【課題】 ノズルから吐出された液滴に変質等が生じないように吐出空間の雰囲気を置換することが可能なデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 デバイスの製造方法は、基板をチャンバ内に搬入して載置台に載置する工程と、待機位置において封止部材により液滴吐出ノズルを隔離した状態で、チャンバの内部を減圧する減圧工程と、ガス供給機構からチャンバ内にパージガスを導入してチャンバ内部の雰囲気を置換するとともに大気圧状態に戻す雰囲気置換工程と、封止部材による液滴吐出ノズルの隔離を解除し、液滴吐出ノズルを吐出位置に移動させて被処理体へ向けて前記液滴を吐出する吐出工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】処理時間を短縮化することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。
【解決手段】易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体の塗布膜を基板に形成する塗布部を有する第一チャンバーと、前記塗布膜を加熱する第一加熱部を有する第二チャンバーと、前記第一チャンバーと前記第二チャンバーとを接続する接続部とを備え、前記接続部として、前記基板に塗布された前記塗布膜を加熱する第二加熱部及び前記塗布膜の周囲の圧力を調整する圧力調整部を有し、前記塗布膜に含まれる前記溶媒の少なくとも一部を気化させる第三チャンバーが用いられている。 （もっと読む）

【課題】印刷したエレクトロニクスの簡略化した製造、処理量、装置のコスト及び寸法の軽減、必要な硬化エネルギの量の減少、硬化過程中に放出される揮発性有機化合物減少を実現する硬化方法及びシステムを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの堆積層を有する基板を支持する平坦な支持面と、少なくとも１つの堆積層を硬化させる少なくとも１つの硬化装置と、全体的な硬化過程を制御する制御システムとを含む硬化システムが提供される。硬化装置は、少なくとも１つのレーザと、レンズモジュールと、選択随意的な変調器とを含む。硬化する間、レーザから放出された光ビームは、１）レーザ光の焦点合わせしたビームを堆積層の所望の照射領域まで導くようにＸ−Ｙビームの偏向モジュールの位置を制御すること、２）レーザの位置をＸ−Ｙテーブルを介して制御すること、又は３）基板の位置をＸ−Ｙテーブルを介して制御することにより堆積層に向けることができる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により、炉内で窒化物単結晶を育成するのに際して、炉内の温度差による窒化物単結晶の育成状態のムラや不良品の増加を防止することである。
【解決手段】フラックスおよび原料を含む溶液を使用して窒化物単結晶を育成する装置を提供する。本装置は、溶液を収容するための坩堝、坩堝を収容する内側容器１６、内側容器１６を収容する加熱容器３１であって、発熱体１４、発熱体１４が設けられている容器本体１３、および容器本体１３と組み合わされる蓋１２を備える加熱容器を備えている。本装置は、更に、加熱容器３１を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器３０、および加熱容器３１の外壁面と圧力容器３０の内壁面３０ａとの間に設けられている筒状断熱部材１１を備えている。 （もっと読む）

