【課題】太陽電池等に用いられる、金属基材と、Ａｌ層と、Ａｌを陽極酸化してなる絶縁層とを有する基板であって、各層のクラックの発生や剥離を抑制することができ、良好な絶縁特性を維持および可撓性を維持できる基板、および、この基板を用いる半導体装置を提供する。
【解決手段】基材とＡｌ層との間に厚さが０．０１〜１０μｍの合金層が存在し、さらに、前記アルミニウム層の厚さが、１μｍ以上で、かつ、前記金属基材の厚さ以下であることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層へのｎ型ドーパントの高濃度拡散と最適な膜厚のバッファ層の形成とを両立させ、かつ製造工程および設備コストの簡素化を図る。
【解決手段】基板10上に下部電極20と化合物半導体層からなる光電変換層30と化合物半導体層からなるｎ型のバッファ層40と透光性導電層60との積層構造を有する光電変換素子１の製造方法において、ｎ型ドーパント元素とアンモニアまたはアンモニウム塩の少なくとも１つとチオ尿素とを含む水溶液からなる反応液90を用意し、20℃から45℃の所定温度に調整した反応液90中に、光電変換層30を表面に備えた基板10を浸漬して、光電変換層30中にｎ型ドーパントを拡散させ、70℃から95℃の所定温度に調整した反応液90中に、拡散処理した光電変換層30を表面に備えた基板10を浸漬して、光電変換層30上にバッファ層40を析出させる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体系光電変換素子の製造方法において、ＣＢＤ法によるバッファ層成膜時のタイムロスを抑制して、低コストに光電変換素子を製造する。
【解決手段】基板１０上に、下部電極層２０と、光電変換半導体層３０と、バッファ層４０と、透光性導電層５０が順次積層された光電変換素子１の製造方法において、光電変換半導体層３０上に、所定の温度Ｔ_Ｌ（℃）の反応液Ｌを用いて化学浴析出法によりバッファ層４０を形成する工程と、化学浴析出法において、反応液Ｌに浸漬させる基板（１０，Ｂ）の温度Ｔ_Ｂ（℃）と反応液Ｌの温度Ｔ_Ｌ（℃）との差が、所定値ｔ（℃）以下となるように基板（１０，Ｂ）の温度Ｔ_Ｂを調整する工程とを有する。化学浴析出法の反応液Ｌの温度Ｔ_Ｌは７０℃以上である。 （もっと読む）

【課題】非導電性の下地を良好に被覆し、且つ、電析法の下地層として好適な導電性酸化亜鉛薄膜を提供する。
【解決手段】導電性酸化亜鉛積層膜１は、少なくとも表面が非導電性である基板１０上に成膜されてなり、その表面に形成された導電性酸化亜鉛を主成分とする少なくとも１種の複数の微粒子１１ｐを含む導電性酸化亜鉛微粒子層１１と、導電性酸化亜鉛微粒子層１１上に形成された導電性酸化亜鉛薄膜層１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛薄膜層を、複数の領域に分離する分離パターン作製において、各領域間の分離抵抗を十分高くする。
【解決手段】基体１０上に、導電性酸化亜鉛微粒子１１ｐが分散されてなる分散媒を塗布する工程を経て、複数の導電性酸化亜鉛微粒子１１ｐからなる、所望のパターン状の導電性酸化亜鉛微粒子層１１を形成し、酸化亜鉛微粒子層１１上に、導電性酸化亜鉛を化学浴析出法により析出させて導電性酸化亜鉛薄膜層１２を形成することにより、所望のパターン状の導電性酸化亜鉛積層膜１を形成する。 （もっと読む）

【課題】摩擦抵抗による不規則な剥がれが発生しにくくすると共に、低負荷でスムーズに薄膜を削りとることのできる溝加工ツール、並びにこれを用いた溝加工方法を提供する。
【解決手段】 溝加工ツール８が、刃体ボディ８１の下端に、複数の凹部８２、凸部８３が交互に一列に並ぶように形成されており、この凸部の高さは、中央に位置する凸部から前後の凸部が漸次上位に位置するように配置され、凸部の左右側面８６，８７が平行に形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、太陽電池素子とほぼ同色となって外観を損なうことがなく、太陽電池のエネルギー変換効率を向上し、温度上昇によるエネルギー変換効率の低下を抑制すること。
【解決手段】太陽電池の受光面側に位置する太陽電池表面封止シート（Ｉ）、太陽電池の受光面側に位置する封止材層（ＩＩ）、太陽電池セル（ＩＩＩ）、太陽電池の非受光面側に位置する封止剤層（ＩＶ）、及び前記非受光面側封止剤層（ＩＶ）に接してなる太陽電池裏面保護シート（Ｖ）を具備してなる太陽電池モジュールであって、
前記太陽電池裏面保護シート（Ｖ）が、
７００〜１２００ｎｍの赤外線の反射率が６０〜１００％のフィルム（２）の表面に、ペリレンブラック顔料を含有する黒色接着剤層（１）を担持してなる
ことを特徴とする太陽電池モジュール。 （もっと読む）

