【課題】メタモルフィック層を含む多接合ソーラーセルを提供する。
【解決手段】上部サブセル、中間サブセル及び下部サブセルを備えた倒置型メタモルフィック多接合ソーラーセル及びその製造方法であって、半導体材料のエピタキシャル成長のための第１基板を準備し、第１バンドギャップを有する上部の第１ソーラーサブセルを基板上に形成し、第１バンドギャップより小さな第２バンドギャップを有する中間の第２ソーラーサブセルを第１ソーラーサブセルの上に形成し、第２バンドギャップより大きな第３バンドギャップを有するグレード付けされた中間層を第２サブセル上に形成し、そして第２バンドギャップより小さな第４バンドギャップを有する下部の第３ソーラーサブセルをグレード付けされた中間層の上に形成し、この第３サブセルは、第２サブセルに対して格子不整合し、これらソーラーサブセルの少なくとも１つがヘテロ接合ベース／エミッタ層を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】ソーラーセル当たり１５ワット以上のピークＤＣ電力を発生する地上発電用のIII−Ｖ化合物半導体多接合ソーラーセルを提供する。
【解決手段】太陽からエネルギを生成するための集光型光起電性ソーラーセルが開示される。この集光型光起電性ソーラーセルは、５００Ｘより大きい集光度を生成するための集光レンズと集光される光のビームの経路に配置されたソーラーセルとを具備し、このソーラーセルは、第１の光活性接合を含み、底部のソーラーサブセルを形成する、ゲルマニウム基板と、該基板の上に配置された砒化ガリウムの中間サブセルと、ＡＭ１.５スペクトル領域における吸収を最大化するバンドギャップ、７０００オングストロームを超える厚さ、及び、３３０オーム／平方未満のシート抵抗を有し、２０個の太陽より大きな集光レベルで動作するように構成された、該中間サブセルの上に配置された燐化インジウムガリウムの上部サブセルと、を含む。 （もっと読む）

【課題】長期間の使用時における太陽電池モジュールの出力の低下を抑止することができる太陽電池用表面保護シートおよびそれを用いた太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレートフィルムと、ポリエチレンナフタレートフィルムの一方の表面上に形成された無機酸化物膜とを備え、波長が３５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である光の吸収率が１％以上２０％以下、または波長３８０ｎｍの光の吸収率が１％以上２０％以下である太陽電池用表面保護シートとそれを用いた太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】簡便な構造により、太陽電池セルの放熱を行なうことができる集光型太陽光発電装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に従うと、集光型太陽光発電装置１は、太陽電池セル１０の受光面に太陽光を集光するための集光レンズ４０と、集光レンズ４０により集光された太陽光が照射される太陽電池セル１０と、太陽電池セル１０が実装された基板２０と、上部が１つの集光レンズ４０に接続され下部が１つの集光レンズ４０に対応する太陽電池セル１０の外周を囲むように基板２０に直接接続された、レンズ支持枠３０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】曇天時における発電量の低下を抑止して天候に関わらず多くの発電量を得ることを可能とした集光式光電変換装置を提供する。
【解決手段】集光レンズと、集光レンズに対向する位置に設置された光電変換素子とを備え、光電変換素子は、シリコン太陽電池と、シリコン太陽電池の集光レンズの設置側の表面上にシリコン太陽電池に電気的に接続されるようにして設置された受光面側多接合型太陽電池とを含み、受光面側多接合型太陽電池の集光レンズの設置側の表面である受光面の面積が集光レンズによって受光面に集光された光の面積の０．８以上１．２倍以下である集光式光電変換装置である。 （もっと読む）

【課題】メタモルフィック層を含む多接合ソーラーセルを提供する。
【解決手段】上部サブセル、中間サブセル及び下部サブセルを含む多接合ソーラーセルを製造する方法は、半導体材料のエピタキシャル成長のために第１の基板を準備し、第１のバンドギャップを有する第１のソーラーサブセルを基板上に形成し、第１のバンドギャップより小さい第２のバンドギャップを有する第２のソーラーサブセルを第１のソーラーサブセルの上に形成し、第２のバンドギャップより大きい第３のバンドギャップを有するグレーディングインターレイヤを第２のサブセル上に形成し、第２のバンドギャップより小さい第４のバンドギャップを有する第３のソーラーサブセルをグレーディングインターレイヤの上に形成して、第３のサブセルが第２のサブセルに対して格子不整合となるようにし、前記ベースのうちの少なくとも１つが指数関数的にドープされたプロフィールを有するようにする。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性が良く、バンドギャップもＩｎＡｓより大きいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｇａ組成ｘが０＜ｘ＜０．５を満たすＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ多結晶薄膜を、分子線蒸着法によってガラス基板又はプラスチック基板上に形成することで、バンドギャップがＩｎＡｓより大きく、十分な電気伝導性を持ったｎ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を得る。このようにして形成したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を半導体装置のｎ型層に用いる。 （もっと読む）

