【課題】 基板上に形成されるギャップ内に誘電体層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】 方法は、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップを含む。有機シリコン前駆物質のＣ：Ｓｉ原子比は、８未満であり、酸素前駆物質は、堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む。前駆物質が反応して、ギャップ内に誘電体層を形成する。ギャップを誘電材料で充填する方法も記載する。これらの方法は、Ｃ：Ｓｉ原子比が８未満の有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を供給するステップと、前駆物質からプラズマを生成させて、ギャップ内に誘電材料の第一部分を堆積させるステップとを含んでいる。誘電材料がエッチングされてもよく、誘電材料の第二部分がギャップ内に形成されてもよい。誘電材料の第一部分と第二部分がアニールされてもよい。 （もっと読む）

【課題】 基板表面を処理する方法を提供する。
【解決手段】 第一有機シリコン化合物と、第一酸化ガスと、一つ以上の炭化水素化合物とを含む第一ガス混合物を基板表面上に第一低誘電率膜を堆積させるのに充分な堆積条件でチャンバ内へ分配させる。第二有機シリコン化合物と第二酸化ガスとを有する第二ガス混合物を、第一低誘電率膜上に第二低誘電率膜を堆積させるのに充分な堆積条件でチャンバ内に分配させる。第二酸化ガスのチャンバ内への流量を増加させ、第二有機シリコン化合物のチャンバ内への流量を減少させて、第二低誘電率膜上に酸化物を多く含むキャップを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】空孔導入を必要としない層間絶縁膜材料として優れた低誘電材料として使用される脂環式置換基含有芳香族系化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表されるハロゲン化脂環式化合物と、下記式（２）で表される芳香族系化合物を、フリーデル・クラフツ反応により反応させ、芳香族系化合物に少なくとも１つの脂環式基（Ｒ）を導入する脂環式置換基含有芳香族系化合物の製造方法。
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式(M¹_1-a M²_a) O_b N_c(ここで、
0≦a＜1、
0＜b≦3、好ましくは1.5≦b≦2.5、
0≦c≦1、好ましくは0≦c≦0.5、
M¹およびM²は金属である)を有する少なくとも1つの金属を含有する誘電体フィルムを少なくとも1つの支持体上に形成する方法。
式(R_yOp)_x (R_tCp)_z M¹ R’_4-x-zの前駆体の使用。 （もっと読む）

【課題】有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、高効率で製造することが可能であり、経時安定性が良好で、かつ、優れた特性を有する有機半導体素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板、および、上記基板上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層と、上記有機半導体層と接するように形成されたソース電極およびドレイン電極と、上記有機半導体層上に形成されたゲート絶縁層と、上記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極とを有する有機半導体トランジスタ、を有する有機半導体素子であって、上記ゲート絶縁層が絶縁性を備えるフッ素系樹脂からなることを特徴とする有機半導体素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

