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Fターム[5F051CB29]の内容

光起電力装置 (50,037) | アモルファス以外の製造法 (5,187) | 製造条件 (205)

Fターム[5F051CB29]に分類される特許

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【課題】プラスチック基板上に高い導電性電極と、高い生産性と高い変換効率を有する有機エレクトロニクス素子の製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機光電変換素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】透明電極、対電極、およびその間に少なくとも1層の有機層を有する有機エレクトロニクス素子であって、すくなくとも一方の電極が、下記2つのステップによって形成されたことを特徴とする有機エレクトロニクス素子の製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機光電変換素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子。
1)導電性粒子、分散安定剤、溶剤からなる導電性ペーストを塗布・乾燥させ、導電性粒子と分散安定剤からなる塗布層を製膜するステップ、
2)大気圧又は大気圧近傍の圧力下でガスを放電空間に導入して励起させた励起放電ガスによって、前記塗布層を処理することにより、分散安定剤を除去するステップ。 (もっと読む)


【課題】フレキシブルな基板を用いた有機光電変換素子において、エネルギー変換効率に優れ、折り曲げに対する耐性といった機械強度とを両立したフレキシブルな有機光電変換素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一の電極12と第二の電極13との間に光電変換層15と、正孔輸送層14または電子輸送層16とを含む有機光電変換素子において、光電変換層がp型半導体材料とn型半導体材料とを含み、かつ、正孔輸送層または電子輸送層が、金属元素に対する炭素元素の元素比率が1%以上、15%以下である金属酸化物層を含み構成されることを特徴とする有機光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】四角形の太陽電池セルの製造において、簡単に線幅の細い電極を厚く形成できるようにする。
【解決手段】四角形のシリコン基板1の表面に形成された反射防止膜2上に、レジストをスピンコート法により塗布して、プリベークする。この上に再びレジストをスピンコート法により塗布して、ベークし、2層のレジスト膜3を形成する。電極パターンにしたがってレジスト膜3を露光、現像する。レジスト膜3に覆われていない反射防止膜2をエッチングする。シリコン基板1に金属層4を蒸着した後、レジストを除去するリフトオフを行い、電極10を形成する。 (もっと読む)


【課題】上層と下層との好ましい電気的接合を得る事ができるだけでなく、光照射による素子寿命の低下や機械的な密着性を向上させることができ、エネルギー変換効率と素子寿命、更には繰り返しの巻き付けに対して高い耐久性を有したフレキシブルな有機光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の電極と第2の電極との間に少なくとも光電変換層と、正孔輸送層又は電子輸送層、とを積層塗布して成る有機光電変換素子の製造方法において、該有機光電変換素子を構成する少なくとも1層は、塗布液を塗布する前に、反応性ガスと、希ガスあるいは窒素からなるキャリアガスの存在下、大気圧またはそれに近い気圧下で、プラズマ放電処理により活性化させる工程を有することを特徴とする有機光電変換素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 製造コストが安価であり、かつ人体への危険性が少なく安全な化合物半導体薄膜の製法および薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 官能基としてアミノ基およびヒドロキシ基を有する化合物を溶媒にして、銅、インジウムおよびガリウムのそれぞれのカルコゲナイドを溶解させて、前記銅、前記インジウムおよび前記ガリウムと、前記カルコゲナイドの構成成分である硫黄およびセレンのうち少なくとも1種とを含む錯体を調製する工程と、該錯体を基板の表面に塗布して乾燥し、前記錯体の皮膜を作製する工程と、該錯体の皮膜を、水素、窒素およびこれらの混合ガスのうちいずれかのガスを含む還元雰囲気中で熱処理し、前記基板の表面に、前記銅、前記インジウムおよび前記ガリウムと、前記硫黄および前記セレンのうち少なくとも1種とを主成分とする薄膜を形成する工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の発電性能を安定させるとともに、太陽電池の製造時における歩留まりの向上を図ることができる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】メンテナンス等で大気開放された後に閉じられた容器の内部の気体を排気して真空度を上げる排気工程S2と、不活性ガスに酸素原子を含む混入ガスを所定濃度だけ混合させた混合ガスを排気された容器の内部に満たし、容器の内部に配置されたターゲットと基板との間に電圧を印加して、太陽電池を構成する膜を基板に製膜する本製膜工程S4と、本製膜工程S4の前に、混合ガスにおける混入ガスの濃度を、所定濃度よりも低くした混合ガスを容器の内部に供給して、基板に膜を所定期間の間だけ製膜する初期製膜工程S3と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物にて形成された光吸収層でも、高いエネルギー変換効率を提供できる光起電力素子を提供する。
【解決手段】ガラス基板110の一面の裏面電極層120積層形成したカルコパイライト構造の化合物にて導電性を有するp型の光吸収層130に、光吸収層130とpn接合する透光性でn型のバッファ層140を積層し、バッファ層140より高抵抗で透光性のn型半導体層150を積層する。n型半導体層150に積層するとともに光吸収層130、バッファ層140およびn型半導体層150の一側から裏面電極層120の一方に亘って透光性の透明電極層160を設ける。n型半導体層150を、透明電極層160と同材質の酸化インジウムおよび酸化亜鉛を主要成分とし、仕事関数の差が0.3eV未満、エネルギーバンドギャップの差が0.2eV未満の非晶質薄膜に形成する。 (もっと読む)