【課題】ＣＩＧＳ系光吸収層のバンド構造の制御性を向上させることができるＡｌを含むＣＩＧＳ系カルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、裏面電極、ＣＩＧＳ系化合物からなる光吸収層、バッファ層、窓層および上部電極が順次積層されたカルコパイライト型化合物半導体薄膜太陽電池であって、前記裏面電極よりも前記基板側にアルミニウム供給層を有し、かつ前記光吸収層の一部に前記アルミニウム供給層から供給されたアルミニウムがドーピングされていることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】組成の均一なバッファ層を製造する。
【解決手段】基板上に下部電極と光吸収により電流を発生する光電変換半導体層とバッファ層と透光性導電層との積層構造を有する光電変換素子におけるバッファ層の製造方法において、バッファ層がＣＢＤ法により形成され、このＣＢＤ法によるバッファ層の析出が進行している間のバッファ層を形成する反応液のｐＨ変動が０．５以内に調整され、反応液がＣｄまたはＺｎの金属と硫黄源を含むものとする。 （もっと読む）

【課題】バッファ層をドライプロセスを用いて成膜できると共に、効率の高い薄膜太陽電池、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、裏面電極３、光吸収層４、バッファ層５、透明電極６が順次積層された薄膜太陽電池１であって、バッファ層５が、ＺｎＯ_１−ＸＳ_Ｘ（ここで、０≦Ｘ≦１）により構成されていることを特徴とする。また、バッファ層５は、光吸収層４との間の電気的マッチングが取れるようにＸの値を決定されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、印刷プロセスによって容易に製膜されるナノインクの積層膜から形成されるｐ型半導体層の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ナノインク前駆体と樹脂とＣ３〜Ｃ１８の液体状有機化合物とからなるナノインクにより製膜される膜と、Ｃｕ又はＺｎの水酸化物と液体状有機化合物からなるナノインクにより製膜される膜との積層により製膜されるナノインク積層膜の還元により、緻密であって、結晶性の高いｐ型化合物半導体層が容易に製造される。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の抑制によって出力電力を向上させた光電変換装置ならびに該光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換装置が、下部電極層と、該下部電極層上に設けられた第１半導体層と、該第１半導体層上に設けられた、第１半導体層とは異なる導電型の第２半導体層と、該第２半導体層上に設けられた、酸化インジウム系の素材を含む上部電極層と、第２半導体層と上部電極層との間に設けられた、酸化インジウム系の素材を含み且つ上部電極層よりも電気抵抗率が高い中間導電層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池のパネルに絶縁溝を形成するに際して、比較的安価に、かつ簡単な構成でガラス基板の損傷を抑えることができるツールを提供する。
【解決手段】この絶縁溝加工ツールは、集積型薄膜太陽電池の基板上に形成された薄膜を除去して絶縁溝を形成するためのツールであって、ツール本体２２と、刃先部２４と、を備えている。刃先部２４は、ツール本体２２の先端部に設けられ、母材２８と、母材２８の表面の少なくとも一部にバインダ２９を介して電着されたダイヤモンド砥粒３０を含む刃先と、を有する。そして、ダイヤモンド砥粒３０はバインダ表面から３μｍ以上１２μｍ以下の範囲で突出している。 （もっと読む）

