【課題】 本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】 基板上に裏面電極を製作する工程と、裏面電極上にｐ型ＣＩＳ系光吸収層を製膜する工程と、上記ｐ型ＣＩＳ系光吸収層上に、直接、酸化亜鉛系薄膜からなるバッファ層を製膜する工程と、上記バッファ層上に酸化亜鉛系薄膜からなるｎ型透明導電膜を製膜する工程とを有し、上記バッファ層製膜工程は、ＭＯＣＶＤ法により行われ、上記ｎ型透明導電膜層の製膜時の基板温度よりも、上記バッファ層製膜工程の基板温度を高くした。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面における反射率のより低減が可能な小型の表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の表面処理装置１は、処理ガスＧを導入可能な真空処理槽２と、真空処理槽２内に設けられ、シート基材９ａ上に処理対象物層９ｂが設けられたシート状処理対象物９を搬送する搬送手段１０と、真空処理槽２内に設けられ、高周波電力及び低周波電力が重畳印加可能で面状放電部１７ａを有する処理用電極１７とを有する。真空処理槽２内において、シート基材９ａ上の処理対象物（多結晶シリコン）層９ｂの表面が、処理用電極１７の面状放電部１７ａと対向して搬送されるように構成されている。処理用電極１７に重畳印加される低周波電力の周波数は、２００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電極層などの塗布対象面に半導体層を均一に塗布形成する。
【解決手段】光起電力素子２０は、絶縁性基板２１と、透明電極２２と、ｎ型半導体層２３と、第１のｐ型半導体層２４と、第２のｐ型半導体層２５（第２ｐ型半導体層）と、背面電極層２６とが順に積層されて構成されている。光起電力素子２０は、絶縁性基板２１に形成された電極層２２上に、塗布装置１のスリット形状の吐出口１２からｎ型半導体塗布液を吐出して、ｎ型半導体層２３を形成する。次に、ｎ型半導体層２３上に、塗布装置１の吐出口１２から第１のｐ型半導体塗布液を吐出して、第１のｐ型半導体層２４を形成する。続いて、第１のｐ型半導体層２４上に、塗布装置１の吐出口１２から第２のｐ型半導体塗布液を吐出して、第２のｐ型半導体層２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 作製時における第２導電型の半導体部の削れの発生を低減することで、優れた変換効率を示す光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 球状の第１導電型の結晶半導体粒子に対して、凸部の先端が曲面状に形成された凹凸構造を前記結晶半導体粒子の表面に形成し、次に、前記結晶半導体粒子を導電性基板の一主面に押圧して接合し、次に、前記結晶半導体粒子の上部が露出するように、前記導電性基板の一主面の前記結晶半導体粒子間に絶縁層を形成し、次に、前記結晶半導体粒子の上部及び前記絶縁層上に透光性導電層を形成して光電変換装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】光入射側の窓層の半導体層に高濃度に不純物元素を含有させることなく、開放電圧および短絡電流を増加し光電変換効率を向上させた光電変換装置を提供すること、および、該光電変換装置の提供により製造時の二酸化炭素排出量を抑制すること。
【解決手段】シリコン原子を含有するｐ型半導体層を１つ以上有し、該ｐ型半導体層、ｉ型半導体層およびｎ型半導体層を積層して構成されるｐｉｎ型光電変換層を少なくとも１つ有し、かつ前記ｐ型半導体層のうち少なくとも１つの層が窒素原子を含有し、ｐ型半導体層が、窒素原子を０．５〜１０原子％の濃度で含有する第１のｐ型半導体層と、結晶シリコン相を有する第２のｐ型半導体層を有してなる光電変換装置を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電基板面の反射防止サブ波長微細構造のような反射防止微細凹凸構造の形成に好適な単粒子膜エッチングマスクを有する基板を提供する。
【解決手段】（１）基板表面に単粒子を２次元に最密充填配列して形成されている単粒子膜からなるエッチングマスクを有する表面微細凹凸構造体形成用基板。（２）該基板をエッチングして製造される太陽光発電基板。（３）単粒子分散液調製工程、該単粒子分散液を液体面に滴下して単粒子分散液膜を形成する滴下工程、該単粒子分散液膜中の分散媒を揮発させて単粒子が２次元に最密充填し、高精度に配列している単粒子膜を形成する単粒子膜形成工程、該単粒子膜を基板表面に移し取る単粒子膜移行工程により表面微細凹凸構造体形成用基板を製造する。図中、Ｐは単粒子、Ｔは２次元最密充填配列状態における単粒子間の隙間を表す。 （もっと読む）

