【課題】保存安定性が高く、特性に優れた有機半導体層を形成することができる有機半導体用組成物、これを用いて製造された信頼性の高いトランジスタを製造可能なトランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および、電子機器の製造方法を提供すること。
【解決手段】有機半導体用組成物は、チオフェン環とアルキル鎖とを含む有機半導体材料と、シスデカリンを含有する有機溶媒とを含有する。この有機半導体用組成物は、例えば、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを覆うように設けられた有機半導体層３０と、有機半導体層３０上に設けられたゲート絶縁層４０と、ゲート絶縁層４０上に設けられたゲート電極５０とを有するトランジスタの有機半導体層３０を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、良好な面状とともに、耐熱性、機械的強度に優れた膜を提供できる膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カゴ構造を有する化合物及び架橋性化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】フッ素含有のシラン系化合物を用いて有機薄膜トランジスタの電荷移動度およびヒステリシスを改善させ、スレショルド電圧および電荷移動度などの物性を向上させて液晶ディスプレイ、光電変換素子などの各種電子素子の製造に有用に活用することが可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１、ゲート電極２、有機絶縁膜３、有機半導体層６、およびソース／ドレイン電極４、５を含む有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機絶縁膜３が有機絶縁体組成物から形成されることを特徴とする、有機薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】有機強誘電体材料を用い、低電圧駆動化を図ることができる有機強誘電体キャパシタの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、および有機強誘電体メモリを提供すること。
【解決手段】下部電極３を形成する工程と、下部電極３上に、結晶性を有する有機強誘電体材料を含む液状材料４Ａを塗布・乾燥して、記録層４の結晶化度よりも低い結晶化度で、非晶質状態の有機強誘電体材料を主材料として構成された低結晶化度膜４Ｂを形成する工程と、低結晶化度膜４Ｂの下部電極３と反対側の面上に、上部電極５を形成する工程と、低結晶化度膜４Ｂ中の有機強誘電体材料を結晶化して、記録層４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

半導体装置について導電性相互接続上のキャッピング層を形成するための方法を提供し、この方法は、次の工程、即ち、(a)1種又はそれよりも多くの導体を誘電体層において提供する工程、及び(b)キャッピング層を少なくとも若干の1種又はそれよりも多くの導体の上側表面上に堆積する工程を備え、方法に更なる工程、即ち、(c)キャッピング層を堆積するのに先立ち、誘電体層を有機化合物と液相において反応させる工程であり、前記有機化合物は、以下の一般式、即ち、



の(I)を持ち、そこで、Xは官能基であり、Rは有機基又はオルガノシロキサン基であり、Y₁は官能基又は有機基又はオルガノシロキサン基のいずれでもよく、及びY₂は官能基又は有機基又はオルガノシロキサン基のいずれでもよく、及びそこで、官能基(群)は、無関係に以下の、即ち、NH₂、2級アミン、3級アミン、アセトアミド、トリフルオロアセトアミド、イミダゾール、ウレア、OH、アルキオキシ、アクリルオキシ、アセタート、SH、アルキルチオール、スルホナート、メタンスルホナート、及びシアニド、及びそれらの塩から選ばれる工程が含まれることにおいて特徴付けられる。
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【課題】
塗工部以外の部品を汚染したり、長時間に亘って使用した場合であっても油状物が漏出したりすることを防ぐことができ、熱伝導性が優れた十分に薄い硬化物、及び硬化させて該硬化物となる熱伝導性シリコーングリース組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）ケイ素原子結合アルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサン：100質量部、
（Ｂ）ケイ素原子結合水素原子を１分子中に２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン：（Ａ）成分中のアルケニル基１個に対して（Ｂ）成分中のケイ素原子に結合した水素原子の個数が0.1〜5.0個となる量、
（Ｃ）熱伝導性充填剤：100〜2200質量部、
（Ｄ）白金系触媒：有効量、及び
（Ｅ）付加反応抑制剤：有効量
を含有してなり、かつ（Ｃ）成分が平均粒径0.1〜100μmのインジウム粉末を90質量％を超え100質量％以下含む熱伝導性シリコーングリース組成物。 （もっと読む）

【課題】精密な加工が可能な強誘電体メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１０の表面に第１電極１３２を形成し、第１電極１３２上に強誘電体膜２３４を形成し、強誘電体膜２３４の上面に第１の領域２２４を形成する。強誘電体膜２３４の上面を除いて、基板１１０及び強誘電体膜２３４の表面に、第２の領域２２６を形成する。第１電極１３２及び強誘電体膜２３４が形成された基板１１０に対して、電極材料の成膜を行って、第１の領域２３４に第２電極２３６を形成する。 （もっと読む）

