【課題】本発明は、放熱性に優れた光電変換装置及び光電電変換モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換装置２であって、素子搭載基板５と、素子搭載基板５の上面の中央領域に設けられる光電変換素子７と、素子搭載基板５の上面に設けられ、光電変換素子７を取り囲むとともに、下部が中央領域から中央領域の外周に位置する周辺領域に向かって延在して素子搭載基板５の上面と接合される枠体１０と、枠体１０の上部と接合されるとともに、光電変換素子７と重なる領域に設けられる集光部材９と、素子搭載基板５の下面に設けられ、平面透視して枠体１０と重なる領域に設けられる導電性部材１１と、を備え、枠体１０と導電性部材１１の熱膨張係数が、素子搭載基板５の熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】特性に優れた多接合型化合物半導体太陽電池を提供する。
【解決手段】第１電極、第１セル、バッファ層、第２セル、第２電極を少なくとも積層し、第２セルの格子定数は第１セルの格子定数よりも大きく、バッファ層の複数の半導体層の格子定数は、第１セル側から第２セル側にかけて順に大きくなり、第２セルに最も近い半導体層の格子定数は、第２セルの格子定数より大きく、複数の半導体層のうち、隣接する２層の格子定数差が最も大きくなる２層は、バッファ層の中央より第１セルに近い側に位置している多接合型化合物半導体太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱性に優れた光電変換装置、光電変換素子収納用パッケージ及び光電電変換モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換装置２であって、導電層７が設けられた素子搭載基板５と、素子搭載基板５上に設けられるとともに、導電層７と電気的に接続される複数の光電変換素子９と、素子搭載基板５上に光電変換素子９を囲むように配置される枠体６と、枠体６と接合されるとともに、複数の光電変換素子９と対応するように配置される複数の集光部を有した集光材１０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽光の吸収層を傾斜組成構造とすることにより光電変換効率を大幅に改善できる接合型太陽電池を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板２２上に形成されたバッファ層２３上に、ＩｎＡｓ_0.4Ｐ_0.6からＩｎＰに徐々に組成を変化させながらｐｎ接合を形成した傾斜組成構造を有するＩｎＡｓ_zＰ_1-zセル層２４が積層され、その上にトンネル接合層を介してＩｎＰからＩｎ_0.52Ｇａ_0.48Ｐに徐々に組成を変化させながらｐｎ接合を形成した傾斜組成構造を有するＩｎ_yＧａ_1-yＰセル層２７が積層され、その上にトンネル接合層を介してＩｎ_0.8Ａｌ_0.2ＰからＩｎ_0.56Ａｌ_0.44Ｐに徐々に組成を変化させながらｐｎ接合を形成した傾斜組成構造を有するＩｎ_xＡｌ_1-xＰセル層３０が積層され、この化合物半導体混晶が、光の入射方向からバンドギャップが徐々に小さくなるような傾斜組成構造を有している。 （もっと読む）

