【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の受光素子アレイにおいて、共通のｎ側電極を、能率よく確実に形成することができる、受光素子アレイ、その製造方法および当該受光素子アレイを用いた検出装置を提供する。
【解決手段】選択拡散されたｐ型領域１５ごとに設けられｐ側電極１２と、ＩｎＰ基板１の非成長部に接続されて、エピタキシャル積層体Ｅの最表面側へと延びるｎ側電極１１とを備え、エピタキシャル積層体Ｅの非成長側の端縁の壁面Ｅsは平滑面であり、そのエピタキシャル積層体の端縁部の格子欠陥密度が、そのエピタキシャル積層体の内側の格子欠陥密度より高く、かつｎ側電極が接続されるＩｎＰ基板の非成長部Ｍは、ＩｎＰ基板の内側から連続した平坦面とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１ウエハの上部に第２ウエハを結合させる段階と、第２ウエハの背面にハードマスク層を形成する段階と、ハードマスク層の上部に、ビアホール領域を露出させる感光膜パターンを形成する段階と、感光膜パターンをエッチングマスクとしてハードマスク層をエッチングすることでハードマスクパターンを形成する段階と、ハードマスクパターンをエッチングマスクとして第１及び第２ウエハを一定深さまでエッチングすることでビアホールを形成する段階と、を含む。これによると、両ウエハを非常に効果的に接合させることができ、高いアスペクト比を持つビアホールに残留する残渣をきれいに除去でき、素子特性をより向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】複数の光検出素子を有する光検出装置をコンパクト化すること。
【解決手段】基板２と、基板２の表面２ａ上に設けられており、電気的に直列接続された複数の光検出素子１０を有する帯状の光検出体８とを備える。複数の光検出素子１０は、光信号を電気信号に変換する光電変換領域１２と、この電気信号を外部に出力するための信号出力領域１４とをそれぞれ有する。光電変換領域１２と信号出力領域１４とは光検出体８において交互に配置され、隣り合う光電変換領域１２と信号出力領域１４とは電気的に接続され、光検出体８は、表面２ａに沿って渦巻き状に延びている。 （もっと読む）

【課題】照度センサの受光素子の小型化を図る。
【解決手段】第１導電型半導体基板３の表面側４に、第２導電型ウェル領域５と、このウェル領域５内に第１導電型領域７と第２導電型領域６とを有する第１フォトダイオード２ａと第２フォトダイオード２ｂとを備えた照度センサであって、第１フォトダイオード２ａ上に第１の絶縁膜部分１１ａと、第２フォトダイオード２ｂ上に第１の膜より厚い第２の絶縁膜部分１１ｂとを有し、第１の絶縁膜部分１１ａを貫通して第１フォトダイオード２ａの第１導電型領域７に接続する第１電極１３ａと、第１の絶縁膜部分１１ａを貫通して第１フォトダイオードの第２導電型領域に接続する第２電極と、第２の絶縁膜部分を貫通して第２フォトダイオード２ｂの第１導電型領域７に接続する第３電極１３ｄと、第２の絶縁膜部分１１ｂを貫通して第２フォトダイオード２ｂの第２導電型領域６に接続する第４電極１３ｃと、を設ける。 （もっと読む）

【課題】光感度を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１は、光が入射する光入射面３０ｂとフォトダイオード部３０ａとを有する半導体薄膜と、光入射面３０ｂの反対側の半導体薄膜の表面の上方に設けられ、凸面６２ａを有する中間層６２と、凸面６２ａの表面に設けられ、光をフォトダイオード部３０ａの方向へ反射する凹面７０ａを有する凹面反射層７０とを備える半導体装置 （もっと読む）

