【課題】金属級Ｓｉから太陽電池級Ｓｉを製造すべく、低純度Ｓｉから高純度Ｓｉへの精製を効率良く行い得るＳｉ精製方法、Ｓｉ精製装置及びＳｉ精製膜製造装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ精製方法は、低純度Ｓｉを原子状水素と化学反応させることにより、除去したいボロン（Ｂ）からなる水素化ガスＢ_２Ｈ_６とＳｉからなる水素化ガスＳｉＨ_４とを含む水素化ガス母集団を生成する工程と、水素化ガス母集団を、除去したいボロン（Ｂ）からなる水素化ガスＢ_２Ｈ_６の分解温度以上、かつＳｉからなる水素化ガスＳｉＨ_４の分解温度以下となる範囲に温度制御された加熱物体表面に衝突させることにより、除去したいボロン（Ｂ）を加熱物体表面に固着させて水素化ガス母集団から除去して、低純度Ｓｉよりも純度の高い高純度Ｓｉを得る工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】安全で、極めて簡便で、かつ安価な手法にて表面に付着した金属を除去し、発電効率の改善を見込める洗浄度が得られるシリコン基板を母材とした太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】太陽電池を製造する工程のうち、ダメージ層除去工程Ｓ２、およびテクスチャー形成工程Ｓ３のいずれかの工程の直後に、シリコン基板洗浄工程ＳＷを実施する。このシリコン基板洗浄工程ＳＷは、太陽電池の母材であるシリコン基板を弗化水素酸と過酸化水素の混合水溶液に浸漬処理し、シリコン基板上に付着した金属を除去するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】腐食性ガスを使用する処理工程を有する基板処理装置において、大型基板を処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】腐食性ガスを用いて基板５０に処理を施す基板処理装置１０において、処理室１１と、処理室１１内に配置され、基板５０を収容可能な基板収容室１３と、基板収容室１３に腐食性ガスを流通させる腐食性ガス流通機構１５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型薄膜太陽電池のバッファ層成膜において、大型基板に対応し、原料溶液使用量の低減化、膜厚均一性に優れた高品質なバッファ層を得る方法を提供する。
【解決手段】Ｉ、ＩＩＩおよびＶＩ族元素を含むｐ型光吸収層が形成された裏面電極層を形成した基板を支持し加熱するヒータ内蔵サセプタと、このサセプタを付加的に加熱する加熱手段と、還元薬品と原料薬品を混合して薬液導入ノズルに送る薬液混合手段と、基板に混合薬液を滴下する薬液導入ノズルと、滴下された混合薬液を保持する反応槽とを有する太陽電池の製造装置。また、基板に形成された裏面電極層の少なくともＩ、ＩＩＩおよびＶＩ族元素を含むｐ型光吸収層形成工程と、光吸収層上のｎ型バッファ層形成工程と、バッファ層上の透明電極層形成工程とを有し、バッファ層形成工程は、加熱された基板上に混合薬液を滴下して保持し、さらに薬液を間欠供給する太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板を用いた透明導電性基板等のように、透明基板の破損が容易に生じないように、透明基板の破壊強度を向上させる透明基板の成膜方法を提供する。
【解決手段】透明基板に成膜を行う際、少なくとも対向する２辺のエッジ部分が面取りされている透明基板に対して、５００℃以上の温度条件下、形成される膜が他方の面と接続されるエッジ部分の面取り領域の接続部分まで延在するようにＣＶＤ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】曲線因子の劣化を防ぎながら、液相から製膜される光反射低減効果の高い反射防止膜により光反射を低減させることにより短絡電流を増大した、太陽電池特性に優れた太陽電池セルを製造可能な太陽電池セルの製造方法を得ること。
【解決手段】ＰＮ接合部を有する半導体基板の一主面側に電極を形成する第１工程と、前記電極を覆って封止する保護層を形成する第２工程と、前記保護層を形成した前記半導体基板上に前記半導体基板の表面の屈折率よりも低い屈折率を有する反射防止膜を塗布形成する第３工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を薄膜化させた場合においても良好な光閉じこめ効果を有する凹凸構造を形成し、光吸収損失の低減および信頼性の高い薄膜太陽電池およびその製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明における薄膜太陽電池２０の製造方法は、（a）透明絶縁基板１を準備する工程と、（b）透明絶縁基板１の表面に凹凸構造を形成する工程と、（c）透明絶縁基板１上に透明電極層４を形成する工程と、（d）透明電極層４上に光電変換層１２を形成する工程と、（e）光電変換層１２上に裏面電極層８を形成する工程と、を備え、工程（b）は、（f）透明絶縁基板１上に非晶質膜２を形成する工程と、（g）非晶質膜２にレーザ照射を行い、結晶化された結晶質膜３を形成する工程と、（h）結晶質膜３にエッチングを行い、結晶質膜３を除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】諸特性に優れるカルコパイライト型太陽電池を効率よく生産する。
