【課題】高変換効率を有し、量産性に優れた大面積光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板上に結晶質シリコン層を含む光電変換層を形成した光電変換装置であって、結晶質シリコン層が結晶質シリコンｉ層を有し、結晶質シリコンｉ層における非晶質シリコン相のラマンピーク強度に対する結晶質シリコン相のラマンピーク強度の比であるラマンピーク比の平均値が４以上８以下、ラマンピーク比の標準偏差が１以上３以下、かつ、ラマンピーク比が４以下となる領域の割合が０％以上１５％以下で表される基板面内分布を有することを特徴とする光電変換装置。基板の前記光電変換層を形成した面の大きさが１ｍ角以上であり、結晶質シリコンｉ層におけるラマンピーク比の平均値が５以上８以下、ラマンピーク比の標準偏差が１以上３以下、かつ、ラマンピーク比が４以下となる領域の割合が０％以上１０％以下で表される基板面内分布を有することを特徴とする光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】裏面電極層の立体構造を制御して最適化することによって、発電層の光吸収特性を向上させた光電変換装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に透明電極層２と、少なくとも２つの発電層９１，９２と、裏面電極層４とを備える光電変換装置であって、裏面電極層４が銀薄膜を備え、裏面電極層４の基板２側の表面が凹凸形状を有し、凹凸形状の凹部と凸部との高低差が６０ｎｍ以上２１０ｎｍ以下であることを特徴とする光電変換装置。及び、裏面電極層４の基板１側の表面で反射されて基板１から出射した反射光の光量と裏面電極層４に吸収された光の光量との和が、裏面電極層４が平滑である場合に裏面電極層４の基板１側の表面で反射されて基板１から出射した反射光の光量と裏面電極層４に吸収された光の光量との和の９６％以下であることを特徴とする光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】作業員の負担を軽減させるとともに、製造効率と歩留まりを向上させることができ、さらに、膜質の計測を高精度で行うことができる結晶質シリコン膜の膜質計測装置、結晶質シリコン膜の膜質計測方法、及び結晶質シリコン膜の膜質評価方法を提供する。
【解決手段】結晶質シリコン膜が形成された基板Ｗに対して結晶質シリコン膜の形成された膜面側から白色光を照射する光源装置１１と、白色光が照射されている状態での基板Ｗからの反射光を検出するカラーラインカメラ１２と、カラーラインカメラ１２の検出結果に基づいて反射光の輝度に係るパラメータを計測し、この反射光の輝度に係るパラメータに基づいて基板Ｗ上の結晶質シリコン膜の膜質を計測する演算装置１３と、カラーラインカメラ１２の周囲を覆う遮光部材１４とを設け、遮光部材１４の基板Ｗに対向する部位に、反射光の通過を許容する反射光通過部１４ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法にて必要な絶縁耐電圧性を確保した信頼性の高い薄膜太陽電池およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】透光性絶縁基板１の表面に第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４が順次積層されてなる薄膜光電変換素子５が複数個互いに電気的に直列接続されたストリングＳ１を形成するストリング形成工程と、透光性絶縁基板１の表面の外周部に形成されている薄膜光電変換素子部分を光ビームによって除去して非導電性表面領域８を全周に形成する膜除去工程と、膜除去工程で発生して非導電性表面領域８に付着した導電性付着物を除去する清浄化工程とを含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】レンズ（２２ａ〜２２ｊ）のアレイ、対応する２次的光エレメント（２１０）及び対応する太陽電池レシーバ（１２ａ〜１２ｊ）を備えた太陽電池モジュール（２０）。
【解決手段】太陽電池レシーバ（１２）は、１つ以上のIII−Ｖ属化合物半導体層を有する太陽電池（３０）、太陽電池（３０）に並列接続されたダイオード（１４）及び他の太陽電池レシーバに接続するためのコネクタ（４０）を含む。モジュールは、各レンズが太陽エネルギを各太陽電池（３０）に集中させるようにレンズ（２２ａ〜２２ｊ）を支持するハウジング（２１）を備えている。 （もっと読む）