【課題】
反応性の単分子膜で被覆したシリコンナノ微粒子を用いたシリコンペーストを選択的に塗布し、レーザー照射することにより、単分子膜を分解除去し、微粒子から再結晶化されたポリシリコン薄膜を用いてＴＦＴを形成することを特徴とする。
【課題を解決するための手段】
表面に共有結合した第１の反応性官能基を含む有機膜で被われたシリコン微粒子と、表面に共有結合した第２の反応性官能基を含む有機膜で被われたシリコン微粒子を有機溶媒中で混合して第１のシリコン微粒子ペーストを作成する工程と、
前記シリコン微粒子ペーストを基板表面に塗布する工程と、
硬化する工程と、
真空中または不活性ガス雰囲気中でレーザー照射してポリシリコン化する工程により、ｎ（またはｐ）型のポリシリコン薄膜を製造する。
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【課題】ドープシリコン膜中にドープ材料を多く残留させるドープシリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープシリコン膜１１０の製造方法は、液体材料１０８を塗布して塗布膜１０９を形成する工程と、塗布膜１０９を熱処理する工程と、を含み、液体材料１０８がシラン化合物１１とドーパント化合物１２とを含む溶液に、第１の光源１１１から射出される第１の光と、第２の光源１１２から射出される第１の光と波長の異なる第２の光とを照射することで得られるシリコン前駆体組成物を含むものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属の酸素および水との反応を防止可能であり、かつ成長レートが向上した３族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】３族元素、アルカリ金属および３族元素窒化物の種結晶基板２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、結晶成長容器１８内を加圧加熱し、種結晶基板２０を核として３族元素窒化物結晶を成長させる３族元素窒化物結晶の製造方法であって、さらに、第１の炭化水素および第１の炭化水素よりも沸点が高い第２の炭化水素を準備し、結晶成長容器１８内の加圧加熱に先立ち、アルカリ金属を、第１の炭化水素および第２の炭化水素の少なくとも第１の炭化水素により被覆した状態で結晶成長容器１８に入れ、アルカリ金属の被覆に使用した第１の炭化水素を結晶成長容器１８内から除去した後、第２の炭化水素の存在下、結晶成長容器１８内を加圧加熱して３族元素窒化物結晶を成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上の所望の位置に結晶を製造可能な結晶製造装置を提供する。
【解決手段】バネ２は、一方端が架台１に固定され、他方端が磁性体３に連結される。磁性体３は、一方端がバネに連結され、他方端がピストン６に連結される。コイル４は、磁性体３の周囲に巻回されるとともに、電源回路５と、接地ノードＧＮＤとの間に電気的に接続される。ピストン６は、シリンダ７内に挿入された直線部材６１を有する。シリンダ７は、中空の円柱形状からなり、底面７Ｂに小孔７１を有する。そして、シリンダ７は、シリコン融液１３を保持する。基板１１は、シリンダ７の小孔７１に対向するようにＸＹステージ１２によって支持される。電源回路５は、パルス状の電流をコイル４に流し、ピストン６を上下方向ＤＲ１に移動させる。その結果、液滴１４は、１．０２ｍ／ｓの初速度で小孔７１から基板１１へ向けて噴出される。 （もっと読む）

【課題】薄膜に微小凹凸部を形成するときに、エッチング液を用いることなく、且つ工程の簡略化を図ることを目的とする。
【解決手段】被処理体２１に薄膜の材料の粒子を溶媒に分散ないしは溶解させたインクを噴射する噴射ノズル５０を複数配列したインクジェットヘッド４２から、被処理体２１に形成される液膜に複数の気泡を巻き込むような噴射量および噴射速度でインクを多量且つ高速に噴射するようになし、また被処理体２１を加熱して溶媒を気化させ、材料を被処理体２１に熱硬化させるときに、溶媒の気化と並行して液膜に閉じ込められた気泡を膨張・破裂させるように急速加熱を行うようにしている。 （もっと読む）

【課題】一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理装置を提供する。また、一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は、天井部(105a)と、側壁部(105b)と、前記天井部と側壁とで構成される処理空間を複数の処理室に分割する仕切り壁(105c)と、前記複数の処理室にそれぞれ接続された複数のガスライン(107)と、を有するカバー(105)で、基板(100)の処理領域(E)を覆い、前記基板上に吐出された複数の吐出液(d)を前記処理室毎に処理する。かかる構成(方法）によれば、複数の処理室毎に処理条件を変化させることができ、成膜条件の最適化を容易に行うことができる。また、各処理室において、処理条件を変化させることで異なる膜を形成することができる。よって、半導体装置などの製造工程において、工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理装置を提供する。また、一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は、天井部(105a)と、側壁部(105b)と、前記天井部と側壁部とで構成される処理空間を複数の処理室に分割する仕切り壁(105c)と、前記側壁部に設けられた排出孔(110)と、前記複数の処理室にそれぞれ接続された複数の第１のガスライン(107)と、を有するカバー(105)で、基板(100)の処理領域(E)を覆い、前記基板上に吐出された複数の吐出液(d)を前記処理室毎に処理する。かかる構成(方法）によれば、複数の処理室毎に処理条件を変化させることができ、成膜条件の最適化を容易に行うことができる。また、各処理室において、処理条件を変化させることで異なる膜を形成することができる。よって、半導体装置などの製造工程において、工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｈ結合を確保することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】加熱により脱離可能な水素を含む基体を用意（Ｓ１０１）すると共に、シリコン化合物を含む溶液を調製（Ｓ１０２）したのち、この基体の上にシリコン化合物を含む溶液を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０３）し、この塗布膜を加熱（Ｓ１０４）することにより、シリコン膜を形成する。この場合、加熱された基体から脱離する水素によって、シリコン膜中でＳｉ−Ｈ結合が形成される。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いることなく、結晶性の良い、高品質なＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させることができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】アニール炉２０において、サファイア基板７を１，０５０℃、アンモニア雰囲気下で、５分間アニールすることによって窒化処理する。次に、窒化処理されたサファイア基板７の上において、原料金属であるＧａと、フラックスであるＮａからなる原料液８と原料ガスである窒素とを接触させて、ＧａＮ結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】大きな結晶の半導体層を基板の上に形成する塗布装置、および特性の優れた薄膜トランジスタを基板の上に形成する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体材料を溶解または分散した半導体溶液の液滴を吐出する複数のノズルを備えたヘッドを移動させて該液滴を滴下し、基板の上に順次半導体溶液を塗布する塗布装置において、ヘッドは、ヘッドの基板と対向する面の、ノズル位置からヘッドの移動方向と反対側に離間した位置に、ヘッドと基板との間の空間を加熱する空間加熱手段を有することを特徴とする塗布装置。 （もっと読む）