本発明は、比誘電率３．５以下のリン含有シリカ質材料を提供することを目的とする。本発明によるリン含有シラザン組成物は、有機溶媒中にポリアルキルシラザン及び少なくとも１種のリン化合物を含むことを特徴とするものである。該組成物を基板上に塗布して得られた膜を、温度５０〜３００℃で予備焼成し、次いで温度３００〜７００℃の不活性雰囲気中で焼成することにより、リン含有シリカ質膜が得られる。本発明によるリン化合物は、５価のリン酸エステル又はホスファゼン化合物であることが好適である。
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【課題】 転写膜の汚染や分解・変質を生じないレーザ転写による薄膜形成方法を実現する。
【解決手段】 本発明のレーザ転写による薄膜形成方法では、レーザ光９を透過するガラス基板１上に、照射されるレーザ光９によりアブレーションされるアブレーション層（第１の有機膜）２、カーボンブラックを混入させてレーザ光９を遮蔽する効果を持たせた有機膜（第２の有機膜）３、及びグルコースオキシターゼを含む薄膜（酵素膜）からなる転写膜４が順次積層された転写基板５を用意する。この転写基板５の転写膜４と、被転写基板であるｐ型シリコン基板（回路基板）６を、回路基板６上に設けたスペーサ７を介して対向させる。その後、ガラス基板１側からアブレーション層２にレーザ光９を照射することで、転写膜４ａを回路基板６側に転写する。 （もっと読む）

【課題】高い絶縁性を有し有機半導体層への悪影響の少ない絶縁層を有する有機半導体素子を提供する。
【解決手段】有機半導体層と、絶縁層とを少なくとも有する有機半導体素子において、該絶縁層の一部もしくは全部が樹脂と架橋剤との硬化物からなり、該樹脂が水酸基を有する有機樹脂を含み、該架橋剤が２個以上の架橋基を有する化合物を含み、該架橋基の少なくとも一つがメチロール基もしくはＮＨ基であり、前記樹脂と前記架橋剤との総量１００重量部中の前記架橋剤の混合量が１５重量部以上４５重量部以下である有機半導体素子。 （もっと読む）

【課題】 樹脂膜にした際に、耐熱性および誘電特性に優れ、ワニスにする際に溶媒への溶解性の高いベンゾオキサゾール樹脂前駆体、前記ベンゾオキサゾール樹脂前駆体から作製される、耐熱性および誘電特性に優れるポリベンゾオキサゾール樹脂、ワニス、樹脂膜およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表わされるジアニリン化合物とジカルボン酸化合物とを反応させて合成されたものであるベンゾオキサゾール樹脂前駆体。


（式中、Ｘは少なくとも１個の炭素原子を含む有機基もしくは酸素原子を示す。）およびポリベンゾオキサゾール樹脂、ワニス、樹脂膜およびそれを用いた半導体装置。 （もっと読む）

電子デバイスの製造において１つもしくはそれ以上の層を形成するために用いられる硬化性オルガノシリケート組成物であって、（ａ）ケイ素原子に結合し、かつ、エチレン系不飽和を含有する少なくとも１つの基を有するアルコキシまたはアシルオキシシラン、（ｂ）ケイ素原子に結合し、かつ、芳香環を含有する少なくとも１つの基を有するアルコキシまたはアシルオキシシラン、（ｃ）潜在性酸触媒、および（ｄ）場合によりケイ素原子に結合した少なくとも１つのＣ_１〜Ｃ_６アルキル基を有するアルコキシまたはアシルオキシシランを含む組成物。 （もっと読む）

