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Fターム[5F051AA10]の内容

光起電力装置 (50,037) | 本体材料 (7,491) | 化合物半導体 (938) | 1−3−5I族(例;CuInSe2) (468)

Fターム[5F051AA10]に分類される特許

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【課題】高い光電変換効率を有するCIS系薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明のCIS系薄膜太陽電池は、高歪点ガラス基板(1)、アルカリ制御層(2)、裏面電極層(3)、p型CIS系光吸収層(4)、n型透明導電膜(6)の順に積層されたCIS系薄膜太陽電池において、前記アルカリ制御層(2)を、膜厚が2.00〜10.00nm、屈折率が1.450〜1.500の範囲のシリカ膜で形成する。 (もっと読む)


【課題】接合材のクラック伸長を抑制することが可能な接合信頼性の高い接合構造を提供すること
【解決手段】対向する一対の基板を接合材で接合した接合構造であって、前記接合材が一部に気泡を含んでおり、前記一対の基板の対向面に直交する前記接合材の断面において、前記気泡の占有面積は、前記接合材の両側面側の端部よりも中央部の方が大きい。 (もっと読む)


【課題】耐久性を高めた光電変換セルおよび光電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】光電変換セルは、第1の電極層2と、第1の電極層2の一方側に設けられた光吸収層4と、光吸収層4の一方側に設けられたIII-VI族化合物を含むバッファ層5と、バッファ層5の一方側に設けられたIII-VI族化合物を含む第2の電極層6と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】高い精度で配線材を出力取出電極に接続する太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュールの製造装置の提供。
【解決手段】第1及び第2の太陽電池素子を有してなる太陽電池モジュールの製造方法であって、第1の太陽電池素子の第1出力取出電極または第1集電電極の第1位置情報を取得し、該第1位置情報に基づき、第1の太陽電池素子の第1出力取出電極と配線材6との位置合わせを行い、第1の太陽電池素子の第1出力取出電極と配線材6とを電気的に接続する工程と、第2の太陽電池素子の第2出力取出電極または第1集電電極の第2位置情報を取得し、該第2位置情報に基づき、第2の太陽電池素子の前記第2出力取出電極と配線材6との位置合わせを行い、第2の太陽電池素子の第2出力取出電極と配線材6とを電気的に接続する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】製造が容易で、効率が向上されたCIGS系の薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板100上の金属電極層110と、金属電極層上の光吸収層120と、光吸収層上のインジウムガリウム窒化膜(InGa1−XN)を含むバッファ層130と、バッファ層上の透明電極層140と、を含む構造において、バッファ層のIn組成Xを光吸収層から離れるほど小さくし、そのエネルギバンドギャップを光吸収層と透明電極層のそれとの間の値とする。 (もっと読む)


【課題】発電効率を高効率化した、CIS太陽電池を用いたタンデム型薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】タンデム型薄膜太陽電池1は、カルコパイライト型化合物の半導体を含んでなるカルコパイライト型化合物の半導体層(CIS半導体層103)を含むボトムセル100と、前記ボトムセル100の上に形成され、前記CIS半導体層103の禁制帯準位よりも大きな禁制帯準位を有する非晶質の半導体を含んでなる混合層111を含んで形成されるトップセル110と、前記ボトムセル100と前記トップセル110を接合するために前記ボトムセル100と前記トップセル110の間に形成された、多孔質構造を有する金属酸化物を含んでなる金属酸化物層105とを有する。 (もっと読む)


【課題】高効率の太陽電池を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された下部電極層と、前記下部電極層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された上部電極層と、を備え、前記下部電極層は、前記基板上に形成された第1下部電極層と、前記第1下部電極層上に形成された第2下部電極層と、で構成され、前記第1下部電極層は、前記第2下部電極層に比べ、電気抵抗率が低い材料で構成されている。 (もっと読む)


【課題】下地を隙間なく被覆する金属酸化物層を形成する技術を提供する。
【解決手段】金属酸化物及び/又は金属水酸化物を主成分とする1種若しくは2種以上の複数の微粒子からなる微粒子層を形成する工程(A)と、微粒子層上に、1種若しくは2種以上の金属イオンを含む反応液を用い、複数の微粒子の少なくとも一部が該反応液により溶解せずに残存するpH条件の液相法により、金属イオンの酸化物を主成分とし、微粒子層を隙間なく被覆する金属酸化物層を形成する工程(B)とを有する製造方法により、微粒子層と金属酸化物層との積層構造からなる積層膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】変換効率の高い太陽電池を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された第1電極層と、前記第1電極層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された第2電極層と、を有し、前記半導体層の一部には、前記第1電極層から前記第2電極層に至る溝部が設けられ、前記溝部には、導電性を有するコンタクト層が形成された。 (もっと読む)


【課題】本発明は、生産コストを抑えることができ、大面積化が容易な太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池は、基板100と、基板100上に配設された接着電極110と、接着電極110により基板100上に接着された第1の電極120と、第1の電極120上に配設された光吸収層130と、光吸収層130上に配設されたウインドウ層150と、ウインドウ層150上に配設された第2の電極170とを含む。 (もっと読む)


