【課題】低コストで、太陽電池の大面積化を可能にし、異なるバンドギャップを有する薄い複数の光吸収層を多段階に積層させて効率を向上させる光吸収層の形成方法を提供する。
【解決手段】カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物半導体の構成元素（Ｃｕ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｅ）と有機溶媒とを混合した組成の異なる複数の溶液を、裏面電極を表面に備えた基板上に、塗布、乾燥、急速焼成する工程を繰り返す。ここで、各溶液は、Ｇａの組成比率が高い方から順番に、塗布、乾燥、急速焼成される。 （もっと読む）

【課題】低コストで光電変換効率の高い光電変換半導体層を提供する。
【解決手段】光電変換半導体層３０Ｘは、光吸収により電流を発生するものであり、複数の板状粒子３１が面方向にのみ配列した粒子層又はその焼結体、若しくは、複数の板状粒子３１が面方向及び厚み方向に配列した粒子層又はその焼結体により構成されている。 （もっと読む）

【課題】組成物を構成する元素を微細化した場合であっても、光吸収層に割れが発生しない薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】有機溶媒に、Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｅからなる直径１００ｎｍ以下の微細粒子と，Ｎａ化合物を混合する工程（Ｓ０１）と、前記混合された混合溶液を電極基板の一面に塗布する工程（Ｓ０２）と、前記電極基板を乾燥させる工程（Ｓ０３）と、前記電極基板を焼成させて、光吸収層を形成する工程（Ｓ０４）と、前記半導体層の表面にバッファ層を形成する工程（Ｓ０５）と、前記バッファ層の表面に透明電極層を形成する工程（Ｓ０６）と、から構成する。 （もっと読む）

【課題】従来の太陽電池に比べて開放電圧を増加させることができる太陽電池を提供すること。
【解決手段】本発明の太陽電池２は、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素及びＶＩｂ族元素を含むｐ型半導体層８と、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素、ＶＩｂ族元素及びＺｎを含み、ｐ型半導体層８上に形成されたｎ型半導体層１０と、を備え、ｎ型半導体層１０におけるＩｂ族元素の含有率が、ｎ型半導体層１０に含まれるＩｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素、ＶＩｂ族元素及びＺｎの原子数の合計に対して１５〜２１原子％であり、ｎ型半導体層１０におけるＺｎの含有率が、ｎ型半導体層１０に含まれるＩｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素、ＶＩｂ族元素及びＺｎの原子数の合計に対して０．００５〜１．０原子％である。 （もっと読む）

【課題】比較的重量に富み、脆弱な板状部材を損傷することなく、位置決め搬送する方法及び装置を提供する。
【解決手段】搬送ロボットＢによって位置決め部１２の第１ガラス基板受け部２０Ａ、２０Ｂを構成する溝にガラス基板１００を載置位置決めする。第１ガラス基板受け部２０Ａ、２０Ｂは緩衝部材で構成されているために衝撃なくガラス基板１００を受け止める。次いで、リフター７４が搬送処理部１４を上方へと変位させると、前記ガラス基板１００は搬送処理部１４の第２ガラス基板受け部５０Ａ、５０Ｂに移載され、且つガラス基板側部受け部３２Ａ〜３２Ｄ、３４Ａ〜３４Ｄによって横方向への変位を阻止されながら、トランスファーマシンＥによりセレン化処理炉Ｆへと搬送される。 （もっと読む）