【課題】カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物にて形成された光吸収層でも長期間安定した特性を提供できる光起電力素子を提供する。
【解決手段】ガラス基板110面上の対をなす裏面電極層120に亘って積層したカルコパイライト構造化合物にて導電性を有するp型の光吸収層130に、光吸収層130とpn接合する透光性でn型のバッファ層140を積層形成する。バッファ層140に積層し光吸収層130およびバッファ層140の一側から裏面電極層120の一方に亘って透光性の透明電極層160を設ける。酸化インジウムおよび酸化亜鉛を主要成分としAFGの表面観察による粒径が0.001μm以下の構成材料を用いて透明電極層160を非晶質薄膜に形成する。耐熱性および耐湿性に優れ光学特性変化を生じない安定した特性の透明電極層160により、長期間安定したエネルギー変換効率を提供できる。 (もっと読む)


【課題】CVD法で金属酸化物を形成する場合、成膜速度を変えずに結晶性を向上させる成膜方法を提供する。
【解決手段】気相化学成長反応を利用して酸化錫膜を基体上に形成する形成方法において、形成中に基体を加熱すると同時に、紫外線の紫外線照射強度が0.03mW/cm以上1mW/cm以下の紫外線を基体に照射することを特徴とする薄膜形成方法を提供する。本発明により、形成された膜の成膜速度を落とすことなしに結晶性が上げることができ、太陽電池に用いた場合に発電効率があがる。 (もっと読む)


【課題】電極幅の更なる細線化及び低抵抗化が可能な導電性インク組成物及び該組成物を用いて電極又は電気配線が形成された太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】導電性粒子と、加熱硬化性樹脂組成物、硬化剤及び溶剤とを含む有機系ビヒクルからなる導電性インク組成物において、樹脂組成物として、室温において固体状態を示しかつ150℃での樹脂の溶融粘度が0.5Pa・s以下の性質を示すエポキシ樹脂組成物を用い、加熱硬化性樹脂組成物と導電性粒子の含有割合が質量比で2〜15:75〜95であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】太陽電池用反射防止膜、太陽電池及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】第1誘電率の物質で構成された低誘電膜と、第1誘電率の物質より高い第2誘電率の物質で構成された高誘電膜と、低誘電膜と高誘電膜との間に位置して、第1誘電率から第2誘電率まで徐々に上昇するように構成された勾配層と、を備える太陽電池用反射防止膜。これにより、太陽電池の光吸収効率を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板に代表されるIV族半導体上に、基板面に対して垂直に延びる半導体ナノワイヤを配置すること。
【解決手段】(111)面を有するIV族半導体基板と、前記(111)面を被覆し、開口部を有する絶縁膜とを含む基板を準備し;前記基板を低温熱処理して、前記(111)面を、(111)1×1面とし;前記基板に低温条件下で、III族原料またはV族原料を供給して、前記(111)面を、(111)A面または(111)B面に変換し;前記IV族半導体基板の(111)面から前記開口部を通して、III−V化合物半導体ナノワイヤを成長させる。IV族半導体基板とは、シリコン基板やゲルマニウム基板であったりする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電子ドナー部位及び電子アクセプター部位としてのフラーレンを同一分子内に有する分子を用いた、光電導性を調整することができる新規なナノサイズ構造体、及びそれを用いた光電導性材料を提供する。
【解決手段】本発明は、金属を内包していてもよいフラーレンを有する基を分子中に有するヘキサペリヘキサベンゾコロネン誘導体、及び金属を内包していてもよいフラーレンを有する基を有していないヘキサペリヘキサベンゾコロネン誘導体を含有してなる自己組織化ナノサイズ構造体、並びに前記ナノサイズ構造体を用いた光検出素子、光スイッチング素子、及び光応答性電荷輸送素子などの各種の光関連素子に関する。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の反射防止膜の成膜において、洗浄処理工程で除去した自然酸化膜が再成長することを抑制し、半導体表面の自然酸化膜を除去すると共に半導体表面下のダメージ層を除去して交換効率を向上させる。
【解決手段】太陽電池の半導体表面に窒化シリコン(SiN)膜の反射防止膜を形成する成膜方法において、半導体表面をNガスおよび不活性ガスを用いたプラズマ処理によるイオン照射によって半導体表面を洗浄する前処理工程と、この前処理工程の後、半導体表面にプラズマ処理により窒化シリコン(SiN)膜を成膜する成膜工程とを備える。これらの前処理工程および成膜工程は低周波プラズマ処理により行う。 (もっと読む)


