【課題】均一な膜厚、膜質の膜を形成できるプラズマ処理装置、及び均一な膜厚、膜質を有する光起電力素子を提供する。
【解決手段】基板を保持することが可能な第１電極３と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口４ａが形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極４とを備え、第２電極は、複数のガス供給口が同心円に沿って設けられると共に、隣接する同心円間の距離が内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置１を用いて、透明導電膜上に非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成する。 （もっと読む）

【課題】微小凹部を形成することにより、光電変換効率および安定性を向上させた、光電変換装置および光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板２と、ガラス基板２の主表面の少なくとも一部を覆い、基板側とは反対側の表面に凹凸形状を有する透明導電膜３とを備えている。また、透明導電膜３の凹凸形状の少なくとも一部を覆い、第１導電型を有するｐ層５と、ｐ層５を覆うｉ層６とを備えている。凹凸形状は、最大高さが５０ｎｍ以上１２００ｎｍ以下である凸部を有している。凸部は、表面に、局部山頂の間隔が２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である微小凹部を有している。ｐ層５は、微小凹部の底部上に形成された部分の層厚がこの底部上以外に形成された部分の層厚より大きい。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン層を発電層として含む光電変換装置において、フィルファクタを低下させることなく、開放電圧を向上させる。
【解決手段】ｐ型ドーパントを含むｐ型層４０、発電層となる微結晶シリコン層を含むｉ型層４２及びｎ型ドーパントを含むｎ型層４４の積層構造を備え、ｉ型層４２は、ｐ型層４０とｎ型層４４との間に設けられ、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚を有する微結晶炭化シリコン層４２ａを備える構造とする。 （もっと読む）

【課題】設置当初の状態から、経時的に太陽電池に用いる半導体が劣化していくことにより、太陽電池の出力が低下していくが、太陽電池としての最高出力を長期間に亘り一定に保持する太陽電池を提供する。
【課題を解決するための手段】複数の太陽電池素子を層状に積み重ねて形成した多重接合型太陽電池の受光面上に、透過率制御層が形成されるとともに、前記太陽電池素子に設けられた電極層と電気的に接続された制御ＩＣが該太陽電池素子に隣接させて形成されて、前記透光率制御層の透光率が、経時的に、小さな状態から大きくなるように前記制御ＩＣにより制御されることを特徴として多重接合型太陽電池を構成する。 （もっと読む）

【課題】レーザスクライブ法による太陽電池セル分離時における残余物質に起因した出力特性の低下が抑制された高品質の薄膜太陽電池およびその製造方法を得ること。
【解決手段】透光性絶縁基板１０上に、第１電極層１２と光電変換層１３と第２電極層１４とがこの順で積層されてなり、透光性絶縁基板１０よりも上部の層１２、１３、１４が分離溝２０、２１、２２により短冊状に分割された複数の薄膜太陽電池セルが配設された薄膜太陽電池の製造方法であって、遮光性材料からなる線形状のマスク層１１を分離溝２０、２１、２２により分割される層よりも下層または同層に形成し、マスク層１１を含む領域に透光性絶縁基板１０側からレーザ光を照射し、透光性絶縁基板１０の面内方向における一部分がマスク層１１によってマスクされることにより成形されたレーザ光により透光性絶縁基板１０よりも上部の層に分離溝を形成する。 （もっと読む）

【課題】多接合型薄膜太陽電池の特性を改善する。
【解決手段】少なくとも２層以上の光電変換層３，５を含む多接合型太陽電池において、隣り合う光電変換層どうしの間に形成された積層領域４に、該積層領域の平面方向に沿って島状に分布する、表面を酸化させた金属粒からなる中間反射構造体８を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率及び耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合された光電変換層を有する有機光電変換素子であって、前記光電変換層が、少なくとも下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する有機光電変換素子。