【課題】 低い体積抵抗率を有し、もって光電変換効率の向上に寄与する（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３系スパッタリングターゲットを提供する。
【課題手段】太陽電池を構成する（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を、質量％で、 酸化アルミニウム：０．１〜５％、金属Ａｌ：０．１〜５％、酸化亜鉛：残り、からなる配合組成（ただし、不可避不純物含有量：０．１％以下）を有する加圧成形体の焼結体で構成されたＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３系スパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜する。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化基板を用いた光電変換素子において、下部電極に形状精度良く開溝部を形成する。下部電極のスクライブ加工の際の陽極酸化基板への熱の影響を低減する。
【解決手段】光電変換素子１は、Ａｌを主成分とする金属基材の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜を有する基板１０上に、下部電極２０と光吸収により電流を発生する光電変換半導体層３０と上部電極５０との積層構造を有し、かつこの積層構造が複数の開溝部６１〜６３によって複数のセルに分割されたものであり、下部電極２０は、Ｍｏよりも低沸点の金属を主成分とする少なくとも１層の低沸点金属層２１と、Ｍｏを主成分とする少なくとも１層のＭｏ層２２とを含み、かつ、最上層をＭｏ層とする積層電極である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池のＦＦ特性の向上、歩留まりの低減に有効な裏面電極層を積層してなる太陽電池、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板上に、モリブデンからなる金属裏面電極層を積層した化合物系薄膜太陽電池であって、上記金属裏面電極層は、スパッタ法により、その表面の反射率が１０％以上３５％以下の範囲で上記ガラス基板上に製膜されていることを特徴とする化合物系薄膜太陽電池を提供する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率に優れた光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１は、Ａｌを主成分とする金属基材の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜を有する基板１０上に、Ｍｏを主成分とする下部電極２０と光電変換半導体層３０と上部電極５０との積層構造を有する素子であり、下部電極２０に接して、若しくは下部電極２０の内部に、アルカリ（土類）金属を含み、光電変換半導体層３０の成膜時に該層にアルカリ（土類）金属を供給する少なくとも１層のアルカリ（土類）金属供給層６０を備え、かつ、アルカリ（土類）金属供給層６０よりも基板１０側に、下部電極２０及び／又はアルカリ（土類）金属供給層６０に接して、若しくは下部電極２０の内部に、アルカリ（土類）金属供給層６０に含まれるアルカリ（土類）金属の基板１０側への拡散を抑制する少なくとも１層の導電性の拡散防止層７０を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】刃先が摩耗したとき、溝加工ツール自体を交換することなく、新しい刃先に簡単に据え替えることができ、かつ、集積型薄膜太陽電池を歩留まりよく製造することのできる太陽電池の溝加工ツールを提供する。
【解決手段】
スクライブ装置のホルダ９に回転並びに固定可能に取り付けられる円盤状ボディ８１の外周部に、略接線方向に刃先を向けた刃領域が周方向に等しい間隔をあけて複数設けられており、この何れか一つの刃先を選択して溝加工を行う。 （もっと読む）

【課題】刃先が摩耗または刃こぼれしたときに溝加工ツール自体を交換することなく、新しい刃先に簡単に据え替えることのでき、かつ、集積型薄膜太陽電池を歩留まりよく製造することのできる太陽電池の製造方法、溝加工ツールを提供する。
【解決手段】
溝加工ツール８が、スクライブ装置のホルダ９に回転並びに固定可能に取り付けた円盤状ボディ８１の外周部に、歯車状に連続した多数の凹、凸部８２、８３が円周方向に沿って形成され、この凸部８３の接線方向に向いた少なくともいずれか一方の角部を刃先８４として形成し、この刃先８４を進行方向に向けて配置して一回の移動により複数の刃先で同時に溝加工を行う。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の性能がほとんど損なわれることがなく、長期間使用が可能であり、低コストな太陽電池を得る封止技術を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜太陽電池の封止プロセスは、塗布機によって薄膜太陽電池のＴＣＯガラスの電極上に樹脂を塗布する工程と上記樹脂を塗布する工程と同時に、枠塗布機によって太陽電池の端部を覆う工程とを含む。上記樹脂は、高性能樹脂であり、固化後に、所定の剛性、粘着性、エージング耐性、磨耗耐性および穿刺耐性を有する。 （もっと読む）

【課題】可撓性及び耐熱性のバランス並びに水蒸気バリア性及び耐傷性に優れ、赤外線を透過して蓄熱を抑制し光電変換効率を改良することができる太陽電池用バックシート及びそれを備える太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用バックシート（１）は、第１樹脂層（１１）、第２樹脂層（１２）、第３樹脂層（１３）、水蒸気バリア層（１４）及び第４樹脂層（１５）を、順次、備え、第１樹脂層（１１）が赤外線透過性着色樹脂層であり、第２樹脂層（１２）及び第３樹脂層（１３）のうち少なくとも第２樹脂層（１２）が白色系樹脂層であり、第４樹脂層（１５）が裏面保護層であり、第１樹脂層（１１）の厚さＨ_Ａ、第２樹脂層（１２）の厚さＨ_Ｂ及び第３樹脂層（１３）の厚さＨ_Ｃが、０．４≦（Ｈ_Ａ＋Ｈ_Ｃ）／Ｈ_Ｂ≦２．４及び０．７≦Ｈ_Ａ／Ｈ_Ｃ≦１．３を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】集積型薄膜太陽電池を効率よく製造することのできる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】（１）絶縁基板上に、少なくとも下部電極層、光吸収層及び上部電極層が形成された太陽電池基板を提供し、（２）前記太陽電池基板の後工程で相互に分割されて個別の太陽電池の機能領域となる領域に、上部電極層側から下部電極層面に至る深さで、上部電極層面上に複数の溝を形成するパターニング工程、（３）前記複数の溝と平行に広がる領域であって、個別の太陽電池の機能領域となる領域の両側の上部電極側から下部電極層面に至る各層を除去して下部電極層を露出させるワイドパターニング工程、（４）脆性基板のスクライブ工程及び（５）ブレーク工程を含む。 （もっと読む）