【課題】セルやコンタクトラインの損傷を抑制することができる薄膜太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】双方向的に互いに並列接続された複数のセルストリングを備えるセルモジュールを備え、前記セルストリングは、コンタクトラインを通じて互いに直列接続された複数のセルを備え、前記セルは、表面電極、光電変換層及び裏面電極をこの順に重ねて備え、前記コンタクトラインは、隣接する２つの前記セルのうちの一方の表面電極と他方の裏面電極とを電気的に接続し、光源：キセノンランプ、放射照度：１００ｍＷ／ｃｍ²、ＡＭ：１．５、温度：２５℃という条件下における、前記セルモジュールの出力をＰ（Ｗ）、前記セルストリングの出力をＰｓ（Ｗ）、前記コンタクトラインの断面積をＳｃ（ｃｍ²）としたときに、（Ｐ−Ｐｓ）／Ｓｃが１０．７（ｋＷ／ｃｍ²）以下であり、Ｐが３８５Ｗ以下であることを特徴とする薄膜太陽電池モジュール。 （もっと読む）

【課題】セルやコンタクトラインの損傷を抑制することができる薄膜太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜太陽電池モジュールは、並列接続されたセルストリングを備えるセルモジュールを備え、前記セルストリングは、コンタクトラインを通じて互いに直列接続された複数のセルを備え、前記セルは、表面電極、光電変換層及び裏面電極をこの順に重ねて備え、前記コンタクトラインは、隣接する２つの前記セルのうちの一方の表面電極と他方の裏面電極とを電気的に接続し、光源：キセノンランプ、放射照度：１００ｍＷ／ｃｍ²、ＡＭ：１．５、温度：２５℃という条件下における、前記セルモジュールの出力をＰ（Ｗ）、前記セルストリングの出力をＰｓ（Ｗ）、前記コンタクトラインの面積をＳｃ（ｃｍ²）としたときに、（Ｐ−Ｐｓ）／Ｓｃが１０．７（ｋＷ／ｃｍ²）以下であり、Ｐｓが３０Ｗ以下であり、Ｐが９０Ｗ以上３８５Ｗ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】朝や夕方の極端な出力低下を抑制することができる積層型光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の積層型光電変換装置は、それぞれがｐｉｎ接合を有し且つシリコン系半導体からなる第１光電変換層、第２光電変換層及び第３光電変換層を光入射側からこの順に重ねて備え、光源：キセノンランプ、放射照度：１００ｍＷ／ｃｍ²、ＡＭ：１．５、温度：２５℃という条件下において、第１光電変換層の安定状態における短絡光電流は、第２光電変換層の安定状態における短絡光電流と第３光電変換層の安定状態における短絡光電流の何れよりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セルやコンタクトラインの損傷を抑制することができる薄膜太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜太陽電池モジュールは、並列接続された複数のセルストリングを備えるセルモジュールを備え、セルストリングは、コンタクトラインを通じて接続された複数のセルを備え、セルは、表面電極、光電変換層及び裏面電極を重ねて備え、コンタクトラインは、隣接する２つのセルのうちの一方の表面電極と他方の裏面電極とを電気的に接続し、隣接する２本の並列分割ライン間の間隔は一定でなく、標準照射条件下における、セルモジュールの出力をＰ（Ｗ）、セルストリングの出力をＰｓ（Ｗ）、コンタクトラインの断面積をＳｃ（ｃｍ²）としたときに、各セルストリングにおいて（Ｐ−Ｐｓ）／Ｓｃが１０．