【課題】半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率などの膜特性に優れた膜を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテンとカゴ型シルセスキオキサン化合物の重合体であるシルセスキオキサン化合物を含む膜形成用組成物を塗布し、周波数５．８ＧＨｚのマイクロウエーブを照射して形成する。
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【課題】３．７以下の誘電率を有するシリカ系の材料及び膜、並びにそれを作製及び使用するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】シリカ系材料を調製するための組成物であって、少なくとも１つのシリカ源と、溶剤と、少なくとも１つのポロゲンと、任意選択で触媒と、任意選択で流動添加剤とを含み、該溶剤が、９０℃〜１７０℃の温度で沸騰し、化学式、ＨＯ−ＣＨＲ⁸−ＣＨＲ⁹−ＣＨ₂−ＣＨＲ¹⁰Ｒ¹¹（式中、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、独立して１〜４個の炭素原子のアルキル基又は水素原子であることができる）；Ｒ¹²−ＣＯ−Ｒ¹³（式中、Ｒ¹²は３〜６個の炭素原子を有する炭化水素基であり；Ｒ¹³は１〜３個の炭素原子を有する炭化水素基である）；及びそれらの混合物によって表される化合物から成る群より選択された組成物によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ダメージ回復処理単独でのプロセス確認を行うことができ、プロセス条件のずれを高感度で検出することができるダメージ回復処理の処理条件検査方法を提供すること。
【解決手段】エッチングおよびアッシングによりダメージを受けたＬｏｗ−ｋ膜に対して処理ガスによりＯＨ基部分を改質するダメージ回復処理の処理条件検査方法は、ＯＨ基含有フォトレジスト膜が形成されたウエハを準備する工程と、そのフォトレジスト膜の初期膜厚を測定する工程と、初期膜厚測定後の基板にダメージ回復処理としてのシリル化処理を施す工程と、シリル化処理後のフォトレジスト膜の膜厚を測定する工程と、シリル化処理前後のフォトレジスト膜の膜厚差を求める工程と、その膜厚差に基づいてシリル化処理の処理条件の適否を判断する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に円形状の塗布膜を形成する際に、均一な膜厚でかつスジムラ等のない塗布膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】基板を水平に保持する回転可能なテーブルと、このテーブルに対して昇降可能で、かつ、先端部に吐出孔を備えた水平移動可能なノズルとで構成される塗布装置を用いて、テーブルを回転させるとともに、ノズルをこの回転するテーブルに対して所定高さに保持した状態でテーブルの回転中心と外方所定位置との間を一方向に移動させながら吐出孔から液状塗布液を基板上に供給する円形状の塗布膜の形成方法であって、液状塗布液の粘度をη、塗布後の塗布液の膜厚をｈ、塗布後の塗布液の表面のうねりの波長をλとしたとき、式（１）で表される半減期ｔ_１／２が８以下になる条件で塗布膜を形成させる。
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【課題】外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高く、かつアンテナと素子の重なり部分の凹凸を低減された半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体素子層と、前記半導体素子層に電気的に接続する導電性樹脂と、前記半導体素子層及び前記導電性樹脂を覆い、繊維体に有機樹脂が含浸され、厚さが１０μｍ以上１００μｍ以下である封止層とを有するチップと、凹部を有し、前記導電性樹脂を介して前記半導体素子層と電気的に接続されるアンテナとを有し、前記チップは前記凹部の内部に埋め込まれ、前記チップの厚さと前記凹部の深さは同じである半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】 