力される光電変換装置に関するものである。このような光電変換装置により、微弱
光から強光までの光を検知することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】発光効率、発光波長の狭帯域化を図ることができる多孔質シリコン層を形成するため、陽極酸化法で多孔質シリコン層を形成する際、制御性良く微小孔を形成する方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１０１と、その表面に埋設された多孔質シリコン層１０２と、多孔質シリコン層に接続するように設けられた透明電極１０３と、単結晶シリコン基板の裏面に設けられたオーミック性電極１０４とを有し、多孔質シリコン層を発光層あるいは受光層とする半導体光素子の製造方法であって、超音波振動を印加しながら、単結晶シリコン基板表面を陽極酸化し、発光層あるいは受光層となる前記多孔質シリコン層を形成する。 （もっと読む）

【課題】組立て作業性を損なうことなく、周波数特性を向上させ得る、裏面入射型半導体受光素子、それを内蔵する光受信モジュールおよび光トランシーバを提供する。
【解決手段】裏面入射型半導体受光素子１８は、矩形状のＦｅドープＩｎＰ基板１と、基板表面における１辺（上辺）側の中央部に形成された、基板裏面から入射される光を受光するＰＮ接合部を有する受光メサ部２と、受光メサ部２の上面に形成された、ＰＮ接合部の一方側に導通するＰ型電極４と、基板表面における１辺（上辺）側の１隅部に形成されたＮ型電極メサ部９と、Ｎ型電極メサ部９の上面まで引き出された、ＰＮ接合の他方側に導通するＮ型電極５と、基板表面における他の３つの隅部を含む領域に形成されたＰ型電極メサ部８およびダミー電極メサ部１０と、ダミー電極メサ部１０の上面に形成されたダミー電極６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】従来のエピ構造に断面Ｖ型の分離溝を追加形成することで光学的クロストークを抑制可能な受光素子アレイを提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１は、第１導電型の半導体基板２と、この半導体基板２の表面側に形成した第１導電型の受光層４と、この受光層の表面側に形成した第１導電型の窓層５と、この窓層を貫通して受光層の表面側に突入する状態に形成され且つ１次元的または２次元的な配列として離隔状に形成された複数の第２導電型領域６と、これら複数の第２導電領域６の表面の少なくとも一部に夫々設けた複数の第１電極７と有し、複数の第２導電型領域６からなる複数のアレイが形成する複数のアレイ間領域に、少なくとも前記窓層５と受光層４を貫通する深さの表面側に開放された断面Ｖ型の第１分離溝１０を夫々設けている。 （もっと読む）

【課題】電子を実効キャリアとする電界制御層を用いたアバランシェフォトダイオードにおいて、所望とするアバランシェブレークダウン電圧が安定して得られるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成されたｎ型の半導体からなる第１半導体層１０２と、第１半導体層１０２の上に形成されたアンドープの半導体からなる増倍層１０３と、増倍層１０３の上に形成されたｐ型の半導体からなる電界制御層１０４と、電界制御層１０４の上に形成された半導体からなる光吸収層１０５と、光吸収層１０５の上に形成されたｐ型の半導体からなる第２半導体層１０６と、第２半導体層１０６の上に形成された第１電極１０７と、第１半導体層１０２に形成された第２電極１０８とを少なくとも備える。電界制御層１０４は、Ｓｂを含む化合物半導体から構成されてＣを不純物として導入することでｐ型とされている。 （もっと読む）

【課題】プレーナー型導波路、又は基板上の溝内に載置された光ファイバーから光ビームを容易に受容することができる受光素子を備えた光学装置を提供する。
【解決手段】光検出器は、光検出器活性領域５１０が上面に形成され、入口面５０４と反射面５０６とを備えた半導体基板５０２を含む。反射面５０６は半導体基板５０２表面と鋭角を成しており、そして入口面５０４を通って半導体基板５０２内に透過される光ビーム５１３が、反射面５０６から半導体基板５０２上面に向かって内部反射されるように位置決めされている。光検出器活性領域５１０は、反射された光ビーム５１３が光検出器活性領域５１０上に衝突するように位置決めされている。光検出器を第２基板５０１上に載置することにより、第２基板５０１上に形成されたプレーナー型導波路５２０から光ビームを受容することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、能動領域の欠陥を低減した半導体デバイスの制作方法を提供する。
【解決手段】本願発明は、表面照射光センサを製作する方法であって、
（ａ）能動領域の半導体ピクセルのアレイを形成する工程と、
（ｂ）各ピクセル内に、隔離された互いに反対の導電性タイプの接触領域を形成する工程と、
（ｃ）前記接触領域への金属コンタクトを形成し、各ピクセル内で、前記金属コンタクトが、前記接触領域の上部表面面積の総計の少なくとも約３０％を覆う工程とを含む、方法に関する。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇や特性の低下を招くことなく、実装が容易な状態で、ＬＳＩのチップ間やチップ内の信号伝送を、光配線で行えるようにする。
【解決手段】素子形成領域１２２のシリコン上にエピタキシャル成長により形成した半導体層を光吸収層として備えて素子形成領域１２２に形成された光素子１２３と、光導波領域１２１に形成された溝部１０１ａと、溝部１０１ａに充填されて形成された下部クラッド層１０２と、下部クラッド層１０２の上に形成されて光素子１２３に光接続するコア１０３と、コア１０３の上に形成された上部クラッド層１０４と、コア１０３よりなる光導波路の光導波方向に垂直な方向の素子形成領域１２２の側部の基板１０１上に形成されて、光素子１２３に電極引き出し部１０５を介して接続する電極パッド部１０６とを備える。 （もっと読む）