薄膜トランジスタに、有機半導体材料からなる層と、その材料と接触していて互いに離れた第1の接点手段または電極および第2の接点手段または電極とが含まれている。多層誘電体には、ゲート電極と接触している厚さが100〜500nmの第1の誘電体層と、有機半導体材料と接触している第2の誘電体層とが含まれていて、第1の誘電体層には、誘電定数が相対的により大きくて10.0未満の連続的な第1のポリマー材料が含まれ、第2の誘電体層には、誘電定数が相対的により小さくて2.3よりも大きい連続的な第2の非フッ素化ポリマー材料が含まれている。さらに、好ましくは昇華法または溶液相堆積法によって基板上にこのような薄膜トランジスタ・デバイスを製造する方法であって、基板の温度が100℃以下である方法も開示されている。
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【課題】安価で特性に優れる膜を形成する成膜方法、かかる成膜方法を適用して形成した保護膜を備える信頼性の高い半導体装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】第１のＴＦＴ２０は、下地保護膜７０と、下地保護膜７０上に設けられ、チャンネル領域２３３とソース領域２３１とドレイン領域２３２とを備える半導体層２３と、半導体層２３を覆うように設けられたゲート絶縁膜３７と、ゲート絶縁膜３７を介してチャンネル領域２３３と対向するように設けられたゲート電極２１とを有し、さらに、第１層間絶縁膜５１および第２層間絶縁膜５２が積層されている。下地保護膜７０、第１層間絶縁膜５１および第２層間絶縁膜５２は、それぞれ、Ｓｉ、ＮおよびＯを主たる構成元素とする材料で構成される膜であり、シラザン構造を有するポリマーを主材料として構成される被膜を形成し、この被膜に紫外線を照射することにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスの容易化及び設計自由度の向上が実現できる、有機強誘電体メモリ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 マトリクス型の有機強誘電体メモリの製造方法であって、（ａ）半導体層１１４、ゲート絶縁層１１６及びゲート電極１１８を有する薄膜トランジスタ１１０を形成すること、（ｂ）薄膜トランジスタ１１０の上方に第１の絶縁層１２０を形成すること、（ｃ）第１の絶縁層１２０に、半導体層１１４と電気的に接続するコンタクト層１２４を形成すること、（ｄ）コンタクト層１２４と電気的に接続し、下部電極１３２、有機強誘電体層１３４及び上部電極１３６を有する強誘電体キャパシタ１３０を形成すること、（ｅ）強誘電体キャパシタ１３０の上方に第２の絶縁層１４０を形成すること、を含む。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が２．７以下であり、弾性計数および硬度の改善等、機械的特性を向上させた超低誘電率（ｋ）膜、および、かかる膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、弾性係数および硬度が改善した多相超低ｋ膜、ならびにこれを形成するための様々な方法を提供する。多相超低ｋ誘電膜は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．４以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約５以上であり、硬度が約０．７以上である。好適な多相超低ｋ誘電膜は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．２以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約３以上であり、硬度が約０．３以上である。
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【課題】厚膜でも全くクラックが入らず、さらに耐候性に優れた平坦化膜用塗布液および該塗布液を用いて形成される平坦化膜を提供する。
【解決手段】下記式（１）に示すシルセスキオキサン誘導体を用いて得られる重合体及び溶剤を含有する平坦化膜用塗布液を用いて平坦化膜を作製する。
【化１】


式（１）におけるすべてのＲは非置換のフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、又はｔ−ブチルであり、Ｙ¹は式（ａ−１）、（ａ−３）、（ａ−５）、（ａ−７）、（ａ−８）または（ａ−９）で示される基である。Ｒ^aがビニル、アリルまたはスチリルであって、Ｘ¹¹，Ｘ¹³，Ｘ¹⁵，Ｘ¹⁷，Ｘ¹⁹が炭素数１〜４のアルキルまたは非置換のフェニルである。 （もっと読む）

【課題】電源線と接地線が短絡しているような不良素子による他素子への影響がないように、事前に前記不良素子電極に絶縁被膜を形成する工程において、絶縁被膜形成品質の向上と絶縁被膜形成工程の生産性を向上する。
【解決手段】本発明は、半導体素子の電極５に絶縁被膜を形成するとき、紫外線樹脂９を塗布するノズルに４５°の傾斜を設けることにより、紫外線樹脂９を電極５の特定の領域に集中的に滴下でき、またノズル７に回転機構を備えることにより、電極５が半導体素子上のどの位置にあっても同じ条件の方向に紫外線樹脂９の滴下方向を決めることができ、ノズル７と合わせて、滴下条件を決定しやすくなり、絶縁被膜形成の品質を向上できる。 （もっと読む）

【課題】電荷移動度およびＩ_ｏｎ／Ｉ_ｏｆｆが高く、有機半導体層の形成および絶縁膜の製造が湿式工程によって容易に達成できるため、工程の単純化およびコストダウン効果を図ることが可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上１にゲート電極２、ゲート絶縁層３、有機半導体層５、ソース電極６及びドレイン電極７を含む有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層３と有機半導体層５との界面にフッ素系高分子層４を含む有機薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】溶液加工性で、薄膜トランジスタのゲート誘電体層を作製するのに使用することができる誘電材料組成物を提供する。
【解決手段】シロキシ／金属酸化物ハイブリッド組成物から調製した誘電材料、そのような誘電材料を含む薄膜トランジスタなどの電子デバイスを提供する。シロキシ／金属酸化物ハイブリッド組成物は、例えば、シロキサンまたはシルセスキオキサンなどのシロキシ成分を含む。シロキシ／金属酸化物ハイブリッド組成物は、溶液堆積技術を用いる薄膜トランジスタのための誘電体層の調製に用いられる。 （もっと読む）