【課題】光を受光する面積を増大させることのできる光電変換素子、光電変換装置及び光電変換モジュールを提供することにある。
【解決手段】太陽電池素子２は、棒状の支持棒３を備え、支持棒３の外周面に、反射電極５、Ｐ型半導体層７、Ｉ型半導体層９、Ｎ型半導体層１１及び透明電極１３が順に積層されている。そして、太陽電池素子２の下面側の透明電極１３の外周面に、断面略半円状の光反射性を有する反射層１５が形成されている。太陽電池モジュール１は、その太陽電池素子２を列設して形成されている。 （もっと読む）

【課題】太陽光を吸収すると電子正孔対が生成され、光電変換効率が向上するシリコン量子点活性化太陽電池のシリコン量子点活性化層の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムスズ（ITO）１１層と二酸化チタン（TiO₂）層１２とが積層された基板１を反応チャンバーの中へ入れ込み、シラン（SiH₄）を前駆物質体（precursor）としてアルゴン（Argon）を希釈あるいはキャリヤーガスや混入空気とし、蒸着法と複数回のパルスにより基板の二酸化チタン層の表面において、シリコン量子点核生成層（nucleation）と成長生長層（growth）及び不活性化層（passivation）等の工程を行い、直接に複数のシリコン量子点２１が生長分布される構造が形成され、また、単一のパルスにより直接にシリコン量子点構造以外に炭化ケイ素（SiC_x）量子点薄膜２２を沈着し、これにより、基板の二酸化チタン層の表面にシリコン量子点分布層２が形成される。 （もっと読む）

多結晶シリコンのテクスチャ表面形成用酸腐食溶液及びその使用方法に関し、前記溶液は酸化剤とフッ化水素酸溶液とを混合してなるものであって、前記酸化剤は硝酸塩または亜硝酸塩である。前記使用方法は、スライスされた多結晶シリコンウェーハを酸腐食溶液の中に入れて腐食反応を行う。反応時間は３０秒間〜２０分間であり、酸腐食溶液の温度は−１０℃〜２５℃である。 （もっと読む）

【課題】光を受光する面積を増大させることのできる光電変換素子及び光電変換装置を提供することにある。
【解決手段】円柱状の支持体の外周面に反射電極１３、Ｐ型半導体層、Ｉ型半導体層、Ｎ型半導体層及び透明電極１８を順に積層して太陽電池素子１０を形成した。その太陽電池素子１０を、Ｙ方向に沿って延設されるように列設して太陽電池素子列１０Ｌを形成した。そして、太陽電池素子列１０Ｌを、接着層１１を挟んでＸ方向に並設して、共通電極３の上面に配設した。このとき、各太陽電池素子１０の軸心方向が共通電極３の上面３ａの法線方向になるように、各反射電極１３を共通電極３に電気的に接続した。 （もっと読む）

【課題】長期間モジュール状態で使用されても、銀電極の表面色が変色現象を発現せず、モジュール状態でマクロな「色むら」や「色模様」が発生せず、外観の品質を高く保つことができる太陽電池及びその製造方法を得る。
【解決手段】シリコン基板１０と、前記シリコン基板１０の表面に形成された拡散層２０と、前記拡散層２０上に形成された絶縁膜３０と、前記絶縁膜３０上に設けられた焼成後暗色である導電性金属ペースト材料８００を焼成することで前記拡散層２０と電気的に接続するように形成された表面銀電極８０１と、前記シリコン基板１０の裏面に形成された裏面アルミニウム電極６１と、前記シリコン基板１０の裏面に形成された裏面銀電極７１とを設けた （もっと読む）

