【課題】カーボンナノ構造体を用いた新規な特性を有する光起電力素子を提供する。
【解決手段】ｐ伝導型シリコン基板７０上に、ｎ伝導型カーボンナノウォール７３を形成した。ｎ伝導型カーボンナノウォール７３の端面上に金をＥＢ蒸着法により堆積し、第１電極７５を形成した。また、ｐ伝導型シリコン基板７０の裏面に金をＥＢ蒸着法により堆積し、第２電極７６を形成した。このようにして、ｐ伝導型シリコン基板７０とｎ伝導型カーボンナノウォール７３との接合によりｐｎ接合を形成して、光起電力素子を形成した。 （もっと読む）

【課題】 フォトリソグラフィ工程の製造コストを低減する裏面接合型太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１導電型または第２導電型のシリコン基板の入射光側の表面とは反対側の裏面に第１拡散マスクを形成する工程、第１エッチングペーストを第１拡散マスクの表面の一部に印刷する工程、第１加熱処理することにより第１エッチングペーストが印刷された部分を除去してシリコン基板の裏面の一部を露出させる工程、露出した裏面に第１導電型不純物拡散層を形成する工程、第１拡散マスクを除去する工程、シリコン基板の裏面に第２拡散マスクを形成する工程、第２エッチングペーストを第２拡散マスクの表面の一部に印刷する工程、第２加熱処理することにより第２エッチングペーストが印刷された部分を除去してシリコン基板の裏面の一部を露出させる工程、露出した裏面に第２導電型不純物拡散層を形成する工程、第２拡散マスクを除去する工程を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】 安価で製造が容易でありながら、光変換効率が高い、色素増感太陽電池として利用可能な光電変換素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 透明電極層１、半導体層２、半導体層２を構成する半導体に色素が吸着されてなる色素吸着層３、電解質層４および対向電極層５がこの順で積層されてなる光電変換素子であって、前記色素がカーボンブラックであることを特徴とする光電変換素子である。なお、用いるカーボンブラックとしては、官能基を有するものが好ましく、半導体層２としては、金属酸化物半導体で構成されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】容易に製造することができ、小さな面積で高機能を付加することのできる、立体構造を有してなる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン（Ｓｉ）半導体からなる基板１上に、部分的に基板１表面から浮き上がって形成された、立体構造のシリコン酸化膜２を有してなる半導体装置１０とする。例えば、上記立体構造のシリコン酸化膜２上に抵抗素子や容量素子を形成し、これらを立体構造とすることで、平面構造の抵抗素子や容量素子に較べて、小さな面積で大きな抵抗値や容量値を付加させることができる。また、上記立体構造はシリコン酸化膜２が部分的にシリコン基板１表面から浮き上がって形成されたものであり、当該半導体装置１０は、水素アニール処理によって容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 逆バイアスに対してバイパス機能を発揮する信頼性の高い太陽電池を提供する。また、かかる太陽電池の安価な製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のバイパス機能付き太陽電池は、第１の導電型のベース層と第２の導電型のエミッタ層がｐｎ接合する太陽電池であって、エミッタ層の側面からベース層の側面にかけて、第１の導電型を発現する不純物材料を含む金属材料層を備えることにより、ｐｎ接合面に逆方向のバイアスが印加されたときにバイパス回路を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エッチング液への浸漬回数を低減できるとともに作業工程数を低減することができる光電変換素子の製造方法およびこの方法により得られた光電変換素子を提供する。
【解決手段】 基板と、基板上に互いに組成の異なる複数の化合物半導体層が順次積層して構成された積層体と、を含み、積層体中に少なくとも１つのｐｎ接合部を有する光電変換素子を製造する方法であって、基板上に互いに組成の異なる複数の化合物半導体層が順次積層して構成された積層体を形成する工程と、積層体上に保護膜を形成する工程と、少なくとも積層体の一部を機械的に除去することにより溝を形成する工程と、保護膜および溝の形成後にエッチング液を用いて溝の側壁をエッチングする工程と、溝に対応する箇所を切断することによって複数の光電変換素子に分離する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法とその方法により得られた光電変換素子である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に使用する単結晶又は多結晶のシリコン基板の表面に微細な凹凸を安定して形成して反射率を低減することが可能な太陽電池用シリコン基板の低反射率加工方法及び太陽電池用シリコン基板を提供する。
【解決手段】太陽電池に使用する単結晶又は多結晶のシリコン基板Ａの表面を低反射率に加工する方法であって、化学的又は物理的処理を行なってシリコン基板Ａの表面に粗面化処理を施す第１工程と、粗面化処理されたシリコン基板Ａの表面に減圧下で酸素ガスを用いた第１のプラズマ処理を行なう第２工程と、第１のプラズマ処理されたシリコン基板Ａの表面に減圧下でハロゲン系ガスを用いた第２のプラズマ処理を行なうことにより、粗面化処理したシリコン基板Ａの表面に微細な凹凸を形成する第３工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池特性を低下させることなく、生産性を向上させることができる太陽電池素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】太陽電池素子用の半導体基板１の受光面に、電源周波数１００ｋＨｚ以上１０００ｋＨｚ未満のプラズマＣＶＤ法によって第一の窒化シリコン膜３を形成する工程と、
第一の窒化シリコン膜３上に、電源周波数１ＭＨｚ以上のプラズマＣＶＤ法によって第二の窒化シリコン膜４を形成する工程と、を有して太陽電池素子の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。
【解決手段】キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片の上方にＳｉ原料を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝1１を加熱して、結晶片の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）