感光性樹脂組成物を、シリコン系基板に塗布する際に、塗布による塗膜の均一性の低下と泡の巻き込み等の欠陥を低減することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 アルカリ可溶性樹脂（Ａ）１００重量部と、感光材（Ｂ）１〜１０
０重量部と、を含む感光性樹脂組成物を、シリコン系基板（Ｃ）上に塗布する直前に、前記シリコン系基板（Ｃ）上を溶剤（Ｄ）で前処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】厚い塗布膜を基板上に均一に形成する。
【解決手段】半導体ウェハ１０を用意し、半導体ウェハ１０の両面のうち塗布膜を形成すべき一面の外縁部に高粘度材で土手２１を形成する。そして、半導体ウェハ１０を水平に配置し、半導体ウェハ１０のうち土手２１が形成された一面側に塗布器具４０を配置して塗布器具４０から低粘度材３１を半導体ウェハ１０の一面に流し込む。これにより、低粘度材３１が土手２１で囲まれた領域に溜まるため、半導体ウェハ１０の上に低粘度材３１を一定の厚さとなるように流し込む。こうして、半導体ウェハ１０上に厚く均一な塗布膜５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な生産性をもって、膜質や膜厚、結晶性を制御できる有機薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】アントラセン、テトラセンおよびペンタセンなどのアセン系多環芳香族炭化水素を始めとした種々の有機半導体の有機薄膜を製造するにあたって、溶質溶解温度および溶質溶解圧力で前記有機溶質を超臨界二酸化炭素溶媒相に溶解させて超臨界溶質溶解相を得る溶質溶解工程と、当該超臨界溶質溶解相をノズルから基板上に噴射して当該基板上で前記有機溶質を析出させて有機薄膜を形成する噴射工程とを行う。溶質溶解温度は溶媒の臨界温度以上、溶質溶解圧力は１０ＭＰａ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】導電体層／絶縁体層／半導体層構造を有する有機電界効果トランジスターにおいて、半導体層を形成する物質が有機化合物であり、絶縁体層を形成する物質が下記式（１）で示されるモノマー及び／又は下記式（２）で示されるモノマーを重合又は共重合して得られる高分子物質を含んでなることを特徴とする有機電界効果トランジスター。
ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ₂）₂−ＣＮ −−− （１）
ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯ−（ＣＨ₂）₂−ＣＮ −−− （２）
【解決手段】本発明によれば、導電体層／絶縁体層／半導体層構造を有するＴＦＴにおいて、半導体層及び絶縁体層材料の両者を有機化合物とし、更に絶縁体層を形成する物質として水酸基を有しない高分子物質を用いることにより、ｎ型トランジスター特性を低下させることがなく、更にキャリアー移動度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、絶縁膜を形成する際に所望の比誘電率を簡便に得ることができる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】上記膜形成用組成物は、下記式（１）で示されるケイ素化合物を、特定のシラン化合物を加水分解縮合して得られた加水分解縮合物の存在下で、縮合させて得られる加水分解縮合物、ならびに有機溶媒を含有する。