基板に接着させたＩＩＩ−Ｖ族アモルファス材料を形成する反応性蒸着方法であり、この方法は、基板に０．０１Ｐａと同程度の周囲圧力を印加する手順、及び基板の表面上にアモルファスＩＩＩ−Ｖ族材料層が形成されるまで、０．０５Ｐａと２．５Ｐａとの間の動作圧力で基板の表面に活性Ｖ族物質を導入し、且つ、ＩＩＩ族金属蒸気を導入する手順を備える。 （もっと読む）

所望の電気特性の連続膜が、予め作製されたナノ粒子の２つ又は３つの分散液を連続して印刷及びアニールすることによって得られる。
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【課題】原料融液溜と融液中心部側との熱交換を促進する。
【解決手段】 原料融液溜８（９，１０）にエピタキシャル成長原料を投入してこの原料融液溜８（９，１０）の加熱により溶融した後、原料融液溜８（９，１０）の融液に基板７の成長面を接触させてエピタキシャル成長させるようにしたエピタキシャルウエハの製造方法において、前記原料融液溜８（９，１０）の融液に接する表面を原料融液溜の中心部側に拡大して、融液中心部側と前記原料融液溜との熱交換を促進する。 （もっと読む）

【課題】 良好な電気的性能を有する半導体デバイスを効率よく製造する。
【解決手段】 下記一般式Ｉ及び一般式IIで表される金属アルコキシド化合物（一般式Ｉ及び一般式IIで表される化合物はその一部が連結して複合アルコキシドを形成していてもよい）を含有し、１〜１００ｍＰａ・ｓの粘度を有する金属アルコキシド溶液を用いて半導体デバイスを作製する。
Ｚｎ（ＯＲ¹）₂ ・・・［Ｉ］
Ｍ（ＯＲ²）₃ ・・・［II］
（式中、Ｍはアルミニウム、鉄、インジウム及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率Ｚｎ／Ｍが０．２〜１０の範囲である。Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数が１〜２０の置換、又は無置換のアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】 次世代の単結晶ＳｉＣの形成に好適な、圧力１０^-2Ｐａ以下又は予め圧力１０^-2Ｐａ以下に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下であっても短時間で１２００℃〜２,３００℃に加熱することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】 被処理物５を１２００℃〜２,３００℃に加熱する加熱室２を備える熱処理装置１を用い、前記被処理物５を密閉容器に収納した状態で、予め１２００℃〜２,３００℃に加熱された圧力１０^-2Ｐａ以下、又は予め圧力１０^-2Ｐａ以下の真空に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下の前記加熱室２に移動することで、前記被処理物を１２００℃〜２,３００℃に加熱する。前記加熱室２の内部には加熱ヒータ１１が前記被処理物５（密閉容器）を覆うように設けられており、その加熱ヒータ１１の周囲には反射鏡１２が配置されている。 （もっと読む）

本発明は、基材表面に、半導体微粒子分散液を、スプレー塗装機から吐出される該分散液の噴霧粒子の平均粒子径が３０μｍ以下程度となるようにスプレー塗装し、次いで乾燥して半導体の多孔質膜を形成することを特徴とする半導体膜の形成方法、並びに該半導体膜の形成方法により得られた半導体膜の用途を提供するものである。 （もっと読む）