【課題】工程数を削減して、低コストで、２種類以上の受光素子を有する半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１８上に制御回路用トランジスタ２０のアクティブ領域を形成し、制御回路用トランジスタ２０を形成する前に、フォトダイオード２２、２４を構成する、Ｎ型ウェル３６、４４及びＰ型ウェル３８、４６等の形成を行う。半導体基板１８上にＮ型ウェル３６、４４等を形成する際、フォトレジスト等が形成されるが、これらはアクティブ領域を位置決め基準として半導体基板１８上に形成される。したがって、高い精度で、Ｎ型ウェル３６、４４及びＰ型ウェル３８、４６等が半導体基板１８上に形成される。また、半導体基板１８上に予め位置決めマークを形成する必要がないため、工程数を削減して、低コストで半導体装置１０を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】
回路部とセンサ部を同一基板上に形成した半導体集積装置において、非鉛材料を使用した半導体集積装置を提供するとともに、その作製方法を提供する。
【解決手段】
半導体集積装置は、回路部２は、表面に保護層４４〜４６が成膜されており、センサ部３は、回路部の保護層表面を含む半導体基板表面の全体に成膜された非鉛強誘電体材料３１のうち該回路部に成膜された部分を除去した残余部により構成されている。作製方法は、回路部を形成する工程と、半導体基板の表面全体に、シリコン窒化膜を主とする保護層を構築する工程と、センサ部形成領域に積層された保護層を除去する工程と、半導体基板の全体に下部電極層を形成する工程と、下部電極層の表面に非鉛強誘電体材料層を形成する工程と、回路部形成領域に積層される非鉛強誘電体材料層および下部電極層を順次除去する工程と、センサ部に上部電極を形成する工程と、配線電極を形成する工程とを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】光検出装置の明暗比を高め、光電流を増大させる。
【解決手段】基板と、前記基板の主面上に併設された、第１導電型の第１の半導体領域と、第２導電型の第２の半導体領域と、前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との間に設けられ前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域よりも不純物濃度が低い第３の半導体領域と、を有するダイオードと、前記第１の半導体領域、前記第２の半導体領域及び前記第３の半導体領域を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられ、前記第１の半導体領域に電気的に接続された第１の遮光電極と、前記絶縁膜の上に設けられ、前記第２の半導体領域に電気的に接続された第２の遮光電極と、を備え、前記第１の遮光電極は、前記絶縁膜を介して前記第３の半導体領域と相対する第１の領域を有し、前記第２の遮光電極は、前記絶縁膜を介して前記第３の半導体領域と相対する第２の領域を有する光検出装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオード及びシリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオード及びフォトダイオードアレイを提供すること。
【解決手段】Ｐ⁻型半導体基板２０は、互いに対向する第１主面２０ａ及び第２主面２０ｂを有し、光感応領域２１を含んでいる。光感応領域２１は、Ｎ^＋型不純物領域２３と、Ｐ^＋型不純物領域２５と、Ｐ⁻型半導体基板２０においてバイアス電圧を印加した際に空乏化する領域と、からなる。Ｐ⁻型半導体基板２０の第２主面２０ｂには、不規則な凹凸１０が形成されている。Ｐ⁻型半導体基板２０の第２主面２０ｂ側には、アキュムレーション層３７が形成されており、アキュムレーション層３７における、光感応領域２１に対向している領域は光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像素子において、光電変換素子間の隙間を通して入射した光が配線層で反射することを防ぎ、反射光によるノイズや混色の問題を生じさせない固体撮像素子とその製造方法を提案すること。
【解決手段】薄膜板状のシリコン層と、前記シリコン層の片方の面側に設けられた配線層と、前記シリコン層の前記配線層と反対側の面に受光部を面して形成された複数の光電変換素子と、前記シリコン層の光電変換素子を形成した面側であって、隣接する受光部間の間隙に形成されたシリコンからなる凸部と、前記シリコンからなる凸部を覆って平坦面を形成する平坦化透明層と、前記平坦化透明層の上面に前記光電変換素子受光部の各々に対応して設けられたカラーフィルタと、を有する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増大を抑制できるフォトセンサー及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるフォトセンサーは、半導体層を有するフォトダイオード１００を備える。半導体層は、例えば、ｎ型半導体層９、ｉ型半導体層１０、及びｐ型半導体層１１を有する。また、フォトセンサーは、透明導電膜から形成された透明電極１２と、半導体層と透明電極１２との間に形成された窒素含有半導体層１１ａとを有するものである。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードアレイを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、複数の光検出チャンネルＣＨがｎ型半導体層３２を有する基板Ｓを備える。フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、ｎ型半導体層３２上に形成されたｐ⁻型半導体層３３と、光検出チャンネルＣＨ毎に設けられると共に信号導線２３に一端部が接続される抵抗２４と、複数の光検出チャンネルＣＨの間に形成されるｎ型の分離部４０とを備える。ｐ⁻型半導体層３３は、ｎ型半導体層３２との界面でｐｎ接合を構成し、被検出光の入射によって生じたキャリアをアバランシェ増倍させる増倍領域ＡＭを光検出チャンネルに対応して複数有する。ｎ型半導体層３２の表面には不規則な凹凸１０が形成されており、当該表面は光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】画素サイズを縮小しても混色が発生しにくい固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】裏面照射型の固体撮像装置１において、支持基板１１上に多層配線層１３、半導体基板２０、複数のカラーフィルタ３２、複数のマイクロレンズ３３をこの順に設ける。そして、半導体基板２０の下層部分を複数の領域に区画するようにｐ型領域２１を形成し、ｐ型領域２１の直上域に例えばＢＳＧからなる絶縁部材２３を埋め込む。ｐ型領域２１及び絶縁部材２３により、ＰＤ領域２５が区画される。また、ＰＤ領域２５の下部には高濃度領域２６を形成し、上部を低濃度領域２７とする。 （もっと読む）

