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Fターム[5F051AA10]の内容

光起電力装置 (50,037) | 本体材料 (7,491) | 化合物半導体 (938) | 1−3−5I族(例;CuInSe2) (468)

Fターム[5F051AA10]に分類される特許

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【課題】成膜された電極層が大気中に曝露されることを原因とする性能低下の問題を解決した集積型光発電素子の製造方法等を提供する。
【解決手段】基板11と基板11上に成膜された電極層とを有する集積型光発電素子の製造方法であって、光透過窓30を備えた真空チャンバー(真空槽)10の外部から光透過窓30を通して照射されたレーザ光41により、基板11上に成膜された電極層の一部を除去し且つ分離するパターニング工程を、少なくとも有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】下部セルのpn接合が破壊されることなくタンデム型薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上に積層された複数の光電変換ユニットを備えたタンデム型薄膜太陽電池100の製造方法であって、光電変換ユニットの第1電極層を形成する第1電極層成膜工程と、成膜された第1電極層上に複数の半導体前駆体層を成膜する前駆体層成膜工程と、成膜された半導体前駆体層上に第2電極層を成膜する第2電極層成膜工程と、第1電極層と第2電極層との間に半導体前駆体層とが成膜された光電変換ユニットの複数個を積層した後に、光電変換ユニットの半導体前駆体層を加熱し、半導体の結晶を生成させる前駆体層拡散工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 変換効率に優れた、太陽電池に好適に使用できるCIGS薄膜等の化合物半導体薄膜を、非真空プロセスにより、容易に低コストで提供する。
【解決手段】 ΙB族元素、ΙΙΙB族元素およびVΙB族元素を含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、ΙB族元素およびVΙB族元素を含む化合物粒子と、ΙΙΙB族元素およびVΙB族元素を含む化合物粒子とを含有する塗布剤を調製する工程と、前記塗布剤を基板に塗布する工程と、前記基板に塗布した塗布剤中の化合物粒子を焼結させる加熱工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】シール材を用いることなく、簡単な構成と製造工程で、太陽電池パネルの裏面保護層と枠部材間を広い範囲で絶縁して、放電の発生を防止する。
【解決手段】太陽電池パネル2の辺縁部と枠部材21の溝部22間がホットメルト接着剤31で満たされ、両者の間にホットメルト接着剤31からなる絶縁層が形成されている。この絶縁層は、太陽電池パネル2の辺縁部と枠部材21の溝部22間を充分に絶縁することができる。また、ホットメルト接着剤31は、太陽電池パネル2の辺縁部と枠部材21の溝部22間に介在するだけではなく、溝22の内壁21bの縁辺を越えて側壁面21iへと溢れて塗布されている。このため、裏面保護層17のAl層と枠部材21の側壁面21i間にも絶縁層が介在し、その間の絶縁性が向上し、Al層と側壁面21i間でも放電が生じ難くなっている。 (もっと読む)


【課題】太陽電池モジュールは太陽光を利用して発電するため、一般家庭などは屋根などの屋外に設置され、1年中風雨にさらされる環境にあり、また、20年以上の連続使用が要求される為、特に耐候性を確保することが必要であるため、温度変化による太陽電池セルの膨張、収縮による変形を制御する。
【解決手段】セルとセルをつなぐ為にソケットを用い、ソケット部分に温度変化による太陽電池セルの膨張及び収縮を吸収する緩衝機能を持たせることで、温度変化により太陽電池セルが膨張や収縮による変形が発生しても、セル同士を接合するソケットがバッファーとなって変形を吸収するので、太陽電池モジュール自体に変形が発生しない。 (もっと読む)


【課題】歩留まり良く高精度にスクライブ加工を実施する。
【解決手段】スクライブ加工装置1は、表面に被スクライブ加工膜Mが形成された連続した帯状の可橈性基板Bを、張力を付与しながらウェブ搬送する搬送手段10と、被スクライブ加工膜Mが形成されていない側から可橈性基板Bに対して凸曲面21Sを接触させて、可橈性基板Bを押圧する押圧手段20と、被スクライブ加工膜Mに対してスクライブ加工を行うスクライブ手段30とを備えた装置であり、スクライブ加工の際に可橈性基板Bに掛かる単位断面積あたりの張力T及び押圧力Pが、下記式(1)〜(3)を充足する。
1.5MPa≦T≦25MPa・・・(1)、
4kPa≦P≦50kPa・・・(2)、
5GPa2≦T×P≦800GPa2・・・(3) (もっと読む)


【課題】コスト高を招くことなく、Ag裏側導通層と取り出し線及び引き出し線の接続部との電気的接触を防止する。
【解決手段】太陽電池セル55が表面基板、受光側導通層、半導体層、及び裏側導通層で構成され、電流を取り出すための取り出し線60,61が裏側導通層にそれぞれ接続され、その取り出し線60,61に外部へ電流を出力するための引き出し線62,63がそれぞれ接続された配線引き回し構造の太陽電池モジュールにおいて、前記取り出し線60,61と引き出し線62,3とを接続する部分と裏側導通層との間にそれぞれ隔離部材59が配置されており、この隔離部材59は、取り出し線60,61と引き出し線62,3とを接続する部分におけるはんだ濡れ領域より広い面積の多角形、円形または楕円形に形成されている。 (もっと読む)