【課題】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、低温での処理を行うことで高いＨ₂パッシベーション効果を得る。
【解決手段】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、成膜処理の前処理としてＮ₂ガスを用いたプラズマ処理を行うことで、イオンボンバードメント作用によって半導体表面に存在する自然酸化膜を除去し、この自然酸化膜の除去によって半導体表面での熱拡散を促進させ、これによって低温での成膜を可能とするものであり、成膜温度を低温とすることで、Ｈ₂パッシベーション効果の高い反射防止膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板と窒化シリコン膜の接する部分に形成される反転層の形成を抑制することができる光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換素子の製造方法は、シリコン基板の一主面上に窒化シリコン膜を形成する工程を備え、前記シリコン基板は、前記主面側がｐ型であり、前記窒化シリコン膜を形成する前に、窒素ガスを含む原料ガスを用いて形成されるプラズマによって前記主面の表面処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム基板の結晶粒界に浸入したフッ酸水溶液の存在により生じるアルミニウム基板上の膨れを抑制し、電流のリーク発生および変換効率の低下を防止できる光電変換装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＪＩＳ H ４０００に規定された合金番号のうちアルミニウムの純度が９９．９０重量％以下であるアルミニウム基板１と、表層に第２導電型の半導体部３が形成され、アルミニウム基板１上に互いに間隔をあけて多数個接合された球状の第１導電型の結晶半導体粒子２と、アルミニウム基板１の一主面の結晶半導体粒子２間に形成された絶縁層４と、結晶半導体粒子２の上部および絶縁層４上に形成された透光性導電層５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の製造方法において、マスク材を除去する必要がなく、かつウエハの表面電極と裏面電極間を絶縁できる技術を提供する。
【解決手段】本発明による太陽電池の製造方法は、半導体ウエハ１の周縁部にシロキサン結合を有する高分子化合物層２を形成する工程と、高分子化合物層２が形成された半導体ウエハ１の表面にドーパントを含む溶液３を塗布する工程と、酸素雰囲気での熱処理により高分子化合物層２をシリコン酸化膜４に変化させる工程と、熱処理により溶液３から半導体ウエハ１にドーパントを拡散してＰＮ接合８を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガラス基板の表面を研磨処理しなくても、表面品位が良好な太陽電池用ガラス基板を得ることにより、太陽電池の品質向上を図ることを技術的課題とする。
【解決手段】本発明の太陽電池用ガラス基板は、平均表面粗さ（Ｒａ）が２０Å以下、好ましくは１０Å以下であることを特徴とし、更にその表面が未研磨であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶系薄膜シリコン光起電力装置は単結晶シリコンに比べて結晶の質が悪く、光電変換特性が依然劣っている。また、結晶性シリコン膜を化学気相成長法によって、１μｍ以上の厚さで堆積する必要があり生産性が悪いといった問題がある。また、成膜に必要なガスの収率が悪く、経済的にも十分なメリットを見いだせないでいる。
【解決手段】絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板に設けた単結晶半導体層を光電変換層とする光起電力装置であって、単結晶半導体層は絶縁層を介して該基板と接合させる所謂ＳＯＩ構造を備えたことを要旨とする。光電変換層としての機能を奏する単結晶半導体層は単結晶半導体基板の表層部を剥離して転置されたものが適用される。 （もっと読む）

適切な屈折率、質量密度および水素濃度の窒化シリコン層が形成可能であるため、該層は太陽電池基板上でＡＲＣ／パッシベーション層として役立つ。該窒化シリコン層は、堆積プロセス中に在来の前駆体ガス混合物に水素ガス希釈剤を追加することによって、太陽電池基板上に形成されてもよい。代替的に、該窒化シリコン層は、本質的にシランおよび窒素から成る前駆体ガス混合物を使用することによって、太陽電池基板上に形成されてもよい。堆積チャンバのスループットを改良するために、該窒化シリコン層は、低い水素界面層およびより厚いバルク窒化シリコン層を含むデュアルスタック膜であってもよい。複数の太陽電池基板を基板キャリア上に配置するステップと、該基板キャリアを該堆積チャンバに移送するステップはさらに、堆積チャンバのスループットを高めることができる。 （もっと読む）

【課題】
