【課題】安全かつ低コストで耐熱性および絶縁性等の品質が良好な絶縁層を形成することができるクラッド基板およびその製造方法、このクラッド基板を用いた光電変換装置および薄膜太陽電池モジュール、ならびに薄膜太陽電池モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のクラッド基板は、金属からなる帯状の基体と、この基体の表面に設けられ、前記基板よりも幅が広い第１の金属材と、基体の裏面に設けられ、前記基板よりも幅が広い第２の金属材とを有する。第１の金属材および第２の金属材が基体に圧接されて基体を被覆するとともに、第１の金属材および第２の金属材は、その周縁部が接合されている。 （もっと読む）

【課題】原料からの切り出しロスを低減し太陽電池素子の太陽電池モジュール内での充填効率を高め、太陽電池素子を電気的に接続する際の歩留まりを抑制可能な太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】多角形状太陽電池素子を組み合わせてなる太陽電池モジュールであって、前記多角形状太陽電池素子を組み合わせた際に、隣接していない辺によって幾何学的に構成される空白部を有しており、隣接する前記多角形状太陽電池素子の電気的接続が前記空白部において成されていることを特徴とする太陽電池モジュール。 （もっと読む）

【課題】本発明は、集光性に優れた光電変換装置、光電変換素子収納用パッケージ及び光電変換モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換装置２であって、素子搭載基板５と、素子搭載基板５の一主面に設けられる光電変換素子９と、素子搭載基板５の一主面に光電変換素子９を取り囲むように設けられる枠体１０と、枠体１０に接合されるとともに、光電変換素子９の上方に空間ＳＰを介して設けられる集光部材１１と、平面透視して、枠体１０で囲まれる領域内であって、素子搭載基板５の他主面に当接して設けられる熱伝導性基板１２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光を照射することによって生成されたキャリアを量子ドットから効率良く移動させることが可能な太陽電池を提供する。
【解決手段】量子ドット、該量子ドットと接触したマトリクス層、並びに、正電極及び負電極を有し、マトリクス層と負電極とがホールの通過を阻止可能な電子移動層を介して接続されるとともに、マトリクス層と正電極とが電子の通過を阻止可能なホール移動層を介して接続され、量子ドットに存在し得る電子のエネルギー準位と一致する電子移動準位、及び／又は、量子ドットに存在し得るホールのエネルギー準位と一致するホール移動準位が、マトリクス層に形成されている、太陽電池とする。 （もっと読む）

【課題】例えば太陽電池等の光電変換装置において、比較的簡易な構成で、光電変換効率を向上させる。
【解決手段】光電変換装置は、一対の第１電極（１１０）及び第２電極（１２０）と、第１及び第２電極間に設けられ、複数の半導体又は絶縁体（２１０、２２０）を含んでなり、光を吸収する光吸収層（２００）と、光吸収層及び第１電極間に設けられ、光吸収層に光が吸収されることにより励起されたキャリアを光吸収層側から第１電極側へ透過させるための特定のエネルギー準位であって、複数の半導体又は絶縁体のうち少なくとも一の半導体又は絶縁体（２１０）の伝導帯における下端のエネルギー準位と同一であるエネルギー選択性コンタクト準位（ＥＳＣＬ）が形成されたエネルギー選択性コンタクト部（１６０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルムとコーティング層とからなる保護フィルムであって、高い透明性、高い紫外線吸収能、高い耐候性およびフレキシブル性を有し、かつ、紫外線を照射しても、プラスチックフィルムからコーティング層が剥離しない、保護フィルムを提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム１と、該プラスチックフィルム１の表面に設けられたコーティング層５とを有し、前記コーティング層５は、平均組成式が下記式（１）で表される化合物を含むバインダー中に、Ｓｉ−Ｏ結合および／またはＳｉ−Ｃ結合を有する界面活性剤を用いて酸化セリウムを分散してなり、前記酸化セリウムがコーティング層５中に１０重量％以上の割合で含まれ、かつ、酸化セリウムの粒子径が５０ｎｍ以下である保護フィルム。式（１）Ｒ¹¹_mＳｉ（ＯＲ¹²）_nＯ_4-m-n/2 （もっと読む）