（式中、Ａ_１及びＡ_２は各々独立して、置換又は無置換の５〜６員のアリール又はヘテロアリール基から選ばれる基を表す。） （もっと読む）

【課題】低バンドギャップポリマーによる高い光電変換効率のため、高い曲線因子を提供しうるフラーレン誘導体含有の有機光電変換素子等を提供する。
【解決手段】対極と透明電極間に、下記一般式（１）の化合物含有の有機層を設ける。
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【課題】下層の光電変換素子に光を入射させる透光性を低下させることなく、接合部でのキャリア伝導性を向上させること。
【解決手段】透明電極層２と第１のｐ型半導体層３ａと第１のｉ型半導体層３ｂと第１のｎ型半導体層３ｃとが透光性絶縁基板１上に順次積層され、第１光電変換層３と、第１の中間層４ａと第２の中間層４ｂとが順次積層された中間層４と、第２のｐ型半導体層５ａと第２のｉ型半導体５ｂと第２のｎ型半導体層５ｃとが順次積層された第２光電変換層５と、裏面電極層６とを有し、中間層４は、第１の中間層４ａとしてｎ型半導体層３ｃのエネルギーバンドを負の方向へ傾斜させる透光性材料からなる層と、第２の中間層４ｂとしてｐ型半導体層５ａのエネルギーバンドを正の方向へ傾斜させる透光性材料からなる層を含み、第１光電変換層３と第２光電変換層５とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流が抑制されて変換効率が向上した光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、２つの発電セル層９１，９２を備える光電変換層３と、前記２つの発電セル層９１，９２の間に介在する中間コンタクト層５とを含む光電変換装置１００であって、前記中間コンタクト層５が、Ｇａ_２Ｏ_３が添加されたＺｎＯを主成分とし、かつ、窒素原子を含み、水素プラズマ曝露後の前記中間コンタクト層５のシート抵抗が、１ｋΩ／□以上１００ｋΩ／□以下とされる。 （もっと読む）

【課題】好適に成膜できる温度条件が異なる、複数の光電変換層を有する多接合型太陽電池の製造時間を短縮する方法を提供することである。
【解決手段】基板２上に異なる光電変換層５，６を複数備えた多接合型太陽電池１の基板２を同一の成膜室１４で連続的に製造する際に、第１の光電変換層５を形成するのに適した第１温度領域と、第２の光電変換層を形成するのに適した第２温度領域とが相違する場合において、成膜室１４に備えた加熱装置２３の設定を変えることによって、成膜室１４内の基板２の温度を任意に変更可能であり、前記基板２の第１の光電変換層５を形成中に、前記加熱装置２３の設定温度を、基板温度が第２温度領域に近付くように設定する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に対して精度の高い検査を、簡易にかつ確実に実施することができる検査装置を提供する。
【解決手段】少なくとも太陽電池モジュール２を構成する光電変換層１３が形成された透光性基板１１Ａが載せられる支持部と、光電変換層１３にエネルギを入力する入力部１４０と、入力されたエネルギに対する光電変換層１３の反応を測定する測定部１６０と、支持部に対して水平方向に相対移動可能とされ、入力部１４０および測定部１６０の一方が配置される移動部１５０と、支持部を上下方向に移動させ、透光性基板１１Ａと移動部１５０との間隔を変更する昇降部と、外光を遮蔽するとともに、支持部、昇降部、入力部１４０、測定部１６０および移動部１５０を内部に収納する暗室１１０と、が設けられ、入力部１４０および測定部１６０の他方は、支持部に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い長波長感度は保持したまま、開放電圧や形状因子の低下を抑制または向上させた光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ｉ層が、ｐ層側傾斜層が、結晶質シリコンと結晶質シリコンゲルマニウムとを含み、ｐ層側傾斜層中のゲルマニウム濃度が、結晶質シリコンゲルマニウム層に含まれるゲルマニウム濃度以下の濃度範囲で、ｐ層側結晶質シリコン層から結晶質シリコンゲルマニウム層に向かって段階的または単調にゲルマニウム濃度が増加し、ｐ層側結晶質シリコン層の膜厚が、ｐ層側結晶質シリコン層の膜厚とｐ層側傾斜層の膜厚との和に対して３０％以上５０％以下の厚さであり、ｐ層側結晶質シリコン層の膜厚とｐ層側傾斜層の膜厚との和が、ｐ層側結晶質シリコン層の膜厚と、ｐ層側傾斜層の膜厚と、結晶質シリコンゲルマニウム層の膜厚との和に対して２０％以上５０％以下である光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】高い曲線因子、開放電圧及び光電変換効率を有し、かつ耐久性に優れた有機光電変換素子と、それを構成要素として組み込んだ太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、該陰極と陽極の間に、下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物を含有する層を有することを特徴とする有機光電変換素子。
【化１】
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【課題】積層型の光電変換装置において中間層の両側に位置する光電変換層間の導電性を向上させること。
【解決手段】非晶質Ｓｉ光電変換層４と微結晶Ｓｉ光電変換層６とに挟まれた中間層５は、非晶質Ｓｉ光電変換層４側の界面に正の固定電荷を持った正電荷保持酸化アルミニウム層５ａ、反対側の微結晶Ｓｉ光電変換層６側の界面に負の固定電荷を持った負電荷保持酸化アルミニウム層５ｂとする２層構造とする。 （もっと読む）