【課題】中間ナローバンドギャップ層をトンネル接合領域に有し、光電変換効率を大幅に改善するようにした多接合型太陽電池を提供すること。
【解決手段】ｐ型Ｇｅ基板を含む下部セル層１２と、第２のトンネル接合層１４と、ＩｎＧａＡｓからなる中間セル層１５と、第１のトンネル接合層１６と、ＩｎＧａＰからなる上部セル層１７と、表面電極１８とで構成され、第２のトンネル接合層１４は、Ｓｉドープのｎ型ＩｎＧａＰ層１４１とＣドープのｐ型ＡｌＧａＡｓ層1４２とで挟持された中間ナローバンドギャップ層であるＩｎＳｂ層１４ａからなり、第１のトンネル接合層１６は、Ｓｉドープのｎ型ＩｎＧａＰ層１６１とＣドープのｐ型ＡｌＧａＡｓ層１６２とで挟持された中間ナローバンドギャップ層であるＩｎＳｂ１６ａからなっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、集光性に優れた光電変換装置、光電変換素子収納用パッケージ及び光電変換モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換装置２であって、素子搭載基板５と、素子搭載基板５の一主面に設けられる光電変換素子９と、素子搭載基板５の一主面に光電変換素子９を取り囲むように設けられる枠体１０と、枠体１０に接合されるとともに、光電変換素子９の上方に空間ＳＰを介して設けられる集光部材１１と、平面透視して、枠体１０で囲まれる領域内であって、素子搭載基板５の他主面に当接して設けられる熱伝導性基板１２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 効率良く低コストで生産が可能なInGaP/GaAs/Si３接合構造の太陽電池層を含むタンデム太陽電池を提供する。
【解決手段】 InGaP/(In)GaAs/Si３接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、(In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの外周側面に力が作用した場合でも，ｐｎ接合の破壊を抑制して、太陽電池セルの発電能力を安定して維持することができる、太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の結晶系半導体で形成された基板１と、基板１上に積層された第１導電型の第１半導体層３Ａ，３Ｂ、および、第１半導体層３Ａ，３Ｂとの境界にｐｎ接合部９Ａ，９Ｂを形成するように第１半導体層３Ａ，３Ｂの上面に積層された、第２導電型の第２半導体層４Ａ，４Ｂを含む積層体とを備えている。基板１は、その主表面から所定の深さにかけて第２導電型の拡散層１Ｂが設けられ、拡散層１Ｂとの境界にｐｎ接合部８Ａ，８Ｂが形成された第１導電型領域１Ａを有している。太陽電池セルの周縁に、積層体の上部から、基板１内のｐｎ接合部８Ａ，８Ｂより下方まで溝部１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】特性に優れた化合物半導体太陽電池およびその化合物半導体太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の化合物半導体光電変換セルと、第１の化合物半導体光電変換セル上に設置された第２の化合物半導体光電変換セルと、第１の化合物半導体光電変換セルと第２の化合物半導体光電変換セルとの間に設置された化合物半導体バッファ層とを備え、第１の化合物半導体光電変換セルと化合物半導体バッファ層とは隣り合う位置に設置されており、第１の化合物半導体光電変換セルと、化合物半導体バッファ層を構成する化合物半導体層のうち第１の化合物半導体光電変換セルに最も近い位置に設置されている化合物半導体層との格子定数差比が０．１５％以上０．７４％以下である化合物半導体太陽電池とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】反転変性多接合電池構造を製造するための商業的に確立された製造方法を使用して、商業的に実用的でエネルギー効率の高い太陽電池を製造すること。
【解決手段】第一バンドギャップを有する上方の第一太陽補助電池と、該第一太陽補助電池に隣接して、該第一バンドギャップより小さい第二バンドギャップを有する第二太陽補助電池と、該第二太陽補助電池に隣接し、該第二バンドギャップより大きい第三バンドギャップを有する第一の勾配中間層と、該第一の勾配中間層に隣接し、該第二バンドギャップより小さい第四バンドギャップを有し、該第二補助電池に対して格子非整合状態の第三太陽補助電池とを含む多接合型太陽電池である。第二の勾配中間層は、該第三太陽補助電池に隣接して、該第四バンドギャップより大きい第五バンドギャップを有し、下方の第四太陽補助電池は、該第二の勾配中間層に隣接して、該第四バンドギャップより小さい第六バンドギャップを有し、該第三補助電池に対して格子非整合であるように構成される。 （もっと読む）

【課題】太陽電池を製造する新規な方法を提供すること。
【解決手段】第一基板を準備し、該第一基板上に半導体物質の順に重ねられた層を堆積して太陽電池を形成し、順に重ねられた層の上部の半導体層と実質的に類似する熱膨張係数を有する物質から構成される代替第二基板を取り付けて、接着し、第一基板を取り除くことにより太陽電池を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率などの特性に優れた光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体層と、半導体層の表面に接するように設置された誘電体膜とを含み、誘電体膜は、半導体層との界面近傍に、正または負の固定電荷となる不純物を有し、誘電体膜の表面上に透明導電膜を有しており、キャリアがトンネル効果によって誘電体膜を移動して透明導電膜から外部に取り出される光電変換装置である。 （もっと読む）

【課題】電気エネルギへの変換効率の向上が図られる化合物太陽電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルＴとなる各層が形成される。そのトップセルＴ上にミドルセルＭとなる各層が形成される。そのミドルセルＭ上にボトムセルＢとなる各層が形成される。次に、ボトムセルＢの表面に裏面電極９が形成される。次に、ワックスによりガラス板と裏面電極とが張り合わされる。次に、ガラス基板に支持されたＧａＡｓ基板１をアルカリ溶液に浸漬することによって、ＧａＡｓ基板１が除去される。その後、トップセルＴの表面に表面電極が形成される。最後に、ガラス基板が裏面電極から分離される。 （もっと読む）