素子特性の低下を抑制し、且つ、半導体基板の反りを低減することができる太陽電池素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
一主面に導電性ペーストが形成された半導体基板を、４５０℃以上の最高焼成温度で焼成する焼成工程と、前記最高焼成温度からの冷却過程の２５０℃以上の温度領域において、７．５℃／秒以下の冷却速度を所定時間維持する維持工程とを備えて成る太陽電池素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】産業上有益な高効率光変換可能な太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上の主面側に形成され受光した光を電力に変換する発電層と、前記主面側に形成され該発電層に光が入射する側と反対側に形成された裏面電極層と、前記発電層に光が入射する側に形成された透光性電極とを具備する太陽電池であって、前記透光性電極が結晶性ＩＺＯ（インジウム亜鉛オキシド）を含む透光性電極であることを特徴とする太陽電池。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルにとって良好な凹凸形状を多結晶シリコン基板表面に形成することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る表面処理方法は、多結晶シリコン基板２の表面を処理する表面処理方法であって、反応容器１内に設けられたステージ電極３と接地電極４との間に多結晶シリコン基板２を配置する。そして、反応容器１内にＣｌＦ₃を含むエッチングガスを導入し、ステージ電極３と接地電極との間に高周波電力を間欠的に印加する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】変換効率が高い裏面接合型太陽電池と、簡略化した工程からなる裏面接合型太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型のシリコン基板の受光面とは反対側の裏面にｐｎ接合が形成された裏面接合型太陽電池の製造方法であって、前記裏面に、第２導電型の第１不純物拡散領域を形成する工程と、前記裏面に前記第１不純物拡散領域を含む領域に前記第１不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い第２導電型の第２不純物拡散領域を形成する工程と、前記裏面に前記シリコン基板よりも不純物濃度が高い第１導電型の第３不純物拡散領域を形成する工程とを含むことを特徴とする裏面接合型太陽電池の製造方法と、製造される変換効率が高い裏面接合型太陽電池を提供する。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルで、各種基板と一体化できる結晶性にすぐれたシリコン等の薄膜半導体を安価に製造することができ、これにより太陽電池を安価に製造することができるようにする。
【解決手段】半導体基体の表面を陽極酸化することにより多孔質度が異なる２層以上の層から構成される多孔質層１２を形成し、多孔質層１２の表面に太陽電池などの半導体膜１３を成膜し、この半導体膜１３を、多孔質層１２を介して半導体基体から剥離する。陽極酸化する工程は、通電量の選定と、連続通電か間欠通電かの選定とにより、多孔質の異なる多孔質層のうち、比較的低多孔率の低多孔率層に対して、比較的高多孔率の高多孔率層の形成位置を制御する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】製造過程における膜剥離の防止された太陽電池パネル製造システム、及び太陽電池パネル製造方法を提供することにある。
【解決手段】光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板平均温度、透明電極層用レーザーエッチング装置の直前の基板洗浄器の洗浄水温度、及び裏面電極層用レーザーエッチング装置の直前の基板洗浄器の洗浄水温度、の温度差が±１０℃以下になるようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明の太陽電池の電極形成用組成物を用いて形成された電極は、長年使用しても高導電率及び高反射率を維持することができ、経年安定性に優れ、かつ密着性に優れた電極が得られる。
【解決手段】太陽電池の電極形成用組成物は金属ナノ粒子を分散媒に分散して構成される。上記金属ナノ粒子は７５重量％以上の銀ナノ粒子を含有する。また金属ナノ粒子は炭素骨格が炭素数１〜３の有機分子主鎖の保護剤で化学修飾される。更に金属ナノ粒子は一次粒径１０〜５０ｎｍの範囲内の金属ナノ粒子を数平均で７０％以上含有する。組成物中に金属酸化物、金属水酸化物、有機金属化合物及びシリコーンオイルからなる群より選ばれた１種又は２種以上の添加物を更に含むことを特徴とする。 （もっと読む）