【課題】太陽光スペクトルの吸収波長領域を広げ、赤外線などの長波長光によっても高度に増感され、エネルギー効率を向上することができる光電変換デバイスとして極めて有用な新規な半導体電極を提供する。
【解決手段】色素増感型の多孔質半導体電極において、半導体がタングステン酸化物、モリブデン酸化物、またはタングステンおよびモリブデンの少なくとも１つの元素を含む化合物であり、色素が塩基性のアンカー基たとえばアミノ基またはピリジン基である上記半導体電極。 （もっと読む）

【課題】予備加熱工程において脱ガス不十分な領域の発生、基板の皺の発生や寸法変化等の問題を抑制しつつ、光電変換層中の膜中不純物量低減を図ること。
【解決手段】真空槽からなる共通室２０５に、正規に光電変換層を製膜する前に可撓性基板２００を加熱して脱ガス化する予備加熱室２０３と、可撓性基板２００に多層の光電変換層１ｄを製膜する複数の独立した製膜室２０２とを備えた光電変換素子の製造装置であり、製膜室２０２で製膜する光電変換層１ｄのうち最も基板温度が高い層を製膜する際の製膜室２０２のヒーター温度及びガス圧力より高いヒーター温度及びガス圧力を予備加熱室２０３での予備加熱時に設定する。 （もっと読む）

