【課題】 基板上に材料を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着プロセスを使用して基板上に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有するＴＥＲＡ膜を堆積させるための方法および装置であって、ＴＥＲＡ膜の堆積の少なくとも一部に対して、プラズマ増強化学蒸着プロセスは、フォトレジストを有する反応を低下させるプリカーサを使用する。この装置は、第１のＲＦ電源に結合された上部電極および第２のＲＦ電源に結合された基板ホルダを有するチャンバと、複数のプロセスおよびプリカーサガスを供給するシャワーヘッドとを含む。 （もっと読む）

本発明は、有機シランガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜される絶縁膜の低誘電率化と、機械的な強度の維持を可能とすることを目的としている。
そのため、本発明では、被処理基板に有機シランガスを含む第１の処理ガスを供給してプラズマを励起することで、当該被処理基板上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記被処理基板にＨ₂ガスを含む第２の処理ガスを供給してプラズマ励起することで、当該絶縁膜の処理を行う後処理工程と、を有する基板処理方法であって、前記後処理工程のプラズマ励起は、マイクロ波プラズマアンテナにより行われることを特徴とする基板処理方法を用いている。 （もっと読む）

ビアの中に有機プラグを形成する方法について記述する。ビアはシリコン含有誘電体を含む集積回路（ＩＣ）構造中に存在する。有機プラグを形成する方法は底部反射防止膜等の有機化合物を塗布することを含む。その有機化合物はビアを占める。そして、その方法は反応装置に一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）ガスを供給することに進み、そして反応装置中でプラズマを生成する。有機化合物の多くの部分が除去されて、ビアを占める有機プラグを残す。有機プラグは、典型的には、デュアルダマシンプロセスにおいて形成される。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜を処理するための方法とシステムを提供する。
【解決手段】誘電体膜を処理するための方法とシステムは、誘電体膜の少なくとも一つの表面をＣ_ｘＨ_ｙ含有材料に露出することを有する。ｘとｙはそれぞれ１以上の整数である。エッチプロセスすなわちアッシングの結果、誘電体膜に形成された形態の露出表面は、ダメージを受けるか活性化するかして、汚染物質の保留・湿気の吸収・誘電率の上昇などを引き起こし得る。ダメージを受けた表面は、少なくとも、表面を修復して例えば誘電率を復活させる（すなわち誘電率を減少させる）か、表面を洗浄して汚染物質や湿気や残渣を取り去るかして処理する。さらに、膜中の形態のバリア層とメタリゼーションのための準備は、形態の側壁表面を被覆して、露出した空孔を閉じ、またバリア膜堆積用の表面を提供する処理を含んでもよい。 （もっと読む）

エッチング剤又はアッシング処理を受けた有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の表面に疎水性を回復するための方法。これらの膜は、これらの膜の低く安定な誘電特性を確保するために集積回路の製造で絶縁材料として使用されている。該方法は、これらの膜に応力誘起ボイドが形成されるのを防止する。有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜は、ビア及びトレンチを形成するためにエッチング剤又はアッシング試薬による処理を受けてパターン化されるが、その処理が以前に存在していた炭素含有部分の少なくとも一部を除去するようなものであるため、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性が削減される。ビア及びトレンチはその後金属で充填され、アニール処理を受ける。膜がエッチング剤又はアッシング試薬に当てられた後、アニール処理にかけられる前に、膜を強化剤組成物と接触させ、炭素含有部分の一部を回復し、有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性を増大させる。 （もっと読む）

誘電体材料を堆積する方法（１００）は、基板に、少なくとも１つの層をその基板の上に設けること（１０１）を含む。この方法は、上部層の上部表面を物質で予め濡らすこと（１０２）と、溶液をスピンコーティングすること（１０３）と、誘電体材料を形成すること（１０４）とをさらに含む。誘電体材料は、例示的に、比較的多孔性であり、比較的低い誘電率を有したＳｉＯ_２である。予め濡らすことによって、消費される溶液が減少し、処理コストが低減されることになる。さらに、誘電体層（２０９）は、厚さの均一性が向上する。
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【課題】低膜応力及び低誘電率を有するシリコン系絶縁膜を形成するための方法を与える。
【解決手段】シリコン系絶縁膜は、(i)少なくともひとつのビニル基を含むシリコン系炭化水素化合物（シリコン-ビニル化合物）から成るソースガス、及び(ii)添加ガスから成る反応ガスを基板が配置された反応チャンバ内に導入し、基板上に絶縁膜を蒸着するべくプラズマ重合反応を生じさせるよう反応ガスにRF電力を印加することによって、プラズマ重合反応により基板上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 調整可能な光学的性質およびエッチング特性を有する材料を堆積させる方法と装置の提供。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着によって基板に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有する膜を堆積させる方法およびシステムに関するものである。チャンバは、プラズマソースと、ＲＦ電源に結合された基板ホルダとを有する。基板は、基板ホルダに配置される。ＴＥＲＡ層は、基板に堆積される。ＴＥＲＡ層の少なくとも一部分の堆積速度が、ホルダの基板にＲＦ電力が印加されていないときより早くなるように、ＲＦ電源によって提供されるＲＦ電力は、選択される。 （もっと読む）