【課題】高効率の積層型化合物半導体太陽電池を提供する。
【解決手段】半導体基材と、半導体基材上に形成された化合物半導体からなる太陽電池層と、を含み、太陽電池層の格子定数と、半導体基材の格子定数とが異なっており、半導体基材と太陽電池層との間にＶ族元素としてヒ素（Ａｓ）を含有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層を有し、バッファ層の格子定数が、半導体基材の格子定数と太陽電池層の格子定数との間の値である積層型化合物半導体太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を実現する太陽電池を提供すること。
【解決手段】基板と、上記基板上に形成され、金属層と半導体層とそれらの間に形成された絶縁体とを有するエネルギー吸収用構造物を含み、上記金属層、上記半導体層及び上記絶縁体のうち少なくとも一つは複数のナノワイヤ構造である太陽電池を提供する。エネルギー吸収用構造物をナノワイヤＭＩＳ接合構造とすることにより、高い光電変換効率を有する太陽電池を提供することが出来る。さらに、この構造は、エピタキシャル成長工程を代替することが出来るため、結晶欠陥のようにエピタキシャル層の問題を解決することが出来る。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を実現する太陽電池を提供すること。
【解決手段】基板と、上記基板上に形成され、ｎ型半導体及びｐ型半導体の接合構造である複数のナノワイヤ構造体を有するエネルギー吸収層及び夫々上記ｎ型半導体及びｐ型半導体と電気的に連結されるように形成されたｎ型電極及びｐ型電極を含む太陽電池を提供する。ナノワイヤ構造体を採用することで、太陽スペクトラムの略全範囲に該当する光を吸収することができ、エピタキシャル成長工程を代替することができるため、結晶欠陥のようなエピタキシャル層の不利益な問題も解決することができる。 （もっと読む）

【課題】裏面反射層となる金属膜と支持体との密着性を高めた、信頼性の高い光電変換装置用基板およびそれを用いた光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】カルボニル基（−Ｃ(Ｏ)−）を有する化合物で処理された金属酸化物膜の処理面上に金属膜を備えてなることを特徴とする光電変換装置用基板により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 多接合マルチスペクトルソーラーコンバータを提供する。
【解決手段】 本開示は、太陽エネルギを電気に変換するための多接合マルチスペクトルソーラーコンバータおよびその製造方法について記載したものである。太陽スペクトルの１つまたは複数の領域に対する感度のあるＧａＰ、ＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＮ、ＩｎＧａＰ、ＧａＡｓ、Ｇｅ、Ｓｉ、ダイアモンドまたは任意の基板上で加工され、コンバータは、接合部と平行な太陽光線で照明される１から数千の接合部を含む大きさにすることができるものである。好ましい実施形態では、高い変換効率を得られるように、隣り合った接合部同士を高導電性層で電気的に直列に接続し、コンバータでの直列抵抗を小さくする。バンドギャップの違った、異なる基板を有するいくつかのコンバータをまとめて、紫外から赤外までの太陽エネルギのマルチスペクトルならびに多接合変換が可能な複合コンバータを形成する。 （もっと読む）

【課題】シャワープレートを用いて少なくとも２種類の反応ガスを成長室内に供給する場合に、ガス吐出孔から成長室へ供給されるガスフローを均一化することができる気相成長装置及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シャワープレート２１上に、III族系ガスとＶ族系ガスとのそれぞれを充満させる互いに隔離されたIII族系ガスバッファエリア２３ｂとＶ族系ガスバッファエリア２４ｂとがこの順に積層される。III族系ガスバッファエリア２３ｂには、Ｖ族系ガスバッファエリア２４ｂからシャワープレート２１の複数のＶ族系ガス吐出孔Ｈ５に連通する複数のＶ族系ガス供給管２４ｃが貫通して設けられている。Ｖ族系ガスバッファエリア２４ｂには、複数のダミー柱２５ｃが、複数のIII族系ガス吐出孔Ｈ３と同じ平面位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】４接合で、デバイスを大面積化できる多接合型太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に形成された核生成サイトに基板２と同一材料からなる半導体２ａをワイヤー状に成長させる。半導体２ａ上に、よりバンドギャップの狭い半導体３，４，５，６を順次ワイヤー状に成長させる。基板２上に形成された核生成サイトに半導体３を直接ワイヤー状に成長させてもよい。核生成サイトは、基板２上に非晶質ＳｉＯ_２被膜８ａを形成し非晶質ＳｉＯ_２被膜８ａの一部をエッチングすることにより形成することが好ましい。また、基板２上の核生成サイトを除く領域に、非晶質ＳｉＯ_２被膜８ａを残存させることにより絶縁膜８を形成することが好ましい。半導体２ａはＧａＰ、半導体３はＡｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ、半導体４はＧａＡｓ、半導体５はＩｎ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ、半導体６はＩｎ_０．６Ｇａ_０．４Ａｓである。 （もっと読む）

