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Fターム[5F051FA03]の内容

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Fターム[5F051FA03]に分類される特許

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【課題】強度に優れるとともに電解質の拡散性に優れた平均細孔径、細孔容積を有する多孔質半導体膜を形成可能な塗料を提供する。
【解決手段】結晶性酸化チタン微粒子と増粘剤と分散媒とからなり、該結晶性酸化チタン微粒子が、無定形酸化チタン源に結晶化剤を添加したのち水熱処理し、結晶化剤を除去し、微粒子をアルカリ処理して得られたものであり、結晶性酸化チタン微粒子の平均粒子径が5〜300nmの範囲にあり、結晶性酸化チタン微粒子中の結晶化剤の含有量が1000ppm以下であり、結晶性酸化チタン微粒子固形分濃度が1〜30重量%の範囲にあることを特徴とする多孔質金属酸化物半導体膜形成用塗料。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率が高い光電変換素子及びそれを用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、少なくとも基板1、第1電極である透明導電膜2、半導体5に色素4を吸着した半導体層6と、電荷輸送層7、第1電極に対向して設置された対向電極8とが、この順で設置される。電荷輸送層7は、分子量が2,000以下の低分子電荷輸送剤と分子量が5,000以上の高分子電荷輸送剤を含有し、かつ、低分子電荷輸送剤の含量(A)と高分子電荷輸送剤の含量(B)の比A:Bが1:3〜3:1である。 (もっと読む)


【課題】i層における膜厚方向の結晶粒径を大きくして粒界を減少させ、キャリアの再結合を抑制すると同時にドーパントの活性化を行うことにより、光電変換効率を向上させることが可能な太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板11上に、第1透明電極12と、p型シリコン層13、i型シリコン層14及びn型シリコン層15からなるpin構造またはnip構造の多結晶シリコン層と、第2透明電極16とを少なくとも順次積層してなる太陽電池の製造方法であり、p型シリコン層13またはn型シリコン層を積層してから減圧酸素雰囲気中で熱処理を行い、続いてp型シリコン層13またはn型シリコン層上にi型シリコン層14を積層し、更にi型シリコン層14上にn型シリコン層15またはp型シリコン層を積層することにより、前記pin構造またはnip構造の多結晶シリコン層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 (もっと読む)


【課題】結晶性基板の裏面に設けられた裏面電極に対してその設計の自由度を確保しつつ、結晶性基板の裏面から透過した光の再利用を可能にした結晶太陽電池及び結晶太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】光を受光する表面11iと該表面11iと対向する裏面11rとの間で光電変換機能を発現する結晶性基板11を具備する結晶太陽電池10であって、結晶性基板11の裏面11rから透過する光を再び結晶性基板11の中へ反射する白色塗膜14が結晶性基板11の裏面11rの側に設けられた。 (もっと読む)


【課題】優れた光電変換特性を有する光電変換素子を安定して製造可能な製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物層を有する第1の電極の該金属酸化物層に、導電性炭素材料及び溶媒を含む第1の電解質組成物を含浸させ、前記第1の電極に含浸させた前記第1の電解質組成物から前記溶媒を除去して第1の擬固体電解質層を形成し、前記擬固体電解質層が形成された第1の電極と、対極となる第2の電極とを、前記第1の擬固体電解質層を介して貼合させてセルを作製して、光電変換素子を得る。 (もっと読む)


