透湿度が10^-4g/m²・日以下の非平面太陽電池を提供する。非平面太陽電池ユニットは、非平面基板と、該基板上に配置された背面電極と、該背面電極上に配置された半導体接合層と、該半導体接合上に配置された透明導電層とを含む。透明非平面管状ケースが、非平面太陽電池上に配置される。第1のシーラントキャップが、非平面管状ケースの第1の端部に気密シールされる。第2のシーラントキャップが、非平面管状ケースの第2の端部に気密シールされる。いくつかの場合において、太陽電池ユニットは、太陽電池のモノリシック集積体である。いくつかの場合において、太陽電池ユニットは、1つの太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池及び太陽電池の製造、特にＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物に基づく多重接合太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池は、半導体基板と、基板の上に配置されて窓層を含む一連の半導体層とを含む。太陽電池はまた、窓層の上に半導体シリコン含有キャップ層を含む。キャップ層は、シリコンを含まないか又はキャップ層のシリコン濃度よりも顕著に低いシリコン濃度を有するかのいずれかである半導体障壁層によって窓層から空間的に分離される。 （もっと読む）

【課題】耐久性の高い光電変換素子を提供する。
【解決手段】色素増感型の光電変換素子において、作用電極１０の金属酸化物半導体層１２に色素１４が担持されている。この色素１４は、中心金属と、アゾ基（−Ｎ＝Ｎ−）およびアゾメチン基（−ＣＨ＝Ｎ−）のうちの少なくとも一方を有すると共に中心金属に多座配位する第１の配位子と、中心金属に配位する電子供与性の第２の配位子とを含む色素を含んでいる。この色素１４では、第１および第２の配位子の双方を含む色素を含んでいるため、分解が抑制される。 （もっと読む）

【課題】耐久性の高い光電変換素子を提供する。
【解決手段】作用電極１０および対向電極２０と共に電解質含有体３０を備えた色素増感型の光電変換素子において、作用電極１０の金属酸化物半導体層１２に色素１４が担持されている。この色素１４は、インドリジン骨格と電子吸引性基とを有する色素を含んでいる。このため、作用電極１０では、色素１４の分解が抑制されると共に、その色素１４が金属酸化物半導体層１２に定着しやすくなる。 （もっと読む）

ここに開示される一部の例は、印刷回路基板および太陽電池などの電気装置の配線に使用されるように設計された材料に向けられる。一部の例では、二段半田を用いて、電気装置の作製において使用される材料に対する応力を低下させ得る。
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【課題】半導体層内で発生した電子及び正孔を裏面の電極へより効率よく移動させ得る光起電力素子を提供する。
【解決手段】光起電力素子１Ａは、受光面１１と裏面１２との間に設けられて入射光Ｌに応じて電子を発生する半導体層２を備えている。半導体層２は、ｎ型半導体領域２１、ｐ型半導体領域２２、及びｉ型半導体領域２３を有する。ｉ型半導体領域２３はｎ型半導体領域２１とｐ型半導体領域２２との間に設けられており、ｉ型半導体領域２３のバンドギャップは、ｎ型半導体領域２１のバンドギャップ及びｐ型半導体領域２２のバンドギャップより小さい。また、ｎ型半導体領域２１及びｐ型半導体領域２２のそれぞれとｉ型半導体領域２３とが互いに接合しており、該接合面が受光面１１及び裏面１２と交差する方向に延びている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で高い絶縁性と放熱性を有し、高い信頼性と発電効率を実現する太陽電池、このような太陽電池を備え簡単な放熱構造で放熱性と生産性が良く発電効率の高い集光型太陽光発電ユニットを提供する。
【解決手段】太陽電池１０は、集光して照射された太陽光を光電変換して発電する集光型の太陽電池素子１１と、太陽電池素子１１を載置したレシーバ基板２０とを備える。レシーバ基板２０は、ベース基台２１、ベース基台２１に積層された中間絶縁層２２、中間絶縁層２２に積層された接続パターン層２３、接続パターン層２３を保護する表面保護層２７を備える。レシーバ基板２０は、例えば８〜１０ｍｍ程度の太陽電池素子１１に対して、例えば４０〜８０ｍｍ角とされる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐湿性が高く、量産性、信頼性の高い太陽電池、このような太陽電池を製造する太陽電池製造方法および太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】太陽電池１０は、太陽光Ｌｓを光電変換して発電する集光型の太陽電池素子１１と、太陽電池素子１１を載置したレシーバ基板２０とを備える。太陽電池素子１１を被覆して保護する被覆部３０がレシーバ基板２０に形成される。被覆部３０は、レシーバ基板２０の表面に形成され開口部３１ｓを有して太陽電池素子１１の周囲を離れた位置で囲むＵ字型の封止枠３１と、封止枠３１に接着されて太陽電池素子１１を覆う透光性被覆板３２と、封止枠３１および透光性被覆板３２で画定された封止領域に封止樹脂を充填した樹脂封止部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板に対して同時にドーピングおよび酸化を実行する方法および当該方法の利用を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に対して同時にドーピングおよび酸化を実行する方法および当該方法に従って生産されたドーピングおよび酸化が施された半導体基板に関する。さらに、本発明は、太陽電池を生産するための当該方法の利用に関する。 （もっと読む）

