【課題】 本発明の目的は、樹脂膜とした場合に低誘電率であるベンゾオキサゾール樹脂前駆体を提供することにある。
また、本発明の目的は、耐熱性および弾性率に優れかつ低誘電率である樹脂膜およびそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】本発明のベンゾオキサゾール樹脂前駆体は、大きい自由体積をもつ化合物を樹脂中に有する。また、本発明のポリベンゾオキサゾール樹脂は、上記に記載のベンゾオキサゾール樹脂前駆体を反応して得られることを特徴とするものである。また、本発明の樹脂膜は、上記に記載のポリベンゾオキサゾール樹脂を含む樹脂組成物で構成される。また、本発明の半導体装置は、上記に記載の樹脂膜を有するものである。 （もっと読む）

【課題】 優れた耐熱性、透明性および液晶の垂直配向性、溶解性と低い表面張力および電気絶縁性を有する新規な絶縁膜と、該絶縁膜が蒸着されて優れた電界効果電気移動度を有する全有機薄膜トランジスタの提供。
【解決手段】 本発明は、可溶性ポリイミド樹脂を含有する絶縁膜およびそれを用いた全有機薄膜トランジスタに関し、さらに詳しくは、特定の感光性向上基を含有する芳香族ジアミンと低極性基を含有するジアミン単量体および特定のテトラカルボン酸二無水物を重合して製造された可溶性ポリイミド樹脂と、ポリアミック酸誘導体を含んでなるものであって、耐熱性、表面硬度、透明性および電気絶縁特性に優れた新規な絶縁膜と、また、前記新規絶縁膜がコーティングされて、向上した電界効果電気移動度を有する全有機薄膜トランジスタに関する。 （もっと読む）

リソグラフィ工程と印刷工程との複合技術を用いて有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び他の部品が基板（206）上に製造される半導体デバイス及びその製造方法が提供される。リソグラフィによって定められたレジストパターン（211、311）が、障壁と、後に印刷材料を導くように機能するキャビティとをもたらす。集積回路の別個の部品が基板（206）上に別々のアイランドを形成する。応力による隣接する膜のクラック及び剥離のおそれが低減され、また、デバイスの可撓性が増大される。
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【課題】 表面が平坦かつ均一な膜厚のゲート絶縁膜等を形成することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 各半導体膜２０２Ａ、２０２Ｂを囲繞するように隔壁２１０を形成する。その後、隔壁２１０によって囲繞された囲繞領域ＳＡ、ＳＢ内に液体材料を配置し、これを乾燥、焼成することによりゲート絶縁膜２２０を形成する。ここで、ゲート絶縁膜２２０の膜厚は、隔壁２１０の側壁から離れるにつれ漸次変化しているが、このゲート絶縁膜２２０の膜厚が漸次変化する部分の幅をＤとし、隔壁２１０から囲繞領域内にある半導体膜２０２の最も近い部分までの距離をＬとした場合、Ｌ≧Ｄの関係が成立するように、隔壁２１０の配置位置や上記液体材料の乾燥に関わるパラメータを制御する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜形成用の液体材料の使用量を最小限に抑えることが可能な技術を提供する。
【解決手段】
基板１１０の上に複数の半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂを形成した後、液滴吐出法を用いて各半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂと重なる領域に、局所的にゲート絶縁膜形成用の液体材料を配置する。このように配置した液体材料を例えば１００℃〜２００℃程度の温度で乾燥し、さらに３５０℃〜４００℃の温度で６０分程度焼成することで、各半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂと重なる領域に局所的に形成されたゲート絶縁膜３２０Ａ、３２０Ｂを得る。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ウエハ上に半導体素子を形成する方法が提供されている。エッチング層が、ウエハの上に形成される。フォトレジストマスクが、エッチング層の上に形成される。フォトレジストマスクは、ウエハの外縁付近のみ除去されて、ウエハの外縁付近のエッチング層が露出される。炭素および水素を含有する種を備えた蒸着ガスが供給される。蒸着ガスから、プラズマが形成される。ポリマ層が、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着される。この時、ポリマは、蒸着ガス由来のプラズマから形成される。フォトレジストマスクと、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着されたポリマとが消費されつつ、フォトレジストマスクを介してエッチング層がエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】 十分な信頼性および電子素子特性が得られ、低コストかつ容易に微細なパターンの形成が可能となる電子素子、その製造方法、該電子素子を有する表示装置および演算装置を提供すること。
【解決手段】 ポリイミド材料を絶縁材料として有する電子素子において、前記ポリイミド材料のイミド化率が８０％以上であり、かつ前記ポリイミド材料中に残存するジカルボン酸無水物が３％以下である電子素子と、ポリイミド材料を絶縁材料として有する絶縁層を備えた電子素子の製造方法において、前記ポリイミド材料を使用するとともに、前記絶縁層が、ポリイミド材料の前駆体を塗布し加熱することにより形成され、前記加熱が、湿度１％以下の低湿度環境下で行われる方法と、前記電子素子を用いたことを特徴とする表示装置および演算装置。 （もっと読む）

