【目的】照射量を繰り返し演算により求める際に、解の収束をより早め、描画時間を短縮することが可能な装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、試料の描画領域が仮想分割されたメッシュ毎に、繰り返し演算により当該小領域内にショットする荷電粒子ビームの繰り返し数第ｎ回目の照射量補正係数を算出する照射量係数計算部６０と、小領域毎に、第ｎ−１回目の照射量補正係数から、繰り返し数ｎ回目に算出された第ｎ回目の照射量補正係数への変化率を第ｎ回目の変化率として演算する変化率計算部６２と、小領域毎に、第ｎ回目の変化率を用いて第ｎ回目の照射量補正係数を補正する照射量係数計算部６５と、小領域毎に、補正された第ｎ回目の照射量補正係数を用いて当該小領域内にショットする荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量計算部７０と、照射量で当該小領域内に所望のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多重露光が必要なレジストを用いて振動ノイズの測定を行うに当たって、複数回の露光に起因する図形パターンの位置のノイズ成分を減衰させることなく、簡易かつ確実に定量的に振動ノイズの測定を行うことが可能な荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】位置ずれ測定の指標となるターゲットパターンＴＰの輪郭部における総露光量を設定するステップと、ターゲットパターンＴＰの露光に用いる第１の露光量を設定するステップと、バックグラウンドパターンＢＧＰ露光に用いる第２の露光量を設定するステップと、複数回に分けて露光を繰り返しバックグラウンドパターンＢＧＰを露光するステップと、１度の露光によりターゲットパターンＴＰを形成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】配線パターンに対する電子ビーム露光のスループットを高くする。
【解決手段】トラックパターンが連結された複数の平行配線パターンを生成する工程Ｓ２と、異なる配線経路の経路端部が同じトラックパターン内に配置されないように生成する工程Ｓ４と、前記経路端部が配置されたトラックパターンのトラックパターン終端部および当該トラックパターンのトラックパターン始端部に連結された隣接トラックパターンのトラックパターン終端部のうちの前記配線経路が通らないトラックパターン終端部を切り欠く工程Ｓ６と、前記トラックパターン終端部の切り欠き後に前記トラックパターンが並置された基本ブロックパターンに対応するブロックパターン識別子と当該基本ブロックパターンの配置位置とを有する配線パターンデータを生成する工程Ｓ１０とを有すること。 （もっと読む）

【課題】近接効果補正を行う場合であっても、コラムセル間の線幅のばらつきを補正できるマルチコラム型の電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法を提供する。
【解決手段】一つのウェハ上に複数のコラムセルを配置して並列して露光処理を行うマルチコラム型の電子ビーム露光装置において、各コラムセルの露光量と線幅の関係を求める（ステップＳ４１、Ｓ４４）。そして、各コラムセルのいずれか１から選ばれた基準コラムセルの露光量と線幅の関係に補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係を一致させる補正パラメータを求める（ステップＳ４３、Ｓ４６）。以上のようにして求めた補正パラメータに基づいて基準コラムセルの露光時間を補正して、各コラムセルの露光時間を求める。 （もっと読む）

【課題】各コラムセルの露光マスクの開口パターンの線幅が異なっている場合であっても、コラムセル間のパターンの仕上がり寸法のばらつきを抑制できるマルチコラム型の電子ビーム露光装置及び露光マスクを提供することを目的とする。
【解決手段】試料の上方に配置され、電子ビームを照射して並列して前記試料の露光を行う複数のコラムセルを備えた電子ビーム露光装置において、各コラムセルに対応する部分に相似形状で線幅が異なる複数のパターン１６３が大きさ順に並べて配置された露光マスク１１０を用い、パターンの線幅の設計値と予め測定して求めたパターンの仕上がり寸法とのずれ量に相当する線幅Δｗだけ露光データで指定されたパターンと異なる線幅のパターン１６３を前記露光マスク１１０から選択するようにした。 （もっと読む）

