【課題】高いエネルギ変換効率の太陽電池を製造する。
【解決手段】ｐ型層となる多結晶シリコン基板Ｓｐ上に形成されたｎ型層となる多結晶シリコン層Ｓｎの表層を、プラズマを用いて酸化処理し、その後ＣＶＤ処理によりシリコン窒化膜を堆積することにより、多結晶シリコン層Ｓｎの表層にパッシベーション膜Ａ１、Ａ２を形成する。かかるプラズマ酸化処理は、１０ｅＶ以下のシース電位のプラズマを用いて、圧力が６．６７Ｐａ〜６．６７×１０^２Ｐａの範囲で、温度が２００℃〜６００℃の範囲となる条件下で行う。プラズマを励起するマイクロ波は、スロットアンテナを通じて処理容器内に供給され、マイクロ波の表面波によってプラズマが生成される。 （もっと読む）

【課題】高周波励起のプラズマＣＶＤ法によるシリコン系薄膜の形成方法において、比較的低温下で安価に、生産性よく結晶化度の高い多結晶シリコン系薄膜を形成する。
【解決手段】成膜時のガス圧を０．００９５Ｐａ〜６４Ｐａの範囲から、成膜室内へ導入する成膜原料ガスの導入流量Ｍｓに対する希釈ガスの導入流量Ｍｄの比（Ｍｄ／Ｍｓ）を０〜１２００の範囲から、高周波電力密度を０．００２４Ｗ／ｃｍ³ 〜１１Ｗ／ｃｍ³ の範囲からそれぞれ選択、決定するとともに、成膜時のプラズマポテンシャルを２５Ｖ以下、プラズマ中電子密度を１×１０¹⁰個／ｃｍ³ 以上に維持して膜形成し、且つ、それら圧力等の組み合わせをレーザラマン散乱分光法による膜中シリコンの結晶性評価においてアモルファスシリコン成分に起因するＩａに対する結晶化シリコン成分に起因するＩｃの比（Ｉｃ／Ｉａ＝結晶化度）が８以上となる組み合わせとして多結晶シリコン系薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア濃度を保ちつつ、スズ添加酸化インジウムの結晶性を向上させ、高い導電性を有する透明導電膜を備えた透明導電性基板を提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電性基板は、透明基材と、該透明基材の一面上にスズ添加酸化インジウムからなる透明導電膜を配してなる透明導電性基板であって、前記透明導電膜は、透明基材側から離れるにつれて、スズの添加濃度が高くなるように濃度勾配を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 粒状単結晶シリコンの製造方法において、結晶性や開放電圧特性に優れた高品質な粒状単結晶シリコンを安定して作製でき、量産性に優れた低コストな粒状単結晶シリコンを製造する。
【解決手段】 酸素ガスと窒素ガスの反応性ガスを含む雰囲気ガス中で粒状シリコンを加熱して表面に前記ガスの成分を含む珪素化合物被膜を形成して内側のシリコンを溶融した後、降温して凝固させて単結晶化する粒状単結晶シリコンの製造方法であって、上記反応性ガスを室温より高くシリコンの融点より低い温度で導入し始めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換効率に優れた光電変換層を形成可能な光電変換層用塗工液およびその製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、フラーレン誘導体の濃度が異なる２種類のアクセプター溶液と、電子供与性の光電変換材料を含むドナー溶液と、を混合することを特徴とする光電変換層用塗工液の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】第一種の導電性を有する半導体をベースとする基板（１０２）、第二種の導電性で不純物をドープされて基板中に製造され、基板の正面を形成している層（１０４）、基板の正面上に製造されて、光電池の正面（１０８）を形成する反射防止層（１０６）、を備える少なくとも一つの光電池（１００）を金属化する方法を提供する。
【解決手段】ａ）光電池（１００）の正面（１０８）上に少なくとも一つの金属化層（１１０）を形成すること、ｂ）約８００℃及び９００℃の間の温度で光電池（１００）に第１のアニールをすること、ｃ）基板（１０２）の裏面上に少なくとも一つの金属化層（１１２）を形成すること、ｄ）約７００℃及び８００℃の間の温度で光電池（１００）に第２のアニールをすること、のステップを少なくとも含む。 （もっと読む）

【課題】光電池をアニールするための方法を提供する。
【解決手段】第一種の導電性を有するシリコンをベースとする基板（１０２）、第二種の導電性で不純物をドープされて基板中に製造され、基板の正面を形成している層（１０４）、基板の正面上に製造されて、光電池の正面（１０８）を形成する反射防止層（１０６）、光電池の正面（１０８）上の少なくとも一つの金属化層（１１０）、及び、基板の裏面上の少なくとも一つの金属化層、を備える少なくとも一つの光電池（１００）をアニールするための方法を提案する。この方法は、周囲空気中そして周囲圧力で、ａ）約７００℃及び９００℃の間の温度で光電池に第１のアニールをすること、ｂ）約２００℃及び５００℃の間の温度で光電池に第２のアニールをすること、のステップを少なくとも含み、この処理の間、基板中に水素が拡散される。 （もっと読む）

