【課題】好適に成膜できる温度条件が異なる、複数の光電変換層を有する多接合型太陽電池の製造時間を短縮する方法を提供することである。
【解決手段】基板２上に異なる光電変換層５，６を複数備えた多接合型太陽電池１の基板２を同一の成膜室１４で連続的に製造する際に、第１の光電変換層５を形成するのに適した第１温度領域と、第２の光電変換層を形成するのに適した第２温度領域とが相違する場合において、成膜室１４に備えた加熱装置２３の設定を変えることによって、成膜室１４内の基板２の温度を任意に変更可能であり、前記基板２の第１の光電変換層５を形成中に、前記加熱装置２３の設定温度を、基板温度が第２温度領域に近付くように設定する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池や発光素子等の光学素子において、光の利用効率を改善することができるガラス基板及びガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一面の長手方向に、突条と条溝との周期的な繰り返し構造を有するガラス基板であって、波長３００nm〜８００nmのヘイズ率が３０%以上であることを特徴とするガラス基板。ガラス母材の少なくとも一面に、突条と条溝との周期的な繰り返し構造を形成し、次に、前記ガラス母材を加熱して前記突条及び前記条溝の長さ方向に延伸する。 （もっと読む）

【課題】光電変換モジュールを重ね合わせた際の全体の容量を小さくする。
【解決手段】光電変換モジュール２００の裏面に配置されたフレーム２６を備え、フレーム２６は、光電変換モジュール２００に固定される固定部２６ａと、固定部２６ａから光電変換モジュール２００の裏面に対して立ち上げられた端部２６ｂと、を備える形状とする。 （もっと読む）

【課題】短絡部へ太陽電池セルの耐電圧以下の所要の電圧を安定して印加させることで短絡部除去効果を安定化させ、また装置コスト及び保守コストの低減を図り得る太陽電池の短絡部除去装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、第１の太陽電池セル１Ｂにおける第１の電極層３ｂの一方の端部付近に接触させる第１の電圧印加部材８ａと、第１の太陽電池セル１Ｂに隣接する第２の太陽電池セル１Ｃにおける第１の電極層３ｃであって第１の太陽電池セル１Ｂにおける第２の電極層５ｂに同電位に接続される当該第２の太陽電池セル１Ｃにおける第１の電極層３ｃの他方の端部付近に接触させる第２の電圧印加部材８ｂと、第１の電圧印加部材８ａと第２の電圧印加部材８ｂとの間に接続され第１の太陽電池セル１Ｂに対し耐電圧以下の逆方向電圧を印加する直流電源９とを有する太陽電池の短絡部除去装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】触媒線の長寿命化を可能とする触媒ＣＶＤ装置、膜の形成方法及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置１００において、制御部は、成膜時の前後の所定の時間において、触媒線１３の温度を待機温度に制御する。待機温度は、成膜時における触媒線１３の温度より低く、かつ、室温より高い所定の温度である。 （もっと読む）

【課題】基板の膜面に接触することなく、基板を撓ませずに保持するとともに、基板全体を排気することなく、レーザ加工の残滓を除去すること。
【解決手段】ガラス基板１を立ててガラス基板１の周辺部を固定枠１４にて固定し、レーザ光３１をガラス基板１に照射するとともに、加工残滓の吸引しながら、Ｘステージ１２をＸ方向に一定速度で移動させることで、ガラス基板１上の膜にスクライブパターン３を形成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に対して精度の高い検査を、簡易にかつ確実に実施することができる検査装置を提供する。
【解決手段】少なくとも太陽電池モジュール２を構成する光電変換層１３が形成された透光性基板１１Ａが載せられる支持部と、光電変換層１３にエネルギを入力する入力部１４０と、入力されたエネルギに対する光電変換層１３の反応を測定する測定部１６０と、支持部に対して水平方向に相対移動可能とされ、入力部１４０および測定部１６０の一方が配置される移動部１５０と、支持部を上下方向に移動させ、透光性基板１１Ａと移動部１５０との間隔を変更する昇降部と、外光を遮蔽するとともに、支持部、昇降部、入力部１４０、測定部１６０および移動部１５０を内部に収納する暗室１１０と、が設けられ、入力部１４０および測定部１６０の他方は、支持部に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの発電効率が高く、発生させた電力をファン以外の用途にも使用することが出来、建設費の低減や工期の短縮化を図ることが可能であり、下水道施設の景観も良好となり、更に適切に脱臭が行われ得る、下水道施設の覆蓋手段を提供すること。
【解決手段】上面板の表面に太陽電池モジュールが設置された覆蓋１０ａ、覆蓋１０ｂ、覆蓋１０ｃが隣接して配置され、それらの上面板２が一の平面を形成してなるとともに、覆蓋１０ａ、覆蓋１０ｂ、覆蓋１０ｃによって、下方が開口した内部空間が形成されている下水道施設の覆蓋集合体１の提供による。 （もっと読む）

