【課題】変換効率のバラつきが小さな太陽電池セルの製造に使用され、特定の抵抗率特性を有する単結晶シリコンインゴットおよびそれを用いた単結晶太陽電池セルを提供する。
【解決手段】ドーパントを含有するシリコン融液から単結晶インゴットを引き上げるチョクラルスキー法によって製造された単結晶シリコンインゴットであって、該単結晶シリコンインゴットは円柱状であり、一平面の抵抗率が２０Ω・ｃｍ以上４０Ω・ｃｍ以下であり、他方の平面の抵抗率が８Ω・ｃｍ以上１０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。単結晶シリコンインゴットの抵抗率が８〜１０Ω・ｃｍを境として、それ以上の高抵抗率の範囲では短絡電流密度Ｊｓｃにほとんど変化がなく、±３％以内の変動に収まる。一方、上記境目より低抵抗率の場合には、ヘッド部の抵抗率の低下とともに短絡電流密度も低下し、変動（バラつき）も増加する。 （もっと読む）

【課題】中間層を有する積層型光起電力素子において、変換効率の向上した素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の積層型光起電力素子の製造方法は、第１の態様において、基板上に少なくとも１つの光起電力素子を含む第１の光起電力素子部を積層する工程と、第１の光起電力素子部上に、金属酸化物からなる中間層であって、単膜の導電率が２×１０^-12Ｓ／ｃｍ以上１×１０^-8Ｓ／ｃｍ以下である中間層を積層する工程と、中間層を水素を含むプラズマにさらす工程と、水素を含むプラズマにさらした中間層上に少なくとも１つの光起電力素子を含む第２の光起電力素子部を積層する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン多結晶系太陽電池等の光発電素子において、シリコン多結晶層を構成する微結晶の密度を高める。
【解決手段】基板５０と基板５０上に設けた金属電極層５１を有する光発電素子の製造方法であって、ハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態を形成する超臨界流体状態形成工程と、形成されたハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態においてプラズマ放電を行い、基板５０上に設けた金属電極層５１上にシリコン多結晶層を形成するシリコン多結晶層形成工程と、を有することを特徴とする光発電素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大がかりな設備を用いずに、不純物汚染の少ない球状シリコン粒子を製造する。
【解決手段】発散コーン部１１、収束コーン部１２、発散コーン部１１と収束コーン部１２との接続部に形成されたスロート部１３、および収束コーン部１２から発散コーン部１１へと浮遊ガスを供給するガス供給部１４を備えるガス浮遊装置を用いて、浮遊ガスが供給されている発散コーン部１１に、スロート部１３の内径よりも小さい球状の熔解シリコン粒が形成される量のアスペクト比が１：１〜１：４である原料３０を供給する原料供給工程と、浮遊状態の原料３０を非接触加熱装置４１により加熱して熔解する熔解工程と、熔解された原料３０が浮遊状態のまま非接触加熱装置４１の熱出力を下げ原料３０を凝固させる凝固工程とを行って、シリコンまたはシリコン系半導体材料の球状シリコン粒子３２を製造する。 （もっと読む）

【課題】非真空プロセスを用いるため、膜の製造コストを抑えることができ、また、従来の非真空プロセスでは達成できなかった膜密度の高い緻密なＣＩＳ系膜を得ることができる。また、従来よりも低温の処理温度でセレン化処理が可能となる。
【解決手段】溶液を基板に塗布し、焼成して金属酸化物膜を形成した後、金属酸化物膜を還元処理して金属膜とし、続いて金属膜をセレン化処理することによりＣＩＳ系膜を形成するためのＣＳＤ溶液であり、Ｃｕ及びＩｎ、並びに必要に応じてＧａの各前駆体原料と有機溶媒とから構成され、各前駆体原料が１種又は２種以上の有機金属化合物からなることを特徴とする。有機金属化合物はカルボン酸塩やアルコキシドからなり、有機溶媒は飽和炭化水素やベンゼン誘導体からなる。また、添加剤として有機セレン化合物を加え、液中に金属−セレン結合を有する前駆体を生成させる。 （もっと読む）