【課題】MOCVD装置の噴射孔の閉塞を防ぎ、酸化亜鉛(ZnO)系透明導電膜の連続的な製膜を可能とする方法を提供する。
【解決手段】有機金属化学気相蒸着法に基づき、基板上に製膜原料を噴射する噴射孔25aを備えたMOCVD装置2を用いて、一定量の不純物を含有するジエチル亜鉛(Zn(C)と、ジボラン(B)と、水(HO)とからなる製膜原料を、気相で反応させると共に、上記噴射孔25aから基板に向けて噴射させることにより、n型の酸化亜鉛(ZnO)系透明導電膜を上記基板上に製膜する透明導電膜の製造方法であって、上記不純物として含まれるアルミニウム(Al)の含有量が、10wtppm未満であるジエチル亜鉛(Zn(C)により製膜する。 (もっと読む)


【課題】薄膜に微小凹凸部を形成するときに、エッチング液を用いることなく、且つ工程の簡略化を図ることを目的とする。
【解決手段】被処理体21に薄膜の材料の粒子を溶媒に分散ないしは溶解させたインクを噴射する噴射ノズル50を複数配列したインクジェットヘッド42から、被処理体21に形成される液膜に複数の気泡を巻き込むような噴射量および噴射速度でインクを多量且つ高速に噴射するようになし、また被処理体21を加熱して溶媒を気化させ、材料を被処理体21に熱硬化させるときに、溶媒の気化と並行して液膜に閉じ込められた気泡を膨張・破裂させるように急速加熱を行うようにしている。 (もっと読む)


【課題】結晶性が高いシリコン層を形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、シリコンの結晶粒を含むシリコン層を備える基板の製造方法である。この製造方法は、Y23の含有率が6モル%以上であるイットリア安定化ジルコニア層12を基材11上に形成する第1の工程と、イットリア安定化ジルコニア層12上に気相堆積法によってシリコン薄膜16を形成する第2の工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率が高い有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、該電極間に機能層を有し、該機能層が電子受容性化合物と、式(1)で表される構造及び式(2)で表される構造からなる繰り返し単位を含む重合体とを有する有機光電変換素子。


(1)
(式中、R1〜R8は、同一でも相異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基を表すか又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。これらの基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。) (もっと読む)


【課題】低分子化合物を用いて高効率な有機薄膜光電変換素子を提供する。
【解決手段】π共役系低分子化合物を塗布成膜した後に、該π共役系低分子化合物から置換基の一部または全部を脱離させることにより有機半導体薄膜へと変換し、該膜上に別の半導体材料を成膜することにより光電変換層を作製した有機薄膜光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】ペーストのスクリーン開口への充填不足を解消し、ペーストの段切れが無く厚膜化が可能であるスクリーン印刷方法を提供する。
【解決手段】スキージ6の進行方向の前方にあるペースト5に、気体によりスキージ6の進行方向15とは反対方向の圧力を加えながら、スキージ6をスクリーン版3表面に当接させた状態でペースト5共に直線状に移動し、スクリーン版3の直下に配置した被印刷物2の表面上にペースト5を印刷するスクリーン印刷方法。 (もっと読む)


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