【課題】外部から薄膜型太陽電池モジュール内への湿分、水分の浸入を防止して、耐湿性を向上させ薄膜型太陽電池モジュールの性能劣化を防止、かつ電気絶縁性も確保し薄膜型太陽電池モジュールの耐用年数を向上させる。
【解決手段】裏面支持材２０２に設けた貫通孔に、水蒸気透過率が０．２ｇ／（ｍ²・Ｄａｙ）以下、かつ、電気抵抗値が１×１０¹⁰Ω・ｃｍ以上の特性を備え、厚さ１ｍｍ以上の充填材を配置する。 （もっと読む）

【課題】ソーダ石灰ガラスと同等の熱膨張係数を有するとともに、高歪点であり、且つ生産性に優れるガラス基板を作製すること。
【解決手段】本発明のガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ４０〜６０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０〜１５％、Ｂ_２Ｏ_３ ３．５〜１５％（但し、３．５％は含まない）、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの合量） １０〜３０％、ＢａＯ ０．１〜１５％、Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ（Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏの合量） １〜２５％、Ｎａ_２Ｏ ０〜１５％、Ｋ_２Ｏ ０〜１５％、ＺｒＯ_２ ０．１〜１５％を含有し、歪点が５７０℃以上６２５℃未満であり、且つ３０〜３８０℃における熱膨張係数が６０〜９０×１０^−７/℃であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化膜を有する絶縁層付金属基板を備えた太陽電池において、化合物半導体からなる光電変換層の製造温度である５００℃以上の高温を経験しても、良好な絶縁特性と強度を維持する基板を備える。
【解決手段】太陽電池１を、Ａｌよりも、熱膨張係数が小さく、かつ剛性が高く、かつ耐熱性が高い基材１３の少なくとも一方の面に、Ａｌ材１１が加圧接合により一体化されたものを金属基板１４とし、そのＡｌ材１１の表面にポーラス構造を有するＡｌの陽極酸化膜１２が形成されてなる絶縁層付金属基板１０上に、光電変換層３０とその上下に配された上部電極５０および下部電極２０とを含む光電変換回路を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】無アルカリガラスのリサイクルを促進するとともに、ガラスバッチの溶解性に優れたガラス板の製造方法を創案し、無アルカリガラスのリサイクル率を高めつつ、高歪点のガラス板の生産コストを低廉化すること。
【解決手段】本発明のガラス板の製造方法は、ガラス原料を調合し、ガラスバッチを作製した後、該ガラスバッチをガラス溶融窯で溶融し、ガラス板に成形するガラス板の製造方法において、ガラス原料の一部に無アルカリガラスを用いるとともに、ガラス板が、ガラス組成として、下記酸化物換算の質量％で、ＳｉＯ_２ ４０〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３ １〜１８％、Ｂ_２Ｏ_３ ０．１〜１２％、ＲＯ ５〜３０％、ＭｇＯ ０〜１０％、ＣａＯ ０〜２０％、ＳｒＯ ０〜１５％、ＢａＯ ０〜１５％、Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０〜２５％を含有するように、ガラス原料を調合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体太陽電池において、化合物半導体層とバッファー層界面において接合の不整合性に起因してキャリアの再結合が起こるために、太陽電池特性の低下が起こる可能性がある。
【解決手段】基板上に電極層、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ₂型化合物半導体からなる化合物半導体層Ａ、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ₂型化合物半導体からなる化合物半導体層Ｂ、格子定数が０．４９０〜０．５５０ｎｍを有するバッファー層、透明電極層がこの順に形成されている化合物半導体太陽電池であって、当該化合物半導体層Ｂが当該バッファー層に隣接しており、かつ当該化合物半導体層Ｂの格子定数が０．５００〜０．５６０ｎｍを有し、さらに当該化合物半導体層Ａと異なる組成からなることを特徴とする化合物半導体太陽電池とすることで、化合物半導体とバッファー層界面でのキャリアの再結合を抑制することができ、特に開放電圧を向上することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 組成偏析の極めて少ないＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｕ，Ｉｎ，ＧａおよびＳｅを不活性ガス中で加熱、溶解してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金溶湯を作製する工程と、四元系合金溶湯を鋳造してインゴットを作製する工程と、インゴットを粉砕して四元系合金粉末を作製する工程と、四元系合金粉末を不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有し、四元系合金溶湯を作製する工程で、ＩｎとＧａとが全て溶解する温度であってＳｅの融点未満の温度に加熱して少なくとも固相のＳｅと、液相のＩｎとＧａとからなる溶湯とが共存する第１の溶解工程Ｓ１と、該第１の溶解工程後に四元系合金の融点以上の温度に加熱して四元系合金溶湯を作製する第２の溶解工程Ｓ２と、を有している。 （もっと読む）