【課題】１１００ｎｍ以上の長波光を利用可能な特性の高い薄膜光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、第一電極層２、ｐ型半導体層３１とｎ型半導体層３５の間に光電変換層を備えた一以上の光電変換ユニット３、第二電極層４を順次配置した薄膜光電変換装置であって、少なくとも一つの光電変換ユニットの光電変換層が実質的に真性または弱ｎ型の結晶質ゲルマニウム半導体を含む結晶質ゲルマニウム光電変換層３３であり、かつｐ型半導体層と結晶質ゲルマニウム光電変換層との間またはｎ型半導体層と結晶質ゲルマニウム光電変換層との間の界面のうち、結晶質ゲルマニウム光電変換層からみて基板から遠い側の界面に、実質的に真性な非単結晶シリコン半導体層からなる第二界面層を配置したことを特徴とする薄膜光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】レーザーエッチングが容易であり、且つ、高い発電効率を有する光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、２つの光電変換層３と、裏面電極層４とを形成する工程を含む光電変換装置１００の製造方法であって、前記裏面電極層形成工程が裏面透明電極層形成工程と、Ｃｕ薄膜形成工程とを備え、前記Ｃｕ薄膜形成工程が、順に排気工程と製膜工程とを含み、前記排気工程の到達圧力が、２×１０^−４Ｐａ以下であって、前記製膜工程の温度が、１２０℃以上２４０℃以下であることを含む光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の発電効率を向上させる。
【解決手段】ｐ型層３０と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４と、を積層したアモルファスシリコンユニットを含む太陽電池を形成する際に、ｐ型層３０を成膜する工程において、ｐ型ドーパントが第１ドーパント濃度で添加された高吸収アモルファス炭化シリコン層３０ａと、高吸収アモルファス炭化シリコン層３０ａよりｉ型層３２側にｐ型ドーパントが第１ドーパント濃度よりも低い第２ドーパント濃度で添加された低吸収アモルファス炭化シリコン層３０ｂと、低吸収アモルファス炭化シリコン層３０ｂとｉ型層３２との間に炭化シリコンバッファ層とを成膜し、特に、低吸収アモルファス炭化シリコン層３０ｂを成膜後、供給ガスの混合比の調整を行う前に成膜装置内を真空に排気しないようにする。 （もっと読む）

【課題】変換効率の高い光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】外光入射側の第１の面２００と、前記第１の面２００と対向する第２の面２０２を有するインジウム亜鉛酸化物層２０を有し、第２の面２０２から第１の面２００へ、インジウム亜鉛酸化物層２０の屈折率が小さくなるように変化している光電変換素子１。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、エネルギー変換効率が優れた光電変換素子を得ることにあり、さらには、熱耐久性が改善され、フレキシブル基板を用いた時の巻きつけによるクラック発生を抑制した有機光電変換素子またはその製造方法を提供することにある。
【解決手段】第１の電極と第２の電極との間に光電変換層と正孔輸送層または電子輸送層とを含み構成される有機光電変換素子において、該光電変換層がｐ型半導体材料とｎ型半導体材料とを含み、且つ、該正孔輸送層または電子輸送層が、窒素元素を含む金属酸化物層を含み構成されることを特徴とする有機光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣＺＴＳ半導体光吸収層を用いた光電変換素子を２５０℃以下でかつ硫化水素などの有毒ガスを用いることなく、安定、安全かつ安価に実現する。
【解決手段】基材上にｎ型半導体透明導電膜と金属電極とに挟まれてｐ型半導体光吸収層が積層されており、前記ｐ型半導体光吸収層は銅、亜鉛、錫および硫黄を含み、かつ銅／（亜鉛＋錫）の組成比が７０原子％以上１００原子％未満であり、さらに前記基材の軟化点または融点が３５０℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】複数のシャワー電極が設けられたプラズマ処理装置において、生産性を高めるとともに、プラズマ処理の均一性を維持できるようにする。
【解決手段】プラズマチャンバ２１，２２に、複数のシャワー電極６が隙間８をあけて設けられる。複数の基板４が等間隔に並べられたトレイ５が、シャワー電極６と下部電極７との間に搬送される。成膜開始時、隣り合うシャワー電極６間の隙間８の真下に基板４がくるように、トレイ５が位置決めされる。成膜中、トレイ５は隙間８の大きさに応じた搬送速度で進行方向に移動する。トレイ５は、基板４の長さよりも短い距離だけ移動する。この間に、基板４上に薄膜が形成されるが、シャワー電極７間の隙間８の真下に発生した強いプラズマ放電の影響を受ける領域が基板４上を移動するので、膜厚のばらつきが低減する。 （もっと読む）

