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Fターム[5F051CB29]の内容

光起電力装置 (50,037) | アモルファス以外の製造法 (5,187) | 製造条件 (205)

Fターム[5F051CB29]に分類される特許

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有機層の作成の前に、沈殿剤を有機電子デバイスの下側電極層に堆積させる。沈殿剤が堆積した後に、有機材料を前記沈殿剤上に堆積させる。前記有機材料を処理された表面上で乾燥して膜にする場合に、前記沈殿剤がより均一でかつより平坦なプロフィールを生じさせる。
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有機感光性オプトエレクトロニックデバイスが開示される。このデバイスは、光に露出されると電圧を発生させることができる薄膜結晶有機オプトエレクトロニックデバイスであって、第1の電極上に第1の有機物層を蒸着する段階と、第1の有機物層上に第2の有機物層を蒸着する段階と、第2の有機物層上に封止層を蒸着してスタックを形成する段階と、スタックをアニーリングする段階と、最後に第2の有機物層上に第2の電極を蒸着する段階と、を有する方法により作成される。
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【課題】ガラス基板上に透明電極を形成しても、ガラス基板が高い衝撃強度と優れた切断性を有する太陽電池基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコン太陽電池に使用される透明電極を備えた太陽電池基板の製造方法において、480℃〜570℃の温度に加熱したガラス基板上に透明電極膜を製膜する製膜工程と、製膜した該基板を20℃/分以下の冷却速度で該温度から少なくとも450℃まで冷却する冷却工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】裏面電極上に形成されたp型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのn型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、CBD法によりバッファ層を形成するに際して、溶液の混合および温度を制御することによって光吸収層の界面へのn型ドーパントの拡散とバッファ層の形成の最適化を図って接合性の良い特性の安定したpn接合を得ることができるようにする。
【構成】光吸収層の界面へn型ドーパントを拡散させる第1の工程と、表面反応律速領域による第1のバッファ層61を形成する第2の工程と、供給律速領域による第2のバッファ層62を第1のバッファ層に重ねて形成する第3の工程とをとるようにする。 (もっと読む)


【課題】 誘電体分離シリコン島の底面に衝突した光を乱反射させて発電効率を高め、製造工程を簡略化する太陽電池および該電池用の誘電体分離ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 表面から誘電体分離酸化膜14までの深さが30μmの誘電体分離シリコン島30内に入射した光は、微小凹凸が現出された島30の底面に衝突して乱反射する。この底面はエッチング面である。これにより、光は従来の鏡面時の正反射でなく乱反射する。結果、活性層と、N型層30aまたはP型層30bとからなる発電領域部を通過する光子の数が増え、太陽電池の発電効率が高まる。また、活性層用のシリコンウェーハ10はエッチドウェーハである。よって誘電体分離ウェーハ、ひいては太陽電池の製造工程を大幅に簡素化できる。 (もっと読む)


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