【課題】例えば太陽電池等の光電変換装置において、比較的簡易な構成で、光電変換効率を向上させる。
【解決手段】光電変換装置は、一対の第１電極（１１０）及び第２電極（１２０）と、第１及び第２電極間に設けられ、光を吸収する光吸収層（２００）と、光吸収層及び第１電極間に設けられ、格子欠陥及び不純物の少なくとも一方を含む半導体又は絶縁体を含んでなり、光吸収層に光が吸収されることにより励起されたキャリアを光吸収層側から第１電極側へ透過させるための特定のエネルギー準位（ＥＳＣＬ）が格子欠陥及び不純物の少なくとも一方に起因して形成されたエネルギー選択性コンタクト部（１６０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 材料の種類を少なくすることにより、半導体界面の数を少なくするとともに、製造工程の減少を図りながら、光電変換効率の向上を図ることができる太陽電池を提供する。
【解決手段】 表面負電極７と吸収層５との間には、障壁層６が設けられており、障壁層６にはエネルギー選択性コンタクトが設けられている。エネルギー選択性コンタクトは、量子井戸によって形成されている。また、表面負電極７を障壁層６とはショットキー接合されている。 （もっと読む）

【課題】高温高湿環境下における耐久性に優れ、強度やバリア性能、光線反射率の経時低下が抑制された太陽電池モジュール用裏面保護シートおよびそれを用いた太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】透明ポリエステル系樹脂フィルム１と、少なくとも一方の面に、無機酸化物の蒸着膜２およびガスバリア性塗布膜３をそれぞれ少なくとも１層有する基材ポリエステル系樹脂フィルム４と、少なくとも１層の合成樹脂フィルム５とが、接着剤層６，７を介して順次積層されてなる太陽電池モジュール用裏面保護シート１０である。透明ポリエステル系樹脂フィルム１および合成樹脂フィルム５のうちのいずれか一方または双方が、ルチル型酸化チタンを含有する。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた光電変換装置、並びに光電変換モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換装置であって、一主面側に第１主面領域と、前記第１主面領域の外周に設けられる第２主面領域とを有する導電性基板と、前記導電性基板の前記第２主面領域上に形成され、前記第１主面領域を取り囲む枠体と、前記枠体内の前記第１主面領域上に形成される光電変換素子と、前記枠体の内外にわたって設けられるとともに、前記光電変換素子の上面と電気的に接続される導電層と、前記枠体と接合されるとともに、前記枠体で囲まれる空間を覆う集光部材と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ラミネート時の出力配線の位置ズレを防ぐともに、開口部からの水分の浸透を防ぎ、太陽電池モジュールの信頼性を向上させるとともに、その歩留まりも向上させる。
【解決手段】 表面保護部材１２と、裏面保護部材１３と、配線部材１６によって電気的接続された複数の太陽電池１１と、表面保護部材１２と裏面保護部材１３との間に、複数の太陽電池を封止する封止部材１４と、太陽電池１１の出力を取り出すための出力配線２０と、を備え、裏面保護部材１３に開口部1３ａが設けられ、この開口部１３ａを覆うように封止フィルム３０が配設されるとともに、封止フィルム３０に、出力配線２０が挿入されるスリットが設けられる。そして出力配線２０が封止フィルム３０のスリット部から開口部１３ａを経て裏面部材１３の外部に取り出される。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＡs／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。
【解決手段】ヒ素化合物からなる第１半導体と、ヒ素化合物からなる第２半導体と、リン化合物からなる第３半導体とを含み、前記第２半導体と前記第３半導体とが接触しており、前記第１半導体と前記第３半導体との間に前記第２半導体が位置しており、前記第１半導体が第１原子を第１濃度で含有し、前記第２半導体が第１原子を第２濃度で含有し、前記第１原子が第１伝導型のキャリアを発生させ、前記第１濃度が、前記第１半導体にドープする前記第１原子の量を増加するに従い増加するキャリア数が飽和し始める前記第１原子の濃度以上の濃度であり、前記第２濃度が、前記第２半導体にドープする前記第１原子の量を増加するに従い増加するキャリア数が飽和し始める前記第１原子の濃度未満の濃度である半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】工程を増加させる歪補償層を成長させることなく、簡単な構造をとる通常のＧａＡｓ層を量子ドット層の中間層として設け、各層の成長速度を従来のものより早くする多積層量子ドット構造体および製造方法を得る。
【解決手段】ＧａＡｓバッファ層上にＩｎＧａＡｓ量子ドット積層構造体を設けた多積層量子ドット構造体では、前記ＩｎＧａＡｓ量子ドット積層構造体６は、複数のＩｎＧａＡｓ量子ドット４を設けたＩｎＧａＡｓ薄膜層３と、そのＩｎＧａＡｓ量子ドット４を埋め込むようにＩｎＧａＡｓ薄膜層３上に設けたＧａＡｓバッファ層５から構成するＩｎＧａＡｓ量子ドット構造体６を任意数層積層して構成する。 （もっと読む）

