【課題】その部品点数の削減、及び小型化を達成できる発光モジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１５、半導体レーザの光をモニタする受光素子１４ｂ、半導体レーザを駆動するレーザ駆動回路１４ａ、及び受光素子のモニタ出力によりレーザ駆動回路を制御する制御回路１４ｃを備えた発光モジュール１０であって、受光素子、レーザ駆動回路及び制御回路は、半導体製造プロセスを経て製造された半導体回路基板１４に集積されており、半導体レーザは、半導体回路基板の受光素子にて半導体レーザの光をモニタ可能な位置に搭載されている。 （もっと読む）

【課題】２つの光検出器に対応する２つの色を含む情報のミキシングに対して感受性のない検出装置を提供する。
【解決手段】基板３は、第１のバンドギャップエネルギーを有する第１の半導体層５と、半導体バッファ層６と、第１のバンドギャップエネルギーと異なる第２のバンドギャップエネルギーを有する第２の半導体層７とを連続的に備える。２つの異なる色に反応する２つの光検出器１、２は、第１及び第２の半導体層５、７の上にそれぞれ形成される。第１のバイアスパッド９は、第１の半導体層５を第１のバイアス回路８ｂ、１４に電気的に接続する。第２のバイアスパッド１０は、第２の半導体層７を第２のバイアス回路８ａ、１５に電気的に接続する。第１のバイアスパッドは第２の半導体層７と電気的接続しない。 （もっと読む）

【課題】複数位相の同時復調を行うことができ、かつ、素子構造が単純であって、比較的小さな撮像素子を構成する際にも高解像度を得ることができるほどの密度に実装することが可能であり、しかも安価に製造できる汎用の半導体製造プロセスでの製造する。
【解決手段】少なくとも４個以上のＰＮ接合ダイオードのなかで少なくとも２個以上のＰＮ接合ダイオードに電圧を印加して、エピタキシャル層内の静電ポテンシャルを変調する変調電位印加ダイオードとし、少なくとも４個以上のＰＮ接合ダイオードのなかで変調電位印加ダイオードと重複しない少なくとも２個以上のＰＮ接合ダイオードは、エピタキシャル層で生成された光電子を回収する光電子回収ダイオードとし、少なくとも２個以上の変調電位印加ダイオードへそれぞれ印加する電圧の位相を変化させて静電ポテンシャルの勾配を制御し、光電子の少なくとも２個以上の光電子回収ダイオードへの移動を制御する。 （もっと読む）

【課題】大面積化を図りつつ、時間分解能をより一層向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子１０は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、各アバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して直列に接続されるクエンチング抵抗Ｒ１と、クエンチング抵抗Ｒ１が並列に接続される信号線ＴＬと、を含むフォトダイオードアレイＰＤＡを一つのチャンネルとして、複数のチャンネルを有する。搭載基板２０は、チャンネル毎に対応した複数の電極Ｅ９が主面２０ａ側に配置されると共に、各チャンネルからの出力信号を処理する信号処理部ＳＰが主面２０ｂ側に配置されている。半導体基板１Ｎには、チャンネル毎に、信号線ＴＬと電気的に接続された貫通電極ＴＥが形成されている。貫通電極ＴＥと電極Ｅ９とがバンプ電極ＢＥを介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】石英系光導波路デバイスとフォトダイオードとが、同一基板上にモノリシックに集積できるようにする。
【解決手段】光モジュールは、シリコン基板１００と、シリコン基板１００の上に形成されたＳｉＯ₂からなる下部クラッド層１０１と、下部クラッド層１０１の上の第１領域１１０に形成されたゲルマニウムフォトダイオード１１０ａと、下部クラッド層１０１の上の第１領域１１０に連続する第２領域１２０に形成されたシリコンコア１２１と、第２領域１２０の一部から第２領域１２０に連続する第３領域１３０にかけて形成された石英コア１３１とを備える。また、ゲルマニウムフォトダイオード１１０ａ，シリコンコア１２１，および石英コア１３１の上に形成されたＳｉＯ₂からなる上部クラッド層１０３を備える。 （もっと読む）