【課題】光受信モジュールに実装される端面入射型受光素子の製造コスト及び製造工程における歩留まりの低下を抑える。
【解決手段】端面入射型受光素子１０が、光を吸収するための光吸収層１５が設けられ、光を伝搬する導波路３４の出射端面から出射した光が光吸収層１５の受光端面に入射するようサブキャリア２０に実装されるように構成されており、受光素子１０のサブキャリア２０への実装面に、光吸収層１５を有し光吸収層１５の層厚方向にメサ状に突出形成された受光部１６と、受光素子１０がサブキャリア２０に実装された状態でサブキャリア２０に当接してサブキャリア２０に対して光吸収層１５の層厚方向に受光素子１０を位置決めできる受光素子高さ基準面１７を有する突出形成された位置決め突出部１８と、から成る段差構造が形成されており、受光部１６頂面が基準面に対して低く凹んだ状態に形成されている。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減でき、かつ、高速応答が可能な光検出器を提供する。
【解決手段】ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２、ｉ型ｃ−Ｇｅ層３およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４が光導波路３０に近接してシリコン基板１上に積層される。光導波路３０は、クラッド２０に接してクラッド２０上に形成されている。ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚（０．６μｍ）がクラッド２０の厚み（１．４μｍ）よりも薄く、かつ、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚とｉ型ｃ−Ｇｅ層３の膜厚との合計（２．０μｍ）がクラッド２０の厚みと光導波路３０の厚みとの合計（１．７μｍ）よりも大きい。その結果、光導波路３０中を伝搬する光は、光検出器１０のｉ型ｃ−Ｇｅ層３へ入射され、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４へ入射されない。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードのカソードをｎ型の埋め込み層で構成した新規な構造の光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、ｎ型の表面領域１８と、表面領域１８の下に形成されたｐ型領域ＰＲと、ｐ型領域ＰＲの下に形成されたｎ型の埋め込み層１０とを含む。表面領域１８、ｐ型領域ＰＲおよび埋め込み層１０によって埋め込み型のフォトダイオードＰＤが構成される。表面領域１８の主要不純物の拡散係数は、埋め込み層１０の主要不純物の拡散係数より小さい。 （もっと読む）

【課題】 小型化しながらＩｎバンプによる画素ごとの接続に伴う問題を解決し、かつフォトダイオードと読み出し回路の接続部周辺に高い応力を生じない、光検出装置を提供する。
【解決手段】 受光素子アレイ型センサーチップ５０には画素ごとに画素電極１１が設けられ、また、読み出し回路７０には、金属突起の読み出し電極７１が設けられ、受光素子アレイ型センサーチップの画素電極と読み出し回路の読み出し電極とを画素ごとに導電接続する異方性導電フィルム６０を備え、異方性導電フィルム６０が、受光素子アレイ型センサーチップと信号読み出し回路との間を充填して、受光素子アレイ型センサーチップと読み出し回路とを接着していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】半導体基板２を絶縁層４が露出するまでドライエッチングすることにより、半導体基板２を貫通して絶縁層４に至る孔Ｈ１を光感応領域Ｓ１に対応する位置に形成する。次に、ｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７に、不規則な凹凸２２を形成する。絶縁層４のｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面にピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光が照射されると、絶縁層４が除去されると共に、ｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７がピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光に荒らされ、不規則な凹凸２２が面７の全面に形成される。次に、不規則な凹凸２２が形成された基板を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】導波路および中空部を備える固体撮像装置を、少ない工程数で製造する。
【解決手段】電荷生成部１０２が表面層に設けられている基板１００の上面を覆う絶縁膜層１１０において、電荷生成部１０２と対応する位置に導波路１４０を設けるともに、導波路１４０よりも外側に中空部１５０を設け、中空部１５０は空密とし間口を塞ぐ構造にする。製法においては、電荷生成部１０２が設けられている基板１００の上面に絶縁膜層１１０を形成する。絶縁膜層１１０において、電荷生成部１０２と対応する位置に導波路１４０用の開口部１４２と中空部１５０用の開口部１５２を形成する。絶縁膜層１１０上に光透過性のライナー膜１６０を形成するとともに、ライナー膜１６０により開口部１５２の間口を空密状態で塞ぐ。導波路１４０と中空部１５０を同時に形成できるし、導波路１４０と中空部１５０の間に絶縁膜層１１０の材料が介在するので反射界面が増える。 （もっと読む）