【課題】製造プロセス時にはウエハの補強効果を発揮し、ハンドリング性に優れ、モジュール化工程では安定な実装特性を示し、なおかつ実使用時には高信頼性を示すモジュールからなる光電変換装置を提供する。
【解決手段】
少なくとも片面に、引張弾性率が４ＧＰａ以上、線膨張係数が２５ｐｐｍ以下のポリイミド層が直接形成されたウエハを加工して得られた太陽電池などの光電変換モジュールをパネル化して光電変換装置とする。 （もっと読む）

微傾斜ＩＶ族基板上にエピタキシャル蒸着させたＩＩＩ／Ｖ化合物を有する電子及び光電子デバイス並びにその製造方法。このデバイスは、Ｇｅ基板上にＡｌＡｓ核形成層を含む。ＩＶ族基板は、Ａｓ含有層のエピタキシャル成長時にＡｌＡｓ核形成層によって特性の変化が最小限に抑えられるｐ−ｎ接合を含む。ＡｌＡｓ核形成層は、デバイスの改善された形態を提供するとともに、Ａｓ及び／又はＰの拡散によりＩＶ族基板の表面近く、並びにＩＶ族元素の拡散を最小限に抑えることによりＩＩＩ／Ｖ構造の底部近くのｐ−ｎ接合の位置を制御する手段を提供する。 （もっと読む）

【課題】４接合太陽電池を実現でき、デバイスを大面積化できる多接合型太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体からなる基板２上に核生成サイトを配設し、第１の原料ガスを供給し、核生成サイトに半導体３をワイヤー状に成長させる。第３〜４の原料ガスを供給し、半導体３上に半導体４を、半導体４上に半導体５をワイヤー状に成長させる。基板６上に核生成サイトを配設し、第１の原料ガスを供給して、核生成サイトに半導体２ａをワイヤー状に成長させ、第２〜４の原料ガスを供給して、半導体２ａ上に半導体３を、半導体３上に半導体４を、半導体４上に半導体５ワイヤー状に成長させる。前記半導体は基板２，６に近いほどバンドギャップが狭く、離れるほどバンドギャップが広い。核生成サイトはＡｕ等の触媒粒子からなる。半導体２，２ａはＧｅであり、半導体３はＩｎＧａＡｓであり、半導体４はＧａＡｓであり、半導体５はＡｌＧａＡｓである。 （もっと読む）

予備形成した任意形状のナノ結晶を、非結晶で非炭化水素のバリア層の上または中に挿入することに基づいた材料構造が提示される。該構造の実施形態は、種々のバリア層およびコンタクトを含み、これらは層状にできる。該構造を、検出器またはソーラーセルとして用いた場合、吸収プロセスの際にナノ結晶内で生成された電荷キャリアの輸送が、量子力学的トンネル現象、熱イオン放射または電子コンタクトへの拡散により発生する。こうした構造の一実施形態は、光電池デバイスであり、異なるコンタクト材料およびバリア層を用いてビルトイン(built-in)バイアスが確立される。該構造は、変調器または発光器(emitter)としても使用可能である。本発明は、積層され、隣接コンタクト領域を共有する多くの構造で構成してもよく、個々の層は、特定の周波数または周波数群の光を吸収、放射または変調するように同調している。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を得るために好適な光吸収層およびバックサーフェス層を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜太陽電池１０は、基板１１、導電層１２、第２の半導体層１３、第１の半導体層１４、窓層１５および透明導電膜１６を備えている。各要素は、上記の順番で積層されている。第１の半導体層は、第２の半導体層よりも光入射側に位置する光吸収層である。第１の半導体層１４と第２の半導体層１３の結晶構造が異なり、第１の半導体層１４の禁制帯幅Ｅｇ₁と第２の半導体層１３の禁制帯幅Ｅｇ₂とが、Ｅｇ₁＜Ｅｇ₂の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】光エネルギーから電気エネルギーへの変換効率が向上された太陽電池を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体基板６ａと、半導体基板６ａの第１表面Ｍ１ａ上に設けられた第１電極２ａと、半導体基板６ａの第２表面Ｍ２ａ上に設けられた第２導電型の半導体領域８ａと、半導体領域８ａ上に設けられており、ＩｎＧａＮから成る複数のナノコラム１０ａを有するナノコラム領域９ａと、ナノコラム領域９ａ上に設けられており、前記複数のナノコラム１０ａに接続されたＩｎＧａＮ領域１８ａと、ＩｎＧａＮ領域１８ａ上に設けられた第２電極２４ａとを備える。 （もっと読む）

