【課題】例えば量子ドットを含む層の材料の選択範囲を広げた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様の光電変換装置は、第１導電型基板（ｐ型単結晶シリコン基板１００）、第１の中間層（ｉ型半導体層１１０または絶縁層１６０）、及び第２導電型半導体層（ｎ型半導体層１２０）を備える。そして、第１の中間層（ｉ型半導体層１１０または絶縁層１６０）は少なくともコアを備えた量子ドット（ナノ粒子）を含んでいる。第１導電型基板は単結晶シリコンなどの結晶半導体によって形成される。 （もっと読む）

【課題】低エネルギー消費で硫黄ドープシリコン膜を製造する。
【解決手段】光重合性のケイ素化合物と環状硫黄を混合した混合物を用意する工程と、混合物に光照射処理を行ってケイ素化合物をラジカル化するとともに第１の加熱処理を行って環状硫黄をラジカル化し、ラジカル化したケイ素化合物を、ラジカル化した硫黄と結合させる工程と、を行って硫黄変成ケイ素化合物を製造する。混合物の環状硫黄とケイ素化合物の混合比は、混合物に含まれる硫黄原子の数がケイ素原子の数に対して１／１０００００以上１／３以下となる混合比にする。硫黄変性ケイ素化合物を含んだ溶液を不活性雰囲気で基板上に塗布した後に第２の加熱処理を行って、硫黄変性ケイ素化合物を分解するとともに硫黄変性ケイ素化合物に含まれるケイ素原子を他のケイ素原子または硫黄原子と結合させて硫黄ドープシリコン膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】基板の膜面に接触することなく、基板を撓ませずに保持するとともに、基板全体を排気することなく、レーザ加工の残滓を除去すること。
【解決手段】ガラス基板１を立ててガラス基板１の周辺部を固定枠１４にて固定し、レーザ光３１をガラス基板１に照射するとともに、加工残滓の吸引しながら、Ｘステージ１２をＸ方向に一定速度で移動させることで、ガラス基板１上の膜にスクライブパターン３を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板を用いたヘテロ接合太陽電池において、光電変換効率に優れた結晶シリコン太陽電池を提供すること。
【解決手段】一導電型結晶シリコン基板を用い、前記基板の光入射面に他導電型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記他導電型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記実質的に真正なシリコン系薄膜層が、水素化鎖状シラン化合物、水素化環状シラン化合物および水素化かご状シラン化合物から選ばれる少なくとも一種のシラン化合物に光照射して合成されたポリシラン化合物、並びにシクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも１種のシラン化合物を含有する液体状のシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および／または光処理する工程、を含む形成方法により形成されていることを特徴とする結晶シリコン太陽電池。 （もっと読む）

【課題】精密な位置決めができ、作成後の剥離がスムースで、かつ作成過程で剥離することのないデバイス作成用の積層体および積層体回路板を提供する。
【解決手段】ガラス板、セラミック板、シリコンウエハ、金属から選ばれた一種の無機層の一面と、透明なポリイミドフィルムの一面とが、接着剤層を介することなく貼り合わされた積層体であって、ポリイミドフィルムの貼り合わされた面が表面粗さ、P-V値で１５ｎｍ以下である積層体および積層体回路板。 （もっと読む）

【課題】導電性高分子からなる電極層を有機機能性層の上に形成する際に生じる問題を解決して、光透過性に優れた電極層として利用できる導電性高分子層を有する有機薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に有機機能性層を有し、さらに有機機能性層上に導電性高分子層を有する有機薄膜素子の製造方法。導電性高分子層の形成を静電塗布により行うことを含む。導電性高分子層の静電塗布形成は、導電性高分子を溶解または分散した溶液を準備し、前記溶液を、電気的にマイナス側に接続した有機機能性層に、プラスに帯電するようにスプレーすることで行う。 （もっと読む）

