【課題】格子不整合系の多接合型太陽電池において、格子定数の差に起因した応力を緩和して結晶欠陥の少ない太陽電池セルを形成し、高い発電効率を得ることが可能な多接合型の太陽電池を得ること。
【解決手段】本発明における太陽電池１００は、第１の太陽電池セル１０と、第１の太陽電池セル１０上に形成された中間領域２と、中間領域２上に形成された第２の太陽電池セル４０とを備える。中間領域２は、第１の太陽電池セル１０の表面上に分散して配置され、第１の太陽電池セル１０と第２の太陽電池セル４０との格子定数の差に起因する応力を緩和する応力緩和部２１を有する。 （もっと読む）

【課題】歩留まり良く安定的に耐電圧性及び光電変換効率に優れた光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１は、Ａｌを主成分とする金属基材の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜を有する基板１０上に、Iｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とからなる化合物半導体を含み、光吸収により電流を発生する光電変換層３０と、電流を取り出す電極２０，５０とを備えたものであり、金属基材中のＦｅ含有量が０．０５〜１．０質量％であり、かつ、金属基材の断面における、最小径が０．３μｍ以上であり、最小径と最大径の和を２で割った値が０．５〜２．５μｍであるＦｅ含有クラスターの数が１，５００〜４０，０００個／ｍｍ^２である。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率に優れた薄膜太陽電池セルおよび薄膜太陽電池を得ること。
【解決手段】透光性絶縁基板２上に、透明導電膜からなる第１電極層３と、半導体膜からなり光電変換を行う光電変換層４ａ、４ｂ、４ｃと、透明導電膜からなる第２電極層５と、光を反射する裏面反射層６と、光学的に透明な微粒子７と、前記微粒子７を覆う光学的に透明な絶縁層８と、がこの順で積層され、前記透光性絶縁基板２側から入射して前記裏面反射層６を透過した入射光が、前記微粒子７内に入射し、該微粒子７内で反射することにより前記裏面反射層６および前記第２電極層５を通過して前記光電変換層４に再入射する。 （もっと読む）

【課題】第２セル層の膜厚を、より高精度で計測可能な方法及び膜厚計測装置、並びに、該膜厚計測方法を用いて、基板面内で膜厚が均一になるように第２セル層を製膜する光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】透明電極層及び光電変換層が形成された基板面内の任意の位置における透過率と、予め測定された透明電極層ヘイズ率及び第１セル層膜厚とに基づき、第２セル層の膜厚を算出する工程とを含む膜厚計測方法。該膜厚計測方法により第２セル層の膜厚を算出する第２セル層膜厚算出部を備える膜厚計測装置。該膜厚計測方法に基づき、基板面内の任意位置における第２セル層の膜厚を算出する工程と、第２セル層の膜厚が許容膜厚範囲から外れる場合に、第２セル層製膜条件を調整する工程とを含む光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有し光電変換効率の高いシリコン系薄膜光電変換装置を、簡易な製造装置を用いて低コストでかつ高効率で製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法の第一の形態は、第１のｐ型半導体層、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層および第１のｎ型半導体層を有する非晶質型ｐｉｎ構造積層体を形成する工程と、第２のｐ型半導体層、ｉ型結晶質シリコン系光電変換層および第２のｎ型半導体層を有する結晶質型ｐｉｎ構造積層体を形成する工程とを各々プラズマＣＶＤ成膜室内で一室成膜により行ない、非晶質型ｐｉｎ構造積層体を形成する工程は、第１のプラズマＣＶＤ成膜室内における成膜圧力が２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下であって、電極単位面積当たりの電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ²以上０．３Ｗ／ｃｍ²以下の条件で形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池を製造する新規な方法を提供すること。
【解決手段】第一基板を準備し、該第一基板上に半導体物質の順に重ねられた層を堆積して太陽電池を形成し、順に重ねられた層の上部の半導体層と実質的に類似する熱膨張係数を有する物質から構成される代替第二基板を取り付けて、接着し、第一基板を取り除くことにより太陽電池を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止部での気泡の発生による光電変換効率の低下を防止した信頼性の高い太陽電池、集光型太陽光発電モジュール、太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池１０は、集光レンズ４２により集光された太陽光Ｌｓを光電変換する太陽電池素子１１と、太陽電池素子１１が載置されたレシーバ基板２０と、太陽電池素子１１を樹脂封止する樹脂封止部３３と、樹脂封止部３３の集光レンズ４２側の面を被覆する透光性被覆板３２とを備え、太陽電池素子１１の表面と透光性被覆板３２との間での樹脂封止部３３の厚さである表面封止厚さＴｓｒは、集光された太陽光Ｌｓによる樹脂封止部３３での封止樹脂からの発泡を抑制する厚さとして画定された画定表面封止厚さＤＴｓｒより薄くされている。 （もっと読む）