好ましくは実質的に単結晶ドナー半導体ウェハの剥離層に接合された絶縁構造と、導電層等の少なくとも１つの光起電デバイス層とを含む新規な光起電構造、ならびにドナー半導体ウェハに剥離層を作製し、剥離層を絶縁基板に移動することを含む光起電デバイスを製造するシステムおよび方法。
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【課題】変成層を有する多接合太陽電池を含む集積半導体構造を提供する。
【解決手段】半導体材料のエピタキシャル成長のための第１の基板を準備する段階と、基板上に第１のバンドギャップを有する第１の太陽電池サブセルを形成する段階と、第１のサブセルの上に第１のバンドギャップよりも小さい第２のバンドギャップを有する第２の太陽電池サブセルを形成する段階と、第２のサブセルの上に第２のバンドギャップよりも大きい第３のバンドギャップを有する漸変中間層を形成する段階と、第２のバンドギャップよりも小さい第４のバンドギャップを有する第３の太陽電池サブセルを形成し、そのために第３のサブセルが第２のサブセルに対して格子不整合であるようにする段階とを含む、上部サブセル、中間サブセル、及び下部サブセルを含む多接合太陽電池を形成する方法。 （もっと読む）

組成物の調節が可能な合金およびそれらに対応した光学的、電気的、ならびに機械的な特性について記載する。さらに、それらの光電子デバイス応用についても記載する。本発明の一実施形態は組成物を提供し、この組成物は、複数のテンプレートであって、各々のテンプレートは少なくとも一つの第１結合部位と少なくとも一つの第２結合部位とを備え、第１結合部位は第１材料の第１ナノ粒子への特異的な結合親和性を有し、第２結合部位は第２材料の第２ナノ粒子への特異的な結合親和性を有し、パーセンテージでのｘの第１結合部位とｙの第２結合部位とを含むように選択されたテンプレートと、各々の第１結合部位に結合する複数の第１ナノ粒子と、各々の第２結合部位に結合する複数の第２ナノ粒子とを含み、該テンプレートは第１材料と第２材料が化学量論比ｘ：ｙの合金を形成するように組み立てられる。
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【課題】太陽電池の表面に形成される表面電極を露出させるのに用いられる煩雑な作業を伴う工程を、太陽電池の製造の際に必要としない太陽電池を提供する。
【解決手段】起電力を取出す表面電極接続リード線のワイヤボンディング又はスポット溶接により表面電極６の表面を覆っている反射防止膜１０が破られて、表面電極接続リード線と表面電極６とが接合される太陽電池２１を、ＰＮ接合部８を少なくとも１つ備えて本体部１２を形成し、上記のＰＮ接合部８の端面が本体部１２の側面の一部を形成すると共に、本体部１２の表面に、表面電極６を備えた表面電極部１１、裏面に裏面電極７を形成し、且つ、表面電極部１１の表面と側面、及び、表面電極部１１が形成されている部分を除く本体部１２の表面に、これらの各面を覆う反射防止膜１０を形成して構成する。 （もっと読む）

【課題】光入射面側に設けられた集電電極に蓄積されるダメージの影響を低減した太陽電池モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態に係る太陽電池モジュール１０では、太陽電池１ａの裏面と接する封止材２の第２領域２ｂの架橋度が、太陽電池１ａの光入射面と接する封止材２の第１領域２ａの架橋度よりも小さい。 （もっと読む）