【課題】ＣＺＴＳ系半導体やＣＩＧＳ系半導体などの光吸収層の上に良好な特性を持つＣｄＳバッファ層を形成することが可能な光電素子用バッファ層及びその製造方法、並びに、このような方法により得られるバッファ層を備えた光電素子を提供すること。
【解決手段】カドミウム塩、硫黄源、及び、硫化物合成助剤を含むＣＢＤ溶液に、光吸収層が形成された基板を浸漬し、前記光吸収層の表面にＣｄＳ膜を形成するＣＢＤ工程と、前記ＣｄＳ膜を、酸化雰囲気下において２００℃超３５０℃以下で熱処理する熱処理工程とを備えた光電素子用バッファ層の製造方法、及び、この方法により得られる光電素子用バッファ層。本発明に係る方法により得られるバッファ層を備えた光電素子。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径の大きい半導体層を容易に形成することが可能な半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体層の製造方法は、金属元素を含む第１の前駆体層を作製する第１の前駆体層作製工程と、第１の前駆体層の表面にカルコゲン元素含有有機化合物を塗布して第２の前駆体層を形成する第２の前駆体層作製工程と、第２の前駆体層を加熱して金属カルコゲン化合物半導体を含む半導体層を作製する半導体層作製工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の高い光電変換装置を提供すること。
【解決手段】光電変換装置２１は、第１の溝Ｐ１を介して平面配置された、第１の下部電極２ａおよび第２の下部電極２ｂと、第１の下部電極２ａ上から第２の下部電極２ｂ上にかけて設けられた光電変換層５と、光電変換層５上に設けられた上部電極６と、上部電極６を平面視して第１の溝Ｐ１を覆うように上部電極６上に設けられ、上部電極６の上面に対し傾斜した表面を有する光反射層８と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】光の有効利用が可能な、光電変換効率に優れた薄膜太陽電池およびその製造方法を得ること。
【解決手段】透光性基板１上に、透明導電膜からなる第１電極層２と、光電変換を行う第１光電変換層３と、中間層４と、光電変換を行う第２光電変換層５と、第２電極層７と、をこの順で有する薄膜太陽電池であって、前記第１光電変換層３の光入射側に複数の凹凸からなる第１のテクスチャ構造２ａが形成され、前記第２光電変換層５の光入射側であって前記第１光電変換層３と前記第２光電変換層５との間に複数の凹凸からなる第２のテクスチャ構造４ａが形成され、前記第１のテクスチャ構造２ａにおける前記凹凸の形成間隔Ｐ１が前記第２光電変換層５で光電変換に用いる光の波長よりも短く、前記第２のテクスチャ構造４ａにおける前記凹凸の形成間隔Ｐ２が前記第１のテクスチャ構造２ａにおける前記凹凸の形成間隔Ｐ１よりも長い。 （もっと読む）

【課題】低コストで光電変換効率及び面内組成均一性の良好な光電変換半導体膜を製造可能とする
【解決手段】基板１１上に塗布され、焼結されることにより光電変換半導体膜３１を形成する塗布膜３０は、有機物３０２と平均粒径が１００ｎｍ以下の複数の無機微粒子３０１とを含み、無機微粒子３０１が、銅及び／又は銀と、インジウム，ガリウム，亜鉛，及び錫からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素と、硫黄，セレン及びテルルからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素とを含むＩｂ−ＩＩＩＢ−ＶＩＢ化合物又はＩｂ−ＩＩＢ−ＩＶＢ−ＶＩＢ化合物からなる。有機物３０２の無機微粒子３０１に対する重量比は０．０１以上０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を有するＣＩＳ系薄膜太陽電池を製造するための方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、高歪点ガラス基板上にアルカリ制御層を形成し、前記アルカリ制御層上に裏面電極層を形成し、前記裏面電極層上にＣＩＳ系光吸収層を形成し、前記ＣＩＳ系光吸収層上にｎ型透明導電膜を形成する、各ステップを備え、前記アルカリ制御層は前記高歪点ガラス基板に含まれるアルカリ金属の前記ＣＩＳ系光吸収層への熱拡散を許容する厚さに形成され、さらに、前記ＣＩＳ系光吸収層には前記高歪点ガラス基板からの熱拡散以外に外部よりアルカリ金属が添加されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部リークをより少なくして真空状態を維持することができ、ロール交換時に巻き出し室や巻取り室を素早く大気圧状態に戻し、ロール交換後も素早く真空状態に戻すことができるフィルム製造装置を提供する。
【解決手段】フィルム製造装置１は、巻き出し手段６、巻き取り手段７、３つの反応室４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、フィルム搬送路５より構成され、フィルムが通過する少なくとも一の開口部を有する反応室内に配置され、かつ、開口部には、該フィルムを挟みながら封止することにより真空室を密封可能とする弁体を有するバルブ機構１１〜１６が具備されている。 （もっと読む）