【課題】有機膜を構成要素とし、高効率・高出力で発電する光電変換素子、その製造方法、及び太陽電池を提供する。
【解決手段】照射光を吸収して励起した電子を界面で接する電子輸送相(22)に注入する第１光吸収相(21)と電子輸送相(22)とが混在する混合膜(20)と、混合膜(20)を間に配置して相互に対向して設けられる正極層(11)及び負極層(12)とを、備える光電変換素子において、照射光を吸収して励起した電子を界面で接する混合膜(20)に注入するとともに膜厚が０．１ｎｍから１００ｎｍの範囲で正極層(11)の側に設けられる第２光吸収薄膜(30)を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、その上に成膜する半導体層に欠陥を生じさせず、光閉じ込め効果の高い太陽電池用光散乱膜および太陽電池用光学部材、および変換効率が高い太陽電池を提供することを目的とする。
【解決手段】マトリックス樹脂中に、前記マトリックス樹脂よりも屈折率が低い散乱粒子が分散されてなる平坦面２ｂを有する太陽電池用光散乱膜２であって、前記光散乱膜２の透過率が７０％以上であり、前記マトリックス樹脂と前記散乱粒子との屈折率差が０．１０〜０．１３であり、前記散乱粒子の平均粒径が１．０〜１０．０μｍであることを特徴とする太陽電池用光散乱膜２を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、その上に成膜する半導体層に欠陥を生じさせず、光閉じ込め効果の高い太陽電池用光散乱膜および太陽電池用光学部材、および変換効率が高い太陽電池を提供することを目的とする。
【解決手段】マトリックス樹脂中に、前記マトリックス樹脂よりも屈折率が低い散乱粒子が分散されてなる平坦面２ｂを有する太陽電池用光散乱膜２であって、前記光散乱膜２の透過率が７０％以上であり、ヘイズ率が５７〜９０％であることを特徴とする太陽電池用光散乱膜２により、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】朝や夕方の極端な出力低下を抑制することができる積層型光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の積層型光電変換装置は、それぞれがｐｉｎ接合を有し且つシリコン系半導体からなる第１光電変換層、第２光電変換層及び第３光電変換層を光入射側からこの順に重ねて備え、光源：キセノンランプ、放射照度：１００ｍＷ／ｃｍ²、ＡＭ：１．５、温度：２５℃という条件下において、第１光電変換層の短絡光電流は、第２光電変換層の短絡光電流と第３光電変換層の短絡光電流の何れかよりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明電極／ｐ型半導体層の界面での膜剥離が生じ難い光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、透光性基板上に、透明電極、少なくとも１つの光電変換層及び裏面電極をこの順に重ねて備え、前記少なくとも１つの光電変換層は、それぞれ、ｐｉｎ接合を有し且つシリコン系半導体からなり、前記透明電極は、ＳｎＯ₂を含む材料からなり、前記透明電極に接するｐ型半導体層は、前記透明電極側から順にｐ型微結晶層及びｐ型非晶質層を重ねて備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 太陽光を集める集光レンズと集光された太陽光によって発電する太陽電池とから成る集光型太陽電池モジュールであって、小型・軽量でポータブルな電源装置として利用できる集光型太陽電池モジュールの提供。
【解決手段】 フレネルレンズ１とＳｉ単結晶太陽電池２との間に透明性板状基体３を配置した構造とし、複数のフレネルレンズ１，１・・を上記透明性板状基体３の表面に接着し、そして複数のＳｉ単結晶太陽電池２，２・・を透明性板状基体３の裏面に接着した構造としている。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧性と耐候性に優れた薄膜太陽電池を簡便かつ低コストで製造し得る方法を提供する。
【解決手段】薄膜太陽電池の製造方法において、透光性絶縁基板（１）の一主面の全領域を覆うように、表面凹凸を有する透光性絶縁下地層（２）を形成し、その透光性絶縁下地層の全周縁エッジから所定幅の内側までの全周縁領域を覆うマスク（１１）を設け、そのマスクの内側領域内において、透光性の酸化亜鉛電極層（３）、半導体光電変換層（４）、および裏面電極層（５）を順次堆積し、その後にマスクを除去し、さらに裏面電極層および透光性絶縁下地層の全周縁領域を覆うように裏面保護層（６１、６２）を接合させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】
大面積基板を対象にしたＶＨＦ帯域におけるプラズマの生成及びそのプラズマ表面処理への応用において、一対の電極間以外でのプラズマ発生及び異常放電を抑制し、電力損失の防止及び大面積・均一のプラズマ表面処理化が可能であるプラズマ表面処理装置及びプラズマ表面処理方法を提供すること。
【解決手段】
ＶＨＦの電力供給装置、電流導入端子及び一対の電極のそれぞれの伝送回路としての特性を略平衡伝送回路に等しい特性としたことを特徴とするプラズマ表面処理装置及び方法。該電流導入端子は、真空容器の壁を貫通しその壁に設置された管状導体に設置された互いに誘電体で絶縁された２枚の長方形板状導体の一方の端部を真空側に配置し、他方の端部を大気側に配置するとともに、該管状導体の一方の端部と平衡不平衡変換装置のアースシールド箱を密着させるという構成とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線材と太陽電池との接触抵抗を低減し、出力特性の低下を防ぐ。
【解決手段】太陽電池モジュール１を構成する太陽電池１０は、光電変換部２０と受光面側細線電極３０と、裏面側細線電極３１とを備え、太陽電池１０を構成する光電変換部２０の受光面に形成される受光面側細線電極３０は、配線材４０と接合される第１部分３０ａと、配線材４０に接合されない第２部分３０ｂとを有し、第１部分３０ａの基板の表面（受光面）からの高さが第２部分３０ｂの受光面からの高さよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 変換効率を高めるとともに、低コスト化が可能で、しかも光劣化や熱劣化による耐候性の問題点を大幅に軽減し得、また、電流ミスマッチによる損失を抑制することのできる積層型光電変換装置を得ること。
【解決手段】 積層型光電変換装置１は、導電性基板３１上に、色素の増感作用により光電変換を行う色素増感型光電変換体３と、透光性電極層４と、光電変換を行う非単結晶の半導体層を有する透光性の薄膜型光電変換体２とが積層されており、色素増感型光電変換体３と薄膜型光電変換体２とが電気的に並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】光起電モジュール中のホットスポットの形成を防ぐ方法が提供される。
【解決手段】複数のセルを含んでおり、各セルが基板、透明導電体層、光起電層、および背面電極層を有し、該光起電層が少なくとも１のｐ−ｉ−ｎまたはｎ−ｉ−ｐシリコン層を含んでいる光起電（ＰＶ）モジュールにおいて、当該シリコン層が１ｃｍ^２当たり１０〜１０００個の再結晶化シリコンの導電性スポットを含んでおり、各導電性スポットが独立に１０〜２５００μｍ^２の表面を有することを特徴とする上記の光起電モジュール。該ＰＶモジュールは、ｐ−ｉ−ｎまたはｎ−ｉ−ｐシリコン層が局所的に加熱され、それによって当該シリコンがこれらのスポットにおいて転移され、その後該シリコンがこれらのスポットにおいて転移された状態において放置固化する方法によって得られることができる。 （もっと読む）

【課題】光による劣化を防止しつつ、変換効率の高い多接合型光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ型シリコン系半導体の層、ｉ型シリコン系半導体の層及びｎ型シリコン系半導体の層を積層したｐｉｎ接合を有する光電変換層を複数積層した多接合型光電変換装置であって、光の入射側に設けられた入射部の光電変換層は、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンカーボン、およびアモルファスシリコンゲルマニウムからなる群より選択されるいずれかを有し、光の入射側に対して反対側に設けられた底部の光電変換層は、微結晶シリコンゲルマニウムを有する。 （もっと読む）