【課題】発電能力の低下を抑制することができる太陽電池モジュールの製造方法及びその太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】太陽電池モジュールの製造方法が、第１保護材、第１融点を有する第１封止材、複数の太陽電池、第１融点よりも高い第２融点を有する第２封止材、及び第２保護材によって構成される積層体を形成する工程Ａと、積層体に含まれる第１封止材及び第２封止材の温度が第１融点以上、第２融点未満となるように積層体を加熱して加圧する工程Ｂと、積層体に含まれる第２封止材の温度が第２融点以上となるように積層体を加熱して加圧する工程Ｃとを備え、工程Ａでは、第１封止材の第１表面と第２封止材の第２表面とが対向しており、第２封止材は、第１表面側に突出する複数の凸部を第２表面上に有する。 （もっと読む）

【課題】樹脂接着剤と他の部材との間において気泡が封じ込められることを抑制することができる太陽電池モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】太陽電池モジュール１０は、導電体（バスバー電極４０、配線材５）が樹脂層５０に接着されることにより構成される構造体（第１構造体４５、第２構造体５５）を有する。導電体は樹脂層５０との接着面から構造体の外側に連通する複数の溝（第１脱気路４１、第２脱気路５１）を有する。 （もっと読む）

【課題】メタモルフィック層を含む多接合ソーラーセル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上部サブセル、中間サブセル及び下部サブセルを含む多接合ソーラーセルを製造する方法であって、半導体材料のエピタキシャル成長のために第１基板を準備し、第１バンドギャップを有する第１ソーラーサブセルを基板上に形成し、第１バンドギャップより小さい第２バンドギャップを有する第２ソーラーサブセルを第１ソーラーサブセルの上に形成し、貫通転位を防止するために第２サブセルの上にバリア層を形成し、第２バンドギャップより大きな第３バンドギャップを有するグレーディング中間層をバリア層の上に形成し、第２バンドギャップより小さい第４バンドギャップを有する第３ソーラーサブセルであって、第２サブセルに対して格子不整合している第３サブセルをグレーディング中間層の上に形成するステップを含む方法が、開示される。 （もっと読む）

【課題】改良された多接合ソーラーセルを提供する。
【解決手段】多接合ソーラーセルは、第１のバンドギャップを有する第１のソーラーサブセルと、この第１のサブセル上に配置され、第１のバンドギャップより小さい第２のバンドギャップを有する第２のソーラーサブセルと、この第２のサブセル上に配置され、第２のバンドギャップより大きい第３のバンドギャップを有するグレーディングインターレイヤーと、このインターレイヤー上に配置され、中間サブセルに対して格子不整合され、且つ第２のバンドギャップより小さい第４のバンドギャップを有する第３のソーラーサブセルと、これら第１、第２及び第３のソーラーサブセルを支持する薄い（約２−６ミル）基板及び／又は堅個なカバーガラスと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】配線材の収縮力の影響を緩和した太陽電池及び当該太陽電池を備える太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】太陽電池１０ａ及び太陽電池１０ｂは、光電変換部２０の裏面に接後される絶縁体１４と、絶縁体１４を貫通し第１集電電極３０と電気的に接続された第１スルーホール電極２３と、絶縁体１４を貫通し第２集電電極３５と電気的に接続された第２スルーホール電極２５とを有する。配線材１５は、絶縁体１４上に配置される。 （もっと読む）

【課題】スルーホール電極を備え、製造歩留まりを向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池１は、光電変換部１０の受光面から裏面まで光電変換部１０を貫通する貫通孔４０を備え、貫通孔４０の裏面側の一端部は複数の裏面側枝部４０ｂに分岐しており、裏面側枝部４０ｂは光電変換部１０の裏面において開口する。 （もっと読む）