【課題】効率よくドープシリコン膜を生成するシリコン製造装置を提供する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を照射しながらドーパントガスを供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したドープシリコン前駆体を生成するシリコン前駆体生成装置１１３と、ドープシリコン前駆体を含む溶液を基板に塗布する塗布装置１０２と、ドープシリコン前駆体が塗布された基板を焼成することにより、基板上にドープシリコン膜を形成する焼成装置１２５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高い光電変換装置を、低い製造コストで製造する。
【解決手段】ｐ型のアモルファスシリコン層５上に、水素化ポリシランをデカヒドロナフタレンに溶かした溶液と、結晶性ＰｂＳ微粒子をトルエンに分散させた溶液の混合溶液を塗布し、乾燥後に熱処理を施すことにより、結晶性ＰｂＳ微粒子を含有するｉ型のアモルファスシリコン薄膜７Ａと結晶性ＰｂＳ微粒子を含有しないｉ型のアモルファスシリコン薄膜７Ｂとを形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液１１に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を含む紫外線１５を高圧水銀ランプ１４から照射し、同時にドーパントガス１６としてのジボランガスをシクロペンタシラン溶液１１に供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したＰ型ドープシリコン前駆体を生成する。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な光電変換装置の製造方法を提供する。特に、光電変換層の成膜中にエアロゾルとして量子ドットを導入することにより、特性の良好な光電変換装置を製造する。
【解決手段】本発明に係る光電変換装置の製造方法は、光電変換層を有する光電変換装置の製造方法であって、前記光電変換層の形成工程が、第１材料の化学気相成長雰囲気中に、第２材料のナノ粒子を導入しつつ成膜する工程を含み、前記光電変換層は、前記第１材料の堆積膜中に前記ナノ粒子を分散状態で含有させた堆積層として形成される。かかる方法によれば、第１材料の化学気相成長雰囲気中に、第２材料のナノ粒子を含有させた、いわゆるエアゾルを導入しつつ成膜することにより、良質な光電変換層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な光電変換装置を提供する。特に、量子ドット型太陽電池にテクスチャ構造を採用した場合においても、当該構造を反映したコンフォーマルな成膜が可能なプロセスを提供する。
【解決手段】本発明に係る光電変換装置の製造方法は、凹凸を有する下地層(3)上に、ナノ粒子（d）を含有する液体半導体材料をミスト化して堆積させ、前記下地層（3)上に堆積膜を形成する第１工程と、前記堆積膜に熱処理を施し、前記下地層上にナノ粒子を分散状態で含有する半導体膜(7)を形成する第２工程と、を有する。かかる方法によれば、ナノ粒子を含有する液体半導体材料をミスト化し、堆積させることにより、コンフォーマルな成膜が可能となり、特性の良好な光電変換装置を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】粒状のコア部が、シェル部で被覆されたナノ粒子（量子ドット）を用いることにより、光電変換装置の特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る光電変換装置は、第１材料(7a)中に複数のナノ粒子(d)が分散状態で含有した光電変換層(7)を有する光電変換装置であって、前記ナノ粒子(d)は、粒状の第２材料(c)および前記第２材料(c)を被覆する第３材料(s)を有し、前記第３材料(s)のバンドギャップＥ３は、前記第１材料(7a)のギャップＥ１より大きく、かつ、前記第２材料(c)のバンドギャップＥ２より大きい。かかる構成によれば、第２材料を被覆する第３材料のバンドギャップにより量子井戸が形成されるとともに、この第３材料をトンネルさせることにより、量子井戸内の電荷を容易に取り出すことができる。よって、光電変換効率の高い光電変換装置となる。 （もっと読む）

【課題】金属基板の上に金属不純物が拡散しない低温でシリコン結晶膜を作る方法がない。また、パッシベイション（保護）膜や透明電極膜の熱処理も基板を低温に維持したままで行う必要がある。
【解決手段】低温の支持台に保持した尖頭を有する錐を形成した金属基板の上に基板より相対的に高温のガスでシランを熱分解させることによりシリコン結晶層を成長させてｐｎ接合を作る。これにより、長い光路長を確保できる薄膜結晶の太陽電池を安価に製造する金属板が可能となる。シランとしてはモノシラン（ＳｉＨ_４）やジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）、トリシラン（Ｓｉ_３Ｈ_８）を用いることができる。錐を形成する金属基板材料としてはアルミニュームやステンレスが可能である。金属基板の上に太陽電池を製造するための製造装置が提供できる。 （もっと読む）

【課題】基体が非磁性体である場合に当該基体を搬送しながら成膜でき、当該基体に損傷を与えず、長いゲート面間長を要さずにガス分離機能を十分に持つことができるロール・ツー・ロール方式半導体素子生産装置１を提供する。
【解決手段】ゲート５の内部に３本のロール１１ａ等を配置して略Ｕ字形の基体１８の搬送経路を設けた。中央部ロール１１ｂの径は他のロールの径より太い。基体１８は３本のロール１１ａ等のロール面に掛けられている。容器１３内に、３本のロール１１ａ等の各円周面及び略Ｕ字形の搬送経路に沿う基体１８の搬送経路に相当するゲート隙間を極小の隙間とするように、ゲート隙間形成部材１０ａ等を配設した。パージ・ガスはガス・パージ導入部材１２ａ等の吹出し口１６等からロール面に向い吹出される。中央部ロール１１ｂの回転軸は容器１３の穴を連通し端部シール体１５を介してロール支持体１４により両端を支持されている。 （もっと読む）

