【課題】ゲート絶縁層にカルド型樹脂が用られることによって高性能化された有機半導体素子を、さらに、より一層高性能化し、飛躍的に半導体特性が優れる有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１と、前記基板上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層２ｃおよび前記有機半導体層に接するように形成された。カルド型樹脂の硬化物からなるゲート絶縁層２ｂを備える有機半導体トランジスタ２と、を有する有機半導体素子１０であって、前記ゲート絶縁層２ｂに、ゲート絶縁層２ｂの表面エネルギーを低下させる機能を有する機能性添加剤を含有することを特徴とする有機半導体素子。 （もっと読む）

【課題】低比誘電率であり且つ高弾性率な層間絶縁膜を構成する硬化パターンの形成に好適なネガ型感放射線性組成物、それを用いた硬化パターン形成方法及びこの硬化パターン形成方法により得られた硬化パターンを提供する。
【解決手段】本発明のネガ型感放射線性組成物は、（Ａ）下式（１）で表される有機ケイ素化合物（ａ１）と、下式（２）で表される有機ケイ素化合物（ａ２）と、を含む加水分解性シラン化合物を加水分解縮合させて得られるポリシロキサン、（Ｂ）感放射線性酸発生剤、（Ｃ）酸拡散抑制剤、及び（Ｄ）溶剤を含有する。


〔式中、Ｒ^１は炭素数２〜６のアルケニル基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数である。Ｒ^３は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シアノ基、シアノアルキル基又はアルキルカルボニルオキシ基を表し、Ｒ^４は１価の有機基を表し、ｂは１〜３の整数である。〕 （もっと読む）

【課題】直交する電極どうしの交差部に絶縁膜形成インクを噴射して絶縁膜を形成する際に、表面に凹凸の少ない絶縁膜を形成することが可能なタッチパネルの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成工程では、Ｘ電極１０のブリッジ配線１１上の領域に対して、絶縁膜形成インクを選択的に噴射（配置）する。その後、基板１上の絶縁膜形成インクを加熱し、乾燥固化することで、ブリッジ配線１１上に絶縁膜３０が形成される。絶縁膜形成インクは、例えば、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、及びアクリルモノマーなどの絶縁材料を液性媒体に溶解（分散）させ、更にアクリル系界面活性剤を含有させたものである。 （もっと読む）

【課題】表面自由エネルギーを変化させる際に照射する紫外線による濡れ性変化層の絶縁性の低下を抑制することが可能な積層構造体並びに該積層構造体を有する電子素子、電子素子アレイ、画像表示媒体及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】積層構造体１０は、基板１１上に、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料を含む濡れ性変化層１２の紫外線照射領域１２ａに導電体層１３が形成されている積層構造を有し、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料は、ポリアミド酸を脱水閉環反応させることにより得られる有機溶媒に可溶な特定ポリイミドである。 （もっと読む）

【課題】効率的な製造工程を提供し、製造コストを低減することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造装置１００は、ウェハカセット２，３，４と、ウェハの洗浄および表面改質を行う装置５と、ウェハの位置合わせを行う装置６と、ウェハ表面にパッシベーション膜となる材料を射出する装置７と、パッシベーション膜の外観検査を行う装置８と、パッシベーション膜に熱処理を行う装置９と、処理順にウェハを各装置に搬送する装置１０を備えている。製造装置１００では、インクジェット技術を用いて、洗浄後のウェハ表面に、選択的にパッシベーション膜のパターンを形成する。次いで、パッシベーション膜のパターンが、所望のパターン条件を有しているか否かを検査する。パッシベーション膜が所望のパターンで形成されている場合に、パッシベーション膜を硬化および焼成する熱処理を行う。 （もっと読む）