【課題】メタモルフィック層を含む多接合ソーラーセルを提供する。
【解決手段】上部サブセル、中間サブセル及び下部サブセルを備えた倒置型メタモルフィック多接合ソーラーセル及びその製造方法であって、半導体材料のエピタキシャル成長のための第１基板を準備し、第１バンドギャップを有する上部の第１ソーラーサブセルを基板上に形成し、第１バンドギャップより小さな第２バンドギャップを有する中間の第２ソーラーサブセルを第１ソーラーサブセルの上に形成し、第２バンドギャップより大きな第３バンドギャップを有するグレード付けされた中間層を第２サブセル上に形成し、そして第２バンドギャップより小さな第４バンドギャップを有する下部の第３ソーラーサブセルをグレード付けされた中間層の上に形成し、この第３サブセルは、第２サブセルに対して格子不整合し、これらソーラーサブセルの少なくとも１つがヘテロ接合ベース／エミッタ層を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】ソーラーセル当たり１５ワット以上のピークＤＣ電力を発生する地上発電用のIII−Ｖ化合物半導体多接合ソーラーセルを提供する。
【解決手段】太陽からエネルギを生成するための集光型光起電性ソーラーセルが開示される。この集光型光起電性ソーラーセルは、５００Ｘより大きい集光度を生成するための集光レンズと集光される光のビームの経路に配置されたソーラーセルとを具備し、このソーラーセルは、第１の光活性接合を含み、底部のソーラーサブセルを形成する、ゲルマニウム基板と、該基板の上に配置された砒化ガリウムの中間サブセルと、ＡＭ１.５スペクトル領域における吸収を最大化するバンドギャップ、７０００オングストロームを超える厚さ、及び、３３０オーム／平方未満のシート抵抗を有し、２０個の太陽より大きな集光レベルで動作するように構成された、該中間サブセルの上に配置された燐化インジウムガリウムの上部サブセルと、を含む。 （もっと読む）

【課題】メタモルフィック層を含む多接合ソーラーセルを提供する。
【解決手段】上部サブセル、中間サブセル及び下部サブセルを含む多接合ソーラーセルを製造する方法は、半導体材料のエピタキシャル成長のために第１の基板を準備し、第１のバンドギャップを有する第１のソーラーサブセルを基板上に形成し、第１のバンドギャップより小さい第２のバンドギャップを有する第２のソーラーサブセルを第１のソーラーサブセルの上に形成し、第２のバンドギャップより大きい第３のバンドギャップを有するグレーディングインターレイヤを第２のサブセル上に形成し、第２のバンドギャップより小さい第４のバンドギャップを有する第３のソーラーサブセルをグレーディングインターレイヤの上に形成して、第３のサブセルが第２のサブセルに対して格子不整合となるようにし、前記ベースのうちの少なくとも１つが指数関数的にドープされたプロフィールを有するようにする。 （もっと読む）

【課題】高効率の積層型化合物半導体太陽電池を提供する。
【解決手段】半導体基材と、半導体基材上に形成された化合物半導体からなる太陽電池層と、を含み、太陽電池層の格子定数と、半導体基材の格子定数とが異なっており、半導体基材と太陽電池層との間にＶ族元素としてヒ素（Ａｓ）を含有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層を有し、バッファ層の格子定数が、半導体基材の格子定数と太陽電池層の格子定数との間の値である積層型化合物半導体太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を実現する太陽電池を提供すること。
【解決手段】基板と、上記基板上に形成され、ｎ型半導体及びｐ型半導体の接合構造である複数のナノワイヤ構造体を有するエネルギー吸収層及び夫々上記ｎ型半導体及びｐ型半導体と電気的に連結されるように形成されたｎ型電極及びｐ型電極を含む太陽電池を提供する。ナノワイヤ構造体を採用することで、太陽スペクトラムの略全範囲に該当する光を吸収することができ、エピタキシャル成長工程を代替することができるため、結晶欠陥のようなエピタキシャル層の不利益な問題も解決することができる。 （もっと読む）

【課題】メタモルフィック層を含む多接合ソーラーセル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上部サブセル、中間サブセル及び下部サブセルを含む多接合ソーラーセルを製造する方法であって、半導体材料のエピタキシャル成長のために第１基板を準備し、第１バンドギャップを有する第１ソーラーサブセルを基板上に形成し、第１バンドギャップより小さい第２バンドギャップを有する第２ソーラーサブセルを第１ソーラーサブセルの上に形成し、貫通転位を防止するために第２サブセルの上にバリア層を形成し、第２バンドギャップより大きな第３バンドギャップを有するグレーディング中間層をバリア層の上に形成し、第２バンドギャップより小さい第４バンドギャップを有する第３ソーラーサブセルであって、第２サブセルに対して格子不整合している第３サブセルをグレーディング中間層の上に形成するステップを含む方法が、開示される。 （もっと読む）

【課題】改良された多接合ソーラーセルを提供する。
【解決手段】多接合ソーラーセルは、第１のバンドギャップを有する第１のソーラーサブセルと、この第１のサブセル上に配置され、第１のバンドギャップより小さい第２のバンドギャップを有する第２のソーラーサブセルと、この第２のサブセル上に配置され、第２のバンドギャップより大きい第３のバンドギャップを有するグレーディングインターレイヤーと、このインターレイヤー上に配置され、中間サブセルに対して格子不整合され、且つ第２のバンドギャップより小さい第４のバンドギャップを有する第３のソーラーサブセルと、これら第１、第２及び第３のソーラーサブセルを支持する薄い（約２−６ミル）基板及び／又は堅個なカバーガラスと、を備えている。 （もっと読む）