本発明は有機材料の層の製造方法を提供する。その製造方法は、堆積条件下で基体に、溶媒中に溶解した前記有機材料を含む溶液の層を供給する工程と、必要に応じて前記溶液の層を部分的に乾燥する工程と、その後前記溶液の層をアニーリングする工程であって、前記アニーリングは前期溶液の層が完全に乾燥する前に実施され、前記アニーリングの継続時間はアニーリングの間に前期溶液の層が安全に乾燥しないように制限され、前記アニーリングが前期溶液の層のリフローを生じさせるアニーリング工程と、その後前記溶液の層を乾燥させる工程であって、堆積条件下で乾燥するよりも遅く前記乾燥が実施されるように制御される乾燥工程とを含む。得られた有機材料の層はミクロ品質およびマクロ品質の両方で改善を示し、より少ない表面粗さと正確な線解像度およびエッジ解像力をを萎えた十分に長いフィルムの獲得をもたらす。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタ、特に、パターニング技術が、下地電極に対して正確に整列される必要がある電極パターンの画定に使用される薄膜トランジスタなどの電子デバイスの作製に関する。作製方法は、狭い線幅を有する構造を形成することができない、及び／又は、先に堆積されたパターンに対してあまり正確に位置決めすることができない、レーザアブレーションパターニング技術または溶液ベースの直接書き込み印刷技法などの種々のパターニング技術に適用可能である。こうして、本発明者等は、減算的技法によるゲートパターニング、特に、選択的レーザアブレーションパターニングと、印刷などの加算的技法によるゲートパターニングの両方について適用可能である自己整合ゲート技法を述べる。技法は、低解像度ゲートパターニングの使用を容易にする。
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【課題】エッチング選択性が高く、 多重エッチングに対する耐性が十分であり、レジス
トと下部層間の反射性を最小化する反射防止能を有するレジスト下層膜用ハードマスク組成物を提供すること、および該ハードマスク組成物を用いて、基板上の裏面材料層をパターン化させる方法を提供すること。
【解決手段】本発明のレジスト下層膜用ハードマスク組成物は、下記式(１)で表される１種以上の化合物から得られ、かつ分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の値が１.１〜２である有機
シラン系重合体と、溶媒とを含むことを特徴とする
[Ｒ₁Ｏ]₃Ｓｉ-Ｒ₂ ・・・（１）
(式中、Ｒ₁は、炭素数１〜５のアルキル基、アセトキシ基またはオキシム基を示し、Ｒ₂
は、水素、炭素数１〜５のアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示す。)。 （もっと読む）

【課題】成膜対象物の形状に制限されることなく、かつ、成膜効率の良い、重合体膜製造装置およびポリパラキシリレン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】重合体膜製造装置４０では、固体原料を気化炉１で気化させ、分解炉２で分解してモノマー原料とし、成膜チャンバー３に供給し、内部の成膜対象物に重合体膜を成膜する。このとき、成膜チャンバー３から排出させる残存モノマー原料は連結部１９ｄおよび循環用ポンプ５により分解炉２に循環させる。これにより残存モノマー原料を成膜に再利用できるので、成膜効率を向上することができる。上記重合体膜製造装置４０は、特にパラキシリレン膜の成膜に好適に用いることができる。 （もっと読む）

有機電界効果トランジスタの製造において少なくとも２つの厚みを有する誘電体が形成される。
トランジスタのアクティブ領域に形成される１つの厚みにより、デバイスの所望の閾値が調整される。
トランジスタのフィールド領域に第２の厚みが堆積されることにより、トランジスタを電気的に絶縁し、リーク電流および容量を減少させる。第１の厚みより厚く、第２の厚みよりは薄い第３の誘電体厚を用いることにより、第２の閾値電圧を有するトランジスタが定義され得る。誘電体の複数の厚みは、グラビア印刷を用いるときは、グラビアロールの複数のセルサイズ、フレキソ印刷を用いるときは、ａｎｏｌｏｘロールにおける複数のセルサイズ、インクジェット印刷を用いるときは、複数のノズルサイズおよびチャンバ圧により生じ、あるいは、単一の厚みの誘電体の連続層を印刷することにより生じる。方法は、トップゲート型、ボトムゲートトップコンタクト型、また、ボトムゲートボトムコンタクト型有機トランジスタ構造において用いられ得る。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が低く、厚膜を形成することができるＴＦＴ層間絶縁膜材料を提供すること。
【解決手段】 カゴ状シルセスキオキサン化合物を含有することを特徴とする薄膜トランジスタ用層間絶縁膜材料。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表裏両面に所定の機能集積デバイスが形成される半導体、ガラス、金属、プラスチック等のウエハの加工工程で薄膜を形成する薄膜形成装置に関し、表裏両面に所定処理がなされるウエハ上への薄膜形成の均一化を図り、品質向上、歩留り向上を図ることを目的とする。
【解決手段】吸引固定回転部１２の回転ステージ１２Ａ上に設けられる載置部１３の周縁部分に所定数の突部載置部材１５，１６が形成され、当該突部載置部材１５，１６上に、搬送されるウエハをその周縁で載置させ、吸引固定した後に回転させて当該ウエハ上に供給ノズル１７より薄膜形成材を供給させる構成とする。 （もっと読む）