基板表面上に薄膜を堆積するための化学気相成長(CVD)法が記載されている。当該CVD法は、処理チャンバ内の基板ホルダ上に基板を設ける工程、及び、化学前駆体を有する処理気体を前記処理チャンバに導入する工程を有する。前記処理気体は、前記基板ホルダとは別個の非電離熱源に曝されることで、前記化学前駆体の分解を引き起こす。薄膜が前記基板上に堆積される。
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【課題】反応容器内で第１及び第２の原料ガスを反応させ、基板表面に薄膜を成膜する場合において、第１及び第２の原料ガスを、インジェクタの近傍で均一に混合してから基板に到達させることができ、成膜する薄膜の膜質、膜厚を基板間及び面内で均一に揃えることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】反応容器内に第１及び第２の原料ガスを吐出する第１及び第２のインジェクタ１１、１２を備え、第１及び第２のインジェクタ１１、１２は、第１及び第２の原料ガスを基板に向けて吐出する複数の第１の吐出口Ｎ１、Ｎ２が設けられ、第１の吐出口Ｎ１から吐出された第１の原料ガスの流路ＦＬ１が、対応する第２の吐出口Ｎ２から吐出された第２の原料ガスの流路ＦＬ２と略同一であり、第１の原料ガスは、第１の吐出口Ｎ１から吐出された後、基板に到達する前に、第２の原料ガスと混合されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法により基板上に形成する絶縁膜を、熱処理または紫外光照射による固化後も表面平坦性を保持可能で所望の形状に形成できる絶縁膜形成用インクを提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用のインクは、液性媒体と、絶縁膜３０形成材料と、液性媒体に分散された合成樹脂製のビーズ２００と、を含む。基板Ｐ上に供給された前記インクは、熱処理または紫外光照射により固化する際に表面平坦性が損なわれず膜厚が均一な絶縁膜となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、硬膜時における膜減りが小さく、かつ誘電率などの特性に優れた膜を製造することができる組成物、およびその組成物より得られる膜を提供することを目的とする。
【解決手段】芳香族炭化水素を主成分とし、分子内の全ての水素原子が前記芳香族炭化水素を構成する炭素原子と結合しており、熱重量分析（１ｍｍＨｇ真空下，昇温速度２０℃/ｍｉｎ）において５％重量減少温度が２５０℃〜４５０℃を示し、空孔形成剤として作用する化合物（Ｐ）と、樹脂または樹脂前駆体とを含有する組成物。 （もっと読む）

【課題】製造過程の絶縁膜の剥離や飛散を抑制して半導体装置を歩留まり良く製造する。
【解決手段】ウェーハの上方に下地となる第１絶縁膜を介して第２絶縁膜を形成し（ステップＳ１，Ｓ２）、熱処理を行った後（ステップＳ３，Ｓ４）、その熱処理後の第２絶縁膜の一部を選択的に除去する（ステップＳ５）。熱処理の間、第１絶縁膜を第２絶縁膜で覆い、熱処理時の第１絶縁膜の剥離及び飛散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】インクジェットヘッドの耐久性を低下させない溶媒を使用できるイミド系の化合物を含み、且つ、インク中にイミド系の化合物を高濃度で含有し、常温保存における保存安定性が良好で、１回のジェッティングで比較的厚い（１μｍ以上の）膜を形成でき、さらに、製膜時に耐熱性、電気絶縁性が高く、十分な機械的強度を有する、反り量の少ない絶縁膜を得ることができるインクジェット用インクを提供する。
【解決手段】モノアミン（ａ１）と酸無水物基を１つ有する化合物（ａ２）とを用いて得られるイミド化合物（Ａ）と、溶媒（Ｂ）とを含む、インクジェット用インク。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の配線を形成するための積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域が形成されている濡れ性変化層を形成する工程と、高表面エネルギー領域を覆うように、濡れ性変化層から所定の間隔を隔て対向基板を設置する工程と、高表面エネルギー領域上に導電性材料を含む溶液を供給する工程と、導電性材料を含む溶液を乾燥または硬化させることにより、高表面エネルギー領域上に導電層を形成する工程を有することを特徴とする積層構造体の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】蒸着により重合膜を成膜する際に、原料を加熱して供給する際の上記不都合が生じない重合膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】原料形成面に重合膜を形成するための複数の原料を所定パターンで形成した第１の基板１６と、重合膜を形成すべき成膜面を有する第２の基板１５とを、原料形成面と成膜面とが向き合うように処理容器２内に対向して設け、処理容器２内を真空雰囲気とし、第１の基板１６を前記複数の原料１７，１８が蒸発する第１の温度に加熱して蒸発させるとともに、第２の基板１５を複数の原料が重合反応を生ずる第２の温度に加熱し、第１の基板１６から蒸発した複数の原料１７，１８を第２の基板１５の成膜面で反応させ、成膜面に所定の重合膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、特性が経時的に劣化し難い有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】ソース電極２０ａと、ドレイン電極２０ｂと、ゲート電極５０と、ゲート電極５０に対してソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを絶縁するゲート絶縁層４０と、ゲート絶縁層４０に接触して設けられた有機半導体層３０と、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０と反対側に接触して設けられたバッファ層６０とを有し、ゲート絶縁層４０およびバッファ層６０の少なくとも一方を、下記一般式（１）、または（２）で表される絶縁性高分子を主材料として構成される。
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【課題】ゲート絶縁膜の膜厚ムラや点欠陥を低減し、デバイスエラー率が低減可能なゲート絶縁膜を有する電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ソース-ドレイン電極と、チャネル層を構成する半導体層と、前記ゲート電極と前記チャネル層とに挟まれたゲート絶縁膜とを備えた電界効果型トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜が絶縁性有機高分子からなり、前記ゲート絶縁膜を形成させる際、被着体の界面に、アルミニウム含有有機化合物溶液によりアルミニウム含有有機化合物層を形成してなる、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】フッ素添加カーボン膜（ＣＦ膜）上にハードマスク用の薄膜であるＳｉＣＯ膜あるいはＳｉＣＮ膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。
【解決手段】 ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。ＳｉＣＯ膜の成膜時に、酸素の活性種がＣＦ膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってＣＦ膜の脱ガス量が低減する。またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの表面に紫外線硬化樹脂の保護膜を均一の厚さに形成することができる半導体ウエハの保護膜の形成装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの保護膜の形成装置であって、上下に貫通して紫外線が通過可能な開口を有する機台および定盤と、前記定盤の下部に装着されて紫外線を上方へ向けて反射する光反射体と、この光反射体の下部に装着されて紫外線を上方へ向けて照射する紫外線照射手段と、前記定盤の上方位置に昇降可能に配設された昇降部材と、前記定盤の上面に前記開口を被うようにして装着されるとともに前記半導体ウエハを載置可能な平坦状の上面を有する紫外線透過性の受圧部材と、前記昇降部材の下方側に位置してこの昇降部材に角度調整手段を介しかつ前記受圧部材と対向して装着されるとともに平坦状の下面を有する加圧部材と、前記昇降部材を昇降させる電動シリンダと、を具備している。 （もっと読む）