【課題】ｆａｒ ｆｉｅｌｄ光の影響を大幅に低減してＳ／Ｎ比 を高め、これにより近接場光を高効率に検出でき、かつ近接場光による対象物の分解能を波長の１／１０以下まで高めることができる近接場テラヘルツ光検出器を提供する。
【解決手段】テラヘルツ光１の近接場光により表面に沿う長さ方向の電気抵抗が変化する半導体チップ１２と、半導体チップの表面を覆う絶縁被膜１８と、絶縁被膜の表面を覆いテラヘルツ光を遮光可能な導電性被膜２０とを備える。導電性被膜２０は、最大寸法がテラヘルツ光の波長よりも１桁以上短いアパーチャ２１を有する。さらに、導電性被膜１８と半導体チップ１２の間に平面状の導電性プローブ１４を備える。この導電性プローブ１４は、絶縁被膜１８により導電性被膜２０から絶縁され、かつ先端部１４ａがアパーチャ２１の内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、画素が微細化されても光電変換部での飽和電荷量を確保する。
【解決手段】固体撮像装置において、ポテンシャルＩの形状が主に縦方向に電荷を蓄積する形になる光電変換部２１１を有する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系発光素子又はＧａＮ系受光素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、ＺｎＯ膜を用いたときに装置全体の電流−電圧特性を改善することができるＧａＮ系半導体装置を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。受光面側又は光取り出し面側にｐ型ＧａＮ層６に接してＺｎＯ膜８が形成され、半導体素子は受光面側又は光取り出し面側から見た大きさが２００μｍ×２００μｍ以下に作製されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系発光素子又はＧａＮ系受光素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、入射光や出射光が電極間の配線に遮られないようにしたＧａＮ系半導体を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。各ＧａＮ系半導体素子Ｄのｐ側透明電極８及びｎ電極７が半導体素子Ｄの光の取り出し面又は受光面側に形成される。各電極を接続する配線１２、１３の一部は、ｐ側透明電極８と同じ材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】所望の形状を有するモノリシック半導体レンズを簡易に形成できる半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体光デバイスの製造方法では、ナノスタンパ４３によってインプリント樹脂層４２に形成したマスクパターン４６を半導体基板２１の他面側に転写してモノリシック半導体レンズ２３を形成する。この方法では、ナノスタンパ４３の押印によってインプリント樹脂層４２に精度の高いマスクパターン４６を形成できるので、従来のようにウエットエッチングを用いる場合や、ベーキングによってレジストパターンを形成する場合と比較して、所望の形状を有するモノリシック半導体レンズ２３を簡易に形成できる。また、モノリシック半導体レンズ２３の形状の再現性も良好なものとなる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード形状に依存せず、加算出力を維持したまま、周波数特性を向上させることの可能な受光素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１０および半導体層１１によってＰＮ接合型のフォトダイオードが構成されている。半導体層１１の上面には反射防止膜１２が形成され、反射防止膜の上には受光面１Ａに対応して開口部１３Ａを有する層間膜１３が形成されている。反射防止膜１２は、第１絶縁膜１２Ａおよび第２絶縁膜１２Ｂを積層してなる積層構造を有しており、第１絶縁膜１２Ａには開口部１３Ａの端縁１３Ｂに沿って延在する溝部１２Ｃが設けられている。溝部１２Ｃの底面には半導体層１１が露出しており、溝部１２Ｃにはシリサイドを含んで構成されたカソード電極１４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤベースのフォトダイオードを提供する。
【解決手段】ナノワイヤベースのフォトダイオード１００及びくし形ｐ−ｉ−ｎフォトダイオード２００は、フォトダイオード１００、２００のｉ領域にｉ型半導体ナノワイヤ１４０、２４０を使用する。ナノワイヤベースのフォトダイオード１００、２００は、ｐ型ドーパントがドープされた第１の半導体の第１の側壁１１０、２１２、２１０と、ｎ型ドーパントがドープされた第１の半導体の第２の側壁１２０、２２２、２２０と、第１の側壁と第２の側壁との間でトレンチ１３０、２３０にかかる真性半導体ナノワイヤ１４０、２４０とを備える。トレンチは、基板１５０、１６０、２５０に隣接する底部より頂部の方が幅が広い。第１の側壁及び第２の側壁の一方又は両方の第１の半導体は単結晶であり、第１の側壁、ナノワイヤ及び第２の側壁は合わせてフォトダイオードのｐ−ｉ−ｎ半導体接合部を形成する。 （もっと読む）

【課題】機械的な歪を小さくでき、かつ低雑音の赤外線検出素子と赤外線固体撮像装置を提供する。
【解決手段】赤外線検出素子は、支持基板から分離して設けられたシリコン層に形成された第１ＰＮ接合ダイオード１０５ａと第２ＰＮ接合ダイオード１０５ｂとを含む赤外線検出素子であって、シリコン層は隣接するＰ型第１領域４０６とＮ型第２領域４０５とを有し、第１ＰＮ接合ダイオードは、Ｐ型第１領域と、Ｐ型第１領域においてＮ型第２領域から離れた位置に形成されたＮ型第１領域４０８とによって構成され、第２ＰＮ接合ダイオードは、Ｎ型第２領域と、該Ｎ型第２領域においてＰ型第１領域から離れた位置に形成されたＰ型第２領域４０７とによって構成され、第１ＰＮ接合ダイオードと第２ＰＮ接合ダイオードは、シリコン層に前記Ｐ型第１領域とＮ型第２領域に跨って形成された凹部の表面に設けられた金属膜４１２ａによって接続されている。 （もっと読む）