（式中、ｘは３〜２５の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】 薄いフォトレジストのフォトレジスト選択比を高めることで、エッチング効率を向上させることができる半導体素子のエッチング方法を提供する。
【解決手段】 物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階とを含んで半導体素子のエッチング方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】凹部を備えた基板の上への所謂ＳＴＰ法を用いた薄膜の形成において、凹部の領域における破損などがない状態で薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】基材１０５の主表面に、例えばスピン塗布法により塗布液を塗布することで、塗布膜１０４が形成された状態とする。塗布液は、薄膜材料となる薄膜原料及びこの薄膜原料より表面エネルギーの小さい有機化合物からなる有機材料を含んで作製されたものである。例えば、薄膜材料はポリイミドであり、薄膜原料はポリイミドの前駆体であるポリアミド酸であり、有機材料は、ポリカプロラクトンである。また、塗布液は、これらのポリアミド酸及びポリカプロラクトンを１−メチル−２−ピロリドンに溶解させて作製したものである。 （もっと読む）

【課題】非感光性のシロキサン樹脂を用いて、ウェットエッチング法で所望の形状に形成された絶縁膜を形成することができる、絶縁膜の作製方法を提供する。
【解決手段】有機溶媒中にシロキサン樹脂またはシロキサン系材料を有する懸濁液を用いて薄膜を形成し、薄膜に第１の加熱処理を施し、第１の加熱処理後の薄膜上にマスクを形成し、有機溶媒を用いてウェットエッチングすることで、第１の加熱処理後の薄膜の形状を加工し、加工された薄膜に第２の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物および絶縁膜製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物、炭素−炭素不飽和結合を有する耐熱性有機高分子化合物および有機溶剤を含む。該組成物を基板上に塗布した後、硬膜することにより絶縁膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等の層間絶縁膜に適した、均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物および絶縁膜を提供する。
【解決手段】組成物は、下記式（Ａ）および式（Ｂ）を構成単位として含む共重合体等を含有する。


上式中Ａ^１〜Ａ^６は水素原子等、ｍおよびｎは１以上の整数、ｍ＋ｎ個のＳｉＯ_1.5ユニットは酸素原子を共有して他のユニットに連結して、カゴ構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流の発生や熱アニールによる膜の縮小が抑制された、低誘電率で安定な層間絶縁膜を提供することにある。
【解決手段】 層間絶縁膜は、Ｓｉ原子を含有するハイドロカーボン層とＮ原子を含有するフルオロカーボン層とを積層してなり、かつ前記ハイドロカーボン層は、Ｃ原子数に対するＨ原子数の比（Ｈ／Ｃ）が０．８乃至１．２となる割合でＨ原子とＣ原子とを含有する。 （もっと読む）

【課題】良好な処理特性を維持しつつ従来よりも高スループットでシリル化処理を行うことができる処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を処理室に搬入後、ＳｉとＣＨ_３との結合を有するガスを処理室内に導入し、被処理基板に対してシリル化処理を施す処理方法であって、処理室内にＳｉとＣＨ_３との結合を有するガスを供給して処理室内の圧力を上昇させ、所定圧力に到達してから処理室内の圧力を搬出圧力まで低下させるまでの間、ＳｉとＣＨ_３との結合を有するガスの供給による前記処理室内の圧力と供給時間を、所定のシリル化処理を施すことが可能な範囲とする。 （もっと読む）

【課題】基板に良好な薄膜を形成することができる薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に塗布された塗布液の状態を間接的に示す膜厚情報を検出し、その検出結果に応じて塗布液への石英基板（押付部材）の押付タイミングを決定する。このように膜厚情報に基づき基板への石英基板の押付タイミングを決定しているので、最適なタイミングで塗布液の平坦化処理を実行することができる。その結果、基板の周辺環境や薄膜の種類などを問わず、基板上に良好な薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】生産効率が高い溶液プロセスによって製造することが可能で、形成後は高い耐溶剤性を有し、しかも均一な膜厚で形成されたゲート絶縁層を有する有機薄膜トランジスタ、及び有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、少なくともゲート電極パターン、ゲート絶縁層、ソース電極パターン、ドレイン電極パターン、及び有機半導体材料を含有する半導体層と、を有する有機薄膜トランジスタにおいて、該ゲート絶縁層が、硬膜剤によって架橋されたゼラチンを含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】パターニング性に優れたスクリーン印刷を実現するスクリーン版を用いての製造方法を提供すること。
【解決手段】スクリーン版の、最も外側に位置するチップパターンの外側に、５０〜２０００μｍの間隔をあけて、５０〜５０００μｍの幅または５０００μｍ以上の幅を有するダミーパターンを設け、スクリーン印刷により、半導体ウエハ５の表面に、本来必要とされる複数のチップの保護膜パターン８と、この保護膜パターン群を囲む囲繞パターン２１が形成されるようにする。このようにして、ウエハ５に転写された囲繞パターン２１にかすれが発生しても、その内側の保護膜パターン８にかすれが発生しないようにする。ダミーパターンは、実線状、破線状、点線状、円形状、楕円形状、多角形状、またはそれらのうちの２以上の形状を組み合わせたパターンとする。 （もっと読む）