【課題】成膜チャンバー及びその部材や排気系や配管等を腐食することなく、低誘電率、低屈折率、及び高機械的強度を有し、疎水性の改良された多孔質膜を作製する方法、多孔質膜、並びに多孔質膜の前駆体組成物の溶液を提供すること。
【解決手段】式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４及びＲ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａ(式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた化合物と、熱分解性有機化合物とを含む多孔質膜の前駆体組成物の溶液であって、ｐＨが５〜９である溶液を基板上に塗布し、所定の温度範囲で焼成させ、得られた多孔質膜に対する紫外線照射後、ヘキサメチルジシラザン、ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、トリメチルシリルイミダゾール及びトリメチルアミンジメチルアミンから選ばれた疎水性化合物を所定の温度で気相反応させ、疎水化された多孔質膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】電気・電子デバイスの部材として好適に用いることができ、イオン液体を内包するカプセルを提供する。
【解決手段】〔１〕芯物質と該芯物質を内包する壁膜とからなり、該芯物質がイオン液体を含有し、該壁膜が無機質壁膜であることを特徴とするカプセル。
〔２〕該無機質壁膜が加水分解性金属化合物の加水分解生成物であることを特徴とする〔１〕記載のカプセル。
〔３〕該イオン液体が親水性のイオン液体であることを特徴とする〔１〕〜〔２〕のいずれかに記載のカプセル。
〔４〕有機溶媒および前記〔１〕〜〔３〕のいずれかのカプセルを含有することを特徴とするカプセル分散液。 （もっと読む）

【課題】塗布液の滴下量を削減しつつ、より広範囲に塗布膜を成膜することが可能な回転塗布方法を提供する。
【解決手段】回転塗布装置１００は、回転駆動源により基板を第１の回転数で基板の中央部を中心に基板を回転させながら、塗布液供給部により塗布液を第１の滴下量だけ基板の中央部に滴下し、塗布液を第１の滴下量だけ滴下した後、回転駆動源により第１の回転数よりも小さい第２の回転数で基板を回転させながら、塗布液供給部により塗布液を第２の滴下量だけ基板の中央部に滴下し、塗布液を第２の滴下量だけ滴下した後、回転駆動源により塗布液の膜厚を決定するための第３の回転数で基板を回転させる。第１の回転数は、空気抵抗により第１の滴下量の塗布液が基板に均一に広がらない回転数である。 （もっと読む）