【課題】ダメージ回復処理単独でのプロセス確認を行うことができ、プロセス条件のずれを高感度で検出することができるダメージ回復処理の処理条件検査方法を提供すること。
【解決手段】エッチングおよびアッシングによりダメージを受けたＬｏｗ−ｋ膜に対して処理ガスによりＯＨ基部分を改質するダメージ回復処理の処理条件検査方法は、ＯＨ基含有フォトレジスト膜が形成されたウエハを準備する工程と、そのフォトレジスト膜の初期膜厚を測定する工程と、初期膜厚測定後の基板にダメージ回復処理としてのシリル化処理を施す工程と、シリル化処理後のフォトレジスト膜の膜厚を測定する工程と、シリル化処理前後のフォトレジスト膜の膜厚差を求める工程と、その膜厚差に基づいてシリル化処理の処理条件の適否を判断する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流の発生を低減することが可能なコンポジットコンデンサの製造方法を提案する。
【解決手段】 ベース基板を用意するステップと、前記ベース基板上に、一方の面が粗面化された金属箔を、前記金属箔の他方の面を向けて貼り合せて第一の容量電極を形成するステップと、前記金属箔の粗面化された面上に、スピンコート法によってコンポジット材料を塗布して誘電体層を形成するステップと、前記誘電体層上に蒸着法またはスパッタ法によって金属膜を形成して第二の容量電極を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の少ない絶縁膜を与える組成物および該組成物を絶縁膜に用いてなる有機トランジスタを提供する。
【解決手段】〔１〕（Ａ）イオン液体を内包するポリマーシェルからなるカプセル、（Ｂ）バインダー樹脂および（Ｃ）有機溶媒を含有することを特徴とする有機トランジスタ絶縁膜用組成物。
〔２〕前記〔１〕に記載の有機トランジスタ絶縁膜用組成物を絶縁膜に用いてなる有機トランジスタ。
〔３〕前記〔１〕に記載の有機トランジスタ絶縁膜用組成物を絶縁膜に用い、さらに、該絶縁膜上に自己組織化単分子層を形成してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、低誘電率、かつ機械強度に優れた樹脂膜を形成し得る樹脂組成物を提供すること。また、本発明の別の目的は、低誘電率、かつ耐熱性および機械特性に優れた樹脂膜およびその樹脂膜を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の樹脂組成物は、樹脂膜を形成するために用いる樹脂組成物であって、前記樹脂組成物は、カゴ型構造を有する化合物を含み、前記カゴ型構造を有する化合物は、該カゴ型構造を有する化合物を製膜して陽電子消滅寿命測定法で測定して得られる空孔サイズに対応した陽電子消滅寿命の第１ピークトップが、１０ｎｓ以上の領域にあることを特徴とする。また、本発明の樹脂膜は、上記に記載の樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記に記載の樹脂膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、感光性半導体基板の表面における選択領域上に有機膜を形成する方法であって、ｉ）少なくとも１つの有機定着剤を含む溶液を少なくとも１つの選択領域と接触させる段階と、ｉｉ）前記基板を、段階ｉ）において使用する前記定着剤の還元電位よりもより負の電位に分極する段階と、ｉｉｉ）そのエネルギーが少なくとも前記半導体のバンドギャップと少なくとも等しい光放射に前記選択領域を曝露させる段階と、を含むことを特徴とする形成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低リーク電流、高機械的強度の特性を備え、これらの特性の経時変化が小さく、耐水性を備えた半導体装置用絶縁膜及びその製造装置、当該半導体装置用絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】キャリアガスとボラジン骨格系分子を有する材料を気化した原料ガスとを含有する混合原料ガスを、チャンバ内に供給し、混合ガスをプラズマ状態とし、チャンバ内に載置した基板にバイアスを印加し、ボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合して、チャンバ内に載置した基板に半導体装置用絶縁膜として成膜する成膜工程と、成膜工程の後、基板に印加するバイアスを、成膜工程におけるバイアスとは異なる大きさとし、ボラジン骨格系分子を有する材料を気化した原料ガスのみ漸減しながら供給し、キャリアガスが主となるプラズマで当該膜を処理する反応促進工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】導電体層／絶縁体層／半導体層構造を有する有機電界効果トランジスターにおいて、半導体層を形成する物質が有機化合物であり、絶縁体層を形成する物質が下記式（１）で示されるモノマー及び／又は下記式（２）で示されるモノマーを重合又は共重合して得られる高分子物質を含んでなることを特徴とする有機電界効果トランジスター。
ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ₂）₂−ＣＮ −−− （１）
ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯ−（ＣＨ₂）₂−ＣＮ −−− （２）
【解決手段】本発明によれば、導電体層／絶縁体層／半導体層構造を有するＴＦＴにおいて、半導体層及び絶縁体層材料の両者を有機化合物とし、更に絶縁体層を形成する物質として水酸基を有しない高分子物質を用いることにより、ｎ型トランジスター特性を低下させることがなく、更にキャリアー移動度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】相分離誘電体構造を備える電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスであって、（ａ）半導体層と、（ｂ）低誘電率ポリマーおよび高誘電率ポリマーを含む相分離誘電体構造と、を任意の順に含み、前記低誘電率ポリマーは、前記半導体層に最も近い前記誘電体構造の領域内の前記高誘電率ポリマーの濃度に比べて高濃度である、電子デバイスが提供される。 （もっと読む）

【課題】常温でもＩ型結晶構造を多く含む強誘電性の積層体とその製造方法を提供する。
【解決手段】フッ化ビニリデン系ポリマーを含むポリマー層の片面に、フッ化ビニリデン系オリゴマーを含むオリゴマー層が積層されてなる積層体。 （もっと読む）