【課題】低コストで、太陽電池の大面積化を可能にし、異なるバンドギャップを有する薄い複数の光吸収層を多段階に積層させて効率を向上させる光吸収層の形成方法を提供する。
【解決手段】カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物半導体の構成元素（Ｃｕ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｅ）と有機溶媒とを混合した組成の異なる複数の溶液を、裏面電極を表面に備えた基板上に、塗布、乾燥、急速焼成する工程を繰り返す。ここで、各溶液は、Ｇａの組成比率が高い方から順番に、塗布、乾燥、急速焼成される。 （もっと読む）

【課題】高品質の結晶質シリコン層を製膜して高性能の光電変換装置を製造する方法、及び、高品質の結晶質シリコン層を製膜するための製膜装置を提供する。
【解決手段】基板上に、ｉ層を含む結晶質シリコン系光電変換層をプラズマＣＶＤ法により形成する光電変換装置の製造方法であって、前記ｉ層の形成工程が、初期層製膜段階と、バルクｉ層製膜段階とを備え、前記初期層製膜段階が、前記初期層製膜段階でのシラン系ガス流量を、前記バルクｉ層製膜段階でのシラン系ガス流量より低く、前記初期層製膜段階の製膜時間を、前記ｉ層の全製膜時間の５％以上２０％以下として、前記初期層を製膜する。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度の増加により、開放電圧、短絡電流及び曲線因子Ｆ．Ｆ．を増加させ、結果的に変換効率を増加させることができる太陽電池の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法は、Ｉｂ族元素を含むターゲット及びＩＩＩｂ族元素を含むターゲットを、Ｓｅを含む雰囲気中でスパッタして、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素及びＳｅを含む層を基板上に形成するスパッタリング工程と、層を加熱する熱処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】開放電圧、短絡電流及び曲線因子Ｆ．Ｆ．を増加させ、結果的に変換効率を増加させることができる太陽電池を提供すること。
【解決手段】本発明の太陽電池は、ｐ型半導体層と、下記化学式（１）で表される化合物を含み、ｐ型半導体層上に形成されたｎ型半導体層と、を備える。
ＺｎＯ_{１−ｘ−ｙ}Ｓ_ｘＳｅ_ｙ （１）
［化学式（１）中、ｘ≧０、ｙ＞０、０．２＜ｘ＋ｙ＜０．６５。］ （もっと読む）

【課題】予備成膜を含む基板の成膜に関する工程のリードタイムを短縮化して、生産効率を向上させることを可能とする薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】成膜室内に予備成膜を施した後に、成膜室内で基板を成膜するための薄膜形成方法であって、予備成膜の開始前に、成膜室内の温度を予備成膜温度Ｔ_１に上げるステップと、前記予備成膜の実施中、成膜室内の温度を予備成膜温度Ｔ_１より低くかつ成膜温度Ｔ_２以上の温度範囲で温度プロファイルを前記予備成膜中通して一定値とならないように予備成膜を行うステップと、成膜室内の温度が成膜温度Ｔ_２に達した後に、基板への成膜を開始するステップとを含む薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】安価な材料を用いても高い発電効率を得ることができる光発電装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板１は、例えば圧延再結晶集合組織を有する銅又は銅合金基板である。この銅又は銅合金基板では、数十μｍの大きさの複数の単結晶が、その表面の結晶方位を揃えて並んでいる。この結晶方位のずれは５度以内である。金属電極２は、例えばニッケル膜、ニッケル合金膜、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜である。この金属電極２は、めっき法により金属電極１上に形成する。ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４は、エピタキシャル成長法により金属電極２上に形成する。金属基板１の表面における結晶方位のずれが５度以内であるため、ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４の結晶方位のずれも極めて小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 変換効率に優れた、太陽電池に好適に使用できるＣＩＧＳ薄膜等の化合物半導体薄膜を、非真空プロセスにより、容易に低コストで提供する。
【解決手段】 ΙＢ族元素、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、ΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物粒子と、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物粒子とを含有する塗布剤を調製する工程と、前記塗布剤を基板に塗布する工程と、前記基板に塗布した塗布剤中の化合物粒子を焼結させる加熱工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】広い面積の基板を処理できる安価な装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１０の貫通孔２０に、イットリウム酸化物薄膜から成る保護膜が形成された窓２１を配置し、フッ素原子を化学構造中に有する反応ガスを含む処理ガスのプラズマを形成して基板１４表面にテクスチャーを形成する。イットリウム酸化物はフッ素と反応しないので、窓２１はエッチングされない。窓２１の長手方向が異なる方向に向けられているので、真空槽１０内での電波干渉が無く、安定してプラズマを生成できる。 （もっと読む）