【課題】 製造コストが安価であり、かつ人体への危険性が少なく安全な化合物半導体薄膜の製法および薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 官能基として、チオール基と、アルキル基、アリール基およびアラルキル基のうちいずれか１種とを有するチオール化合物と酸との混合溶媒に、銅、インジウムおよびガリウムのそれぞれのカルコゲナイドを溶解させて、これらの金属成分を含むチオール錯体を調製する工程と、該チオール錯体を基板の表面に塗布して乾燥し、前記チオール錯体の皮膜を作製する工程と、該チオール錯体の皮膜を、水素、窒素およびこれらの混合ガスのうちいずれかのガスを含む還元雰囲気中で熱処理し、前記基板の表面に前記銅、前記インジウムおよび前記ガリウムと、前記硫黄および前記セレンのうち少なくとも１種とを主成分とする薄膜を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな設備を必要とせずに、様々な近赤外光を吸収するポリシラン薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に下記の一般式で表される架橋ポリシラン薄膜を形成した後、加熱処理することにより該架橋ポリシラン薄膜の吸収スペクトルを変化させて、近赤外光を吸収するポリシラン薄膜とする。
【化１】


（式中、Ｒ_１は、縮合多環芳香族基を表し、Ｒ_２は、アリール基又は縮合多環芳香族基のいずれかを表し、Ｒ_３は、アルキル基を表す。また、ｘ及びｙは、整数を表す。） （もっと読む）

【課題】特性の良好な光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に、半導体よりなるナノ結晶粒が分散された、ポリシラザンを含有する液体を塗布することにより塗布膜を形成し、前記塗布膜に熱処理を施すことにより前記ナノ結晶粒(d)を含有する酸窒化シリコン膜(8z)を形成する。熱処理は、酸素又は酸素化合物含有の窒素雰囲気下で行われ、雰囲気中の酸素濃度を調整することにより、酸窒化シリコン膜中の酸素と窒素の組成比を調整する。かかる方法によれば、簡易な方法で酸窒化シリコン膜中にナノ結晶粒を閉じ込めることができる。また、酸窒化シリコン膜は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ₂）と比較し、バンドギャップが小さいため、量子井戸の深さを浅くすることができる。さらに、酸素と窒素の組成比を調整することで、酸窒化シリコン膜のバンドギャップをＳｉＯ₂のバンドギャップである９ｅＶからＳｉ₃Ｎ₄のバンドギャップである５ｅＶの間で調整できる。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物にて形成された光吸収層でも、高いエネルギー変換効率を提供できる光起電力素子を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１０の一面の裏面電極層１２０積層形成したカルコパイライト構造の化合物にて導電性を有するｐ型の光吸収層１３０に、光吸収層１３０とｐｎ接合する透光性でｎ型のバッファ層１４０を積層し、バッファ層１４０より高抵抗で透光性のｎ型半導体層１５０を積層する。ｎ型半導体層１５０に積層するとともに光吸収層１３０、バッファ層１４０およびｎ型半導体層１５０の一側から裏面電極層１２０の一方に亘って透光性の透明電極層１６０を設ける。ｎ型半導体層１５０を、透明電極層１６０と同材質の酸化インジウムおよび酸化亜鉛を主要成分とし、仕事関数の差が０．３ｅＶ未満、エネルギーバンドギャップの差が０．２ｅＶ未満の非晶質薄膜に形成する。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物にて形成された光吸収層でも長期間安定した特性を提供できる光起電力素子を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１０面上の対をなす裏面電極層１２０に亘って積層したカルコパイライト構造化合物にて導電性を有するｐ型の光吸収層１３０に、光吸収層１３０とｐｎ接合する透光性でｎ型のバッファ層１４０を積層形成する。バッファ層１４０に積層し光吸収層１３０およびバッファ層１４０の一側から裏面電極層１２０の一方に亘って透光性の透明電極層１６０を設ける。酸化インジウムおよび酸化亜鉛を主要成分としＡＦＧの表面観察による粒径が0.001μｍ以下の構成材料を用いて透明電極層１６０を非晶質薄膜に形成する。耐熱性および耐湿性に優れ光学特性変化を生じない安定した特性の透明電極層１６０により、長期間安定したエネルギー変換効率を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、太陽電池、イメージセンサーなどに有用である緻密な薄膜を印刷によって容易に形成させることを可能とする前駆体、該前駆体を含有するインク、及び薄膜の提供を目的とする。
【解決手段】 Ａ_ｘ（Ｉｎ_１−ｙＢ_ｙ）（ＯＨ）_ｍｎＨ_２Ｏ（０．５≦ｘ≦１．５、０．１≦ｙ≦０．９である。ｍ、ｎは任意の数字である。また、ＡはＣｕ及び／又はＺｎであり、ＢはＧａ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種類以上の元素である。）なる組成であってＢＥＴ比表面積が４０〜２００ｍ^２／ｇである水酸化物を１５０〜６００℃にて熱処理した酸化物からなるナノインク前駆体、該ナノインク前駆体とアクリル樹脂とＣ３〜Ｃ１８の液体状有機化合物とからなるナノインク及び該ナノインクを用いて形成した薄膜である。 （もっと読む）