【課題】一つのマスク工程にパターンの違う二つの絶縁膜を形成する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】二重絶縁膜が備えられた半導体装置において、前記絶縁膜は第1パターンの第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜と異なるパターンおよび他の材料で前記第1絶縁膜上に備えられ、感光物質を含む第2絶縁膜を含み、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜が重畳される第1領域、前記第1絶縁膜が形成される第2領域、および絶縁膜が存在しない第3領域を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有し、しかも低密度、低屈折率で誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板上に、２つ以上の不飽和基を置換基として有し，シロキサン構造が環状構造を有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物を硬化して成る半導体デバイスの絶縁膜であって、前記カゴ構造が硬化反応で壊れないことを特徴とする。カゴ構造の壊れは、硬化プロセス後の膜のラマンスペクトルに６１０ｃｍ−１付近のピークを観測することによって検知できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】 ２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を有機溶媒に１２質量％以下の濃度で溶解し、重合開始剤を用いて前記化合物を重合させてなり、前記化合物の７０％以上が重合反応している重合体を含むことを特徴とし、重合開始剤としてはアゾ化合物が好ましい。 （もっと読む）

【課題】単一工程の被膜形成用組成物の供給によって円形基板の周端部全体を覆うことができる被膜形成装置を提供する
【解決手段】本発明に係る被膜形成装置１は、円形基板１００を保持するともに、基板面内方向に回転させる保持部２０と、円形基板１００の周端部に被膜形成用組成物を供給する供給ユニット１０ａとを備えている。 （もっと読む）

【課題】自己組織化単分子膜を用いて、生産効率が高い溶液プロセスによって製造することのできる移動度が高くトランジスタ特性が良好な有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体材料からなる半導体層、ソース電極、ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁膜上に光または酸に分解性を有する第１の官能基を有する化合物からなる第１の自己組織化単分子膜を形成する工程、前記単分子膜上に活性光線を露光し、前記単分子膜を分解し露光された部位に第２の官能基を露出させる工程、前記第２の官能基に下記一般式（１）の化合物を反応させ、前記単分子膜上に第３の官能基を形成する工程により形成された第３の官能基を有する単分子膜をゲート絶縁膜上に有することを特徴とする、有機薄膜トランジスタ。
【化１】
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【課題】ゲート電圧の閾値電圧の安定性に優れる有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子の提供。
【解決手段】ゲート絶縁層が下式のカルド型樹脂の硬化物からなる有機半導体素子。
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【課題】本発明はデュアルダマシンパターンの形成方法に関する。
【解決手段】より詳しくは多機能ハードマスク組成物を用意する段階と、半導体基板の配線層上に窒化膜、第１の低誘電膜、食刻静止膜及び第２の低誘電膜が順次積層された積層構造を形成する段階と、前記配線層の一部が露出するよう積層構造を食刻してビアホールを形成する段階と、前記ビアホールを含む第２の誘電膜の上部に前記多機能ハードマスク組成物を塗布して多機能ハードマスク膜を形成する段階と、第１の誘電膜の一側が露出するよう前記結果構造物に対する食刻工程を行ない、ビアホールより広い幅のトレンチを形成する段階と、前記多機能ハードマスク膜を除去する洗浄工程を行なう段階とを含むことにより、工程段階を短縮することができるデュアルダマシンパターンの形成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】生産効率が高い溶液プロセスによって製造することが可能で、形成後は高い耐溶剤性を有し、しかも均一な膜厚で形成されたゲート絶縁層を有する有機薄膜トランジスタ、及び有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、少なくともゲート電極パターン、ゲート絶縁層、ソース電極パターン、ドレイン電極パターン、及び有機半導体材料を含有する半導体層と、を有する有機薄膜トランジスタにおいて、該ゲート絶縁層が、硬膜剤によって架橋されたゼラチンを含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】各種の電気及び電子素子の製造に効率よく使用可能な強誘電物質と、該強誘電物質を用いて強誘電体層を形成するための強誘電体層の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明による強誘電物質は、無機物強誘電体と有機物強誘電体との混合物で構成され、その強誘電体層の形成方法は、無機物強誘電物質と有機物との混合溶液を用意する段階と、基板上に混合溶液を塗布して強誘電体膜を形成する段階と、強誘電体膜を加熱及び焼成する段階と、を通じて強誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の発生が抑止され、高いキャリア移動度を有し、オン／オフ比が大きく、低ゲート電圧で作動可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層が、ゲート電極と接する第１の絶縁層と、有機半導体層と接する第２の絶縁層とを有してなり、(Ａ)第１の絶縁層が絶縁性有機高分子と無機微粒子との混合物で形成されており、かつ第１の絶縁層の比誘電率が第２の絶縁層の比誘電率より高く、(Ｂ)第２の絶縁層が極性基を有する脂環式オレフィン樹脂で形成されており、かつ第２の絶縁層と有機半導体層との界面の算術平均粗さＲaが１０ｎｍ以下であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ用に低温処理可能なまたは溶液処理または印刷可能なゲート絶縁体として使用でき、また、薄膜トランジスタまたは他のエレクトロニクスデバイス用のステンレス鋼箔の平坦化にも使用できる配合物を提供すること。
【解決手段】１３５℃から２５０℃で硬化し、そのうえ、処理温度の低下にもかかわらず良好なリーク電流密度値（９×１０^-9Ａ／ｃｍ²から１×１０^-10Ａ／ｃｍ²）を与えるゾルゲルシリケート前駆体の特定の組み合わせを含んでなるように構成する。 （もっと読む）