【課題】 安定して高効率に結晶化するとともに高い結晶性を持ったシリコン結晶粒子を得ることができるシリコン結晶粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン結晶粒子１の製造方法は、不純物ドープされたシリコン層３が表面に形成されている、不純物ドープされていないシリコン結晶粒子１を、台板２上に載置して加熱炉内に導入し、シリコン結晶粒子１を加熱してその形状を保持した状態で溶融させた後、シリコン結晶粒子１を固化させることによって、不純物ドープされたシリコン結晶粒子１を製造する。 （もっと読む）

【課題】
品質に優れた多結晶シリコンインゴット、前記インゴットを作製する鋳造方法、また、前記インゴットからスライスした品質に優れた多結晶シリコンウエハ、太陽電池素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
多結晶シリコンインゴットにおいて、前記多結晶シリコンインゴットの外側面は、ライフタイムの平均値が２μｓ以下で、尚且つ、シリコン平均粒径が３ｍｍ以下である多結晶シリコンインゴット。 （もっと読む）

【課題】 シリコン塊の切断により得られるシリコン端材を、高純度の太陽電池用原料シリコンとして効率よく再利用する。
【解決手段】 本発明は、シリコン塊を切断して得られるシリコン端材を太陽電池用シリコン原料として利用するシリコンの再利用方法であって、ある局面によれば、シリコン端材を加熱溶融する工程と、溶融シリコンを一方向凝固させてシリコンインゴットを形成する工程と、シリコンインゴットの不純物濃縮部を除去する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子光学デバイス用電極を提供する。
【解決手段】電子光学デバイス用電極は、基板上に形成された、導電材料から成るぬれ層を備える。導電材料から成るぬれ層の上には、導電材料から成る第２層が形成される。ぬれ層は基板の表面に対して第１ぬれ性を持ち、第２層は基板の表面に対して第２ぬれ性を持つ。ここで、第１ぬれ性と第２ぬれ性は互いに異なり、ぬれ層は、基板の表面に対して当該ぬれ層が持つぬれ性により、電極の光学的特性を変化させる役割を持つ。 （もっと読む）

【課題】 高感度のセンサなどを実現できる筒状分子構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）１１と基板１０との間にはシリサイド層１３が存在し、ＣＮＴ１１は、基板１０上の金属触媒粒子１２を基点として基板１０に対して垂直方向に成長している。ＣＮＴ１１に多くの酵素を立体的に捕捉させることにより酵素センサとして利用することができる。この筒状分子構造１は、有機膜形成工程において３−ＡＰＭＳ等のシラン基を有する化合物を用いて形成されるもので、シリコン基板以外の基板を用いても作製される。 （もっと読む）