【課題】太陽光の強度を強める構造を用いて、量子ドットによる大幅なエネルギー変換効率の向上を図ることが可能な量子ドット太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明の量子ドット太陽電池１は、量子ドット４１を含む活性層４をブラッグ反射ミラー層２，３で挟んだ構成（光キャビティ構成）を有する。また、フォトニック結晶（光キャビティ）内に量子ドットを形成させたものを活性層として用いる。光と活性層の電子系を強く相互作用させ、太陽光の強度を強め、量子ドットによる大幅なエネルギー変換効率の向上を図るものである。また、集光レンズ等を用いた集光するタイプの太陽電池の場合、大きなＱ値で光と量子ドットを強く結合させた状態でもサイズ分布によりエネルギー拡がりをもった量子ドットに有効に太陽光を活性層に導くことができることになる。これにより、量子ドットで吸収できる太陽光強度を１０００倍以上に増幅することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 収集電極による遮光を抑制しながら、収集電極の低抵抗化を実現することを可能とする太陽電池を提供する。
【解決手段】 太陽電池１０は、照射光の受光に応じてキャリアを生成する光電変換部１１と、光電変換部１１からキャリアを収集する受光面側収集電極１３とを備える。光電変換部１１は、照射光を受光する受光面１１Ｆを有する。受光面１１Ｆ上には、光透過性の光透過部材１４が設けられる。受光面側収集電極１３は、受光面１１Ｆ上に設けられており、受光面１１Ｆから光透過部材１４の受光面の一部上に跨って形成される。光透過部材１４の少なくとも一部は、受光面側収集電極１３と受光面１１Ｆとの間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置における集光効率を向上させること。
【解決手段】光電変換装置は、パッケージ１と、パッケージ１に実装された光電変換素子２と、パッケージ１に接合された集光部材３と、集光部材３に接合されたカバー４とを含んでいる。集光部材３は、光電変換素子２の上方の空間を囲んでおり、光を散乱させる光反射部３１を有している。カバー４は、光電変換素子２の上方の空間を覆っている。光反射部３１は、ポーラス状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体からなる太陽電池に良好なタンデム構造を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体太陽電池は、III-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１のｐｎ接合を含む第１の半導体層１０２と、III-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１の半導体層１０２とは禁制帯幅が異なる第２のｐｎ接合を含む第２の半導体層１０４とを有している。第１の半導体層１０２と第２の半導体層１０４との間には、第１の半導体層１０２及び第２の半導体層１０４のそれぞれとオーミック接触して形成され、且つ亜鉛を含む酸化物層である第１のコンタクト層１０３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 効率良く低コストで生産が可能なInGaP/GaAs/Si３接合構造の太陽電池層を含むタンデム太陽電池を提供する。
【解決手段】 InGaP/(In)GaAs/Si３接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、(In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 （もっと読む）

【課題】 光電変換効率が高く、不純物が見つかっていない半導体材料であっても使用可能であり、信頼性や耐久性に優れた光起電素子を提供する。
【解決手段】 半導体層４は、異種の原子を含む化合物半導体から成り、これら原子間の電気陰性度の相違によって内部電界を発生し、光励起された電子の移動を助ける。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの出力を電力変換する過程での損失を低減する太陽光発電システムを得る。
【解決手段】太陽光発電システムにおいて、各々の禁制帯幅の異なる複数の太陽電池モジュール１０と各々の太陽電池モジュールの出力を最大値になるように負荷抵抗３を制御し、その出力を入力とする昇圧回路４を具備し、かつ各昇圧回路の出力電圧（又は出力電流）を所定の電圧値（又は出力電流）に制御して、該昇圧回路の出力電圧を並列接続（又は直列接続）し、所定の電力を得るようにする。 （もっと読む）