【課題】所望の厚みの半導体層を容易にかつ良好に作製することが可能な半導体層用溶液を提供すること。
【解決手段】半導体層形成用溶液は、Ｉ-Ｂ族金属と、含カルコゲン元素含有有機化合物と、ルイス塩基性有機溶剤とを含む。好ましくは、前記Ｉ-Ｂ族金属と前記含カルコゲン元素含有有機化合物とが化学結合しており、前記含カルコゲン元素含有有機化合物と前記ルイス塩基性有機溶剤とが化学結合している。 （もっと読む）

【課題】可撓性があり、耐熱性、寸法安定性に優れるフィルムを提供すること。
【解決手段】面内の少なくとも一方向のヤング率が６０００ＭＰａ以上であり、面内の少なくとも一方向において５０℃〜１５０℃の間の線膨張率αｔＬおよび１５０℃〜２５０℃の間の線膨張率αｔＨが各々１５ｐｐｍ／℃以下であり、２００℃１０分間の熱収縮率が縦方向および横方向のいずれも１．０％以下である層状無機化合物フィルム。 （もっと読む）

【課題】所望の厚みの半導体層を容易にかつ良好に作製することが可能な半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体層の製造方法は、金属元素と、カルコゲン元素含有有機化合物と、第１のルイス塩基性有機化合物と、前記第１のルイス塩基性有機化合物とは異なる構造の第２のルイス塩基性有機化合物と、を具備する半導体層形成用溶液を基板の表面に塗布して前駆体層を作製する工程と、前記前駆体層を熱処理して半導体層３を作製する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】架橋処理が実質不要で、架橋のための加熱処理を要せずとも実用に適した接着性及び接着安定性並びに耐熱性を有する太陽電池封止材用シートを提供する。
【解決手段】融点が９０℃以上の、エチレン由来の構成単位を含む１ａ〜５ａから選択されるエチレン系共重合体と、グリシジル（メタ）アクリレート（Ｇ(Ｍ)Ａ）由来の構成単位の割合が２〜３０質量％である１ｂ〜３ｂから選択されるエチレン系共重合体とを含む太陽電池封止材用シート〔１ａ：エチレン・酢酸ビニル（ＶＡ）共重合体、２ａ：エチレン・アクリル酸エステル共重合体、３ａ：高圧法低密度ポリエチレン、４ａ：エチレン・α−オレフィン系共重合体、５ａ：下記１ｂ以外のエチレン・Ｇ(Ｍ)Ａ共重合体、１ｂ：エチレン・Ｇ(Ｍ)Ａ共重合体、２ｂ：エチレン・ＶＡ・Ｇ(Ｍ)Ａ共重合体、３ｂ：エチレン・アクリル酸エステル・Ｇ(Ｍ)Ａ共重合体〕である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の薄膜型光吸収層製造方法を提供する。
【解決手段】光吸収層の製造方法は、ＣＩＧＳ結晶粉末をチャンバの蒸発源に充填させるステップ、ＣＩＧＳ結晶粉末を同時に蒸発させるステップ、および蒸発したＣＩＧＳ結晶粉末を基板に蒸着させてＣＩＧＳ薄膜を形成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率の太陽電池、光センサーや撮像素子等の光電変換装置を提供すること。
【解決手段】高周波成分をカットした直流電力印加の下でのＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）ターゲットへのＤＣ印加と導電性基板への高周波印加とによりＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜を成膜し、該Ｃｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜上に、高周波成分をカットした直流電力印加の下でのＩｎターゲットへのＤＣ印加と導電性基板への高周波印加とによりＩｎ膜をＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜上に積層成膜する工程を有する光電変換装置の製法。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の高い光電変換装置を提供すること。
【解決手段】光電変換装置２１は、基板１と、基板１上に設けられ、第１の溝Ｐ１によって分割された複数の下部電極２と、複数の下部電極２上および第１の溝内Ｐ１に設けられ、下部電極２上で貫通した第２の溝Ｐ２を有する光電変換層５と、光電変換層５上に設けられた上部電極６と、第２の溝Ｐ２内に設けられ、上部電極６と下部電極２とを電気的に接続する接続導体７と、上部電極２を平面視して第１の溝Ｐ１を覆うように上部電極２上に設けられた遮光層８と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】低コストの太陽電池の製造を可能とする化合物半導体薄膜作製用インク、その製造方法、そのインクを用いて得た化合物半導体薄膜、その化合物半導体薄膜を備える太陽電池、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｅ原子を含む化合物粒子、及びＳｅ粒子を有機溶媒に分散させてなることを特徴とする化合物半導体薄膜形成用インク。このインクを塗布又は印刷し、熱処理することにより化合物半導体薄膜を形成することが出来、この化合物半導体薄膜を光吸収層として具備する太陽電池が構成される。 （もっと読む）