【課題】有機モノマーを反応ガス中に材料ガスとして含ませてプラズマによる重合を行う事により、特性が優れた薄膜のハードマスクを形成する。
【解決手段】容量結合式のプラズマCVD装置により半導体基板上に炭化水素系ポリマー膜を形成する方法において、ビニル基、アセチレン基で置換されていない沸点約２０℃〜約３５０℃の炭化水素系液体モノマー(C_αH_βX_γ、α，β：５以上の自然数，γ：0を含む整数、X：O、N、またはF) を気化させる工程、該気化したガスを基板が置かれたCVD反応室に導入する工程、及び該ガスをプラズマ重合させることにより該基板上に炭化水素系ポリマー膜を形成する工程、を包含する。 （もっと読む）

【課題】 多孔質材料を特徴づける方法とシステムを提供することである。
【解決手段】 多孔質材料上の処理の有効性を診断するための方法とシステムである。たとえば、多孔質材料は、多孔質低誘電率材料を含むことができる。特に、方法は、材料の多孔率を特徴づけるためにＦＴＩＲスペクトロスコピーを利用することができ、材料の孔をシーリングする有効性を評価することができる。 （もっと読む）

第一の相と第二の相とを取りえる相変化材料を備えたレジスタ（３６，２５０）を備えた電子装置（１，１００）。レジスタ（３６，２５０）は相変化材料が第一の相の場合に第一の値を有し、相変化材料が第二の相の場合に第二の値を有する。レジスタ（３６，２５０）は第一の導電体（３，１３０Ａ、１３０Ｂ）と第二の導電体（４，２７０）とに電気的に接続され、それらは、相変化材料を加熱して第一の相から第二の相への転移が行われるように電流を流すことができる。電子装置（１，１００）は、さらに、加熱の間に本体（２，１０１）のレジスタ（３６，２５０）と繋がらない部分への熱流を低減させる誘電体層の層（２０，３９，１２６，１４０，２６０）を備え、この発明の誘電体層はサイズが０．５から５０ｎｍの間の複数の孔を有する多孔性材料を備える。
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感光性架橋剤を含んでなる強誘電性スピンコーティング溶液から基材上に強誘電性ポリマーの層をスピンコーティングした後、強誘電性ポリマー層をマスクを通して照射し、強誘電性ポリマー層の非露光部分を除去することにより、例えば二フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）およびトリフルオロエチレン（ＴｒＦＥ）のコポリマーのような強誘電性ポリマーがパターニングされることができる。
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本発明は、誘電層を有する有機半導体、特に有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、を備えた集積回路に関する。この集積回路は、ａ）少なくとも１つの架橋可能なベースポリマーを１００部と、ｂ）少なくとも１つの求電子性の架橋剤を１０〜２０部と、ｃ）１００〜１５０℃の温度で活性陽子を生成する少なくとも１つの熱性酸触媒を１〜１０部と、ｄ）ａ）〜ｃ）が溶解されている少なくとも１つの溶媒とからなるポリマー組成物により製造可能である。本発明は、さらに、集積回路の製造方法、特にＯＦＥＴ用の、誘電層を有する集積回路を低温で作ることができる方法にも関する。
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電子デバイスに使用する有機高分子であって、この高分子は、式（ａ）および（ｂ）の反復単位を含む。式中、高分子内の少なくとも１個の反復単位がＲ⁴を含むことを条件として、各Ｒ¹が、独立してＨ、アリール基、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、または架橋可能な基を含む有機基であり、各Ｒ²が、独立してＨ、アリール基、またはＲ⁴であり、各Ｒ³が、独立してＨまたはメチルであり、各Ｒ⁵が、独立してアルキル基、ハロゲン、またはＲ⁴であり、各Ｒ⁴が、独立して、少なくとも１個のＣＮ基を含み、ＣＮ基あたり約３０〜約２００の分子量を有する有機基であり、ｎ＝０〜３である。これらの高分子は、有機薄膜トランジスタなどの電子デバイスに有用である。

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