説明

Fターム[5F051CB29]の内容

光起電力装置 (50,037) | アモルファス以外の製造法 (5,187) | 製造条件 (205)

Fターム[5F051CB29]に分類される特許

161 - 180 / 205


【課題】 堆積膜形成装置での長時間成膜による経時的な特性低下を防止し、量産時における特性のばらつきを最小限に抑えることができ、光電変換効率の高い光起電力素子を安定して生産性良く作製することができる光起電力素子形成方法を提供する。
【解決手段】 基板201上に裏面電極202、半導体層203、204、205、透明電極206の順で積層された構造からなる光起電力素子の形成方法において、半導体層を形成する際に生じるセルフバイアス電圧値に基づいて、透明電極の形成条件を設定することを特徴とする。 (もっと読む)


この発明は、有機層から成り、一つ以上のpi型、ni型又はpin型ダイオードを積み重ねた構造の光活性素子、特に太陽電池に関する。これらのダイオードの特徴は、光活性層よりも大きな光学バンドギャップを有する少なくとも一つのp型又はn型にドーピングされた伝導層を含むことにある。個々のダイオードは、内部量子効率が高いことで特徴付けられるが、光学的に薄くすることができる(ピーク吸収<80%)。ここで、この発明では、光トラップを用いて、ダイオード内での入射光の光路を長くするか、或いはこれらのダイオードを複数積み重ねる(この際、再結合と生成を高める目的の遷移層を用いて、二つのダイオード間の遷移ゾーンを緩和することができる)ことによって、高い外部量子効率を実現している。二つの変化形態では、大きなバンドギャップを有するドーピングされた伝導層を用いることによって、一連の特有の利点が得られる。
(もっと読む)


【課題】 粒状シリコンの製造工程で、溶融ルツボ底部のノズルから吐出されたシリコン融液滴が雰囲気ガスの不純物で汚染されることを極力防止できるようにする。
【解決手段】 高温加熱炉11の下部にガス導入口25を設けると共に、高温加熱炉11の上部にガス排出口26を設ける。そして、粒状シリコンの製造工程中に、ガス導入口25から清浄な雰囲気ガスを高温加熱炉11の下部に導入して、溶融ルツボ13直下の雰囲気ガスをガス排出口26から高温加熱炉11の外部に排出することで、溶融ルツボ13直下の雰囲気ガスを浄化する。この状態で、溶融ルツボ13内で加熱溶融したシリコン融液17を、該溶融ルツボ13底部のノズル15より降下管16内に吐出させることで、該降下管16内で粒状化したシリコン融液滴を落下させ、その落下中に該シリコン融液滴を放熱により冷却することで結晶成長させて粒状シリコンを製造する。
(もっと読む)


【課題】気泡残り、太陽電池セルの移動あるいは封止樹脂の端面からのはみ出しが抑制できる外観良好な太陽電池モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】受光面側透明板と裏面板との間に太陽電池セルが樹脂で封止されてなる太陽電池モジュールの製造方法において、封止樹脂が架橋可能な熱可塑性樹脂であり、封止処理容器内に導入してから、熱可塑性樹脂が溶融しない温度において封止処理容器内を減圧する工程(工程1)、減圧したままで熱可塑性樹脂の融点付近以上まで昇温する工程(工程2)、前記封止処理容器内の圧力を上昇させる工程(工程3)、架橋反応が進行する温度範囲まで昇温して架橋反応を進行させる工程(工程4)、及び冷却する工程(工程5)の各工程からなる封止操作を行う。 (もっと読む)


【課題】 光電変換効率の向上を実現し得るカルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ソーダライムガラス基板1上に形成されたMo電極層2上に、Cu、In及びGaを含むプリカーサ層4をスパッタリング法により形成するプリカーサ形成工程と、プリカーサ形成が行われた基板1に対して、500℃より高く、かつ、基板融点より低い温度範囲のH2Seガス雰囲気中で熱処理を行って光吸収層4を形成するセレン化工程と、光吸収層4上に、InAlSを含むn型のバッファ層5を形成するバッファ層形成工程と、バッファ層5上に透明電極層6を形成する透明電極層形成工程と、を行ってカルコパイライト型薄膜太陽電池を得る。 (もっと読む)