低純度シリコン材料を精製し、より高純度のシリコン材料を得る方法及び装置が提供される。この方法は、オキシ燃料バーナーを備えた溶融装置を設けることと、この溶融装置において前記低純度シリコン材料を溶融して、より高純度のシリコン材料の溶融物を得ることとを含んでいる。この溶融装置は回転ドラム炉を含んでも良く、低純度シリコン材料の溶融は、酸化性又は還元性雰囲気下で、１４１０℃乃至１７００℃の範囲にある温度で行われても良い。溶融中に、合成スラグが、溶融状態の材料に添加されても良い。より高純度のシリコン材料の溶融物は、開いた頂部と断熱された底壁及び側壁とを有した型の中へ流出することによって、スラグから分離され得る。型に入ったら、より高純度のシリコン材料の溶融物を制御された一方向固化に供し、更に高純度の固体多結晶シリコンを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】可燃性ガスや毒性ガスを用いる必要がなく環境負荷を十分に低減することができるとともに、高熱を印加する必要がなく投入するエネルギーを十分に少なくすることができ、シリコンを効率よく形成することが可能なシリコンの形成方法を提供すること。
【解決手段】３０〜９９．９原子％の珪素と、０．１〜５０原子％の還元性金属元素とを含有する珪素含有材料に、酸素分圧が１０^−２Ｐａ以下の真空雰囲気下で、波長１９２〜１０６４ｎｍ、パルス幅１００ナノ秒〜１０フェムト秒、照射強度１０^８〜１０^１５Ｗ／ｃｍ^２のレーザー光を照射し、シリコンを得ることを特徴とするシリコンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】連続大面積走査注入プロセスを用いてドープ基板を製造するための方法を開示する。
【解決手段】１つの実施形態において、本発明の方法は、入り口および出口を有するチャンバ内に可動トラック部材を提供する工程を包含する。この方法はまた、第１の複数のタイルを含む第１の基板を提供する工程を包含し得る。この方法は、可動トラック部材の上に入り口から第１の複数のタイルを含む第１の基板を転写する工程を包含する。第１の複数のタイルは、走査注入プロセスに供される。この方法はまた、真空中に第２の複数のタイルを含む第２の基板を維持する工程を包含し得る。この方法は、可動トラック部材に入り口から第２の複数のタイルを含む第２の基板を転写する工程を包含する。この方法は、走査注入プロセスを用いて第２の複数のタイルを注入プロセスに供する工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】 半導体の使用量を少なくして低コストに製造できるとともに軽量化された光電変換装置とし、また、凹面鏡形状の光反射面を有する光反射部材を用いた光電変換装置において、光電変換に対する光の寄与率（光の利用効率）が高いものを提供すること。
【解決手段】 光電変換装置は、導電性基板１上に、表層に第２導電型の半導体部３が形成された球状の第１導電型の結晶半導体粒子２の多数個が互いに間隔をあけて接合されており、結晶半導体粒子２間の導電性基板１上に絶縁層４が形成され、絶縁層４上に透光性導体層５に導通する集電層が形成されており、集電層上に、結晶半導体粒子２に集光させる凹面鏡形状の光反射面を有するとともに光反射面の下端部に結晶半導体粒子２の上部を露出させる開口が形成された光反射部材７が設置されており、前記開口の大きさが結晶半導体粒子２の直径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】クロロシランを効率良く金属で還元して高純度の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】工程（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
（Ａ）温度Ｔ１で下式（１）
原料である、ＳｉＨ_nＣｌ_4-n （１）
（式中、ｎは０〜３の整数。）
で示されるクロロシランを金属で還元して、シリコン化合物を得る工程、
（Ｂ）該シリコン化合物を温度Ｔ２（Ｔ１＞Ｔ２の関係にある。）の部分に移送する工程、
（Ｃ）該温度Ｔ２の部分に多結晶シリコンを析出させる工程、ここで
温度Ｔ１が、金属の融点（絶対温度）の１．２９倍以上であり、
温度Ｔ２が、金属の塩化物の昇華点又は沸点より高い。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板内部のエッチングにより生じる多孔質層の発生を防ぎつつ、太陽電池セルに適した低反射の表面を実現できるシリコン基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】真空排気した反応容器内にシリコン基板を設置し、ＣｌＦ₃を含むエッチングガスの供給して、シリコン基板表面をエッチングする。そして未反応のＣｌＦ₃等がシリコン基板内部に侵入する前に、エッチングガスの供給を止め、未反応のＣｌＦ₃等をシリコン基板表面から脱離・除去するためのパージガスの供給を行う。これらの工程を複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 複数の太陽電池セルをタブ又は接続リードと呼ばれる接続部材により電気的に接続してなる太陽電池モジュールの特性を改善させる。
【解決手段】 この発明は、非晶質シリコンと結晶系シリコンとを組合せることにより構成されたヘテロ半導体接合を有する太陽電池セル１０と、複数の前記太陽電池セル１０を接続するタブ１４と、を備え、太陽電池セル１０に高温加熱処理を施した後、太陽電池セル１０にタブ１４を半田付けし、複数の太陽電池セル１０をタブ１４により電気的に接続して太陽電池モジュールを製造する。 （もっと読む）