【課題】 スピンコートを用いて薄膜を形成するときに、その薄膜の厚さの均一度を向上させることができる半導体素子の製造方法、半導体素子の製造装置および半導体素子を提供する。
【解決手段】 基板にスピンコート材料を載せ、その基板を回転させることにより、基板上に薄膜を形成するスピンコート工程を有する半導体素子の製造方法であって、前記スピンコート工程は、基板の回転の開始からスピンコート工程の終了までの間に、基板について、前後の回転数よりも少なくとも低速回転の状態とする低速期間を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも誘電率特性、膜強度に優れた組成物、絶縁膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物、その加水分解物、またはそれらの縮合物を含む組成物。


式中、Ｒ¹は水素原子または置換基である。Ｒ²は水素原子、あるいは水酸基または加水分解性基を有するシリル基であり、かつ分子中少なくとも１つは水酸基または加水分解性基を有するシリル基である。ｍは５〜３０の整数。 （もっと読む）

【課題】配線材料となるＣｕの拡散を防止し、配線間リークが少なく、又、凹凸が少なく、それだけ信頼性が高く、更には配線プロセスが簡略化され、コストがそれだけ低廉なものになる半導体装置を提供することである。
【解決手段】基板１と、前記基板１上に設けられたＣｕ配線層８，１９と、前記Ｃｕ配線層８，１９上に設けられた層間絶縁層９，２０とを具備する半導体装置であって、前記層間絶縁層９、２０がＣｕ拡散防止機能を有する塗布型絶縁膜である。 （もっと読む）

【課題】溶液加工性で、薄膜トランジスタのゲート誘電体層を作製するのに使用することができる誘電材料組成物を提供する。
【解決手段】シロキシ／金属酸化物ハイブリッド組成物から調製した誘電材料、そのような誘電材料を含む薄膜トランジスタなどの電子デバイスを提供する。シロキシ／金属酸化物ハイブリッド組成物は、例えば、シロキサンまたはシルセスキオキサンなどのシロキシ成分を含む。シロキシ／金属酸化物ハイブリッド組成物は、溶液堆積技術を用いる薄膜トランジスタのための誘電体層の調製に用いられる。 （もっと読む）

【課題】基板表面における膜形成において、生産性を低下させることなく、パーティクルの発生を防止できる成膜方法および成膜装置、かかる成膜方法により形成された膜を提供すること。
【解決手段】成膜装置１は、液状の膜形成材料が塗布されるウエハＷを回転支持するウエハ支持部２と、膜形成材料をウエハＷに塗布法により供給して膜を形成する膜形成材料供給部４と、ウエハＷの一方の面の縁部および他方の面の縁部に撥液材料を供給して撥液膜を形成する撥液膜形成部５とを備え、ウエハＷの一方の面に液状の膜形成材料を膜形成材料供給部４から供給するのに先立って、ウエハＷの一方の面の縁部および他方の面の縁部に、撥液材料を撥液膜形成部５から供給して撥液膜を形成することにより、ウエハＷの他方の面側に前記膜形成材料が浸入するのを防止するものである。 （もっと読む）

例えば半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができ、かつ、比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ、均一な膜質を有する膜を形成することができるポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、および絶縁膜を提供する。
本発明のポリマーの製造方法は、（Ａ）ポリカルボシランの存在下、（Ｂ）加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合することを含み、前記（Ａ）ポリカルボシランが、以下のポリマー（Ｉ）である。
（Ｉ）（ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、（ｂ）下記一般式（２）で表される化合物および下記一般式（３）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種とを、有機溶媒中でアルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方の存在下にて反応させて得られるポリマー（Ｉ）：
Ｒ^１_ｋＣＸ_４−ｋ ・・・・・（１）
Ｒ^２_ｋＳｉＹ_４−ｋ ・・・・・（２）
Ｒ^３_ｍＹ_３−ｍＳｉＣＲ^４_ｎＸ_３−ｎ ・・・・・（３）
（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なり、それぞれ１価の有機基または水素原子を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｙはハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、ｋは０〜３の整数を示し、ｍおよびｎは同一または異なり、０〜２の整数を示す。） （もっと読む）