本発明は、太陽電池用光吸収層に使用されるCuInSe、CuGaSe及びCuIn1−xGaSe薄膜を多層に積層して太陽光の吸収能力を向上させることができる太陽電池用光吸収層及びその製造方法に関するもので、本発明は、基板上にIn及びSeを含む単一前駆体を使用した有機金属化学気相蒸着法によってInSe薄膜を形成する段階;前記InSe薄膜上にCu前駆体を利用した有機金属化学気相蒸着法によってCuSe薄膜を形成する段階;前記CuSe薄膜上にGa及びSeを含む単一前駆体を利用した有機金属化学気相蒸着法によってCuGaSe薄膜を形成する段階;及び前記CuGaSe薄膜上にIn及びSeを含む単一前駆体とCu前駆体を利用した有機金属化学気相蒸着法によってCuGaSe/CuInSe構造の多層薄膜を形成する段階とを含むことを特徴とする。
(もっと読む)


【課題】 簡単な装置により、装置内の温度を均一にし、反応ガス及びセレン、硫黄との接触性を向上させる。
【解決手段】 装置内に雰囲気均一手段であるファン3を設けると共に、反応ガスの対流が円滑となる前記対象物の配置方法、即ち、複数の平板状の対象物2を一定の間隙を設けて、装置の長軸方向に平行に且つその板面を垂直に対象物を配置し、前記対象物群内部の内部流路、上部、下部、両側部のガス流路を有する方法により、各対象物が装置内の反応ガスと接触し易くなり、装置内の温度が均一になり、反応ガス及びセレン、硫黄との接触性が向上する。 (もっと読む)


【課題】 廉価な低純度のジエチル亜鉛原料中に不純物として含有するトリエチルアルミニウム添加剤として利用し、製膜コストを低減する。
【解決手段】 低純度(99.99〜98%又は99.99〜90%)のジエチル亜鉛を原材料として用い、MOCVD(有機金属化学蒸着)法によりZnO系透明導電膜を作製する。酸化剤としての水蒸気(H2 O)と前記原料中に不純物として含有するトリエチルアルミニウム添加剤として転用し、(更に、添加剤としてジボランを添加し、)前記ジエチル亜鉛と、前記水蒸気(H2 O)と、トリエチルアルミニウムと、(ジボランと)を気相反応させてZnO系透明導電膜を作製する。 (もっと読む)


カルコパイライト結晶構造を有する化合物半導体を光吸収層に用いた太陽電池において、変換効率などの特性が高い太陽電池を提供する。 第1の電極層と、第2の電極層と、第1の電極層と第2の電極層との間に配置されたp形半導体層と、p形半導体層と第2の電極層との間に配置されたn形半導体層とを含み、p形半導体層は、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含み、かつ、カルコパイライト構造を有する化合物半導体からなり、p形半導体層のバンドギャップは、n形半導体層側から第1の電極層側に向かって減少することなく増加しており、n形半導体層側の主面におけるp形半導体層のバンドギャップが1.08eV以上であり、第1の電極層側の主面におけるp形半導体層のバンドギャップが1.17eV以上であり、p形半導体層において、n形半導体層側の第1の領域と第1の電極層側の第2の領域との間で、p形半導体層の膜厚方向のバンドギャップ増加率が異なる太陽電池とする。
(もっと読む)