【課題】所定のパターンの解像性、特にコーナー部の解像性を向上させ、電子ビームの描画ショット数を削減して描画効率を向上させたマスクパターン描画方法を提供する。
【解決手段】複数個の描画ショットで電子ビーム露光して所定のパターンを描画するマスクパターン描画方法であって、所定のパターンを、Ｘ方向に横長の矩形パターンとして描画する工程と、Ｙ方向に縦長の矩形パターンとして描画する工程とを有し、横長の矩形パターン描画と縦長の矩形パターン描画とが交差する描画交差部を重ね描画とし、前記描画交差部のＸ方向およびＹ方向に所定のパターンから突き出した矩形の描画領域を設けて描画し、突き出した矩形の描画領域を含む横長の矩形パターン描画の露光量と縦長の矩形パターン描画の露光量の和が、レジストを解像させる露光量であり、描画交差部で所定のパターンを解像させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】転写マスクが高い位置精度でマスクホルダーに収容された転写マスク収容体を提供する。
【解決手段】マスクホルダー３０は、転写マスク２０を収容するための凹状収容部３３と、該凹状収容部３３に形成された内部面３４とを有する。転写マスク２０は、開口パターン３が形成された薄膜２と、前記薄膜２を支持する、シリコンからなる支持枠１とを有し、前記薄膜２の端部５には、開口パターン３の形成と同時にエッチング加工された、マスクホルダー３０内における転写マスクの移動を規制するガイド面が形成されている。転写マスクのガイド面が、マスクホルダーの凹状収容部３３に形成された内部面３４と対向して、マスクホルダー３０に収容されている。 （もっと読む）

【課題】 描画回数の削減効果の大きいＣＰ描画データを作成する方法の提供。
【解決手段】 回路パターン中に多数存在する各パターンを多数の矩形に分割し、分割した多数の矩形のうち互いに隣接する任意の矩形を組み合わせて得られる各パターンの一部を構成する部分パターンのうち、形状及び大きさが同一の部分パターンだけでなく類似する部分パターンをも含めてそれらを代表する１つの代表パターンを決定する。前記代表パターンに基づきＣＰ描画データを生成する。この代表パターンによって類似する部分パターンの全てを同じパターンに共通化することで、同一部分パターンと類似部分パターンとを含めた中から汎用性が高く適用個所が多い繰り返しパターンを抽出できるようになる。したがって、微細かつ多様な形状及び大きさのパターンを回路パターン中に多数含んでなる描画データであっても、描画回数の削減効果の大きいＣＰ描画データを作成することができる。 （もっと読む）

【課題】
電流加熱する電子銃を数十個以上のマルチコラムに適用するには、発熱総エネルギーが大きく、電子銃チャンバーの高真空度が維持できない。また電子銃電源の寸法が大きい。さらに伝送ケーブルを伝わる振動が大きいため高精度の露光ができない。従来提案された光で加熱する方法では電子銃陰極の表面積が大きく、熱伝導が大きい保持機構のため、加熱の総エネルギーは大きく、光の軸合わせが容易でなかった。
【解決手段】
半導体レーザーなどの光を、サファイヤなどでできた光導波路の末端部から入射し、先端部に設置したレニウムなどの光で加熱される保持具を介してＬａＢ６などの電子銃陰極を加熱して、熱電子または熱電界放射電子を真空に放射する電子銃を形成する。本電子銃をマルチコラム電子ビーム露光装置に用いると、低エネルギー化と高真空度化、高圧電源回路の小型化・低電力化ができ、露光パターンの高精度化ができる。 （もっと読む）

【課題】高効率且つ高精度にビーム軸の位置ずれを検出して補正する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビームのビーム軸の位置ずれ補正方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置１は、電子ビームを照射する電子銃２と、電子ビーム１５のビーム軸の下流方向に順次配置されたアライナ１４と、ブランキング電極６と、偏向器７と、第１成形アパーチャ１１とを有する。第１成形アパーチャ１１上には、位置ずれ検出電極１３が設けられている。ブランキング電極６と偏向器７を駆動して電子ビーム１５の軌道を制御し、電子ビーム１５を位置ずれ検出電極１３に照射する。位置ずれ検出電極１３を構成する各電極部に流れ込む電流量から電子ビームのビーム軸の位置ずれに関する情報を取得する。この情報は、アライナ１４にフィードバックされて電子ビームのビーム軸が補正される。 （もっと読む）