本発明は、グループＩＢ−ＩＩＩＡ−カルコゲニド化合物の膜を形成するために、前駆体材料を高スループットで印刷する方法と装置について開示している。一実施形態では、本方法は、前駆体層を基板上に形成する工程を含み、この前駆体層は１つまたは複数の個別の層から構成されることができる。こられの層は、１つ以上のグループＩＢの元素および２つ以上のグループＩＩＩＡの元素を含有する、少なくとも１つの第一層と、元素状のカルコゲン粒子を含有する、少なくとも１つの第２層を含むことができる。さらに、前駆体層を、カルコゲン粒子を溶解し、カルコゲン粒子が前駆体層中の１つ以上のグループ１ＢおよびＩＩＩＡの元素と反応するのに十分な温度まで加熱することにより、グループＩＢ−ＩＩＩＡ−カルコゲニド化合物の膜が形成される。ここで、前駆体層中の粒子の少なくとも一部は金属間粒子であり、金属間粒子は少なくとも１つのグループＩＢ−ＩＩＩＡ金属間合金相を含んでいる。また、別の実施形態では、本方法は、ナノ粒子および／またはナノ小球および／またはナノ小滴を混合してインクを作製し、基板の上にインクを付着させ、余剰のカルコゲンを融解し、カルコゲンをグループＩＢおよびグループＩＩＩＡの元素および／またはカルコゲニドと反応させて、稠密な膜を形成する工程を含んでいる。
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【課題】 所望の粒子径かつ均一粒子径の粒状半導体を高い生産性でもって再現性よく製造する製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝１のノズル部１ａからシリコンの融液を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置において、坩堝１を振動させる加振手段と、坩堝１内を加圧して融液を排出する加圧手段と、排出された融液を観察する観察手段４と、観察された融液の液滴の粒子径を所定の粒子径と比較して、液滴の粒子径が所定の粒子径よりも大きいときには加振手段による振動の振動数を上げ、液滴の粒子径が所定の粒子径よりも小さいときには加振手段による振動の振動数を下げるように制御する制御手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 融液から余分な飛沫の発生を抑制するとともに、安定して粒径の揃った粒状半導体を得ることができるとともに、高い結晶性を持った粒状半導体を得ることができる粒状半導体の製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝３のノズル部２からシリコンの融液１を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液１を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置であって、坩堝３を振動させる加振手段７と、坩堝３内を加圧して融液４を排出する加圧手段と、排出された融液１を観察する観察手段９と、観察された融液１の落下状態を調節するために加振手段７を制御する制御手段とを具備している粒状シリコンの製造装置である。 （もっと読む）

本発明は太陽電池セルの金属電極パターン作製方法であって、以下のステップ− 前記太陽電池セルの表面に金属電極パターンを形成するステップと、前記金属電極パターンを電解槽中で補強するステップと − を含んでなる方法に関する。本発明は、金属含有インキが少なくとも１つの圧力ノズルによって前記太陽電池セルの前記表面に塗布されることによって前記金属電極パターンが形成される点を特徴とする。
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【課題】 多結晶シリコンのような半導体粒子を安定して高効率に結晶化するとともに高い結晶性を持った結晶シリコン粒子を低コストで製造することができる結晶半導体粒子の製造方法によって製造された結晶半導体粒子を用いて、電気特性に優れた良好な光電変換装置を提供することにある。
【解決手段】 上面に、酸素を含有する半導体粒子１０１を載置した台板１０２を加熱炉内に導入し、半導体粒子１０１を加熱して溶融させた後、この溶融した半導体粒子１０１を台板１０２側から上方に向けて固化させることによって製造された結晶半導体粒子４０６を用いた光電変換装置であって、前記結晶半導体粒子４０６は酸素を含有し、結晶半導体粒子４０６の内部において酸素に一方の極１０３から対向する極１０４に向かって濃度勾配が形成されており、結晶半導体粒子１０１を用いて、高い光電変換効率の光電変換装置を提供する。 （もっと読む）

本発明は、シリコンをベースとする前駆体から出発して、蒸着により基板表面にシリコン膜を製造する方法において、使用される前記前駆体が四塩化ケイ素であることを特徴とするシリコン膜の製造方法に関する。本発明は、本発明による方法により得られた薄膜太陽電池又は結晶質シリコン薄膜太陽電池にも関する。本発明は、気相から基板上に堆積された膜を製造するための四塩化ケイ素の使用にも関する。 （もっと読む）

【課題】エッチング残渣を除去する際に基体が受けるダメージを抑制した太陽電池素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のチャンバ内に太陽電池素子用の基体を配置し、第１のガスを供給して前記基体の一主面をエッチングすることで、エッチング残渣を付着させつつ前記一主面を粗面化する粗面化工程と、第２のチャンバの内部に前記基体を配置し、前記第１のガスより低反応性の第２のガスを供給し、前記第２のガスをプラズマ状態とすることによって、前記一主面に残存する前記エッチング残渣を除去する残渣除去工程と、を含むようにした。 （もっと読む）

【課題】ロード室内における処理に要する時間が短縮された基板予熱方法及び真空処理システムを提供する。
【解決手段】共通搬送室と、外部から基板が搬入されると大気圧下から高真空排気雰囲気下まで減圧され、高真空排気雰囲気下の状態で基板を前記共通搬送室内へ受け渡すロード室と、前記ロード室内に設けられ、搬入された基板を加熱するＩＲヒータと、前記ロード室を減圧する真空ポンプ部と、前記真空ポンプ部及び前記ＩＲヒータの動作を制御する制御装置と、を具備し、前記真空ポンプ部は、前記ロード室内を大気圧から所定の第１圧力までの減圧を行う粗引きラインと、前記第１圧力の雰囲気下から前記第１圧力よりも更に低い第２圧力までの減圧を行う高真空排気ラインと、を有し前記制御装置は、前記ロード室内の減圧を行うラインを前記粗引きラインから前記高真空排気ラインへ切り換える以前に、前記ＩＲヒータの加熱を開始とする。 （もっと読む）