【課題】高品質の酸化亜鉛系の薄膜を低コストで得ることができる技術を提供する。
【解決手段】第一原料ガス精製装置３は、成膜チャンバーに導入される亜鉛原料ガスをジエチル亜鉛から生成させるものであり、減圧可能な液体原料気化容器２１ａ，２１ｂとヒータ２２ａ，２２ｂを主要構成としている。ヒータ２２ａ，２２ｂにより液体原料気化容器２１ａ，２１ｂ内のジエチル亜鉛を減圧下で加熱することができ、ジエチル亜鉛が減圧蒸留に供される形となる。そのため、純度９６．０〜９９．８％の低純度ジエチル亜鉛を用いても、高純度ジエチル亜鉛の使用時と変わりなく、低コストで酸化亜鉛系の薄膜を製造することができる。また当該薄膜は、特に光の散乱性能の点で高い性能を有し、太陽電池の透明導電膜として有用である。 （もっと読む）

【課題】
ガラス基板から透明導電膜を通り光電変換層へ入射する太陽光線のロスを抑えることのできる太陽電池及びその製造法を提供する。
【解決手段】
本発明による、ガラス基板上に透明導電膜層、光電変換層及び裏面電極を積層して成る太陽電池は、ガラス基板とその上に形成される透明導電膜層との間に、ガラス基板の屈折率から透明導電膜層の屈折率まで連続して変化する傾斜屈折率層を設けたことを特徴としている。
また、本発明による太陽電池の製造法は、アルコキシシラン化合物及びアルコキシジルコ化合物を含有する溶液をその混合比を制御しながらスプレーデポジション法によりガラス基板上に塗布することにより組成が連続して変化した傾斜屈折率層を、ガラス基板と透明導電膜層との間に形成する。 （もっと読む）

【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】ｐ型層３０と、バッファ層３１と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａよりｐ型ドーパントのドーパント濃度が低い低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂを設ける。ここで、バッファ層３１をアモルファス炭化シリコンで形成するとともに、低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａの膜厚は、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂ及びバッファ層３１の膜厚よりも厚くする。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池の電極剥離を防止できる非絶縁型の電力変換装置およびそれを用いた太陽光発電システムを提供する。
【解決手段】太陽電池１の負極の電位を基準として、正側および負側の電圧を有する二直流電源を生成するＤＣ／ＤＣコンバータ４と、該ＤＣ／ＤＣコンバータ４からの直流電力を、前記二直流電源の基準電位を基準として交流電力に変換するインバータ５とを具備し、インバータ５のスイッチングによって二直流電源の基準電位が変動するのを抑制し、これによって、薄膜太陽電池１の負極の電位が変動するのを抑制して、薄膜太陽電池１の電極剥離を防止する。 （もっと読む）

