【課題】基板の表面にビアが形成された基板を密着促進剤により処理するときに、ビアの底に液溜まりを形成せずに表面処理できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器２０内に搬入されており、表面に穴部が形成されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器２０内に密着促進剤ガスと水蒸気とを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含む雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＤ法によって形成するシリコン酸化膜に、ボイドが発生することを抑制する。
【解決手段】基板、基板表面に形成された溝状領域Ｇ、及び溝状領域Ｇに埋設されたシリコン酸化膜８を有する半導体装置の製造方法であって、溝状領域Ｇを含む基板の表面を覆うライナー膜６を形成するライナー膜形成工程と、ライナー膜６の表面を水洗する水洗工程と、水洗後の残留水分を除去する水分除去工程と、基板表面にポリシラザン溶液をスピンコートにより塗布する塗布工程と、アニールによりポリシラザン溶液をシリコン酸化膜８に改質する改質工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ポリマーアロイに配向性の高い相分離構造のパターンを短時間で形成することのできるパターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料を提供する。
【解決手段】基板上に自己組織化単分子膜とポリマー膜を積層する工程と、エネルギー線を照射することにより前記ポリマー膜と前記自己組織化単分子膜を化学結合させ、ポリマー表面層を前記自己組織化単分子膜上に形成する工程と、相分離構造のパターンを有するポリマーアロイを前記ポリマー表面層上に形成する工程と、を含むパターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】研磨により露出した基板端部からの汚染を低減することができる半導体装置の製造方法を得ること。
【解決手段】半導体基板１の周縁部を研削する研削工程と、研削工程により露出した表面８を含む前記半導体基板１の表面に、絶縁膜６である保護膜９を形成する保護膜形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板が得られる新規な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のダメージ回復処理の際に、銅配線層などの配線材料上に回復剤が残留することがなく、かつドライプロセスによる処理が可能な、量産性に優れる絶縁膜のダメージ回復方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜を、炭酸エステル系の化合物である回復剤と接触させてダメージ回復処理を行うことを特徴とする絶縁膜のダメージ回復方法を選択する。 （もっと読む）

【課題】有機シリカ膜を成膜したのちのプラズマ反応室の内壁のクリーニング時間を短縮する。
【解決手段】まずプラズマ反応室内壁をプリコート膜で被覆する（プリコート工程）。次いで基板上に、シリコン炭素組成比（Ｃ／Ｓｉ）が１以上である有機シリカ膜を成長させる（基板処理工程）。次いで、基板を取り出した後、プラズマ反応室内壁に付着した有機シリカ膜とプリコート膜とをプラズマを用いて除去する（クリーニング工程）。プリコート膜としては、基板上に成膜された有機シリカ膜よりも少なくとも炭素含有率が低い有機シリカ膜である高酸素含有プリコート膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造ａ１と、重合性の官能基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであり、分子内に複数個の重合性反応基を備え、当該重合性反応基として少なくとも１個の重合性二重結合を備えた多価反応性オレフィン体を前記重合性化合物として含むとともに、前記多価反応性オレフィン体が有する前記重合性反応基の少なくとも一部が水素原子で置換された水素化体を含み、前記重合性化合物が重合していない状態とした場合における、前記多価反応性オレフィン体と前記水素化体の総モル数に対する、前記水素化体のモル分率が０．０１〜１０モル％である。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率の高い誘電材料を、電場による配向処理を行わずに製造する方法を提供する。また、当該方法を用いて、比誘電率の高い誘電膜を提供する。
【解決手段】 誘電材料の製造方法を、高誘電率無機粒子と磁性体粒子とを複合化して高誘電率複合粒子を製造する高誘電率複合粒子製造工程と、樹脂またはエラストマーの未硬化物に、該高誘電率複合粒子を混合して混合材料を調製する混合工程と、該未硬化物が流動可能な状態で、該混合材料に磁場をかけることにより、該高誘電率複合粒子を磁力線の方向に配向させる配向工程と、該高誘電率複合粒子を配向させた状態で、該未硬化物を硬化させる硬化工程と、を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】塗布法や印刷法などによって簡便に成膜することができ、有機トランジスタ用絶縁体材料に求められる低表面エネルギー、高誘電率、良絶縁性、良表面平坦性などの特徴を有する優れた有機絶縁体材料を提供し、これを適用することで、低閾値電圧、高電界効果移動度の有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁体層及び有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタであって、該絶縁体層が、鎖状炭化水素基含有アルコキシシランとテトラアルコキシシランとを共加水分解・縮重合して、あるいは、鎖状炭化水素基含有アルコキシシランを加水分解・縮重合して得られる両親媒性オリゴマーを、薄膜成膜して得られるシリカ系有機無機ハイブリッド膜であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを備える装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の寄生容量を低減させて、配線の微細化させた半導体装置を効率よく製造できる方法を提供する。
【解決手段】有機材料からなる低誘電率絶縁膜３を形成した後、電子ビームを照射して低誘電率絶縁膜３の表面側にメチル基の濃度が相対的に低く、親水性を有する改質層３１を形成する。さらに、エッチングによって低誘電率絶縁膜３に配線やコンタクトホールなどの溝パターン６を形成し、Cuからなるめっき層１０を析出させる。ＣＭＰ法による研磨で改質層３１の少なくとも一部を研磨し、Cuからなる配線や導電性プラグといった導電性パターン１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロコンタクトプリント法を利用し、簡便に、安定して微細なパターンを有する有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】マスク７を介して、基板５にエネルギーを付与することにより、相対的に、臨界表面張力の大きな高表面自由エネルギー部５ａと臨界表面張力の小さな低表面自由エネルギー部５ｂとを形成する。マイクロコンタクトプリント法を用いて臨界表面張力の大きな高表面自由エネルギー部５ａにインク３を付着させる。高表面自由エネルギー部５ａでは、スタンプ１からインク３が転写されやすく、低表面自由エネルギー部５ｂでは、表面自由エネルギーが小さいためにスタンプ１からインク３が転写されにくくなるため、有機ＴＦＴ素子の製造において、電極パターンの微細化や、電極層の厚膜化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、数百ｎｍの空孔を有し、該空孔内壁面上に所望の機能性高分子が存在する多孔質膜、および該多孔質膜を大面積で簡便に作成できる製造方法を提供する。
【解決手段】水不溶性ポリマーＡを主成分とする連続相と、水不溶性ポリマーＡと非相溶である水溶性ポリマーＢを主成分とし、前記連続相中に分布する球状のミクロドメインとからなるミクロ相分離構造を有し、前記球状のミクロドメイン内に平均孔径２００〜１０００ｎｍの球状構造の空孔が存在する多孔質膜。 （もっと読む）