太陽電池の分野に関する。詳細には、太陽電池の効率を改善するための装置および方法、並びにその太陽電池に関する。一態様は、自然のバンドギャップNB(NB2,NB3,NB4,NB5,NB6,NB7)を持つ半導体層(11,12,13,14,15,16,17)を持つ太陽電池を含む。この半導体層はまた、層内に周囲電圧V(V1,V2,V3,V4,V5,V6,V7)を生成するよう設計される、少なくとも１つの電極(100,101,110,111,120,121)も有する。従って、入射光子は、本明細書では見かけのバンドギャップと呼ばれる、修正されたＮＢ−Ｖ＝Ｂバンドギャップ(B1,B2,B3,B4,B5,B6,B7)を経験する。Ｅ＞Ｂ１を持つ光子は、バンドギャップＢ内に吸収され、半導体価電子帯内の電子は、伝導帯に励起され、このようにして光電流をもたらすであろう。本発明によると、見かけのバンドギャップＢを調整できることは、入射光子収集を最適化するために非常に大きな強みを提供する。
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【課題】エレクトロルミネセンスデバイスの光出力や光起電力デバイスの電流出力を増大させる。
【解決手段】表面を有する基板１００と、第１のタイプの半導体材料の第１の半導体層１０２と、第２のタイプの半導体材料の第２の半導体層１０８と、第１の電極１１４と、第２の電極１１６とを有する、横型構成電気光学デバイス。第１の半導体層の下面は、基板の表面の一部分に結合されている。第２の半導体層の下面は、第１の半導体層の上面に結合されて接合を形成する。第１の電極は、第１の半導体層の一方の側面１０６に直接電気的に結合され、第２の電極は、第２の半導体層の反対側の側面１１２に直接電気的に結合されている。これらの電極は、第１の半導体層の下面および／または第２の半導体層の上面がこれらによって実質的に塞がれないように構成される。 （もっと読む）

【課題】 耐候性（光劣化や熱劣化）の問題を大幅に軽減しまたは解消し得る薄膜型非晶質シリコン系の光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 光電変換装置は、透光性基板２と、透光性基板２の一主面に形成された透光性導電層３と、透光性導電層３上に形成された第１導電型非晶質シリコン半導体層４と、第１導電型非晶質シリコン半導体層４上に形成された真性型非晶質シリコン半導体層５と、真性型非晶質シリコン半導体層５上に形成された第２導電型非晶質シリコン半導体層６と、第２導電型非晶質シリコン半導体層６上に複数の島状に形成された触媒層７及び触媒層７間に形成されたシランカップリング層８と、触媒層７及びシランカップリング層８と間隔をあけて対向するよう配置された対極側構造体２０と、触媒層７及びシランカップリング層８と対極側構造体２０の間に設けられた電荷輸送層９とを具備している。 （もっと読む）

【課題】出力の低下が発生するのを抑制することが可能な太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】この太陽電池モジュール１は、表面電極層３と、表面電極層３の表面上に形成されるアモルファスシリコン層からなる光電変換層４および微結晶シリコン層からなる光電変換層５より構成される発電層６と、発電層６の表面上に形成される裏面電極層７とが積層された互いに隣接するセル１０ａおよびセル１０ｂを備え、セル１０ａの表面電極層３ａとセル１０ｂの裏面電極層７ｂとは、電気的に接続されており、発電層６の所定の領域には、発電層６の全体としての厚みよりも小さい厚みを有する応力緩和溝５ｆが形成されている。 （もっと読む）

本発明は改良された高効率太陽電池に関する。この改良はシリコンセルの追加を含み、太陽電池の活性領域の少なくとも一部を囲んでいる。シリコンセルは、太陽電池の活性領域を完全に囲んでいるのが好ましい。シリコンセルはスカベンジャーセルとして働き、太陽電池の他の構成要素では吸収されないであろう光を吸収し、そのエネルギーを電気に変換する。
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【課題】耐熱性を向上させ信頼性、耐候性を向上させた太陽電池、このような太陽電池を備える集光型太陽光発電モジュール、集光型太陽光発電ユニット、およびこのような太陽電池を製造する太陽電池製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池１０は、集光レンズ４２により集光された太陽光Ｌｓ（太陽光Ｌｓｂ）を光電変換する太陽電池素子１１と、太陽電池素子１１が載置されたレシーバ基板２０と、太陽電池素子１１を樹脂封止する樹脂封止部３３と、樹脂封止部３３の集光レンズ４２側の面を被覆する透光性被覆板３２とを備える。透光性被覆板３２の樹脂封止部３３に対向する面にレシーバ基板２０への太陽光Ｌｓの照射を防止する反射部３５を備える。反射部３５には、集光された太陽光Ｌｓｂの光路範囲ＬＲＲに対応する領域に太陽電池素子１１（有効受光面領域）と相似形に形成された光透過窓３５ｗが形成してある。 （もっと読む）