【課題】光吸収半導体層のヘテロ接合における格子整合度が高く且つエネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池１０は、ｎ型半導体であるｎ層１１と、ｐ型半導体であるｐ層１２と、ｎ層１１及びｐ層１２に挟まれたi層１３とを備え、i層１３は、第１のエネルギーギャップＥｇ１を有する第１化合物半導体層１４と、第１化合物半導体層１４とヘテロ接合して積層され、且つ第１のエネルギーギャップＥｇ１よりも小さい第２のエネルギーギャップＥｇ２を有する第２化合物半導体層１５と、を有し、第１化合物半導体層１４と第２化合物半導体層１５とは格子整合しており、第１化合物半導体層１４の伝導帯の下端と第２化合物半導体層１５の伝導帯の下端との間のエネルギーギャップは、室温での熱エネルギー以下である。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、高効率の光学デバイスを製造する。
【解決手段】多結晶ウルツ鉱型半導体素子２００の製造方法であって、層状物質であり、かつ、六回対称結晶構造を有するグラファイト基板２０１の主面に、表面処理を行うことにより表面を荒らす表面処理ステップと、表面処理ステップで表面処理された主面に、複数の結晶粒１０４を有する多結晶ウルツ鉱型半導体１０３を主面の垂直方向に成長させる成膜ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いた高効率な太陽電池を提供する。
【解決手段】タンデム型の太陽電池１００であって、ｐ型の窒化物半導体である第１超格子層１１１とｎ型の窒化物半導体である第２超格子層１１４とを含み、第１の光を吸収する窒化物半導体太陽電池層１１０と、積層されたｐ型アモルファスシリコン層１３１とｎ型アモルファスシリコン層１３３とを含み、前記第１の光より長波長の第２の光を吸収するアモルファスシリコン太陽電池層１３０とを備え、ｐ型の前記第１超格子層１１１、ｎ型の前記第２超格子層１１４、前記ｐ型アモルファスシリコン層１３１、及び前記ｎ型アモルファスシリコン層１３３は、この順に積層されている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの外周側面に力が作用した場合でも，ｐｎ接合の破壊を抑制して、太陽電池セルの発電能力を安定して維持することができる、太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の結晶系半導体で形成された基板１と、基板１上に積層された第１導電型の第１半導体層３Ａ，３Ｂ、および、第１半導体層３Ａ，３Ｂとの境界にｐｎ接合部９Ａ，９Ｂを形成するように第１半導体層３Ａ，３Ｂの上面に積層された、第２導電型の第２半導体層４Ａ，４Ｂを含む積層体とを備えている。基板１は、その主表面から所定の深さにかけて第２導電型の拡散層１Ｂが設けられ、拡散層１Ｂとの境界にｐｎ接合部８Ａ，８Ｂが形成された第１導電型領域１Ａを有している。太陽電池セルの周縁に、積層体の上部から、基板１内のｐｎ接合部８Ａ，８Ｂより下方まで溝部１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】エチレン・α−オレフィン共重合体とシランカップリング剤などを含有し、耐熱性、透明性、柔軟性に優れる太陽電池封止材用樹脂組成物の提供。
【解決手段】下記の特性を有するエチレン・α−オレフィン共重合体成分（Ａ）、有機過酸化物成分（Ｂ）、エチレンと式（Ｉ）で表される環状アミノビニル化合物との共重合体成分（Ｃ）及びシランカップリング剤成分（Ｄ）を含有することを特徴とする太陽電池封止材用樹脂組成物によって提供。
（ａ１）密度が０．８６０〜０．９２０ｇ／ｃｍ^３
（ａ２）ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求めたＺ平均分子量（Ｍｚ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｚ／Ｍｎ）が８．０以下
（ａ３）１００℃で測定した、せん断速度が２．４３×１０ｓ^−１での溶融粘度が９．０×１０^４ｐｏｉｓｅ以下
（ａ４）１００℃で測定した、せん断速度が２．４３×１０^２ｓ^−１での溶融粘度が１．８×１０^４ｐｏｉｓｅ以下 （もっと読む）

【課題】エチレン・α−オレフィン共重合体とシランカップリング剤などを含有し、耐熱性、透明性、柔軟性に優れ、剛性と架橋効率とのバランスもよい太陽電池封止材用樹脂組成物の提供。
【解決手段】下記の（ａ１）〜（ａ５）の特性を有するエチレン・α−オレフィン共重合体成分（Ａ）及びシランカップリング剤成分（Ｂ）を含有することを特徴とする太陽電池封止材用樹脂組成物によって提供。
（ａ１）密度が０．８６０〜０．９２０ｇ／ｃｍ^３
（ａ２）ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求めたＺ平均分子量（Ｍｚ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｚ／Ｍｎ）が８．０以下
（ａ３）１００℃で測定した、せん断速度が２．４３×１０ｓ^−１での溶融粘度が９．０×１０^４ｐｏｉｓｅ以下
（ａ４）１００℃で測定した、せん断速度が２．４３×１０^２ｓ^−１での溶融粘度が１．８×１０^４ｐｏｉｓｅ以下
（ａ５）ポリマー中のコモノマーによる分岐数（Ｎ）が式（ａ）を満たす。 （もっと読む）