【課題】垂直勾配凝固法を用いた単結晶あるいは多結晶材料、特に光電池用途のシリコンの製造方法及び装置を提供し、及び坩堝断面を多角形、特に矩形あるいは四角形形状に構成することにより材料の損耗を低減する。
【解決手段】坩堝周囲に均質でない温度分布を形成する平坦な平面状発熱体、特にジャケットヒーターを設置する。この温度分布を坩堝の中心に形成される温度勾配に対応させる。平面状発熱体の熱出力を坩堝の上端から下端へ向けて減ずる。平面状発熱体を縦方向あるいは水平方向へ蛇行して延びる複数の平行な加熱ウェブで構成する。これらウェブからの熱出力を導体断面を相違させることによって設定する。坩堝の角部分における局部的過熱を防止するため、ウェブが蛇行して延びる転回ゾーンにおいて断面を狭窄する。平面状発熱体は複数の相互接続された独立分節から作製可能である。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜のウェットエッチングを行なわずかつその膜厚を増加させずに、表面凹凸が効果的に大きくされた光電変換装置用透明導電膜を提供する。
【解決手段】光電変換装置用透明導電膜において、その透明導電膜が２次イオン質量分析で測定した原子濃度として２×１０¹⁹個／ｃｍ³以上のＢ原子および２×１０²⁰個／ｃｍ³以上のＨ原子を含む酸化亜鉛からなり、かつＢ原子濃度／Ｈ原子濃度の比の値が透明導電膜の厚さ方向の所定位置において極小値を有するように変動させられていることを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、最初に開口部をパッシベーション層の中に形成し、次いで、これらの開口部を導電性材料で充填することによって、温度に敏感なパッシベーション層の１つまたは複数の層を含むソーラーウェーハの接触を行なう方法に関する。このようにして、１つまたは複数のパッシベーション層を含むソーラーウェーハの接触を行なうための従来方法で必要とされる相対的な高温度を回避できるようになり、したがって、接触期間中およびその後において、新しく開発された温度に敏感なパッシベーション層の優れたパッシベーション特性を維持できるようになる。
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【課題】非真空下での薄膜太陽電池光吸収層用硫化物薄膜の作製法を提供する。
【解決手段】非真空下で銅、亜鉛、錫を含む薄膜を作り、これを、硫化水素を含む雰囲気で熱処理することによりCu₂ZnSnS₄薄膜を得る。化合物原料となる金属化学種を含む溶液を非真空中で基材上に塗布し、これを硫化水素を含むまたは硫黄原子を含む雰囲気中で加熱することにより基材表面に硫化物を固定化させる。またはこれを乾燥させることにより水酸化物または酸化物を基材上に形成し、これを硫化水素を含むまたは硫黄原子を含む雰囲気中で加熱することにより基材表面に硫化物を固定化させる。 （もっと読む）

【課題】基板の厚さが薄くても、基板の反りの発生を抑えるとともに有効な厚さのＢＳＦ（Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）層の形成できる太陽電池の製造方法を得る。
【解決手段】太陽電池の基板の受光面と反対側の表面に起点層を形成する工程と、起点層の表面に電極となる主構成層を形成する工程と、起点層と基板の表面とで合金層を形成させるとともに主構成層の一部を合金層と基板とに拡散させる熱処理工程とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】金属電極と半導体間のコンタクト抵抗を低減することによって、出力特性を向上させた光電変換素子、ならびにそれから構成される光電変換モジュールを提供する。
【解決手段】表面に凹凸が形成された半導体基板と、前記半導体基板表面の凹凸上に形成された金属電極と、前記半導体基板表面と前記金属電極との界面の少なくとも一部に存在するガラス層と、ガラス層中であって前記半導体基板表面に接触して存在する金属粒子と、を有する光電変換素子。 （もっと読む）