【課題】ビーム入射角を高精度で検出することができる小形軽量のビーム入射角検出センサユニット、ビーム入射角測定ユニット、ビーム入射角検出装置および移動装置を提供する。
【解決手段】ビームを遮蔽する第１のビーム遮蔽層本体に、ビームが入射可能の第１のスリット１１Ｃｂを形成した第１のビーム遮蔽層１１Ｃと、この第１のビーム遮蔽層１１Ｃに所定間隔を置いて対向配置される第２のビーム遮蔽層本体に、その平面方向に沿う横方向へ前記第１のスリット１１Ｃｂに対して相対的にずれた位置にて第２のスリット１２Ｃｂを形成した第２のビーム遮蔽層１２と、前記第１，第２のスリット１１Ｃｂ，１２Ｃｂから入射されたビームを検出するセンサ素子を有するセンサ層１３Ｃと、を具備している。 （もっと読む）

【課題】半導体基板から突出するメサ構造を備える半導体受光素子において、酸化等に起因する光吸収層の経時劣化を抑制することが可能な半導体受光素子を提供する。
【解決手段】半導体受光素子は、半導体基板１と、半導体基板１から突出するメサ構造２０とを備える。メサ構造２０は、半導体基板１側からこの順に積層された、光吸収層３と、電子増倍型の増倍層５と、増倍層５より狭小化されたコンタクト層７とを有する。 （もっと読む）

【課題】 回路素子領域への光の入射を抑制し回路素子を正常に動作させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置２００は、基板１１０上に形成された受光素子領域１２０と、回路素子領域１３０と、回路素子領域１３０上に形成された多層配線領域２１０とを有する。多層配線領域２１０の表面２２２には、タンタルまたはタンタル化合物から成るタンタル膜２３０が形成され、回路素子領域１３０への光の入射を抑制する。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサ素子の感度を向上可能する。
【解決手段】ｎ層４７ｎとｉ層４７ｉとｐ層４７ｐとのそれぞれを液晶パネル２００の面の法線方向ｚにおいて、順次、積層することで、フォトセンサ素子３２を形成する。ここでは、ポリシリコンよりも光吸収係数が高い微結晶シリコンによって、ｉ層４７ｉを形成する。 （もっと読む）

【課題】入射光に対する感度が高い、光感知素子及びフォトセンサ並びに表示装置を提供する。
【解決手段】光感知素子１０は、光電変換半導体薄膜１４と、光電変換半導体薄膜１４の一方の面に光入射窓部を画成するように配置されるオーミックコンタクト用薄膜１６と、オーミックコンタクト用薄膜に設けられた第１及び第２のオーミック電極１７，１８と、第１のオーミック電極１７と第２のオーミック電極１８とを短絡する接続配線１９と、光電変換半導体薄膜１４の他方の面に設けられた絶縁膜１３と、絶縁膜１３の光電変換半導体薄膜１４と接しない面に設けられた第１電極１２と、を備えている。接続配線１９と第１電極１２との間にパルスや交流の信号が印加されて、光感知素子１０から出力される出力電流が、光電変換半導体薄膜１４への入射光量に応じて変化する。 （もっと読む）

【課題】電極材料がＩｎＳｂ内に拡散することを確実に阻止し、動作環境に影響されることなく安定した特性を長期間維持できる、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ＩｎＳｂを含む化合物半導体で成る半導体層１０、半導体層１０上に形成される絶縁層１１、絶縁層の一部を除去することによって形成された開口部１２、１３の全領域と接触する第１電極８、第１電極８上に形成された第２電極９によって半導体装置を構成し、第１電極８を、第２電極９に含まれる金属が半導体層１０に拡散することを防ぐ部材で形成する。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子、受光素子アレイ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐｎ接合１５を受光層３に含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造の受光素子であって、受光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素が、受光層内に選択拡散されて形成されており、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）