【課題】歩留まり良く安定的に耐電圧性及び光電変換効率に優れた光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子1は、Alを主成分とする金属基材の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜を有する基板10上に、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる化合物半導体を含み、光吸収により電流を発生する光電変換層30と、電流を取り出す電極20,50とを備えたものであり、金属基材中のFe含有量が0.05〜1.0質量%であり、かつ、金属基材の断面における、最小径が0.3μm以上であり、最小径と最大径の和を2で割った値が0.5〜2.5μmであるFe含有クラスターの数が1,500〜40,000個/mmである。 (もっと読む)


【課題】 可視光領域だけでなく赤外線領域においても透過性に優れ、しかも低抵抗値を有する酸化物透明電極膜を提供する。
【解決手段】 酸化インジウムを主成分とし、チタンを含有し、150℃以上350℃以下に加熱された基板上に成膜されており、酸化インジウムのインジウムがチタンに、チタン/インジウムの原子数比で0.003〜0.120の割合で、置換され、酸化インジウムは結晶質であり、酸化物透明電極膜の比抵抗が5.7×10-4Ωcm以下であり、ホール測定効果によるキャリア電子濃度が5.5×10-3以下であり、かつホール効果測定によるキャリア電子の移動度が40cm2/Vsec以上である酸化物透明電極膜が提供される。 (もっと読む)


【課題】複数のノズルに供給される複数の坩堝から蒸発した材料の量を正確に制御する堆積供給源を提供する。
【解決手段】堆積供給源100であって、a)堆積材料を収容する複数の坩堝102と、b)複数のコンダクタンスチャネルを備える本体112と、c)坩堝とコンダクタンスチャネルと熱的な連通をするように配置されたヒータと、d)複数の坩堝のうちの少なくとも1つに、部分的な熱分離を提供する熱シールドと、e)複数のノズルからなり、該ノズルの各々の入力は該複数のコンダクタンスチャネルの出力に連結され、蒸発した堆積材料は、該複数の坩堝から、該コンダクタンスチャネルを通って該ノズルまで移送され、該蒸発した堆積材料は該ノズルから排出され堆積フラックスを形成する。 (もっと読む)