【課題】光の吸収効率が高められかつ集積型薄膜光電変換モジュールに好ましく組み入れられ得る積層型光電変換装置を低コストで提供する。
【解決手段】ｐｉｎ接合からなる光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置であって、光入射側に近い側から第一の光電変換ユニット、ｎ型のシリコン複合層、および第二の光電変換ユニットにより順次構成された部分を少なくとも一つ以上含み、前記シリコン複合層は、シリコンと酸素との非晶質合金母相中に分散したシリコン結晶相を含み、４０原子％以上６０原子％以下の膜中酸素濃度を含んでいて６００ｎｍの波長の光に対して１．７以上２.１以下の屈折率を有するとともに、２０ｎｍより大きく１３０ｎｍより小さい厚さを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 光タンデム型光電池パネルを提供する。
【解決手段】 太陽エネルギー変換デバイスは、上部パネルから下部パネルまでの階層に積層された少なくとも２つのパネルの垂直積層体を備え、パネルの各々は、パネルの垂直積層体内の他のパネルの太陽電池とは異なるエネルギー・バンドギャップを有する太陽電池の整合（マッチング）アレイを含む。垂直積層体内の各パネルは、より高いエネルギー・バンドギャップの太陽電池を有するパネルが、階層内及び積層体内で、より低いエネルギー・バンドギャップの太陽電池を含む他のパネルの上に位置するように配置することができる。デバイスの上面は最上部パネルに入射する太陽エネルギーを受け取るように適合される。各上部パネルは、そのエネルギー・バンドギャップより大きい太陽光子エネルギーを有する太陽光の部分を吸収し、より大きい太陽光子エネルギーよりも小さい光子エネルギーを有する太陽光子を、階層内で下方の積層体内で下に位置する残りのパネルの１つまで透過させる。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置において、光電変換セル同士を繋ぐ配線の製造工程を簡略化することを目的の一とする。また、光電変換セル同士を繋ぐ配線の断線不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】第１単結晶半導体層の一方の面に第１電極を他方の面に第２電極を有する第１光電変換セルと、第２単結晶半導体層の一方の面に第１電極を他方の面に第２電極を有する第２光電変換セルを有する光電変換装置である。この光電変換装置は、第１光電変換セル及び第２光電変換セルは支持基板に並置固定される。そして、第２単結晶半導体層は第１電極に達する貫通口を有し、第１単結晶半導体層の第２電極が前記貫通口まで延長されて、第１光電変換セルの第２電極と第２光電変換セルの第１電極が電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】
透明導電膜付基板について、ＩＴＯ部分のみを後に回収する場合、簡便な手法によって行う。
【解決手段】
基板（１）と、第１の透明導電膜（２）と、前記第１の透明導電膜に対して、前記基板が配置された側とは反対側に配置された第２の透明導電膜（３）とを有し、前記第１の透明導電膜は、Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｉ、もしくはＳｉの酸化物を含有し、前記第２の透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、前記第１の透明導電膜のエッチングレートは前記第２の透明導電膜のエッチングレートより大きく、前記第１の透明導電膜の膜厚は１０ｎｍ以上であり、前記第１の透明導電膜は、Ｂ，Ａｌ、もしくはＧａを含有することを特徴とする透明導電膜付基板。 （もっと読む）

【課題】膜厚が厚くなった場合でも、高いエネルギーもしくは長い加工時間を低減して、スループットの低下を防止し、同時に効率の低下を防止することが可能な光電変換素子及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、絶縁性基板１０１の少なくとも一面に電極１０３を設けた後、第１の分離溝１０５を形成し、その後に第１の分離溝１０５の上に少なくとも１組のｎ層、ｉ層、ｐ層もしくはｐ層、ｉ層、ｎ層の光電変換層１０７をこの順に積層した後、透明電極層１０８を形成し、その後に透明電極層１０８を分離する第２の分離溝１０９を形成してなる光電変換素子の製造方法であって、第２の分離溝１０９が第１の分離溝１０５の内側に位置し、かつ第２の分離溝１０９が絶縁性基板１０１まで到達していない。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体薄膜光電変換層と微結晶半導体薄膜光電変換層とを有する薄膜太陽電池において、光散乱用のテクスチャ構造による良好な光閉じこめ効果を有するとともに該テクスチャ構造に起因した光電変換特性の低下が防止された、高い光電変換効率を有する薄膜太陽電池およびその製造方法を得ること。
【解決手段】絶縁性透光基板１上に、透明導電膜からなる第１電極層２と、非晶質半導体膜からなり光電変換を行う第１発電層３と、微結晶質半導体膜からなり光電変換を行う第２発電層４と、光を反射する導電膜からなる第２電極層と、がこの順で積層された薄膜太陽電池であって、前記第１電極層２は、前記第１発電層３側の表面に凹凸形状を有し、前記第１発電層３は、前記第１電極層２の凹凸形状に対応して前記第２発電層４側に凹凸形状が形成され、その凸部の上面が前記絶縁性透光基板１の面内方向と略平行な面とされている。 （もっと読む）