【解決手段】バッファ層上に透明電極層を形成するに際しては、ＤＣスパッタ法を採用する。この際、ターゲットから蒸発する粒子中に１０ｅＶ以上のエネルギを有するものが占める割合を７％以上とするべく、前記ターゲットとガラス基板との間の距離（離間距離）と、供給ガスの圧力との積が４．８ｃｍ・Ｐａ以下となるように、離間距離及び圧力を設定する。さらに、透明電極層を形成した後に熱処理を施し、バッファ層ないし光吸収層、又は透明電極層の結晶構造中に存在する点欠陥等の欠陥を修復して元の結晶構造に復元する。 （もっと読む）

【課題】良好な太陽電池特性を得るために、ｎ型シリコン層上に優れた太陽電池電極を形成するためのＰｂフリー系導電性ペーストに適合した組成の導電性ペーストを得る。
【解決手段】銀を含む導電性粒子、ガラスフリット、有機バインダおよび溶剤を含む、結晶系シリコン太陽電池のｎ型シリコン層への電極形成用導電性ペーストであって、ガラスフリットおよび／またはさらに導電性ペーストに含まれる添加物が、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群から選択される少なくとも一つの２族系添加元素を含み、導電性ペースト中のＰｂ含有量が、０．１重量％以下である導電性ペーストである。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション層の水素含有量を増加させることで、効率を改善した太陽電池を提供する。
【解決手段】エッチングにより半導体ユニットの少なくとも１つの表面を洗浄する工程と、実質的に無酸素である又は酸素が欠乏した環境内で半導体ユニットの少なくとも１つの表面を乾燥させる工程と、少なくとも１つの表面上にパッシベーション層を堆積する工程とを含む、連続作業方生産ラインを用いて、少なくとも１つの半導体ユニットを有する光起電力素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系の材料を用いて形成された、太陽電池の上部電極をなす透明導電膜の表面抵抗を低下させるとともに、可視光線の透過性を良好に保ち、光電変換効率を向上させた太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系材料からなるターゲットを用いて、スパッタ法により基板上に酸化亜鉛系の透明導電膜を成膜することにより中間電極やバッファ層を形成する工程を備え、この中間電極やバッファ層の形成工程では、水素ガス、酸素ガス、水蒸気の群から選択される２種または３種を含む雰囲気中にてスパッタを行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】 基板上に裏面電極を製作する工程と、裏面電極上にｐ型ＣＩＳ系光吸収層を製膜する工程と、上記ｐ型ＣＩＳ系光吸収層上に、直接、酸化亜鉛系薄膜からなるバッファ層を製膜する工程と、上記バッファ層上に酸化亜鉛系薄膜からなるｎ型透明導電膜を製膜する工程と、を有し、上記バッファ層製膜工程及び、上記ｎ型透明導電膜製膜工程は、ＭＯＣＶＤ法により行われ、上記ｎ型透明導電膜層製膜工程の原料モル比（[Ｏ]／[Ｚｎ]）よりも、上記バッファ層製膜工程の原料モル比（[Ｏ]／[Ｚｎ]）を高くした。 （もっと読む）

【課題】電気特性、信頼性および外観を損ねることなく太陽電池の反りを低減する太陽電池およびその製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池セル１４の裏面の少なくとも一部にアルミニウムペーストを塗布、乾燥、焼成してアルミニウム電極５を形成するアルミニウム電極形成工程と、前記アルミニウム電極形成工程の後に、前記アルミニウム電極５が形成された太陽電池セル１４を１０℃以下の雰囲気温度で冷却する冷却工程とを少なくとも有する太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光起電モジュールを製造するための出発材料として使用するためのガラス板であり、高い曲げ強度および高い熱疲労抵抗を有し、高い費用効率で製造することができるガラス板を提供する。