【課題】プラスチックなどの有機材料で構成された基板を用いた場合であっても、高い比誘電率を有し、閾値電圧または動作電圧を低減することができるゲート絶縁膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスタ１０は、半導体材料で形成される活性層６；活性層に結合するソース電極４；活性層に結合し、活性層を通してソース電極と導通可能なドレイン電極５；活性層に結合し、複数の有機高分子材料層と複数の無機化合物層とが交互に積層されて構成されるゲート絶縁膜３；および、ゲート絶縁膜に接し、ゲート絶縁膜を介して活性層にチャネル領域を形成できるよう構成されるゲート電極２；を備える。 （もっと読む）

【課題】最高動作温度が高くドレイン電流密度が大きい、かつ、長時間の大電力動作にも耐える信頼性のある、実用的なダイヤモンドＦＥＴを提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド結晶１を用意し、マイクロ波ＣＶＤ装置のリアクター内で水素プラズマ（Ｈで表す）を照射し、水素を含む表面層２を形成する（図１（ａ））。第1の表面層２上の一部の領域に、空間的に分離して、厚さ６００ｎｍの金薄膜３１、３２を蒸着する。これは、各ソース電極３１、ドレイン電極３２になる。ソース電極３１とドレイン電極３２との間に、空間的に分離して、Ａｌ薄膜４を蒸着する（図１（ｃ））。このＡｌ薄膜４はゲート電極４になる。試料にＮＯ_２を供給し、第１の表面層２上に第２の表面層５を形成する（図１（ｄ））。露出した第２の表面層５全体を覆うように保護層６を第２の表面層５上に堆積させる（図１（ｅ））。 （もっと読む）

【課題】基板上のＩＴＯ表面を洗浄及び保護する方法を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバＰＣ１００の内部に載置された基板上のＩＴＯ表面にその表面の汚染物の分子の結合エネルギーより強いエネルギーを持つ光を光源から照射し、その照射中又は照射後、直ちに同一チャンバ内にてシランカップリングのガスを供給する。これにより、基板上のＩＴＯ表面を洗浄及び保護することができる。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜を含む半導体装置に関し、配線間容量が低く絶縁性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板上に形成された多孔質絶縁材料を含む絶縁膜４４，４８と、絶縁膜４４，４８の少なくとも表面側に形成された溝６０に埋め込まれ、銅を含む配線６４ｂと、絶縁膜４８上及び配線６４ｂ上に形成され、含窒素複素環化合物を含む絶縁材料のバリア絶縁膜６６とを有する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜をより厚く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの表面上に１度目のポリイミド塗布液を塗布し、半導体ウエハを回転させ、半導体ウエハの全表面上に前記ポリイミド塗布液を行き渡らせることにより、半導体ウエハの表面上に第１のポリイミド膜を形成し、第１のポリイミド膜の表面上に２度目のポリイミド塗布液を塗布し、半導体ウエハを回転させ、第１のポリイミド膜の全表面上に２度目のポリイミド塗布液を行き渡らせることにより、第１のポリイミド膜の表面上に第２のポリイミド膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、２度目のポリイミド塗布液を塗布した後に半導体ウエハを回転させる際の回転速度は、１度目のポリイミド塗布液を塗布した後に半導体ウエハを回転させる際の回転速度より遅いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程中にダメージを受けても、良好な品質を示す低誘電率膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に低誘電率膜１４を形成する工程（ａ）と、低誘電率膜１４に凹部２０を形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、低誘電率膜１４に有機溶液４を塗布する工程（ｃ１）と、シリル化溶液５を用いて低誘電率膜１４をシリル化する工程（ｃ２）とを順に行う工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、凹部２０に金属を埋め込むことで、低誘電率膜１４にビアプラグ及び金属配線のうち少なくとも１つを形成する工程（ｄ）とを備えている。工程（ｃ２）の前に、工程（ｃ１）を行うことで、シリル化溶液５の低誘電率膜１４に対する浸透性が向上する。 （もっと読む）

多層チップキャリアにおいて誘電体ビルドアップ層として使用するのに適した架橋ポリマー膜を提供する。この膜は、温度変化に対して寸法的に安定な膜が用いられる任意の用途で使用するのに適している。
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