荷電粒子ビームリソグラフィを用いる半導体生産分野において、複数の露光経路を用いた、フラクチャリングもしくはマスクデータ作成、または近接効果補正のための方法およびシステムを開示する。一実施形態では、複数の露光経路に用いるベース線量は互いに異なる。別の実施形態では、露光経路の１つからのショットの集合と、異なる露光経路からのショットの集合とは異なる。さらなる実施形態では、複数の露光経路に用いる前記ベース線量レベルの合計は標準線量とは異なる。レチクルおよび集積回路を製造する類似の方法もまた開示される。
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【目的】面積密度計算と近接効果補正計算とを効率的に行なう。
【構成】描画装置１００は、ショット数が略同一になる不均一サイズで第１のブロック領域に分割するブロック領域分割部１２２と、さらに小さい各小領域のパターン面積密度を計算する面積密度計算部１２６と、第１のブロック領域毎に、記憶されたサイズ情報が示すサイズが当該第１のブロック領域のサイズより大きいか判定するサイズ判定部１２７と、大きい場合に当該第１のブロック領域のサイズで、その他の領域はサイズ情報のサイズで、改めて第２のブロック領域に分割するブロック領域分割部１３２と、第２のブロック領域毎に、近接効果補正照射量をパターン面積密度を用いて計算する近接効果補正計算部１３０と、ビーム照射量を近接効果補正照射量を用いて計算する照射量計算部１３４と、計算されたビーム照射量で描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

成形荷電粒子ビームリソグラフィを用いた半導体生産の分野では、トラックを形成する単一の拡張ショットにおいて表面を横切る荷電粒子ビーム（１４０）を引き込むことにより、表面（１３０）にパターンを形成する。いくつかの実施形態では、トラックは直線パス、湾曲パス、または曲線形状の外周（８５０，８５２，８５４，８５６，８５８，８６０，８６２）を形成できる。他の実施形態では、引き込まれたビーム（１４０）の速度を変化させることにより、トラックの幅を変更できる。この技術は集積回路を製造するために利用され、パターンをウェハに転写するために、レジスト被覆されたウェハを横切る荷電粒子ビームを引き込むか、後に光リソグラフィプロセスを用いてパターンをウェハに転写するのに用いられるフォトマスクを製造するために用いられるレチクルを横切る荷電粒子ビームを引き込む。
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成形荷電粒子ビームリソグラフィを用いる半導体生産分野において、フラクチャリングもしくはマスクデータ作成、または近接効果補正のための方法およびシステムが開示され、成形荷電粒子ビーム書込装置において決定されたショットは、ショット中に表面を横切る荷電粒子ビームを引き込み、単一の拡張ショットで複雑なパターンを形成する。引き込みは、可変成形ビーム（ＶＳＢ）またはキャラクタプロジェクション（ＣＰ）ショットのいずれかにより達成され得る。ショットのデータにおいて引き込みショットのパスを特定する方法も開示される。他の実施形態は、局部投影において引き込みショットを用いて、ショット中の引き込み速度を変化させて、引き込みショットと従来のショットとを組み合わせることを含む。引き込みショットを含むグリフを作成するための方法およびシステムも開示される。
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【課題】通信回数を増加することなく、ステップアンドリピート描画モード時の可動ステージの移動効率を向上させる。
【解決手段】連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する荷電粒子ビーム描画装置10において、描画区画判定部10b1a1が、偏向制御部10b1eから描画制御部10b1aに送られたショット完了報告に含まれている次の主偏向座標に基づいて、次にパターンが描画される区画と、次にパターンが描画される区画を荷電粒子ビーム10a1bの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、ステージ制御部10b1fが、描画制御部10b1aからのステージ移動指示を受けて、次の主偏向座標に基づいて描画区画判定部10b1a1により算出されたステージ座標まで、パターンが描画されない区画をスキップして可動ステージ10a2aを移動させる。 （もっと読む）