【解決手段】化学蒸着によって導電性透明金属酸化物３でコートされたガラス板１を製作するために、ガラス板１への前記導電性透明金属酸化物３の化学蒸着が、ガラスの転移温度を５０℃を超えて下回らないコーティング温度で実行される。好ましくは、冷却速度は、５０Ｋ／分〜２００Ｋ／分である。また、好ましくは、冷却が、前記導電性透明金属酸化物３でコートされたガラス板１の両面への送風４によって実行される。 （もっと読む）

【課題】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、高いＨ_２パッシベーション効果を得る。
【解決手段】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、基板の受光面側に、膜質を異にする窒化シリコン膜を表面波プラズマを用いて積層して、多層の反射防止膜とするものである。積層する窒化シリコン膜の内で、基板側の第１の層をＳｉ−Ｈ基が高い膜質とし、外側の第２の層を膜密度が高い膜質とする。第１の層の窒化シリコン膜のＳｉ−Ｈ基の含有の程度を高めることによってＨ_２が窒化シリコン膜から脱離し難くし、また、第２の層の窒化シリコン膜の膜密度を高くすることによってＨ_２の外部への放出を防ぐＣＡＰ効果を高めることによって、窒化シリコン膜の反射防止膜のＨ_２パッシベーションを高める。 （もっと読む）

【課題】高反射率および高テクスチャーを有する導電性光反射膜、ならびに、品質性および量産効率に優れた支持基板上に前記導電性光反射膜を備えた薄膜太陽電池用基板および薄膜太陽電池を提供すること。
【解決手段】導電性光反射膜は、Ａｇを主成分とし１種以上の易酸化金属元素を添加した合金層または前記合金層とＡｇ層との積層形態からなる層、および透明導電層からなり支持基板の全長にわたり、平均高さが２０〜６０ｎｍ、かつ平均高さの変化率が３０％未満の凹凸形状を有し、入射光に対して高い全反射率および高い散乱反射率を有する。また、薄膜太陽電池用基板は、支持基板と該支持基板上に形成された前記導電性光反射膜とからなる。さらに、薄膜太陽電池は、前記薄膜太陽電池用基板の導電性光反射膜上に、光電変換層および透明導電層を有し、導電性光反射膜が薄膜太陽電池の裏面電極を構成している。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有する光電変換装置を、生産性を向上させて製造する方法を提供する。
【解決手段】減圧環境とされる製膜室内に設置された基板を加熱手段によって加熱した状態にし、前記製膜室内に原料ガスを供給し、前記基板に対向して配置された放電電極に対して給電することにより前記基板へ結晶質シリコンからなるｎ層を製膜するｎ層形成工程を含む光電変換装置の製造方法であって、前記ｎ層形成工程が、前記製膜室内の圧力を５００Ｐａ以上１０００Ｐａ以下、かつ、前記基板と前記放電電極との距離を６ｍｍ以上１２ｍｍ以下に設定して前記ｎ層を製膜する工程である光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法による塗布に適した形態のリン系ドーパント塗布液を用い、簡単な工程で特性の良好な太陽電池を製造する方法を提供すること。
【解決手段】リン酸のアルコール溶液のドットが一部重なり合うようにリン酸のアルコール溶液をインクジェット法によりｐ型半導体基板に塗布する工程と、リンを熱拡散させることによりｐ型半導体基板上にリン濃度の異なるｎ型拡散層を形成する工程とを備えることを特徴とする太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】従来品と比べて性能及び耐久性が向上した有機薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】透明電極層上に酸化物半導体層、有機半導体層、導電性ポリマー層及び集電極層が順に形成されている有機薄膜太陽電池であって、
（１）前記酸化物半導体層は、アモルファス酸化チタン層であり、
（２）前記有機半導体層は、[6,6]-フェニル-C₆₁-酪酸メチルエステル(PCBM)とポリ-3-ヘキシルチオフェン(P3HT)とを含有し、
（３）前記導電性ポリマー層は、ポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン(PEDOT)：ポリスチレンスルホン酸(PSS)を含有し、
（４）前記集電極層は、金電極層である、
ことを特徴とする有機薄膜太陽電池。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】 基板上に裏面電極を製作する工程と、裏面電極上にｐ型ＣＩＳ系光吸収層を製膜する工程と、上記ｐ型ＣＩＳ系光吸収層上に、直接、酸化亜鉛系薄膜からなるバッファ層を製膜する工程と、上記バッファ層上に酸化亜鉛系薄膜からなるｎ型透明導電膜を製膜する工程とを有し、上記バッファ層製膜工程は、ＭＯＣＶＤ法により行われ、上記ｎ型透明導電膜層の製膜時の基板温度よりも、上記バッファ層製膜工程の基板温度を高くした。 （もっと読む）