【課題】開放電圧、短絡電流及び曲線因子Ｆ．Ｆ．を増加させ、結果的に変換効率を増加させることができる太陽電池を提供すること。
【解決手段】本発明の太陽電池は、ｐ型半導体層と、下記化学式（１）で表される化合物を含み、ｐ型半導体層上に形成されたｎ型半導体層と、を備える。
ＺｎＯ_{１−ｘ−ｙ}Ｓ_ｘＳｅ_ｙ （１）
［化学式（１）中、ｘ≧０、ｙ＞０、０．２＜ｘ＋ｙ＜０．６５。］ （もっと読む）

【課題】キャリア濃度の増加により、開放電圧、短絡電流及び曲線因子Ｆ．Ｆ．を増加させ、結果的に変換効率を増加させることができる太陽電池の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法は、Ｉｂ族元素を含むターゲット及びＩＩＩｂ族元素を含むターゲットを、Ｓｅを含む雰囲気中でスパッタして、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素及びＳｅを含む層を基板上に形成するスパッタリング工程と、層を加熱する熱処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】太陽電池での使用に適した光起電薄膜装置を、簡単かつ低コストに製造できるようにする。また、できるかぎり効率的かつ低コストに大面積の光起電モジュールを形成できることが望ましい。
【解決手段】直径約３ｎｍ〜約３０ｎｍのナノスケールの粒子を含む懸濁液を透明な基板上へ塗布することにより、金属カルコゲナイド化合物半導体層を形成し、基板上に塗布される金属カルコゲナイド化合物半導体層の厚さを約１５０ｎｍ〜約２０００ｎｍまたは約２５００ｎｍとする。 （もっと読む）

【課題】機械的強度や耐熱性が高く、且つ適正な熱膨張係数を有する基板材料を創案することにより、ＣＩＳ太陽電池等の光電変換効率等を高めるとともに、ＣＩＳ太陽電池等の製造コストを低廉化すること。
【解決手段】本発明の強化ガラスは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ４０〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３ １０〜３０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１０％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ（Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏの合量） ３〜２０％、Ｎａ_２Ｏ ０〜２０％、Ｋ_２Ｏ ０〜１５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの合量） １〜２０％、ＣａＯ １〜１５％、ＺｒＯ_２ ０〜１５％含有し、実質的にＡｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、ＰｂＯおよびＦを含有せず、且つ質量比Ａｌ_２Ｏ_３／ＳｉＯ_２が０．１〜０．７、質量比ＺｒＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３が０〜０．３であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価な材料を用いても高い発電効率を得ることができる光発電装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板１は、例えば圧延再結晶集合組織を有する銅又は銅合金基板である。この銅又は銅合金基板では、数十μｍの大きさの複数の単結晶が、その表面の結晶方位を揃えて並んでいる。この結晶方位のずれは５度以内である。金属電極２は、例えばニッケル膜、ニッケル合金膜、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜である。この金属電極２は、めっき法により金属電極１上に形成する。ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４は、エピタキシャル成長法により金属電極２上に形成する。金属基板１の表面における結晶方位のずれが５度以内であるため、ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４の結晶方位のずれも極めて小さくなる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの製造工程に基づく性能低下の問題を解決する透明電極と、この透明電極を用いた集積型光発電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスに用いられる透明電極であって、透明電極材料から構成され、少なくとも可視光に対して透光性を有する電極本体１３ａと、電極本体１３ａの一部に電極本体１３ａの表面から裏面に達するように形成され、透明電極材料に含まれる第１の金属元素及び第１の金属元素に比べて原子価の価数が小さい第２の金属元素を含む高抵抗層１４と、を有することを特徴とする透明電極。 （もっと読む）