【課題】成形荷電粒子ビームリソグラフィを用いる半導体生産分野において、フラクチャリング、またはマスクデータ作成、または近接効果補正のための方法および装置を提供する。
【解決手段】連続した曲線キャラクタプロジェクションショットが、当該ショットのセットによって幅が変化し得る連続的なトラックを表面上に形成可能であるように、荷電粒子ビーム書込装置に対して設定される。連続した曲線キャラクタプロジェクションショットを用いて表面上に連続的なトラックを形成するための方法も開示される。連続した曲線キャラクタプロジェクションショットを用いて表面上に連続的なトラックを形成することによるレチクル製造方法、およびシリコンウェハなどの基板製造方法も開示される。 （もっと読む）

ビームぼけ半径を有する荷電粒子ビームの発生器を含む荷電粒子ビーム書込装置であって、ビームぼけ半径はショット毎に、またはショットの２つ以上のグループ同士の間で変更され得る装置が開示される。計算された荷電粒子ビーム書込ショットの各々にビームぼけ半径変更を割当てるステップを含む、フラクチャリングまたはマスクデータ準備または光学近接効果補正のための方法も開示される。荷電粒子ビーム書込装置を用いるステップと、ショット毎にビームぼけ半径を変更するステップとを含む、表面にパターンを形成するための方法も開示される。レチクル上にパターンを形成するために荷電子粒子ビーム書込装置を用いるステップと、ショット毎に荷電粒子ビーム書込装置のビームぼけ半径を変更するステップとを含む、光リソグラフィを用いた集積回路の製造方法も開示される。
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ショット毎に倍率を変更可能な可変倍率縮小レンズを含む、キャラクタプロジェクション荷電粒子ビーム書込装置が開示される。計算された荷電粒子ビーム書込ショットの各々に倍率を割当てるステップを含む、フラクチャリングまたはマスクデータ準備または光学近接効果補正のための方法も開示される。荷電粒子ビーム書込装置を用いるステップと、ショット毎に倍率を変更するステップとを含む、表面にパターンを形成するための方法も開示される。レチクル上にパターンを形成するために荷電粒子ビーム書込装置を用いるステップと、ショット毎に荷電粒子ビーム書込装置の倍率を変更するステップとを含む、光リソグラフィを用いて集積回路を製造するための方法も開示される。
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【課題】荷電粒子ビーム露光方法と半導体装置の製造方法において、近接効果を考慮して露光データを補正すること。
【解決手段】露光データD_Eを準備するステップＳ１と、露光強度分布の中心の近傍にあるデバイスパターン３０の各々を積分領域にし、露光強度分布の前方散乱成分の積分値を求めるステップＳ２と、上記積分値が基準値e0に等しくなるようにデバイスパターン３０の形状を補正するステップＳ３と、デバイスパターン３０に重心g同士が一致するようにマスクパターン１４ｃを割り当てるステップＳ４と、マスクパターン１４ｃを透過した荷電粒子で露光したレジスト層によって設計幅を有するレジストパターンが得られるように、マスクパターン１４ｃに露光量を割り当てるステップＳ５と、露光データD_Eに基づいて前記レジスト層を露光するステップＳ８とを有する荷電粒子ビーム露光方法による。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図ることができる荷電粒子ビーム露光方法を提供する。
【解決手段】電子銃６４から放射された電子ビームを所定サイズの矩形に成形する第１アパーチャ６５と、該第１アパーチャ６５で所定サイズの矩形に成形した電子ビームを任意サイズの矩形に成形する第２アパーチャ６６と、該第２アパーチャ６６で任意サイズの矩形に成形した電子ビームを一括露光用パターン形状に成形するブロックマスク６７とを設ける。 （もっと読む）