７（ｋＷ／ｃｍ²）以下であり、Ｐｓが３０Ｗ以下であり、Ｐが３８５Ｗ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 透明導電膜、光電変換ユニット、透明電極層、及び高反射電極層を備えた薄膜光電変換装置において、開放端電圧および曲線因子が改善された変換効率の高い薄膜光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 光入射側に位置する透光性絶縁基板上に形成される透明導電膜が、互いに組成の異なる複数の透明電極層の積層体であり、全て或いは少なくとも光電変換層に接する層の結晶構造が非晶質の酸化亜鉛であることにより、透明導電膜と非晶質光電変換層の界面において良好なオーミック接合を形成することが可能となり、薄膜光電変換装置の特性が向上することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高反射率および高テクスチャーを有する導電性光反射膜、ならびに、品質性および量産効率に優れた支持基板上に前記導電性光反射膜を備えた薄膜太陽電池用基板および薄膜太陽電池を提供すること。
【解決手段】導電性光反射膜は、Ａｇを主成分とし１種以上の易酸化金属元素を添加した合金層または前記合金層とＡｇ層との積層形態からなる層、および透明導電層からなり支持基板の全長にわたり、平均高さが２０〜６０ｎｍ、かつ平均高さの変化率が３０％未満の凹凸形状を有し、入射光に対して高い全反射率および高い散乱反射率を有する。また、薄膜太陽電池用基板は、支持基板と該支持基板上に形成された前記導電性光反射膜とからなる。さらに、薄膜太陽電池は、前記薄膜太陽電池用基板の導電性光反射膜上に、光電変換層および透明導電層を有し、導電性光反射膜が薄膜太陽電池の裏面電極を構成している。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の発生を抑制するとともに、透光性基板からの第２半導体層の剥離を抑制することができる太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】基板１の主面上に、受光面側導電層２、第１半導体層３、透明導電層４、第２半導体層５及び裏面側導電層６を順に備える太陽電池モジュールが、受光面側導電層２を分離する第１分離溝７ａと、第１半導体層３、透明導電層４及び第２半導体層５を分離する第２分離溝７ｂと、裏面側導電層６、第２半導体層５、透明導電層４及び第１半導体層３を分離する第３分離溝７ｃと、透明導電層４及び第１半導体層３を分離し、第１分離溝７ａに連続する透明導電層分離溝８とを備え、第１分離溝７ａ及び透明導電層分離溝８には第２半導体層５が充填され、第２分離溝７ｂには裏面側導電層６が充填され、透明導電層分離溝８の第１分離溝側７ａの幅は、第１分離溝７ａの透明導電層分離溝側８の幅よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体材料を有効に利用して光電変換特性に優れた、太陽電池に代表される光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板に接合させた単結晶半導体層の表面にパルスレーザビームを照射して、該単結晶半導体層の表面を凹凸化させることを要旨とする。支持基板に接合した単結晶半導体層に、窒素等の不活性気体と酸素を含む雰囲気中でパルスレーザビームを照射して単結晶半導体層の表面を凹凸化する。結晶半導体層の表面に凹凸構造があることにより光の反射が押さえられ、入射した光を閉じ込める効果を奏する。それにより、単結晶半導体層の厚さが、０．１μｍ〜１０μｍ以下であっても入射光の光路長が実質的に増大し、光の吸収量を増やすことができる。 （もっと読む）