【課題】高い出力を示す光電変換装置、及び、高い出力を示す光電変換装置を安定して生産する方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、光電変換層３と、裏面電極層４とが順次積層され、透明電極層２のヘイズ率の平均値がｘ_１以上ｘ_２以下であり、ヘイズ率の標準偏差がｙ以下であることを特徴とする光電変換装置１００。透明電極層２を形成する工程が、透明電極層２を製膜する工程と、透明電極層２のヘイズ率を計測する工程と、計測されたヘイズ率から平均値及び標準偏差を算出する工程と、算出されたヘイズ率の平均値及び標準偏差をそれぞれ、予め設定された設定範囲と照合する工程と、ヘイズ率の平均値及び標準偏差の少なくとも一方が、設定範囲を満たさない場合に、透明電極層２の製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方を調整する工程とを含むことを特徴とする光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜に微小凹凸部を形成するときに、エッチング液を用いることなく、且つ工程の簡略化を図ることを目的とする。
【解決手段】被処理体２１に薄膜の材料の粒子を溶媒に分散ないしは溶解させたインクを噴射する噴射ノズル５０を複数配列したインクジェットヘッド４２から、被処理体２１に形成される液膜に複数の気泡を巻き込むような噴射量および噴射速度でインクを多量且つ高速に噴射するようになし、また被処理体２１を加熱して溶媒を気化させ、材料を被処理体２１に熱硬化させるときに、溶媒の気化と並行して液膜に閉じ込められた気泡を膨張・破裂させるように急速加熱を行うようにしている。 （もっと読む）

【課題】実質的に真性の非晶質系半導体層への不純物の混入、及び太陽電池の生産性の低下を抑制可能とする太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る太陽電池の製造方法では、ＨＩＴ構造の形成工程において、ｎ型単結晶シリコンウェハ２１は、ｉ型非晶質シリコン層２８によって覆われた第１基板トレー５０の第１載置面５０Ａ上に載置される。 （もっと読む）

【課題】薄膜に微小凹凸部を形成するときに、エッチング液を用いることなく、且つ工程の簡略化を図ることができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜の材料を粒子として溶媒に分散ないしは溶解させた粘性のインクを噴射する複数の噴射ノズルを備えるインクジェットヘッドから、搬送テーブル３２により搬送される被処理体に対してインクを噴射するときに、各噴射ノズルから噴射したインクが被処理体２１上で凸曲面形状となり、且つ隣接するインク同士が端部において連続した形状となるようにインクを噴射し、被処理体２１上のインクを加熱して溶媒を気化させ、材料を被処理体２１に熱硬化させるときに、被処理体２１に形成された各インクが端部から先に順次中央部に向けて熱硬化する上昇温度で緩速加熱を行っている。 （もっと読む）

【課題】柔軟性に富み、かつ低コストで大面積化が可能で、かつ光を有効利用することが可能な有機薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】透明性が高く、柔軟で、線膨張率が小さく、温度変化における弾性率の変化が小さい耐熱性の高いシリコーン系ガラスクロス複合体シートを基板として用い、前記基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成され、上記第１電極層と対向する電極である第２電極層とを有する有機薄膜太陽電池であって、上記基板、上記第１電極層または第２電極層の少なくともいずれかが微細な凹凸構造を有しており、上記微細な凹凸構造を有する基板と上記光電変換層との間、上記微細な凹凸構造を有する第１電極層と上記光電変換層との間、または上記微細な凹凸構造を有する第２電極層と上記光電変換層との間にバッファー層を形成させることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】シャント成分を低減でき、短絡部分のない高性能な太陽電池を得る。
【解決手段】基板上に、第１導電層、光電変換層、第２導電層をこの順に重ねた構造体を設けた太陽電池の製造方法において、前記基板の第１端部の周辺領域に形成された構造体部分を、第１レーザの照射によって除去し（ステップＳ５）、前記除去により生じた前記構造体の第２端部に、前記第１レーザよりも発光波長が短い第２レーザを照射して、前記第１導電層の第２端部を残したまま、前記光電変換層の第２端部および前記第２導電層の第２端部をクリーニングする（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】金属微粒子による局在表面プラズモン共鳴と量子井戸構造とを組み合わせることにより、エネルギー変換効率が高く、かつ製造プロセスも煩雑化することのない光電デバイスを提供する。
【解決手段】基板３２の上方に形成された第３の半導体層３５の上面には井戸層４２と障壁層４３を交互に積層した光電変換層３６が積層されており、光電変換層３６の上面には微粒子４０が分散している。微粒子４０は誘電体コアの外周面を金属のシェル部によって覆った複合構造となっており、光が入射すると２波長の光で局在表面プラズモン共鳴する。 （もっと読む）