【課題】基板間の接合性を改善してボイドの発生を抑制することにより、信頼性の向上が図られた３次元構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１を、第１電極３３および第１絶縁膜３５を含むと共に、これらの第１電極３３および第１絶縁膜３５を露出させた貼合せ面４１を有する第１基板２と、第１電極３３に電気的に接続された第２電極６７および第２絶縁膜６９を含むと共に、これらの第２電極６７および第２絶縁膜６９を露出させた貼合せ面７１を有し、第１基板２に貼り合わされて設けられた第２基板７と、各基板の貼合せ面４１，７１の間に狭持された絶縁性薄膜１２とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】高性能な光センサーを提供すること。
【解決手段】光センサー１は、計測セル２０と、第一選択線ＧＳＥＬＡと、読み出し線Ｓｅｎｓｅと、を有し、計測セルは、受光素子ＰＤと、第一トランジスターＡＭＰＴＦＴ１と、第二トランジスターＡＭＰＴＦＴ２と、選択トランジスターＳＥＬＴＦＴと、を備える。第一トランジスターＡＭＰＴＦＴ１のゲートとソースとが、其々、受光素子ＰＤの第一極と、第二トランジスターＡＭＰＴＦＴ２のゲートとに接続される。選択トランジスターＳＥＬＴＦＴのドレインとゲートとソースとが、其々、第二トランジスターＡＭＰＴＦＴ２のソースと、第一選択線ＧＳＥＬＡと、読み出し線Ｓｅｎｓｅと、に接続される。斯うする事で、高速計測と高精度計測とが両立する光センサー１が実現する。 （もっと読む）

【課題】二色性フォトダイオードおよび二色性光検出のための方法を提供する。
【解決手段】広バンドギャップ接合は、第１光スペクトルを検出するよう動作可能な格子整合接合を含む。狭バンドギャップ接合は、広バンドギャップ接合に結合されており、かつ、フォトダイオード構造を含む。狭バンドギャップ接合は、第２光スペクトルを検出するよう動作可能である。 （もっと読む）

【課題】ＰＤからのオーバーフローを安定的に行う固体撮像素子および電子機器を提供する。
【解決手段】撮像素子は、シリコン基板に複数の画素２１がアレイ状に配置された画素アレイ部と、画素を駆動する駆動部とを備え、画素は、ＰＤ２４、オーバーフロードレイン３３、および電位障壁部３２を有する。ＰＤ２４は、シリコン基板３１に配線層が積層される表面に対して反対側となる裏面の近傍に形成され、入射光に応じた電荷を発生する。オーバーフロードレイン３３は、裏面に接して形成され、所定の電圧で固定される。電位障壁部３２は、光電変換部２４とオーバーフロードレイン３３とに接続して形成され、光電変換部２４からオーバーフロードレイン３３へ流れ出る電荷に対する障壁となる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ゴーストなどの発生を抑制して、画像品質を向上させる。
【解決手段】入射光Ｈを受光する複数の画素ＰＸが半導体基板１０１の上面に配列されているセンサ基板１００と、前記センサ基板の上面に下面が対面しており、前記入射光が透過する透明基板３００と、前記透明基板の上面と前記センサ基板の上面との間のいずれかの位置に設けられており、前記入射光が透過する回折格子６０１とを有し、前記回折格子は、前記半導体基板の上面にて前記複数の画素が配列された画素領域ＰＡに前記入射光が入射し回折されることで生ずる反射回折光を回折するように形成する。 （もっと読む）

【課題】斜めに入射する光が隣接する画素領域に混入することを抑制することができ、且つ、感度の低下を抑制することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置は、主面に複数の光電変換部が設けられた基板と、前記複数の光電変換部毎に設けられ、屈折率の異なる複数の層が積層され、所定の波長領域の光を選択的に透過させる干渉フィルタと、を備えている。そして、隣接する前記干渉フィルタ同士の間には、空隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面上に有機検出器を有する有機イメージング装置を対象としている。
【解決手段】本装置は、写真撮影、軽量カメラシステム、超高解像度イメージング、軽量“暗視”、ロボット視覚等のイメージング応用において使用可能である。可変レンズを備えた凹状のハウジングが提供される。可変レンズによって、視野及び焦点距離に幅が出る。本発明は、一定範囲の電磁放射を検出するように構成され得る。そして、コンピュータ、ディスプレイまたは他の処理用装置に対する入力が提供され、または、検出された放射が画像として表示される。 （もっと読む）

【課題】入射光を遮ることなく、電磁ノイズをシールドすることができる半導体受光素子であって、受光素子とポリシリコン膜とがショートすることを回避し、かつ、受光素子のカソードとポリシリコン膜との間に発生する寄生容量を低減し、これによって、受光素子に接続される増幅器の動作の安定化を図ることができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】Ｐ型基板１に形成されたＰＮ接合部４ａを有する受光素子４と、受光素子４を覆うＬＯＣＯＳ酸化膜５ａよりなる絶縁部と、絶縁部上に形成された透光性導電膜としてのポリシリコン膜８と、透光性導電膜に接続され、ＧＮＤ電位に固定するための電極７とを備える。 （もっと読む）