【課題】接合される部材の構成材料によらず、２つの部材同士を高い寸法精度で強固に接合可能な接合方法、かかる接合方法により、２つの部材同士を強固に接合してなる接合体および半導体装置、および、前記半導体装置を備え、光電変換効率が高く容易に製造可能な光電変換素子を提供すること。
【解決手段】本発明の接合方法は、第１の基材２１と第１の接合膜３１とを備える第１の被着体４１と、第２の基材２２と第２の接合膜３２とを備える第２の被着体４２とを用意する工程と、各接合膜３１、３２にエネルギーを付与して、Ｓｉ−Ｈ結合を切断することにより、各接合膜３１、３２に接着性を発現させる工程と、各接合膜３１、３２同士が密着するように、各被着体４１、４２を貼り合わせる工程とを有する。ここで、第１の接合膜３１はＳｉ−Ｈ結合を含むアモルファスシリコンで構成され、第２の接合膜３２はＳｉ−Ｈ結合を含む多結晶シリコンで構成されている。 （もっと読む）

【課題】抵抗損失を増加させることなく、再結合損失を低減することができる光起電力素子を提供する。
【解決手段】光起電力素子１では、ｐ層４４とｉ層４６との間に中間ｐ層４５が設けられている。この中間ｐ層４５にあっては、ｐ層４４に対し、ＳＰ２／ＳＰ３結合比が大きくされており且つドープ量が少なくされている。そのため、中間ｐ層４５でもって、ｐ層４４からｉ層４６に不純物が拡散して再結合損失が増加するのを抑制できる。さらに、中間ｐ層４５においては、ｐ層４４に対し、ＳＰ２／ＳＰ３結合比が大きくされてため、ドープ量が少なくされていても膜抵抗を同程度とすることができる。これは、中間ｐ層４５において、ＳＰ２／ＳＰ３結合比を大きくすると、導体であるグラファイトに近いものとなってその膜抵抗が低下することから、少ないドープ量であっても従来と同程度の膜抵抗が維持されるためである。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を維持しながら、製造が容易で、コストが低くなる太陽電池パネルを提供する。
【解決手段】太陽電池パネルは、透光性基板１とセル層２とバスバー５と防水シート６と充填層３と保護層４と電極８とを具備する。セル層２は、透光性基板１上に設けられている。バスバー５は、セル層２の両極の各々に設けられている。防水シート６は、バスバー５上に金属膜２３と第１開口部２１ａを有する絶縁膜２１とがこの順に積層されている。充填層３は、セル層２、バスバー５及び防水シート６上に設けられている。保護層４は、充填層３上に設けられ、第１開口部２１ａの上方に、第１開口部２１ａより大きい第２開口部４ａを有する。電極８は、一端を第１開口部２１ａに露出した金属膜２３に接続され、他端を第２開口部４ａから引き出される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、透明導電膜の膜厚を増加せずに、低いシート抵抗と大きな凹凸を両立する光電変換装置用透明導電膜を提供することである。
【解決手段】 本発明によれば、透明導電膜が下地層の上に配置された光電変換装置用透明導電膜であって、該透明導電膜が各々ＳＩＭＳで測定した原子濃度の最大値として２×１０^１９個／ｃｍ^３以上のＢ原子、及び２×１０^２０個／ｃｍ^３以上のＨ原子を含む酸化亜鉛からなり、該透明導電膜は下地層側界面から所定位置のＨ原子濃度より下地層から遠い側の界面から所定位置のＨ原子濃度が低く、かつ該透明導電膜は下地層側界面から所定位置のＢ原子濃度より下地層から遠い側の界面から所定位置のＢ原子濃度が低いことによって課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】コストが安い電線形状の太陽電池で、光変換効率が高く、容量の大きい立体的太陽電池モジュールを得る。
【解決手段】補強線を有する導体電極表面に例えば多層タンデム構造の薄膜アモルファスシリコン層の光吸収起電力層とそれらに付随する各層総てを同心円筒状に積層するか、またはシート状のフレキシブル薄膜太陽電池を縦沿え合せ捲きにする。さらにこれらを光集中反射板を床、側面に設けた枠に立体的に架線しモジュール化する。また補強線を有する本太陽電池を既設の膨大な送、配、電話線等に添架したり、広大な砂漠や海岸、海上に長尺を架設する。 （もっと読む）

【課題】４接合で、デバイスを大面積化できる多接合型太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に形成された核生成サイトに基板２と同一材料からなる半導体２ａをワイヤー状に成長させる。半導体２ａ上に、よりバンドギャップの狭い半導体３，４，５，６を順次ワイヤー状に成長させる。基板２上に形成された核生成サイトに半導体３を直接ワイヤー状に成長させてもよい。核生成サイトは、基板２上に非晶質ＳｉＯ_２被膜８ａを形成し非晶質ＳｉＯ_２被膜８ａの一部をエッチングすることにより形成することが好ましい。また、基板２上の核生成サイトを除く領域に、非晶質ＳｉＯ_２被膜８ａを残存させることにより絶縁膜８を形成することが好ましい。半導体２ａはＧａＰ、半導体３はＡｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ、半導体４はＧａＡｓ、半導体５はＩｎ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ、半導体６はＩｎ_０．６Ｇａ_０．４Ａｓである。 （もっと読む）

【課題】溶液プロセスでの素子作製に適した溶媒可溶性を有しながら、成膜後に化学的安定性および半導体動作安定性が高く良好な半導体特性を示す、特定の置換基を有する化合物を用いて得られる有機半導体膜、およびその製造方法、該半導体膜を用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される置換基を有するπ共役系化合物を基板上に成膜する工程、及び該化合物から前記置換基を脱離させる工程を含む有機半導体膜の製造方法、並びにこれにより得られる有機半導体膜、有機電子デバイス。


（式中、Ｒ^１は水素原子以外の置換基を表す。） （もっと読む）