【課題】透明電極層から微結晶シリコンｐ層への酸素の拡散を抑制することで、高い発電効率を有する光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、少なくとも１つの光電変換層３とを備え、前記光電変換層３が、ｐ型結晶質シリコン層４１と、ｉ型結晶質シリコン層４２と、ｎ型シリコン層４３とを含み、前記透明電極層２と前記ｐ型結晶質シリコン層４１との間に、非晶質シリコン層７が隣接して配置される光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】基板面内にヘイズ率の分布がある透明電極付き基板を用いても、電池出力を低下させない光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上に形成され、該基板１と反対側の面に凹凸を有する透明電極層２と、該透明電極層２上に、スパッタ法によって形成されたシリコンを主とする膜７と、該シリコンを主とする膜７上に、基板１側から順にｐ層とｉ層とｎ層、または、ｎ層とｉ層とｐ層とを積層させた光電変換層３とを備える光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、低温かつ大気圧下でｐ−ｉ−ｎ積層構造を有するバルクへテロジャンクション型の有機光電変換素子の製造方法、この有機光電変換素子を用いた太陽電池及び光アレイセンサを提供することにある。
【解決手段】陰極、陽極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクへテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、前記陰極と陽極の間に、２座以上で金属と配位可能な配位子部分を分子内に２以上有する化合物（ａ）と、２価以上の金属イオン（ｂ）とを含有し、前記化合物（ａ）と金属イオン（ｂ）の配位によって形成された架橋構造を有する有機層を有することを特徴とする有機光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】良好な耐プラズマ還元性を有するとともに、透明導電膜／光電変換層界面での反射損失を抑制することができる光電変換装置の製造方法、及び、電池特性が改善された光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、順に透明電極層２と、酸化チタンを主に含む酸化チタン層５１と、酸化亜鉛を主に含む酸化亜鉛層５２と、光電変換層３とを形成する光電変換装置１００の製造方法であって、入射光のスペクトルと光電変換層３の量子効率との積である重み関数を算出し、所定の膜厚の酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２を透過する光のスペクトルと、算出された重み関数とから、所定の膜厚の酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２を透過する光の平均透過率を算出し、算出された平均透過率と、酸化チタン層５１の還元防止効果を考慮した酸化亜鉛層５２の膜厚範囲に基づいて、形成する酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２の膜厚を決定する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの面内における微結晶シリコン膜の結晶性の不均一性による特性の低下を抑制する。
【解決手段】光電変換ユニット１４に微結晶シリコン膜のｉ型層を発電層として含み、そのｉ型層は、面内において第１の領域３０と、第１の領域３０より結晶化率が低い第２の領域３２とを有しており、太陽電池モジュール１００の端子ボックス２４へのタブ電極２２を第２の領域３２に重畳させて配置する。 （もっと読む）