【課題】緻密で良好な膜質の光応答性化合物半導体薄膜を安価にかつ簡便に製造する。
【解決手段】ガス中に化合物半導体の原料粒子を分散させたエアロゾルを基板に向けて噴射、衝突させて、基板上に化合物半導体薄膜を形成するエアロゾルデポジション法（ＡＤ法）により化合物半導体薄膜を製造する方法。ＡＤ法によれば、高真空、あるいはセレン化ないし硫化工程を経ることなく、化合物半導体の結晶構造やバンド構造が保持されたまま、室温において光応答性を有する、太陽電池用途に適した膜質の良好な緻密質膜を容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】耐久性を高めた光電変換装置および光電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】光電変換装置１０は、光吸収層３と、光吸収層３の一方側に設けられた亜鉛を含む第１のバッファ層４ａと、第１のバッファ層４ａの一方側に設けられたIII-VI族化合物を含む第２のバッファ層４ｂと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル型の太陽電池において、光電変換層の微細な剥離や剥がれを抑制した、歩留りの高い太陽電池を提供する。
【解決手段】裏面電極を、熱膨張係数の異なる材料からなる層を積層した多層構造とし、裏面電極と光電変換層との熱膨張係数を略一致させることにより、前記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の高い光電変換装置を提供すること。
【解決手段】光電変換装置２１は、基板１と、基板１上に設けられた複数の下部電極２と、複数の下部電極２上に設けられ下部電極２上で互いに分離した複数の光電変換層３’と、複数の光電変換層３’間に設けられ、複数の光電変換層３’との間に第１の溝Ｐ２および第２の溝Ｐ３を形成する台座部８と、光電変換層３’上に設けられた上部電極５と、金属ペーストの固化物から成り、第１の溝Ｐ２内で一端が下部電極２に直接接続され他端が上部電極５に接続された接続導体７と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板が移動する系において当該基板上に蒸着される化合物の組成を制御する。
【解決手段】基板２上に第ＩＩＩＢ族元素（Ｙ）、第ＶＩＢ族元素（Ｚ）を蒸着する製膜ゾーン１１とこのゾーン１１で形成された薄膜に第ＩＢ族元素（Ｘ）、第ＶＩＢ族元素を蒸着する製膜ゾーン１２を経た薄膜に第ＩＩＩＢ族元素、第ＶＩＢ族元素を蒸着させる製膜ゾーン１３を有する製膜方法及びその装置において、ゾーン１２において検出されたＸＹＺ₂が化学量論的組成比となる基板の位置に基づきゾーン１２の終点における薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の予測値を算出し、ゾーン１３の終点におけるＸＹＺ₂化合物薄膜の組成比が予め設定されたゾーン１３の終点におけるＸＹＺ₂薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の目的値となるように、前記予測値に基づきゾーン１３における第ＩＩＩＢ族元素の蒸着量を制御する。 （もっと読む）

【課題】 出っ張り等がなく、厚さが均一な太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】 本発明の太陽電池モジュールは、光から電力を得る機能ならびに正極および負極とを備えた光電変換部が設けられたサブモジュールを有する太陽電池モジュール本体と、この光電変換部の負極に接続された第１の導電部材と、光電変換部の正極に接続された第２の導電部材と、第１の導電部材と第２の導電部材とが接続される接電箱とを有する。この接電箱は太陽電池モジュール本体内に取り付けられており、接電箱の厚さは太陽電池モジュール本体の厚さと略等しい。 （もっと読む）