【課題】上層と下層との好ましい電気的接合を得る事ができるだけでなく、光照射による素子寿命の低下や機械的な密着性を向上させることができ、エネルギー変換効率と素子寿命、更には繰り返しの巻き付けに対して高い耐久性を有したフレキシブルな有機光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の電極と第2の電極との間に少なくとも光電変換層と、正孔輸送層又は電子輸送層、とを積層塗布して成る有機光電変換素子の製造方法において、該有機光電変換素子を構成する少なくとも1層は、塗布液を塗布する前に、反応性ガスと、希ガスあるいは窒素からなるキャリアガスの存在下、大気圧またはそれに近い気圧下で、プラズマ放電処理により活性化させる工程を有することを特徴とする有機光電変換素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】耐久性に優れ、電子輸送層との電気的な接合が良好な第二の電極を提供し、光電変換効率及び耐久性に優れた有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】第一の電極12と第二の電極14の間に、少なくとも光電変換層13を有し構成される有機光電変換素子において、該第二の電極14が少なくとも二種以上の金属を含むことを特徴とする有機光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】効率よく電流を取り出せる新規構造の増感色素を提供し、更にはこの増感色素を用いた良好な光電変換素子ならびに太陽電池を提供すること。
【解決手段】光電変換素子の増感剤として下記一般式(1)で表されるスチリル系色素を用いる。
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【課題】地球資源に対する影響を最小限に留めて、大面積、大電力を可能にする光電変換素子及び太陽電池を得ることである。
【解決手段】非晶質シリコンによって形成されたnip構造を備え、n+型ZnO層により形成された透明電極に対して、n+型a−Si層を接触した構造によりエネルギ変換効率を向上させた光電変換素子が得られる。 (もっと読む)


【課題】中間層と裏面電極との間の接触による特性の低下を抑制する。
【解決手段】表面電極22と裏面電極30との間に第1太陽電池ユニット24と第2太陽電池ユニット28とを導電性を有する中間層26を挟み込んで積層した光起電力装置において、表面電極22の表面まで第1太陽電池ユニット24、第2太陽電池ユニット28及び中間層26を貫いて形成された溝Bを介して表面電極22と裏面電極30とが電気的に接続され、裏面電極30と接する中間層26の端部26aにドーパントを添加することによってPN接合を形成する。 (もっと読む)


【課題】金属配線層12と透明導電層11を有する電極基板1において、金属配線層12の腐食や金属配線層12からの漏れ電流による特性の劣化を抑制する。
【解決手段】電極基板1と、電極基板1の表面上に形成された増感色素が担持された酸化物半導体多孔膜2と、電極基板1と対向して設けられた対極4との間に形成された電解質層5を備える色素増感太陽電池であって、対極4は、基板上に、導電性酸化物半導体からなる薄膜または導電性材料の層により形成した電極を形成したものであり、電極基板1は、基材10上に、金属配線層12と、この金属配線層12に電気的に接続された透明導電層11とを有し、金属配線層12が絶縁層14により絶縁被覆されている。 (もっと読む)


【課題】高出力の光電変換装置とすることができる裏面電極構造を提供する。
【解決手段】基板1上に、透明電極層2と、少なくとも1層の光電変換層3と、裏面電極構造とを備える光電変換装置100であって、前記裏面電極構造が、基板1側から順に、第1裏面透明電極層7と、低屈折率層8と、第2裏面透明電極層9と、金属膜からなる裏面電極層4とを積層されて構成され、前記低屈折率層8の屈折率が、前記第1裏面透明電極層7及び前記第2裏面透明電極層9の屈折率よりも低いことを特徴とする光電変換装置100。 (もっと読む)


【課題】中間層と裏面電極との間の接触による特性の低下を抑制する。
【解決手段】表面電極20と裏面電極30との間に第1太陽電池ユニット24と第2太陽電池ユニット28とを導電性を有する中間層26を挟み込んで積層した光起電力装置において、中間層26と、表面電極20と裏面電極30とを接続する電極接続層32との間にショットキー障壁を形成する。 (もっと読む)