【課題】マスクパターン形状から大きく乖離しないメサ部のメサパターン形状を得ること。
【解決手段】所定の結晶軸方向に平行な方向に、マスクパターンの最大長とする複数の辺を配置させた状態において、該マスクパターンの下方に位置する化合物半導体薄膜に対して、ウェットエッチング法によりエッチング速度が等価なサイドエッチングを行うことによって、マスクパターンの多角形の形状に対応した多角形を構成する上面と下面とを有するメサパターンからなるメサ部を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体受光素子の電極と半導体層の電気的接続を確保しつつ、安定的に製造されることにより、歩留まりが向上される半導体受光素子及びその製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板に積層されるとともに、上面部を有する半導体層と、前記半導体層の前記上面部を覆って形成されるとともに、反射主領域を有する反射膜と、前記反射膜の上面の少なくとも一部を覆って形成されるとともに、前記反射膜を貫いて延び前記半導体層の前記上面部と接する接合部を有する上部電極と、を備え、前記半導体基板の前記半導体層側とは反対側から入射する光を検出する半導体受光素子であって、前記上部電極の前記接合部は、前記反射膜の前記反射主領域の周縁の一部を囲い、前記反射主領域は、前記反射膜のうち、前記接合部の外方に位置する領域と連なっている。 （もっと読む）

【課題】低混色、高感度、低残像、低暗電流、低ノイズ、高画素密度の固体撮像装置を実現する。
【解決手段】固体撮像装置の各画素１０は、第１の半導体層１と、第２の半導体層２と、第２の半導体層２の上部側面領域にその上面とは接しないように形成された第３の半導体層５ａ，５ｂおよび第４の半導体層６ａ，６ｂと、第２の半導体層２の下部側面領域に形成されたゲート導体層４ａ，４ｂと、絶縁膜３ａ，３ｂを介して第４の半導体層６ａ，６ｂの側面に形成された導体電極７ａ，７ｂと、第２の半導体層２の上面に形成された第５の半導体層８とを備え、少なくとも第３の半導体層５ａ，５ｂと、第２の半導体層２の上部領域と、第４の半導体層６ａ，６ｂと、第５の半導体層８とは島状形状内に形成されている。また、第４の半導体層６ａ，６ｂの表面にホールを蓄積させるように導体電極７ａ，７ｂに所定の電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、半導体基板１０上に形成された、フォトダイオード３１、３２用の不純物領域と、フォトダイオード３１、３２の受光面に対する入射光の入射角度を制限するための角度制限フィルター４１、４２と、を含む。角度制限フィルター４１、４２は、フォトダイオード３１、３２用の不純物領域が形成される面を半導体基板１０の表面とする場合に、半導体基板１０の裏面側からフォトダイオード３１、３２用の不純物領域に対して受光用の穴を形成することによって残存する半導体基板１０により形成される。 （もっと読む）

【課題】ギガビット応答特性・高信頼性で、ブレークダウン電圧特性の変動量が小さいメサ型のアバランシェフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】基板１１側から順に、電流信号を増幅する増倍層１３、増倍層１３内部の電界を緩和する電界緩和層１４、上層のエッチングの際に電界緩和層１４がエッチングされないようにするエッチングストップ層１６、光信号を電流信号に変換する光吸収層１７が積層し、光吸収層１７は、エッチングストップ層１６上にてメサ状に形成され、少なくとも光吸収層１７の側壁面は、半導体よりなる半導体保護膜１１１で覆われ、エッチングストップ層１６は、第１導電型半導体ないしノンドープ半導体よりなり、電界緩和層１４は、第１導電型半導体とは逆導電型の第２導電型半導体よりなる。 （もっと読む）