【課題】集積型光発電素子の集電効率を高めること。
【解決手段】複数のセルが直列に接続された集積型光発電素子Ｉであって、基板１０と、基板１０上に形成され、隣接する他のセル側に突き出る形状を有する第１のパターニングにより分割された複数の裏面電極層１１と、隣接する２個の裏面電極層１１を跨ぐように裏面電極層１１上に形成され、且つ分割溝１５によって分割された複数の半導体層１２と、分割された半導体層１２上にそれぞれ形成された電極層（透明電極層）１３と、少なくとも半導体層１２の一部に裏面電極層１１を分割する第１のパターニングに倣う形状の第２のパターニングにより形成され、隣接する他のセルから電流を集電する集電端部１４と、を有することを特徴とする集積型光発電素子Ｉ。 （もっと読む）

【課題】色素増感型太陽電池又は薄膜太陽電池を用いた太陽電池モジュールであって、発電効率の向上を図ることができると共に作製が容易な太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】複数の太陽電池セル２０が積層されてなるセルユニット１０と、セルユニット１０を支持する支持体３０と、を備え、太陽電池セル２０は、色素増感型太陽電池又は薄膜太陽電池であり、支持体３０は、板状のベース部３２と、ベース部３２上に設けられており対向して配置された少なくも一対の側壁部３１，３１側と、を有し、セルユニットは、一対の側壁部３１，３１間において、太陽電池セルへ光１００が入射する面２０ａの法線方向に対して光１００が斜めに入射するように傾けて配置されている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池ストリングの位置ずれを抑制可能とする太陽電池及び太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】太陽電池１０において、太陽電池基板２０の裏面は、複数の裏面側細線電極３０Ｂの外縁を直線で結んだ矩形状の領域である電極形成領域Ｒａを有する。電極形成領域Ｒａは、第１領域Ｒ１と、第１領域Ｒ１よりも単位面積当たりにおける太陽電池基板２０の露出面積が大きい第２領域Ｒ２とを含む。第２領域Ｒ２は、裏面のうち直交方向Ｔの端部に形成される。 （もっと読む）

【課題】基板に位置決め用のマーカを簡易に形成することができ、基板の位置決めを高精度に実施する。基板に対して最終的に使用されない耳端部を設ける必要なく、基板に位置決め用のマーカを形成する。
【解決手段】本発明の基板は、特定波長域の光を選択的に吸収する光吸収剤、又は特定波長域の光を選択的に反射する光反射剤を用いて形成された位置決め用のマーカを有する。特定波長域の光が、近赤外線、赤外線、近紫外線、又は紫外線であることが好ましい。位置決め用のマーカが基板の裏面に形成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来の多接合型太陽電池等において、太陽電池セルを積層するため半導体層の構造上の制約が多く十分な特性が得られないという問題があったので、積層構造の自由度を高め、光電変換効率を増大させることを目的とする。
【解決手段】複数の光吸収スペクトルの異なる太陽電池セルを積層した多接合型太陽電池において、太陽電池セルは、両面に開口する貫通孔を有する透明基板上に形成され、透明基板の貫通孔内部及び太陽電池セルの形成されていない側の面が、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換層での変換効率の向上を図れる有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の一表面側に形成された第１の電極２と、第１の電極２における基板１側とは反対側で第１の電極２に対向する第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に設けられた光電変換層３と、基板１の上記一表面側で第１の電極２、光電変換層３、第２の電極４の露出表面を覆う形で形成された表面保護層７とを備える。光電変換層３は、第１の電極２における当該光電変換層３側に設けられた多数の有機ナノ構造体５と、有機ナノ構造体５とは異なる有機半導体材料により形成され各有機ナノ構造体５が埋設された機能層６とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】ショットキー型太陽電池の電極に微細な開口を有することにより変換効率を向上させる。
【解決手段】本発明のショットキー型太陽電池は、受光面の金属電極を、サブミクロンの開口を有するナノメッシュ金属電極にすることを特徴とする。ナノメッシュ金属にすることで開口部に発生する強い局在電場により、ナノメッシュ金属電極と半導体界面近傍に通常よりも多くのキャリアが励起され、変換効率を向上することが可能となることを特徴とする太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】バックコンタクト単一ヘテロ接合型太陽電池及び関連する製造プロセスを提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法では、第１ドーパント型で低濃度にドープされた第１半導体基板を設ける。上記基板は第１エネルギーバンドギャップを有している。次に上記基板の裏面の領域に第２半導体膜を形成する。上記第２半導体膜は、第１エネルギーバンドギャップよりも大きな第２エネルギーバンドギャップを有している。上記基板の表面上には、第１ドーパントで中濃度にドープされ、さらに微小凹凸加工されている第３半導体層を形成する。上記基板の裏面には第１ドーパント型とは極性が逆の第２ドーパント型で高濃度にドープされたエミッタ、及び第１ドーパント型で高濃度にドープされたベースを形成する。上記ベース及びエミッタは電気接続がなされている。エミッタおよびベースの一方は第２半導体膜に形成されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来は理想でしかなかった量子ドット導入層の多層化活性層を実現しすることを目的とする。
【解決手段】
本発明は、量子ドットが導入された層が多層化されてなる活性層を有する光素子であって、前記活性層の格子歪みがないことを特徴とし、前記の光素子において、前記量子ドットと、それを導入する母体とが、両者の格子定数が０．５％以下である材料よりなることを特徴とする。
本発明は、前記の光素子において、前記量子ドットを構成する材料よりも、これらが導入されている母体の材料のバンドギャップエネルギーが大きいことを特徴とし、活性層の上下に電極を配してなる太陽電池であって、前記活性層が、本発明のいずれかに記載の活性層であることを特徴とする。
本発明は、前記の太陽電池において、前記活性層を構成する量子ドットがＧａＡｓからなり、その母体がＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可撓性及び耐熱性のバランス並びに水蒸気バリア性及び耐傷性に優れ、赤外線を透過して蓄熱を抑制し光電変換効率を改良することができる太陽電池用バックシート及びそれを備える太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用バックシート（１）は、第１樹脂層（１１）、第２樹脂層（１２）、第３樹脂層（１３）、水蒸気バリア層（１４）及び第４樹脂層（１５）を、順次、備え、第１樹脂層（１１）が赤外線透過性着色樹脂層であり、第２樹脂層（１２）及び第３樹脂層（１３）のうち少なくとも第２樹脂層（１２）が白色系樹脂層であり、第４樹脂層（１５）が裏面保護層であり、第１樹脂層（１１）の厚さＨ_Ａ、第２樹脂層（１２）の厚さＨ_Ｂ及び第３樹脂層（１３）の厚さＨ_Ｃが、０．４≦（Ｈ_Ａ＋Ｈ_Ｃ）／Ｈ_Ｂ≦２．４及び０．７≦Ｈ_Ａ／Ｈ_Ｃ≦１．３を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体等のウルツ型化合物半導体を用いた高効率な太陽電池を得られるようにする。
【解決手段】太陽電池は、主面の面方位が（０００１）面であるウルツ型化合物からなり、ｐ型層にｎ型化領域１０６を有する超格子層１０４と、該超格子層１０４における一の側面上に形成され、ｎ型化領域１０６と接合されたチタンを含むｎ側電極１０７と、超格子層１０４における一の側面と対向する他の側面上に形成され、ｐ型層と接合されると共にニッケルを含むｐ側電極１０８とを有している。ｎ側電極１０７とｐ側電極１０８とを構成する金属の仕事関数は異なる。 （もっと読む）