【課題】金属配線層12と透明導電層11を有する電極基板1において、金属配線層12の腐食や金属配線層12からの漏れ電流による特性の劣化を抑制する。
【解決手段】前記金属配線層12の表面を、複数層の絶縁層14により絶縁被覆する。このような電極基板1を用いて光電変換素子を構成することにより、金属配線層12が電解質溶液などから確実に遮蔽され、その腐食や漏れ電流を効果的に抑制し、光電変換効率の高い光電変換素子を得ることができる。絶縁層14は、ガラス成分を含む材料から形成することが好ましく、特に、ガラスフリットを含むペーストの印刷により形成することが好ましい。また、前記金属配線層12は、印刷法により形成することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】真空チャンバなどの高真空下の環境を形成するための大掛かりな装置を必要とせず、低コストで透明導電膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】透明基板1上に透明導電膜となる金属膜2を不活性気体雰囲気中で形成する工程と、前記金属膜に酸化雰囲気中でレーザビームを照射し、該金属膜を酸化させる工程とを含む透明導電膜8の製造方法である。前記金属膜の酸化工程において、酸化雰囲気中に水を供給し、レーザビームの照射で基板上の金属膜を加熱すると同時に水を分解させ、生じた酸素分子を基板上の金属膜に供給することで金属膜の酸化を促進させることが好ましい。前記基板は可撓性を有した絶縁性の連続シートまたは連続フィルムであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率がすくなかったものを大幅に増すことができるとともに、製造コストが安く、酸化物薄膜を薄くすることができる。
【解決手段】太陽電池受光面上の薄い金属網(または島状)と透明酸化物導電薄膜で積層構成する透明導電薄膜電極を用い、前記薄い金属の網はAg、Cu、Al、Au、Co中の少なくとも一つの金属または合金材料から成り、その厚さを1nmから30nm範囲にするのが好ましい。また、薄膜太陽電池の透明導電薄膜電極上に減反射効果を有するMgF2、SiO2などの誘電体薄膜を積層するのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】高い変換効率を得るためのトリプル型光電変換装置の適切な膜厚構成を提供する。
【解決手段】基板1上に、透明電極層2と、pin接合を有する電池層91,92,93を3層積層された光電変換層3と、裏面電極層4とを備える光電変換装置100であって、光の入射側に設けられた入射部の電池層91が、膜厚が100nm以上200nm以下の非晶質シリコンi層を有し、光の入射側に対して反対側に設けられた底部の電池層93が、膜厚が700nm以上1600nm以下の結晶質シリコンゲルマニウムi層を有し、前記結晶質シリコンゲルマニウムi層中のゲルマニウム原子とシリコン原子との和に対する前記ゲルマニウム原子の割合が15原子%以上25原子%以下であり、前記入射部の電池層91と前記底部の電池層93との間に設けられた中間部の電池層92が、膜厚が1000nm以上2000nm以下の結晶質シリコンi層を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い発電効率を有する光電変換装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に、複数の発電ユニット8を有し、少なくとも1つの発電ユニット8が、前記基板1上に、該基板1側から順に透明電極層2と、光電変換層3と、裏面電極層とを備え、該裏面電極層が隣接する他の発電ユニット8の透明電極層2と電気的に接触する接続部9を有する光電変換装置100であって、前記裏面電極層が、銀薄膜4を含み、前記光電変換層3上の前記基板1に対して平行な位置4aにおける前記銀薄膜4の膜厚に対する、前記接続部9の側壁部4bにおける前記銀薄膜4の膜厚の比が、0.5以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】良好な品質を有し光電変換効率の高いシリコン系薄膜光電変換装置を、簡易な製造装置を用いて低コストでかつ高効率で製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法の第一の形態は、第1のp型半導体層、i型非晶質シリコン系光電変換層および第1のn型半導体層を有する非晶質型pin構造積層体を形成する工程と、第2のp型半導体層、i型結晶質シリコン系光電変換層および第2のn型半導体層を有する結晶質型pin構造積層体を形成する工程とを各々プラズマCVD成膜室内で一室成膜により行ない、非晶質型pin構造積層体を形成する工程は、第1のプラズマCVD成膜室内における成膜圧力が200Pa以上3000Pa以下であって、電極単位面積当たりの電力密度が0.01W/cm2以上0.3W/cm2以下の条件で形成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】第2セル層の膜厚を、より高精度で計測可能な方法及び膜厚計測装置、並びに、該膜厚計測方法を用いて、基板面内で膜厚が均一になるように第2セル層を製膜する光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】透明電極層及び光電変換層が形成された基板面内の任意の位置における透過率と、予め測定された透明電極層ヘイズ率及び第1セル層膜厚とに基づき、第2セル層の膜厚を算出する工程とを含む膜厚計測方法。該膜厚計測方法により第2セル層の膜厚を算出する第2セル層膜厚算出部を備える膜厚計測装置。該膜厚計測方法に基づき、基板面内の任意位置における第2セル層の膜厚を算出する工程と、第2セル層の膜厚が許容膜厚範囲から外れる場合に、第2セル層製膜条件を調整する工程とを含む光電変換装置の製造方法。 (もっと読む)


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