【課題】受光素子におけるアノード抵抗を低減し、分割された隣合うフォトダイオード間のリーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板（５２）または第１導電型の半導体層と、この第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成された第１導電型の分離領域（５５）とを有する。また、第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成され、分離領域（５５）で分離された複数の第２導電型の半導体層（５３Ａ，５３Ｂ）と、分離領域及び複数の第２導電型の半導体層を含む受光領域）６１）上に形成された反射防止膜（５７）を有する。さらに、第１導電型の半導体基板または半導体層に電気的に接続され、反射防止膜（５７）を構成する上層膜（５９）で被覆されて分離領域（５５）の表面に沿って形成されたシリサイドによる第１電極（６４）を有する。 （もっと読む）

【課題】発光装置および受光装置をモノリシックに集積することができる受発光装置を提供する。
【解決手段】半導体層１０３は分離溝３００によって発光領域１００と受光領域２００とに分離され、活性層１０６のうちの少なくとも一部は利得領域１４０を構成し、利得領域は第１側面１０５に設けられた第１端面から第１側面に設けられた第２端面まで連続しており、第１端面から第２端面までの間に利得領域に生じる光を反射させる反射面を有し、反射面にはミラー部１７０が設けられ、第１端面から延びる第１部分１４２および第２端面から延びる第２部分１４４は第１側面の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられ、第１部分に生じる光の一部は反射面において反射して第２端面から出射され、第２部分に生じる光の一部は反射面において反射して第１端面から出射され、利得領域に生じる光の一部はミラー部を透過し、受光領域の半導体層１０３は透過した光を受光する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層のエッチングを段階的に行うことで、端部の側面が異なるテーパ角を
有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】ｐｉｎ型の光電変換素子はｐｎ型と比べて応答速度が高速であるが、暗電流
が大きいという欠点がある。この暗電流の一因は、エッチングで発生したエッチング残渣
が光電変換層の端部の側面に堆積し、このエッチング残渣を介して導通することによるも
のだと考えられる。そこで、従来は単一面のテーパ形状であった端部の側面を二段階のテ
ーパ形状にし、光電変換層のｐ層の端部の側面とｎ層の端部の側面が同一面上に存在しな
い構成とすることで、光電変換素子のリーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板の凹部内に形成される構成要素を有する半導体装置において歩留の低下およびデバイスの信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置およびそれを用いた電子機器ならびに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、絶縁膜８および貫通電極６が形成される貫通孔７が形成された半導体基板１を備え、半導体基板１の貫通孔７は、深さ方向に徐々に開口径が小さくなる形状を有し、貫通孔７の内壁には、貫通孔７の開口端よりも開口径が小さい段が形成されている。 （もっと読む）

半導体構造体は、基板（１２）と、基板（１２）の上面を覆うシード層（１６）と、シード層（１６）を覆って配置される半導体層（２０）と、半導体層（２０）中のトランジスタデバイス（２２、２４）とを備え、基板（１２）はその中に開口部（４２）を備え、該開口部（４２）は基板（１２）の底面から延在して、シード層（１６）の底面で終端し、光電気構造体（４４）はシード層（１６）の底面上に配置される。 （もっと読む）

【課題】外部環境に対しより安定した光検出機能を有する半導体装置を得ることを課題と
する。
【解決手段】第１のフォトダイオードと、遮光された第２のフォトダイオードと、ボルテ
ージフォロワ回路を含む第１の回路群と、第２の回路群と、補正用回路とを有し、第１の
フォトダイオードの出力は第１の回路群のボルテージフォロワ回路に入力され、第１の回
路群の出力は補正用回路に入力され、第２のフォトダイオードの出力は第２の回路を介し
て補正用回路に入力される。これら入力を補正用回路にて加算及び減算、もしくはそのい
ずれか一方を行うことで、第１のフォトダイオードにおける温度に起因した出力変動を除
去する。なお、第１のフォトダイオードには開放電圧が出力されるよう基準電位が供給さ
れ、第２のフォトダイオードには順方向のバイアスが印加されるよう電位が供給されてい
る。 （もっと読む）