【課題】複数の光電変換モジュールを有する光電変換装置を設置した後でも、各光電変換モジュールの位置情報を簡易に取得できる光電変換装置を提供する。
【解決手段】第1および第2の光電変換モジュールが隣接するように配置されてなる光電変換装置であって、前記第1の光電変換モジュールに配置され、前記第1の光電変換モジュールの位置情報を受信し、前記第1の光電変換モジュールの位置情報に基づいて出力された前記第2の光電変換モジュールの位置情報を信号で第2の光電変換モジュールに伝達する制御部と、前記第1および第2の光電変換モジュールの位置情報を取得する位置情報取得部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】CIGS系の太陽電池に代表されるような、表面材と裏面材の双方ともに、ガラスなどの脆弱な材料を使用している太陽電池パネルの製造方法において、ダイヤフラム方式を用いることなく、残存気泡を発生させないラミネート方法、ならびに、その製造に適したラミネート装置の提供。
【解決手段】裏面保護部材 1、封止接着樹脂 2、および表面保護部材 3により構成される、CIGS系などの太陽電池のラミネート方法において、封止接着樹脂2と、その上部に配置される、表面保護部材3との間に間隙を設け、真空環境下で封止接着樹脂2を溶融温度まで加熱してから、その上部に配置された表面保護材3と封止接着樹脂2および裏面材1を密着させてラミネートするようにした。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料の利用効率を向上させつつ、基板へのスプラッシュの付着を阻止することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る真空蒸着装置において、蒸発源40は、複数のチムニ(筒状部)42を有し、これらチムニから蒸着材料の蒸気を放出することで、対向する基板T上に蒸着膜を形成する。チムニの先端部と基板との間の距離L1を100mm以下とすることで、チムニの直上に位置する基板に対する蒸発物質の付着量を増加させる。これにより、蒸着レートが向上するとともに、蒸着材料の利用効率を高めることが可能となる。また、チムニを有することで、スプラッシュが基板へ到達することを効果的に阻止することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板よりも軽量で破損しにくく、良好な耐電圧性を有する光電変換素子用基板を提供する。
【解決手段】光電変換素子用基板10Aは、金属基板11と、金属基板11の少なくとも一方の面上に形成された絶縁性のセラミックス膜12とを有し、セラミックス膜12は、金属基板11との界面及びその近傍にアンカー層を有するものである。セラミックス膜12は、エアロゾル化されたセラミックス原料粉を金属基板11上に衝突させて、原料粉の破砕物を金属基板11上に堆積させる堆積工程を有する製造方法により製造されたものである。 (もっと読む)


【課題】低コストで、かつ、高効率の光学デバイスを製造する。
【解決手段】多結晶ウルツ鉱型半導体素子200の製造方法であって、層状物質であり、かつ、六回対称結晶構造を有するグラファイト基板201の主面に、表面処理を行うことにより表面を荒らす表面処理ステップと、表面処理ステップで表面処理された主面に、複数の結晶粒104を有する多結晶ウルツ鉱型半導体103を主面の垂直方向に成長させる成膜ステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】陽極酸化膜を絶縁層とした絶縁層付金属基板を用いた半導体装置において、絶縁層の耐電圧を高くし、漏れ電流の変動を低減して良好な絶縁特性を実現する。
【解決手段】Al基材11の少なくとも一方の面に陽極酸化膜12が形成された絶縁層付金属基板10上に、半導体回路を備えてなる半導体装置において、駆動時におけるAl基材11の電位が、半導体回路の平均電位よりも高くなるようにする。 (もっと読む)


【課題】 光電変換素子の量子効率の低下と集積回路に与える影響とが少なく、光電変換素子と集積回路とを積層することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体基板2上に、LSI3を形成する。LSI3上には、層間膜19を積層する。層間膜19上には、カルコパイライト構造の化合物半導体からなる光吸収層45を有する光電変換素子11を複数形成する。そして、複数の光電変換素子11によって太陽電池4および/またはイメージセンサ5を構成する。 (もっと読む)


【課題】エチレン・α−オレフィン共重合体とシランカップリング剤などを含有し、耐熱性、透明性、柔軟性に優れ、剛性と架橋効率とのバランスもよい太陽電池封止材用樹脂組成物の提供。
【解決手段】下記の(a1)〜(a5)の特性を有するエチレン・α−オレフィン共重合体成分(A)及びシランカップリング剤成分(B)を含有することを特徴とする太陽電池封止材用樹脂組成物によって提供。
(a1)密度が0.860〜0.920g/cm
(a2)ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により求めたZ平均分子量(Mz)と数平均分子量(Mn)との比(Mz/Mn)が8.0以下
(a3)100℃で測定した、せん断速度が2.43×10s−1での溶融粘度が9.0×10poise以下
(a4)100℃で測定した、せん断速度が2.43×10−1での溶融粘度が1.8×10poise以下
(a5)ポリマー中のコモノマーによる分岐数(N)が式(a)を満たす。 (もっと読む)


【課題】発電効率を高めた光電変換セルおよび光電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】光電変換セル20は、第1の導電層2と、第1の導電層20の一方側に設けられ、一方側主面に複数の突起9を有する光電変換層3と、光電変換層3の一方側に設けられ、複数の突起9の平均高さの1/2以下の膜厚を有する第2の導電層6と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】エチレン・α−オレフィン共重合体とシランカップリング剤などを含有し、耐熱性、透明性、柔軟性に優れる太陽電池封止材用樹脂組成物の提供。
【解決手段】下記の特性を有するエチレン・α−オレフィン共重合体成分(A)、有機過酸化物成分(B)、エチレンと式(I)で表される環状アミノビニル化合物との共重合体成分(C)及びシランカップリング剤成分(D)を含有することを特徴とする太陽電池封止材用樹脂組成物によって提供。
(a1)密度が0.860〜0.920g/cm
(a2)ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により求めたZ平均分子量(Mz)と数平均分子量(Mn)との比(Mz/Mn)が8.0以下
(a3)100℃で測定した、せん断速度が2.43×10s−1での溶融粘度が9.0×10poise以下
(a4)100℃で測定した、せん断速度が2.43×10−1での溶融粘度が1.8×10poise以下 (もっと読む)


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