化学式（Ｉ）の錯体であって


‐Ｆは半導性多孔質酸化セラミックの基板に化学的なグラフトを可能にする一つまたはそれ以上の基を表し、
‐Ｓは半導性多孔質酸化セラミックに対する増感基を表し、
‐Ｃは導電性ポリマーであり、
‐Ｅは増感体Ｓを導電性ポリマーから電気的に絶縁することを可能にする非共役スペーサ基、であることを特徴とする錯体。
それらの製造方法。
化学式（Ｉ）の錯体が化学的にグラフトされる多孔質酸化セラミックの基板を備えるｐｎ型半導体無機／有機ハイブリッド物質。
前記物質を備える光電池。 （もっと読む）

【課題】集光ロスを低減し、結晶半導体粒子の光の利用効率を向上させるとともに、導電性基板と結晶シリコン粒子とを前記導電性基板全体に均一に接合でき、低コストに製造可能な高性能で信頼性の高い光電変換装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】少なくとも導電性基板１１と光電変換を行う複数個の結晶半導体粒子１２とからなる光電変換装置において、前記結晶半導体粒子１２は、該結晶半導体粒子１２の高さが前記導電性基板１１の一主面の中央部から端部に向かって順に低く接合されている光電変換装置である。また、前記導電性基板１１の一主面に複数個の結晶半導体粒子１２を接合する工程において、前記複数個の結晶半導体粒子１２を前記導電性基板１１の前記一主面に押圧する際に、前記導電性基板１１の前記一主面の中央部における圧力を端部における圧力よりも大きくした光電変換装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】安価でかつ光電変換効率の高いヘテロｐｎ接合型の光起電力素子と、この光起電力素子を安全に低コストで作製でき、大面積にも対応可能な製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方が透光性を有する２つの電極（２，５）の間に、電子受容性無機物を主成分とし、塩基性染料を含有する材料から構成されたｎ型半導体層３と、電子供与性有機物を主成分とし、電子受容性化合物を含有する材料から構成されたｐ型半導体層４とからなるヘテロ接合半導体膜を形成し、光起電力素子とする。また、この光起電力素子は、ｎ型半導体塗布液およびｐ型半導体塗布液を順次塗布して積層した半導体層（３，４）の上に、樹脂中に導電性物質を分散させた導電性ペーストを塗布することにより、透明電極２に対向する背面電極層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ安全な工程で、水素が注入された結晶質半導体粒子を製造することができる結晶質半導体粒子の製造方法、および該製造方法により製造された結晶質半導体粒子が使用され、高い光電変換効率を有する光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】結晶質シリコン粒子３の材料であるシリコン融液１１を粒状に排出して、落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させることにより結晶質シリコン粒子３を製造する。この際、シリコン融液１１を、水素化合物を含有する雰囲気中で落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させる。従って、簡素かつ安全な工程で、結晶中のダングリングボンドに水素が結合され、結晶欠陥が不活性化された結晶質シリコン粒子３を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】鉄シリサイド層の製造方法並びに半導体基板及び光半導体装置において、β−ＦｅＳｉ_２の平坦で良質な連続膜を形成すること及び高キャリア移動度を得ること。
【解決手段】結晶面（００１）を表面に有するＳｉ基板１上にβ−ＦｅＳｉ_２の鉄シリサイド層４ｂを成膜する方法であって、前記Ｓｉ基板上に設けられたＳｉＧｅ層上に、直接又は歪みＳｉ層を介して前記鉄シリサイド層をエピタキシャル成長する鉄シリサイド層形成工程を有し、該鉄シリサイド層形成工程は、４００℃以上９４０℃以下の成膜温度でＦｅ原料とＳｉ原料とを同時に供給して前記鉄シリサイド層の少なくとも一部を成膜する高温成膜工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な微結晶シリコン膜、並びに、それを用いた薄膜トランジスタ等の半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る微結晶シリコン膜は、５×１０^１６ｃｍ^−３以上、５×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の金属元素を含み、かつ、ラマン分光法により５２０ｃｍ^−１と４８０ｃｍ^−１の２つのピークを示すことを特徴とする。ここで、前記金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種又は複数種類の元素が望ましい。また、前記２つのピーク強度比は、１０：１程度であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の有機半導体層の極めて薄い膜厚のＰ型層やＩ型層、Ｎ型層を均一に形成する手段を提供する。
【解決手段】光電変換素子が、導電細線からなる中心電極と、中心電極の外周面に積層した有機半導体層と、有機半導体層の外周面に積層した透明な導電性接着剤からなる外側バッファ層とを備える。 （もっと読む）