【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】ｐ型層３０と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを積層したアモルファスシリコン太陽電池ユニットを備え、ｐ型層３０は、ｐ型ドーパントが添加された高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、ｐ型ドーパントが実質的に添加されていないアモルファスシリコンバッファ層３０ｂとを含んだものとする。ここで、アモルファスシリコンバッファ層３０ｂのバンドギャップは１．６５ｅＶ以上とする。 （もっと読む）

【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】ｐ型層３０と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は波長６００ｎｍの光に対する吸収係数が膜厚方向に互いに異なる高吸収アモルファス炭化シリコン層３０ａと低吸収アモルファス炭化シリコン層３０ｂとを含み、低吸収アモルファス炭化シリコン層３０ｂとｉ型層３２との間にバッファ層３０ｃを設ける。 （もっと読む）

【課題】光電変換特性、および信頼性に優れた積層型薄膜光電変換装置を低コストで提供する。
【解決手段】透光性基板１上に順次積層された裏面透明導電層２、導電性を有するレーザ光吸収層３、裏面電極層４、半導体光電変換ユニット５、および受光面透明電極層６を含み、これらの層をレーザビームによって加工する。 （もっと読む）

【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】ｐ型層３０と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａよりｐ型ドーパントのドーパント濃度が低い低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂと、低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂとｉ型層３２との間に形成されたバッファ層３０ｃとを設ける。ここで、バッファ層３０ｃの膜厚は、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａ及び低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂの膜厚よりも厚くする。 （もっと読む）

【課題】光電変換部材において、光電変換に寄与しない波長の光による加熱を防止することである。
【解決手段】位相差フィルムとコレステリック液晶フィルムを含む反射シートを備え、光電変換に寄与する波長を透過し、当該反射シートにより特定波長の入射光を反射するように構成された光電変換部材が得られる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの製造工程を簡素化する。
【解決手段】同一のレーザ装置を用いて、透明電極１２上に形成された光電変換ユニット１４及び裏面電極１６を透明電極１２の表面まで切断してスリットＳ４を形成すると共に、透明電極１２のスリットＳ２内に形成された光電変換ユニット１４及び裏面電極１６をスリットＳ４の方向と交差する方向に沿って切断してスリットＳ５を形成する。 （もっと読む）