【課題】
基体又は基体群、特に太陽電池に用いられるシリコン基板の表面全面に凹凸を効率よく均一に形成する基体の粗面化法を提供することを目的とする。
【解決手段】
基体又は基体群の表面をドライエッチング法で粗面状にする粗面化法において、前記基体又は基体群の周囲に、前記基体と同成分からなる部材を備え、前記基体又は基体群の表面よりも前記部材の上端部の方が高い位置とした第１工程を含むようにした。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション効果を充分に発揮させるとともに、改善された特性を有する窒化シリコン膜を有する太陽電池素子を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１の受光面に、シラン及びアンモニアを用いたプラズマ処理により第一窒化シリコン膜３を形成する第一プラズマ工程と、第一窒化シリコン膜３の表面にシラン及びアンモニアを用いたプラズマ処理により第二窒化シリコン膜４を形成する第二プラズマ工程と、を有して成る太陽電池素子の製造方法において、シランの流量をＡ、アンモニアの流量をＢとし、それらの流量比をＣ＝Ｂ／Ａで表した場合、第一プラズマ工程における流量比Ｃ１は第二プラズマ工程における流量比Ｃ２よりも大きいことを特徴とする太陽電池素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 トリクロロシランからシリコンを蒸着法により製造する際に、トリクロロシランを製造するクロロシラン循環系から汚染物質を除去する工業的に有利な方法を提供する。
【解決手段】 トリクロロシランの１部を太陽電池用シリコンに変換して太陽電池級シリコンを製造しつつ半導体級シリコンを製造する、シリコンの蒸着法。 （もっと読む）

【課題】電極と基板との間の接触抵抗が大きく低減されるとともに、電極の剥離も生じない高効率の太陽電池を高い生産性でかつ低コストで安定的に得ることができる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、半導体基板上にＰＮ接合を形成した後、導電性ペーストを印刷して焼成し、該半導体基板を１回以上酸に浸漬させることによって電極を形成する太陽電池の製造方法において、前記導電性ペーストを印刷して焼成した半導体基板を親水性溶媒で濡らした後、乾燥させることなく酸に浸漬させることを特徴とする太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光電池（１２）を含む光起電装置（１０）を提供する。
【解決手段】光電池（１２）は、結晶性半導体材料を含むエミッタ層（１６）と、エミッタ層（１６）に隣接して配置された低濃度ドープ結晶質基板（２２）とを含む。低濃度ドープ結晶質基板（２２）及びエミッタ層（１６）は、反対型にドープされる。光起電装置（１０）は、光電池（１２）に結合された背面パシベーティッド構造（１４）を含む。この構造は、低濃度ドープ結晶質基板（２２）に隣接して配置された高濃度ドープ背面電界層（２４）を含む。高濃度ドープ背面電界層（２４）及び低濃度ドープ結晶質基板（２２）は、同種型にドープされ、高濃度ドープ背面電界層（２４）のドーピングレベルは、低濃度ドープ結晶質基板（２２）のドーピングレベルよりも高い。この構造は、低濃度ドープ結晶質基板（２２）に隣接して配置された真性背面パシベーティッド層（２６）を含む。 （もっと読む）

【課題】 基板のエッチング工程、特に住宅用量産型太陽電池セルのシリコン基板のエッチングに関し、一面にテクスチャ形状、他面に平坦形状を形成するエッチング工程の簡略化を図る。
【解決手段】 一般に基板の表面処理は、基板の表・裏均等に行われるが、太陽電池セルの特性面からは、表面がテクスチャ形状、裏面が平坦な形状が望ましい。半導体基板を表面処理する際には発熱反応が起き、また表面処理時の反応速度が温度上昇により速くなり、反応の進捗により表面形状が変化する。本発明のキャリアホルダーによれば、表面処理時に半導体基板の片面に近接物を設けることにより、近接物がある面では反応熱が滞留し、他面では反応熱がエッチング液の対流により奪われるため、半導体基板の一面と他面の間に温度差が発生し、一面がテクスチャ形状で、他面が比較的平坦な形状の半導体基板を１回の処理で容易に形成でき、エッチングプロセスの簡略化が可能となる。
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