【課題】特性に優れた化合物半導体太陽電池およびその化合物半導体太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の化合物半導体光電変換セルと、第１の化合物半導体光電変換セル上に設置された第２の化合物半導体光電変換セルと、第１の化合物半導体光電変換セルと第２の化合物半導体光電変換セルとの間に設置された化合物半導体バッファ層とを備え、第１の化合物半導体光電変換セルと化合物半導体バッファ層とは隣り合う位置に設置されており、第１の化合物半導体光電変換セルと、化合物半導体バッファ層を構成する化合物半導体層のうち第１の化合物半導体光電変換セルに最も近い位置に設置されている化合物半導体層との格子定数差比が０．１５％以上０．７４％以下である化合物半導体太陽電池とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】格子不整合系の多接合型太陽電池において、格子定数の差に起因した応力を緩和して結晶欠陥の少ない太陽電池セルを形成し、高い発電効率を得ることが可能な多接合型の太陽電池を得ること。
【解決手段】本発明における太陽電池１００は、第１の太陽電池セル１０と、第１の太陽電池セル１０上に形成された中間領域２と、中間領域２上に形成された第２の太陽電池セル４０とを備える。中間領域２は、第１の太陽電池セル１０の表面上に分散して配置され、第１の太陽電池セル１０と第２の太陽電池セル４０との格子定数の差に起因する応力を緩和する応力緩和部２１を有する。 （もっと読む）

【課題】歩留まり良く高精度にスクライブ加工を実施する。
【解決手段】スクライブ加工装置１は、表面に被スクライブ加工膜Ｍが形成された連続した帯状の可橈性基板Ｂを、張力を付与しながらウェブ搬送する搬送手段１０と、被スクライブ加工膜Ｍが形成されていない側から可橈性基板Ｂに対して凸曲面２１Ｓを接触させて、可橈性基板Ｂを押圧する押圧手段２０と、被スクライブ加工膜Ｍに対してスクライブ加工を行うスクライブ手段３０とを備えた装置であり、スクライブ加工の際に可橈性基板Ｂに掛かる単位断面積あたりの張力Ｔ_ｎ及び押圧力Ｐが、下記式（１）〜（３）を充足する。
１．５ＭＰａ≦Ｔ_ｎ≦２５ＭＰａ・・・（１）、
４ｋＰａ≦Ｐ≦５０ｋＰａ・・・（２）、
５ＧＰａ²≦Ｔ_ｎ×Ｐ≦８００ＧＰａ²・・・（３） （もっと読む）