【課題】反射特性が最適化された中間コンタクト層を備える光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に基板１と反対側の表面に凹凸構造を備える透明電極層２と、透明電極層２上に２つの発電層９１，９２からなる光電変換層３と、光電変換層３上に裏面電極層４と、２つの発電層９１，９２の間に設けられる中間コンタクト層５とを備え、中間コンタクト層５が、基板１側から順に、酸化チタンを主とする酸化チタン膜と、透明導電性酸化物を主とする裏面側透明導電膜とを含み、酸化チタン膜の膜厚が、裏面側透明導電膜の膜厚が５ｎｍのときに６５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、１０ｎｍのときに６５ｎｍ以上９５ｎｍ以下、１５ｎｍのときに６５ｎｍ以上９０ｎｍ以下、２０ｎｍのときに６０ｎｍ以上８５ｎｍ以下、２５ｎｍのときに５５ｎｍ以上７０ｎｍ以下、及び、３０ｎｍのときに５５ｎｍ以上６５ｎｍ以下で表される領域の範囲内である光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】高い長波長感度は保持したまま、開放電圧や形状因子の低下を抑制または向上させた光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ｉ層が、ｐ層側傾斜層が、結晶質シリコンと結晶質シリコンゲルマニウムとを含み、ｐ層側傾斜層中のゲルマニウム濃度が、結晶質シリコンゲルマニウム層に含まれるゲルマニウム濃度以下の濃度範囲で、ｐ層側結晶質シリコン層から結晶質シリコンゲルマニウム層に向かって段階的または単調にゲルマニウム濃度が増加し、ｐ層側結晶質シリコン層の膜厚が、ｐ層側結晶質シリコン層の膜厚とｐ層側傾斜層の膜厚との和に対して３０％以上５０％以下の厚さであり、ｐ層側結晶質シリコン層の膜厚とｐ層側傾斜層の膜厚との和が、ｐ層側結晶質シリコン層の膜厚と、ｐ層側傾斜層の膜厚と、結晶質シリコンゲルマニウム層の膜厚との和に対して２０％以上５０％以下である光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】発電量が大きい太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池モジュール１では、透光性を有する基板２と、基板２上に設けられ、第１の方向に相互接続された複数の光電変換素子２０と、複数の光電変換素子２０の第１の面上に配置され、電力を集電するための電極６ａ、６ｂと、光電変換素子２０の第１の面上において、電極６ａ、６ｂに接続され、電極６ａ、６ｂからの電力を外部に取り出すための配線８ａ、８ｂと、を備える。そして、複数の光電変換素子２０は第１の方向と交差する第２の方向に延在したスリットＳ１によって分割されるとともに、電極６ａ、６ｂはスリットＳ１と重畳するように配置される。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの基板の割れおよび電極の剥離を抑制でき、歩留まりの低下を抑制可能な太陽電池セル、太陽電池モジュールを提供することが課題である。
【解決手段】半導体基板の一方の主面上に形成される一方の主面側電極２３と、この半導体基板の他方の主面上に形成される他方の主面側電極２２を備え、一方の主面側電極２３上及び他方の主面側電極２２上に接続用導電性接続部材が設けられる太陽電池セルであって、半導体基板の端部側上に補助膜２３cを備え、この補助膜２３ｃはその輪郭領域が半導体基板の端部側上に設けられる接続用導電性接続部材の幅より幅広であり、且つ補助膜２３ｃは輪郭領域内に補助膜２３ｃが存在しない部分２３４ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、透明導電膜の結晶粒界密度を減少させ、Ｎａイオンの拡散を抑制し、耐Ｎａ性を向上させることを目的とする。
【解決手段】 この発明は、ｎ単結晶シリコン基板１と、このｎ型単結晶シリコン基板１表面に真性な非晶質シリコン層２を介して形成されたｐ型非晶質シリコン層３と、このｐ型非晶質シリコン３層上に形成された透明導電膜４と、を備えた光起電力装置であって、単結晶シリコン基板１の非晶質シリコン層２が設けられる表面は、表面の凹凸を近似直線からの標準偏差が１．０ｎｍ未満になるように規定している。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルと金属基板の間の浮遊容量の影響が小さく、また、両者間の電位差が小さく、１モジュール当たりの出力電圧の高い高電圧太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】金属基板と、その上の絶縁層と、その上の、直列接続される複数の太陽電池セルと、２つの出力端子と、接地端子とを有し、各太陽電池セルは、絶縁層上の裏面電極層と、その上の、受光した光を電気に変換する光電変換層と、その上の透明電極層とを備え、２つの出力端子は、一方の端部の太陽電池セルの裏面電極層に接続される第１の出力端子と他方の端部の太陽電池セルの透明電極層に接続される第２の出力端子とからなり、さらに、複数の太陽電池セルの真中の太陽電池セルからプラス１０％〜マイナス１０％の範囲にある１つの接地用太陽電池セルの裏面電極層と金属基板とを電気的に導通する導電層を有し、接地端子は、金属基板に接続され、金属基板及び導電層を介して接地用太陽電池セルに接続されることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】従来の単結晶、多結晶、薄膜太陽電池よりも透明電極と集電極との接合を良好にする。
【解決手段】厚みが２５０μｍ以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、さらにその上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、上記透明電極において、集電極と半導体層に挟まれた実質的に光が当たらない箇所とそれ以外の箇所でキャリア濃度が異なり、さらに、実質的に光が当たらない箇所の方がそれ以外の箇所よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする、結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換セルを形成後に、光電変換セルの出力特性を低下させることなく複数の領域に分離した光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極、光電変換層、第２の電極を順に積層し、光電変換素子を形成する第１の工程と、光電変換層、第２の電極を除去し、第１のスリットを形成する第２の工程と、第１のスリットと重なる領域において第１の電極を除去して第２のスリットを形成し、光電変換素子を複数の領域に分割する第３の工程と、を含む。 （もっと読む）