【課題】光吸収層へのアルカリ金属の拡散を確実にかつ十分に行うことができるとともに、製造コストが安価な薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】第1電極層2と第2電極層5との間に光吸収層3を有する薄膜太陽電池の製法であって、元素としてCu、Inおよびアルカリ金属を含有する光吸収層溶液を作製する工程と、該光吸収層溶液を前記第1電極層上に塗布して乾燥させることにより前駆体を作製する工程と、該前駆体を還元雰囲気で熱処理し、前記第1電極層2上に、元素としてCu、Inおよびアルカリ金属を含有する前記光吸収層3を形成する工程と、該光吸収層3上に前記第2電極層5を形成する工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率がすくなかったものを大幅に増すことができるとともに、製造コストが安く、酸化物薄膜を薄くすることができる。
【解決手段】太陽電池受光面上の薄い金属網(または島状)と透明酸化物導電薄膜で積層構成する透明導電薄膜電極を用い、前記薄い金属の網はAg、Cu、Al、Au、Co中の少なくとも一つの金属または合金材料から成り、その厚さを1nmから30nm範囲にするのが好ましい。また、薄膜太陽電池の透明導電薄膜電極上に減反射効果を有するMgF2、SiO2などの誘電体薄膜を積層するのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 光吸収層におけるクラックの発生を抑制できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 CuとSおよびSeのうち少なくとも1種とInおよびGaのうち少なくとも1種とを含む単一前駆体が有機溶媒に溶解した光吸収層溶液を、第1電極層2上に塗布して光吸収塗布膜7を形成する光吸収塗布膜形成工程と、光吸収塗布膜7に対して、該光吸収塗布膜7の表面から加熱して該表面を硬化させる膜表面硬化工程と、該膜表面硬化工程の加熱温度よりも高い加熱温度で熱処理し、CuとSおよびSeのうち少なくとも1種とInおよびGaのうち少なくとも1種とを含む光吸収層3を第1電極層2上に形成する光吸収層形成工程と、光吸収層3上に第2電極層5を形成する第2電極層形成工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 製造コストが安価であり、かつ人体への危険性が少なく安全な化合物半導体薄膜の製法および薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 官能基としてアミノ基のみを有する化合物と酸との混合溶媒に、銅、インジウムおよびガリウムのそれぞれのカルコゲナイドを溶解させて、前記銅、前記インジウムおよび前記ガリウムと、前記カルコゲナイドの構成成分である硫黄およびセレンのうち少なくとも1種とを含むアミン錯体を調製する工程と、該アミン錯体を基板の表面に塗布して乾燥し、前記アミン錯体の皮膜を作製する工程と、該アミン錯体の皮膜を、水素、窒素およびこれらの混合ガスのうちいずれかのガスを含む還元雰囲気中で熱処理し、前記基板の表面に前記銅、前記インジウムおよび前記ガリウムと、前記硫黄または前記セレンあるいは前記硫黄および前記セレンの両方とを主成分とする薄膜を形成する工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 光吸収層における粒子の粒径を大きくできる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 CuとInおよびGaのうち少なくとも1種とアルカリ金属とを含有する光吸収層溶液を作製する溶液作製工程と、光吸収層溶液を第1電極層2上に塗布して光吸収塗布膜を形成する光吸収塗布膜形成工程と、光吸収塗布膜を水分除去した還元雰囲気で熱処理して、第1電極層2上に元素としてCuとInおよびGaのうち少なくとも1種とアルカリ金属とを含有する光吸収層3を形成する光吸収層形成工程と、光吸収層3上に第2電極層5を形成する第2電極形成工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 単一前駆体を用いて光吸収層の組成を制御できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 CuとSおよびSeのうち少なくとも1種とInおよびGaのうち少なくとも1種とを含む単一前駆体が溶解した有機溶媒に、InおよびGaのうち少なくとも1種のセレン化物粉末または硫化物粉末を添加し溶解または混合した光吸収層溶液を、第1電極層2上に塗布した後、熱処理することにより、CuとSおよびSeのうち少なくとも1種とInおよびGaのうち少なくとも1種とを含有する光吸収層3を形成する光吸収層形成工程と、光吸収層3上に第2電極層5を形成する第2電極層形成工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 光吸収層と第1電極層との接合強度を向上できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 CuとSおよびSeのうち少なくとも1種とInおよびGaのうち少なくとも1種とを含む単一前駆体が有機溶媒に溶解した光吸収層溶液を、第1電極層2上に塗布して光吸収塗布膜を形成する光吸収塗布膜形成工程と、光吸収塗布膜を酸素濃度が20〜150ppmの不活性ガス雰囲気中で熱処理することにより単一前駆体を有機成分と金属成分に熱分解し、有機成分を除去する熱分解工程と、熱分解工程の熱処理温度よりも高い温度で熱処理することにより、CuとSおよびSeのうち少なくとも1種とInおよびGaのうち少なくとも1種とを含む光吸収層3を第1電極層2上に形成する光吸収層形成工程と、光吸収層3上に第2電極層5を形成する第2電極層形成工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 製造コストが安価であり、かつ人体への危険性が少なく安全な化合物半導体薄膜の製法および薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 官能基としてアミノ基およびヒドロキシ基を有する化合物を溶媒にして、銅、インジウムおよびガリウムのそれぞれのカルコゲナイドを溶解させて、前記銅、前記インジウムおよび前記ガリウムと、前記カルコゲナイドの構成成分である硫黄およびセレンのうち少なくとも1種とを含む錯体を調製する工程と、該錯体を基板の表面に塗布して乾燥し、前記錯体の皮膜を作製する工程と、該錯体の皮膜を、水素、窒素およびこれらの混合ガスのうちいずれかのガスを含む還元雰囲気中で熱処理し、前記基板の表面に、前記銅、前記インジウムおよび前記ガリウムと、前記硫黄および前記セレンのうち少なくとも1種とを主成分とする薄膜を形成する工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 製造コストが安価であり、かつ人体への危険性が少なく安全な化合物半導体薄膜の製法および薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 官能基として、チオール基と、アルキル基、アリール基およびアラルキル基のうちいずれか1種とを有するチオール化合物と酸との混合溶媒に、銅、インジウムおよびガリウムのそれぞれのカルコゲナイドを溶解させて、これらの金属成分を含むチオール錯体を調製する工程と、該チオール錯体を基板の表面に塗布して乾燥し、前記チオール錯体の皮膜を作製する工程と、該チオール錯体の皮膜を、水素、窒素およびこれらの混合ガスのうちいずれかのガスを含む還元雰囲気中で熱処理し、前記基板の表面に前記銅、前記インジウムおよび前記ガリウムと、前記硫黄および前記セレンのうち少なくとも1種とを主成分とする薄膜を形成する工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 光吸収層を構成する粒子の粒成長を促進することができる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 CuとInおよびGaのうち少なくとも1種とを含有する光吸収層溶液を、前記第1電極層2上に塗布することにより光吸収塗布膜を形成する工程と、光吸収塗布膜を還元雰囲気で熱処理することによりCuとInおよびGaのうち少なくとも1種とを含有する光吸収層3を形成する工程と、光吸収層3上にSeを含有するSe含有膜を形成する工程と、Se含有膜を還元雰囲気で熱処理してSeを光吸収層3に拡散させる工程と、光吸収層3上に第2電極層5を形成する工程とを具備する。 (もっと読む)


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