【課題】ノイズ光の影響を軽減することが可能な光電変換素子および光電変換装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオードは、基板上に、第１導電型（例えばｐ型）半導体層、ｉ型半導体層および第２導電型（例えばｎ型）半導体層をこの順に備え、基板と第１導電型半導体層との間に遮光層を有している。第２導電型半導体層側から入射する光に基づいて信号電荷が取り出される（光電変換がなされる）。基板と第１導電型半導体層との間に遮光層が設けられていることにより、第２導電型半導体層側から入射した光のうち、吸収されずに第１導電型半導体層を透過して基板側へ出射した光が遮断されると共に、基板側から第１導電型半導体層へ向かう光が遮断される。 （もっと読む）

【課題】発明が解決しようとする課題は、高効率で受光する小型の受光素子および光送受信ユニットを得ることにある。
【解決手段】
一実施形態による受光素子は、半導体材料からなる下部クラッド層と、下部クラッド層上に設けられ、ディスク状あるいはリング状であり、半導体材料からなる光吸収層と、光吸収層上に設けられ半導体材料からなる上部クラッド層、上部クラッド層と第１のコンタクト層を介して対向する第１の電極と、下部クラッド層と第２のコンタクト層を介して対向する第２の電極と、を備える。上部クラッド層は第１のコンタクト層および光吸収層と接する部分以外の側面の少なくとも一部に上部クラッド層の他の部分よりも屈折率が低い低屈折率部分を有するか、下部クラッド層は第２のコンタクト層および光吸収層と接する部分以外の側面の少なくとも一部分に下部クラッド層の他の部分よりも屈折率が低い低屈折率部分を有するか、その両方である。 （もっと読む）

【課題】本実施例における受光素子は、光吸収効率を向上させつつ、高周波数帯域においても十分な信号レベルを有する検出信号を供給すること、及び入力信号光の強度が高い高強度光入力に対応した出力動作を行うことを目的とする。
【解決手段】本実施例における受光素子は、信号光を伝播させるコアと、前記コアから、前記コアの延在方向より前記信号光を受光する第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層が受光した前記信号光を吸収する吸収層と、前記第１導電型と反対の第２導電型を有する第２半導体層とを有する。 （もっと読む）

【課題】入射光の利用効率を向上する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光路部材２２０は、中心部分２２２と、中心部分２２２の屈折率よりも低い屈折率を有する周辺部分２２１と、を含んでおり、光電変換部１１０の受光面１１１に平行な第５平面１００５内、および受光面１１１に平行で第５平面１００５よりも受光面１１１に近い第６平面１００６内において、周辺部分２２１が中心部分２２２に連続して中心部分２２２を囲み、かつ、周辺部分２２１の屈折率が絶縁膜２００の屈折率よりも高く、第５平面１００５内における周辺部分２２１の厚みＴＨ２よりも、第６平面１００６内における周辺部分２２１の厚みＴＨ４が小さい。 （もっと読む）

【課題】 簡単な工程で半導体装置を製造することが可能となる。
【解決手段】 半導体基板１０１の撮像領域１０３及び周辺領域１０４の上に第５層間絶縁膜１１３ｅが配される。第５層間絶縁膜１１３ｅの光電変換部１０５と重なった位置に開口１１６が形成される。半導体基板１０１の撮像領域１０３及び周辺領域１０４に第１導波路部材１１８を形成する。第１導波路部材１１８の周辺領域１０４に配された部分を除去し、第５層間絶縁膜１１３ｅを露出させる。 （もっと読む）

【課題】レンズが高密度に集積されていて且つ、作製歩留まりのよい水平共振器垂直出射レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１導電型クラッド層と活性層と第２導電型クラッド層が積層された積層構造を含み活性層で発生した光を反射もしくは共振させる共振器構造部と、半導体基板の一部に設けられ活性層からの光を導波する光導波路層と、該光を反射させ半導体基板の裏面から出射するための光導波路層に設けられた反射鏡と、半導体基板の裏面に設けられ反射鏡で反射された光を集光する集光レンズとを備え、半導体基板の裏面には集光レンズが設けられた溝部と、半導体基板のヘキカイ方向に沿って設けられたテラス状部とを有し、該テラス状部は共振器構造の下方に配置され、ヘキカイ方向を長手方向とするテラス形状を有することを特徴とする水平共振器垂直出射レーザ。 （もっと読む）

【課題】 導波路型のフォトダイオードにおける信頼性を向上させること。
【解決手段】 半導体からなり、メサ型構造を有する光導波路５０と、半導体からなり、光導波路５０に接続され、光導波路５０よりも広いメサ型構造を有する光導波路構造を備えたフォトダイオード５２と、を有する光半導体。フォトダイオード５２における導波路幅を広げることで、コア２０の側面付近に欠陥が生じた場合でも光の導波領域を保護することができるため、フォトダイオード５２の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）