【課題】ｉ型の結晶質シリコン系光電変換層を含むシリコン系薄膜光電変換装置を高性能化する。
【解決手段】透光性基板１上に、透明電極層２０と、少なくとも１つの結晶質シリコン系光電変換ユニット２２と、裏面電極層３とを含む光電変換装置であって、光電変換ユニット２２は、光透過側から順に、ｐ型の結晶質シリコン層２２１と、実質的にｉ型の結晶質シリコン系光電変換層２２２と、膜厚が０ｎｍを越えて５０ｎｍ以下である実質的にｉ型のシリコン界面層２２２Ａと、ｎ型の結晶質シリコン層２２４とを含み、断面においてシリコン界面層２２２Ａとｎ型の結晶質シリコン層２２４との境界として観察される形状から求められる表面粗さＲａが、光電変換層２２２と前記シリコン界面層２２２Ａとの境界の表面粗さＲａよりも小さいことを特徴とする、シリコン系薄膜光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】製造コストを上げることなく、かつ、貫通穴が原因となって生じる歩留を向上させ、薄膜デバイスに適用可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、表面から裏面までを貫通する貫通穴を有するアンドープＧａＮ層１０２と、アンドープＧａＮ層１０２の表面上および貫通穴内に形成された、導電性を有するアルミニウム層１０３とを備え、アルミニウム層１０３における貫通穴内に形成された領域のうち、裏面側に露出している絶縁領域１０６は、化学変化により絶縁化されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、良好な光電変換効率を有するとともに量産および基板の大面積化に適した実用的な光電変換装置に適した半導体膜の成膜方法およびその半導体膜を含む光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の成膜方法は、非晶質構造を含む半導体膜をプラズマＣＶＤ法により製造する半導体膜の成膜方法であって、半導体膜は、ＳｉＧｅ系化合物の非晶質膜またはＳｉＧｅ系化合物の微結晶膜であり、プラズマＣＶＤ法において、プラズマを生成するために印加する電力のオン時間またはオフ時間を変化させて間欠供給することにより、半導体膜の厚み方向のバンドギャップを制御し、電力のオン時間およびオフ時間は、オン時間／（オン時間＋オフ時間）×１００（％）をＤｕｔｙ比とすると、該Ｄｕｔｙ比が１０％以上５０％以下を満たす範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工溝の溝深さを所望値にコントロールすることができる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換装置１０を構成する中間コンタクト層分離溝１５に対してピコ秒レーザを照射するとともに、中間コンタクト層分離溝１５に対してピコ秒レーザを相対移動させて所定の走査方向に加工溝１５を形成する溝形成工程を有する光電変換装置１０の製造方法において、溝形成工程は、ピコ秒レーザのビーム径に相当する照射領域内にて一方向に並列に並ぶ干渉縞を形成し、干渉縞が走査方向に接続されるようにピコ秒レーザを相対移動することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャリア選択機能を付与した導電パスを有することにより、キャリア分離能が高まり導電性に優れ、軽量性、柔軟性をも実現できる第一又は第二の電極とその製造方法を提供する。
【解決手段】第一の電極１２と第二の電極１４間に少なくとも光電変換層１３を有する有機光電変換素子であって、該光電変換層の少なくとも一層がバルクヘテロジャンクション構造であり、かつ、第一の電極と第二の電極の少なくとも一方は導電性繊維１５を有し、該導電性繊維がｐ型有機半導体材料またはｎ型有機半導体材料のいずれか一方に被覆されていることを特徴とする有機光電変換素子及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｉ層が結晶質シリコンゲルマニウムからなる光電変換層を備え、長波長領域における高い発電特性を示す光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、光入射側から順に、ｐ層４１と結晶質シリコンゲルマニウムｉ層４２とｎ層４３とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００であって、前記結晶質シリコンゲルマニウムｉ層４２中のゲルマニウム濃度が、前記ｐ層４１側から前記ｎ層４３側に向かって段階状に減少するように変化していることを特徴とする光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】優れた光電変換効率を有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】基板Ｔ上に形成された２つの電極Ｙ間に、導電性高分子ｄと電子受容体ａを含有する光電変換層Ｅを有する光電変換素子Ｐであって、該導電性高分子ｄが、下記一般式（１）で示されるポリセレノフェン誘導体を含有することを特徴とする、光電変換素子を用いることで優れた光電変換効率を達成する。
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【課題】従来の多接合型太陽電池等において、太陽電池セルを積層するため半導体層の構造上の制約が多く十分な特性が得られないという問題があったので、積層構造の自由度を高め、光電変換効率を増大させることを目的とする。
【解決手段】複数の光吸収スペクトルの異なる太陽電池セルを積層した多接合型太陽電池において、太陽電池セルは、両面に開口する貫通孔を有する透明基板上に形成され、透明基板の貫通孔内部及び太陽電池セルの形成されていない側の面が、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板側の透明電極層、中間層、及び裏面側の電極層の構造が最適化されることにより、取り出し電流が増大した光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも、透明電極層２と、光電変換層３と、裏面電極層４とを備え、前記透明電極層２の前記光電変換層３が設けられている側の表面が、山部２ａと、該山部２ａの表面に設けられた微小凹凸部２ｂとを備え、凹凸構造のピッチが１．２μｍ以上１．６μｍ以下とされ、前記山部２ａの高さが０．２μｍ以上０．８μｍ以下とされ、前記微小凹凸部２ｂにおける凸部のピッチが０．０５μｍ以上０．１４μｍ以下とされ、前記凸部の高さが０．０２μｍ以上０．１μｍ以下とされることを特徴とする光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を向上させることが可能な太陽電池を提供する。
【解決手段】光照射により電子及び正孔を生成するキャリア発生層、第１電極、及び第２電極を備え、第１電極及びキャリア発生層は直接又はキャリア移動層を介して接続されるとともに、第２電極及びキャリア発生層は直接又はキャリア移動層を介して接続され、さらに、キャリア発生層の内部に電極が配置され、該電極とキャリア発生層とが直接又はキャリア移動層を介して接続されていることを特徴とする、太陽電池とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池パネル周縁の太陽電池膜を高速かつ高効率的に除去して絶縁帯を形成し、優れた生産性とメンテナンス性、コスト性を備えた太陽電池パネルのレーザ除去加工装置を提供する。
【解決手段】透光性基板を下向きにした太陽電池パネルＰを載置するワークテーブル１３と、ワークテーブルを直線状にスライド移動させる移動装置と、ワークテーブルの下部に配設されワークテーブルの直線移動方向に沿って太陽電池膜の端部をレーザ照射するレーザヘッド１５、１６と、太陽電池膜の未除去部分を除去できるようにワークテーブルを回転させる回転装置１７と、を有するように太陽電池パネルのレーザ除去装置１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】格子不整合率、製造温度の制約のない光電変換層材料の選択が可能な光電変換素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、第２半導体、第２導電性酸化物薄膜、第１導電性酸化物薄膜、第１半導体の順の構造を有し、第２導電性酸化物薄膜と第１導電性酸化物薄膜の接合面が接合界面４を形成するように第２半導体と第１半導体を機械的接合されている。 （もっと読む）

【課題】下部セルのｐｎ接合が破壊されることなくタンデム型薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に積層された複数の光電変換ユニットを備えたタンデム型薄膜太陽電池１００の製造方法であって、光電変換ユニットの第１電極層を形成する第１電極層成膜工程と、成膜された第１電極層上に複数の半導体前駆体層を成膜する前駆体層成膜工程と、成膜された半導体前駆体層上に第２電極層を成膜する第２電極層成膜工程と、第１電極層と第２電極層との間に半導体前駆体層とが成膜された光電変換ユニットの複数個を積層した後に、光電変換ユニットの半導体前駆体層を加熱し、半導体の結晶を生成させる前駆体層拡散工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理枚数が増えた場合であっても特性を劣化させずに、良好な性能を有する光電変換装置を安定して製造でき、生産コスト及び効率を改善可能な光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ｐ層、ｉ層、ｎ層を積層したｐｉｎ型の第一光電変換ユニットと第二光電変換ユニットとを、透明導電膜に順に重ねて設けてなる光電変換装置の製造方法であり、第一光電変換ユニットのｐ層、ｉ層、ｎ層と第二光電変換ユニットのｐ層とを各々別々のプラズマＣＶＤ反応室内で形成し（第一ステップ）、第二光電変換ユニットのｐ層を大気中に露呈させ（第二ステップ）、大気中に露呈された第二光電変換ユニットのｐ層上に、第二光電変換ユニットを構成するｉ層、ｎ層を同一のプラズマＣＶＤ反応室内で形成し（第三ステップ）、第二光電変換ユニットのｎ層上に、ｉ層を第三ステップと同一のプラズマＣＶＤ反応室内で形成する（第四ステップ）ことを特徴とする。 （もっと読む）