【課題】 原料投入による結晶成長の中断が無くて、結晶シートの製造効率を効果的に向上できる結晶シートの製造装置を提供すること。
【解決手段】 ヒータ15で周囲が囲まれた外側ルツボ3の内側に、円筒形状の内側ルツボ4を備え、ヒータ15で加熱されて溶融したシリコン材料を、内側ルツボ4の下端の開口を介して、外側ルツボ3内から内側ルツボ4内に供給する。複数の基板8を支持する基板支持部6が、回転機構12で回転駆動されて、基板8を内側ルツボ4内の溶融シリコン中に順次浸漬する。内側ルツボ4内の溶融シリコンの液面が限界高さに低下すると、固体のシリコン原料を、原料投入器5及び原料投入管を介して、外側ルツボ3と内側ルツボ4との間に供給する。外側ルツボ3を外側ルツボ用回転昇降機構10によって鉛直軸周りに回転駆動して、溶融シリコンを攪拌することにより、固体シリコン原料を溶融シリコン中に迅速に混入させて溶解させる。 (もっと読む)


【課題】 電極間の短絡を防止した上で、非発電領域を低減させることができる集積型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板(10)と、基板(10)上に順次積層された第1電極膜(11)、半導体膜(12)及び第2電極膜(13)とを含み、複数のユニットセル(20)のそれぞれは、第1分割溝(11a)により分割された第1電極膜(11)と、第2分割溝(12a)により分割された半導体膜(12)と、第3分割溝(13a)により分割された第2電極膜(13)とを含む積層体から構成されており、第1分割溝(11a)内において、少なくとも第2分割溝(12a)側に位置する側端部(111a)は、基板(10)の一部が除去されている集積型薄膜太陽電池(1)とする。 (もっと読む)


【課題】 屋外設置太陽電池モジュールの設置地点に応じて最小コストで最大の年間発電量が得られるように含まれるシリコンハイブリッド太陽電池を製造し高性能な屋外設置太陽電池モジュールを安価に提供すること。
【解決手段】 本発明の屋外設置太陽電池モジュールは、非晶質シリコンを含む材料から成るトップセルと結晶質シリコンを含む材料から成るボトムセルとを積層したタンデム型シリコン系薄膜太陽電池を含む屋外設置太陽電池モジュールであって、前記屋外設置太陽電池モジュールの設置地点の平均気温が最高となる月の快晴南中時の平均エアマススペクトルにおいて、前記トップセルの光電流の前記ボトムセルの光電流に対する比率が0.97〜1.00であることを特徴とする屋外設置太陽電池モジュールである。 (もっと読む)


【課題】 処理空間内での基板形状の変形に起因する処理ムラ・特性ムラを押え、太陽電池等のデバイス特性の均一性および再現性の高い生産設備を実現する。
【解決手段】 処理空間内に基板を搬入して基板表面の処理を行なう基板処理方法において、処理空間に搬入される基板のたわみ量をセンサー110により検知し、この検知したたわみ量に基づいて基板のたわみ量を制御した後に該基板を処理空間内に搬入する。 (もっと読む)


【課題】 薄型化された太陽電池セルを破損等させることなく封止するための樹脂フィルムと、その樹脂フィルムを用いた半導体モジュールの製造方法とを提供する。
【解決手段】 フロントカバー2上にEVA樹脂からなる受光面側シート4が載置される。受光面側シート2には所定の寸法のスペーサ12が配設されている。次に、受光面側シート2の上にインターコネクタ7で互いに電気的に接続された太陽電池セル6が載置される。次に、太陽電池セル6を覆うようにEVA樹脂からなる裏面側シート8が載置される。次に、裏面側シート8上にバックカバー10が載置される。次に、ラミネート装置14により、太陽電池セル6を挟み込んだ受光面側シート4および裏面側シート8に圧力と熱を加えて受光面側シート4および裏面側シート8を溶解させることで、太陽電池セル6がEVA樹脂9に封止される。 (もっと読む)