半導体材料をリワークする方法であって、（ｉ）シリコーン組成物を基板表面に塗布して膜を形成する段階と、（ｉｉ）前記膜の一部を放射線で照射し、前記表面の一部である非照射部と前記表面の残りの部分である照射部とを有する、部分的に照射された膜を作成する段階と、（ｉｉｉ）前記照射部が実質的に現像液に対して非可溶であり、前記非照射部が前記現像液に対して可溶であるような時間、前記部分的に照射された膜を加熱する段階と、（ｉＶ）前記加熱後の膜の非照射部を前記現像液で除去し、パターン形成された膜を作成する段階と（Ｖ）硬化シリコーン層を形成するのに十分な時間前記パターン形成された膜を加熱する段階と、（Ｖｉ）有機溶媒及び塩基を含む無水エッチング液に浸漬して硬化シリコーン層の全部または一部を除去する段階と、を含む方法。 （もっと読む）

【課題】ロール・トゥ・ロールプロセスでの使用に適応した高温安定性の平坦化フレキシブル誘電基板及びそれに用いる誘電被膜を提供すること。
【解決手段】式：［Ｒ_xＳｉＯ_(4-x)/2］_n（ここで、ｘ＝１〜４、Ｒはメチル、フェニル、ヒドリド、ヒドロキシ、アルコキシ又はこれらの組み合わせ（ただし、１＜ｘ＜４）で表されるシリコーン組成物を含む、導電性基板上に用いられる誘電被膜である。Ｒはまた、アルキル又はアリール基、アリールエーテル、アルキルエーテル、アリルアミド、アリールアミド、アルキルアミノ及びアリールアミノラジカルから独立して選ばれた他の１価ラジカルからなる。誘電被膜は網目構造を有する。光起電基板がまた開示され、その表面上に誘電被膜が設けられた導電性材料を含む。 （もっと読む）

集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 （もっと読む）

本発明は半導体または電気回路での低いｋ誘電性フィルムの製造方法に関し、前記方法は、一般式［（Ｒ_ａＸ_ｂＳｉＯ_１．５）_ｍ（Ｒ_ｃＹ_ｄＳｉＯ）_ｎ］（式中、ａ、ｂは０〜１であり、ｃ、ｄは１であり、ｍ＋ｎは３以上であり、ａ＋ｂは１であり、ｎ、ｍは１以上であり、Ｒは水素原子またはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれ置換されているかまたは置換されてなく、Ｘはオキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、シリル、シリルオキシ、ハロゲン、エポキシ。エステル、フルオロアルキル、イソシアネート、アクリレート、メタクリレート、ニトリル、アミノまたはホスフィン基であり、またはタイプＸの少なくとも１つの前記基を有するタイプＲの置換基であり、Ｙはヒドロキシル、アルコキシまたはタイプＯ−ＳｉＺ_１Ｚ_２Ｚ_３の置換基であり、Ｚ_１、Ｚ_２およびＺ_３はフルオロアルキル、アルコキシ、シリルオキシ、エポキシ、エステル、アクリレート、メタクリレートまたはニトリル基であり、またはタイプＲの置換基であり、同じかまたは異なり、タイプＲの置換基が同じかまたは異なるだけでなく、タイプＸおよびＹの置換基もそれぞれ同じかまたは異なり、タイプＹの置換基として少なくとも１個のヒドロキシル基を有する）の不完全に縮合した多面体のオリゴマーシルセスキオキサンをフィルムの製造のために使用することを特徴とし、更にこの方法により製造される低いｋ誘電性フィルムに関する。 （もっと読む）

【課題】低比誘電率及び優れた膜質を有する、改良された絶縁膜を形成するための方法を与える。
【解決手段】絶縁膜は、ソースガスを与えるようシリコン含有炭化水素化合物を気化し、ソースガス並びに不活性ガス及び酸化ガスのような添加ガスから成る反応ガスをプラズマCVD装置の反応空間へ導入し、−５０℃〜１００℃の温度でプラズマ重合反応によりシロキサン重合体膜を蒸着することによって、半導体基板上に形成される。反応空間内での反応ガスの滞留時間は、２.５のように低い比誘電率を有するシロキサン重合体膜を形成するような方法で反応ガスの総流量を減少させることにより延長される。 （もっと読む）

【課題】配線の信号伝播性能向上を絶縁被膜の誘電率分布の均一化によって実現することを課題とする。
【解決手段】アルコキシシランを加水分解して得られたシリカからなる、平均粒径が１０００Å以下であって、粒径の３σが平均粒径の２０％以下である第一の微粒子と、平均粒径が１第一の微粒子の１／３以下で、粒径の３σが第二の微粒子の平均粒径の２０％以下である第二の微粒子とを含有し、半導体デバイスに用いるに好ましい被膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＧ膜のＳｉ原子と有機基（例えばＣＨ３基）やＨ基の結合がアッシング時に切れるのを抑制して誘電率を低く抑える。
【解決手段】低誘電率の有機又は無機ＳＯＧ膜にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行って配線溝を形成し、この後、枚葉式ダウンストリーム型のプラズマアッシング装置を用いて、酸素ガスプラズマによるアッシング処理を例えば１．２Ｔｏｒｒの圧力雰囲気下で施してレジスト膜を除去し、この後配線溝にバリヤメタル形成後、Ｃｕを電界メッキ法にて埋設して配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成された基板上に絶縁膜１０３が多層形成され、絶縁膜１０３に形成された配線溝およびビアホールに金属配線剤が充填されて、配線および接続プラグが形成された配線構造において、絶縁膜１０３のうち少なくとも一層が対電子線感光性を有する材料から形成されており、絶縁膜１０３の層間にはバリア絶縁膜１０４を有し、前記金属配線剤は銅を含むものである。 （もっと読む）