【課題】簡単且つ低コストで大きな結晶粒径を持つ多結晶シリコンインゴットを得ることができる多結晶シリコンの鋳造方法を提供し、この方法を用いて良好な特性を有する多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板、並びに太陽電池素子を得る。
【解決手段】底部を有する鋳型3の内部に保持したシリコン融液を上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンの鋳造方法であって、鋳型3の底部11の内表面は、1420℃〜1600℃の温度域におけるシリコン融液との接触角が40°未満である第一領域8と、前記接触角が40°以上である第二領域9とから成り、第一領域8の面積をA、第二領域9の面積をBとしたときに、次式が成り立つようにした。0.1≦A/(A+B)≦0.75 (もっと読む)


【課題】 有機薄膜を用いた光電変換技術に関し、高効率の発電特性を発揮する光電素子及び太陽電池に関する。
【解決手段】 光電素子(31)を構成する複合層(11)が、光エネルギーを捕集して励起する光増感基を含む第1光捕集膜(A1)と、この光増感基に電子を供与する電子供与基を含む第1正孔輸送膜(P1)と、第n−1光捕集膜(An-1)を通過した光エネルギーを捕集して励起する光増感基を含む第n光捕集膜(An)と、第n光捕集膜(An)及び第n−1光捕集膜(An-1)に挟持され、励起した前記光増感基に電子を供与する電子供与基を含む第n正孔輸送膜(Pn)と、第n−1光捕集膜(An-1)及び第n光捕集膜(An)を連結する光捕集膜連結子(41)と、第n−1正孔輸送膜(Pn-1)及び第n正孔輸送膜(Pn)を連結する正孔輸送膜連結子(42)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 新規な太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の表面上にp型ドーパントまたはn型ドーパントのいずれか一方を含む拡散剤を塗布する工程と、拡散剤を熱処理することによって固化させる工程と、固化した拡散剤の一部を除去して拡散剤をパターンニングする工程と、パターンニングされた拡散剤からドーパントを拡散させることにより半導体基板の表面に拡散層を形成する工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。ここで、塗布される拡散剤はメチルセロソルブと、ボロン化合物と、水と、を含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】電荷輸送距離が短く、再結合および逆反応を最低限に抑えまたは防止し、容易に大量生産することができる太陽電池または光電池を提供すること。
【解決手段】基板(12)と円柱構造とを含み、円柱構造が、半導体を含み、かつ円柱構造の縦軸が、基板(12)にほぼ垂直となるように基板(12)上に配設される物品を開示する。電子輸送皮膜(14)がその上に配設された基板(12)を含み、電子輸送皮膜(14)が円柱構造を含む電極(10)を開示する。 (もっと読む)


【課題】 低い製造コストで優れた変換効率の実現が可能な結晶シリコン太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 第1導電型の結晶シリコン基板上に塗布されたAlペーストを焼成して裏面電極を形成するAl焼成工程と、該Al焼成工程よりも後に設けられる、窒化シリコン膜の成長工程と、を含む結晶シリコン太陽電池の製造方法に関する。本発明においては、窒化シリコン膜の成長工程の後、さらに後焼成工程が設けられることが好ましい。また本発明においては、Al焼成工程における焼成温度が窒化シリコン膜の成長工程における成長温度および該後焼成工程の温度よりも高く設定されることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】基板の一面側の全面に亘って形成した全面電極膜等にスクライブを含むパターンニングを施すことなく太陽電池モジュールを形成できる太陽電池セルを用いた太陽電気モジュールを提供する。
【解決手段】 基板12の一面側に電極膜14、p型半導体層16、n型半導体層18及び透明電極20が、この順序で積層されて形成された複数枚の太陽電池セル10が、電気的に直列的に接続された太陽電池モジュールにおいて、該太陽電池セル10,10・・の各々が直列に配設されており、太陽電池セル10の両隣に位置する他の太陽電池セル10,10の側面と対応する基板12の両側面の一方には、電極膜14から延出されて露出状態の延出電極膜14aが形成されていると共に、前記両側面の他方側の側面には、電極面14aと接触することなく透明電極20から延出された延出透明電極20aが形成され、太陽電池セル10の延出電極膜14aと、隣接する太陽電池セル10の延出透明電極20aとが電気的に接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


161 - 180 / 205