【課題】低い誘電率、向上したエッチング抵抗性、優れたバリアパフォーマンスを具備する誘電バリアを形成する方法を提供する。
【解決手段】前駆物質を処理チャンバへ流すことと、前記前駆物質が、有機ケイ素化合物と炭化水素化合物の混合物を備えており、かつ、前記炭化水素化合物が、エチレン、プロピン、または、これらの組合わせを備え、前記半導体基板上に炭素−炭素結合を有する炭化ケイ素ベースの誘電バリア膜を形成するために、前記処理チャンバ内において前記前駆物質の低密度プラズマを生成することと、前記前駆物質中の前記炭素−炭素結合の少なくとも一部が、前記低密度プラズマ内に生き残り、かつ、前記誘電バリア膜内に存在し、制御された量の窒素を導入することにより、前記誘電バリア膜から炭素−炭素二重結合（Ｃ＝Ｃ）、および／または、炭素−炭素三重結合（Ｃ≡Ｃ）を除去することと、を備える方法。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内に酸化シリコンを埋め込むために使用するのに好適なトレンチ埋め込み用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】本発明に係るトレンチ埋め込み用樹脂組成物は、酸化シリコン粒子をトレンチ埋め込み用樹脂組成物全体に対して０．３５重量％以上２．２０重量％以下で、並びに、一般式（１）〜（３）で表される化合物の合計に対して、一般式（１）：Ｓｉ（ＯＲ^１）_４で表されるテトラアルキシキシラン化合物を４５ｍｏｌ％以上８７ｍｏｌ％以下で、一般式（２）：Ｒ^２Ｓｉ（ＯＲ^１）_３で表されるトリアルコキシシラン化合物を１０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下で、そして一般式（３）：Ｒ^２_２Ｓｉ（ＯＲ^１）_２で表されるジアルコキシシラン化合物を１．５ｍｏｌ％以上３．６ｍｏｌ％以下で含有する。 （もっと読む）

【課題】塗布法により幅の広いトレンチに埋め込みを行った場合にも、ディンプルが生じず、はがれやにごりなどなく、均質で、平坦な表面を有する硬化膜を形成することができる硬化性組成物を提供する。
【解決手段】以下の（Ａ）成分〜（Ｃ）成分を含有することを特徴とする硬化性組成物。（Ａ）成分：脱離基を有するエポキシ基含有ポリシロキサンであり、該ポリシロキサン中に含まれる全Ｓｉ原子の数を１００ｍｏｌ％とするとき、前記脱離基の含有割合が３５ｍｏｌ％以下であるエポキシ基含有ポリシロキサン。（Ｂ）成分：シリコーン系界面活性剤。（Ｃ）成分：溶剤。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、耐熱性に乏しいＭＴＪ素子等の素子の劣化を避けつつ、良好な半導体装置を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、基板上に複数の素子を形成し、複数の素子の間を埋め込むようにシリコン化合物膜を形成し、マイクロ波を照射することにより、シリコン化合物膜を酸化シリコン膜に改質する。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態の半導体装置は、第１および第２の領域を有する機能膜と、前記基板の前記第１の領域に設けられ、第１の幅を有する第１の溝と、前記基板の前記第２の領域に設けられ、第１の幅よりも広い第２の幅を有する第２の溝と、前記第１の溝を埋めるように高分子材料を前駆体として形成された第１の絶縁膜と、前記第１の幅を上回る直径を有し、前記第２の溝を埋める微粒子と、前記第２の溝内で前記微粒子間および前記微粒子と前記第２の溝との間隙を埋める前記高分子材料とを前駆体として形成された第２の絶縁膜とを持つ。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＤ法によって形成するシリコン酸化膜に、ボイドが発生することを抑制する。
【解決手段】基板、基板表面に形成された溝状領域Ｇ、及び溝状領域Ｇに埋設されたシリコン酸化膜８を有する半導体装置の製造方法であって、溝状領域Ｇを含む基板の表面を覆うライナー膜６を形成するライナー膜形成工程と、ライナー膜６の表面を水洗する水洗工程と、水洗後の残留水分を除去する水分除去工程と、基板表面にポリシラザン溶液をスピンコートにより塗布する塗布工程と、アニールによりポリシラザン溶液をシリコン酸化膜８に改質する改質工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面上のナノメートルレベルの開口幅を有し、アスペクト比が大きいトレンチ（溝）への埋め込み性に優れ、ボイドなどの欠陥の発生が抑制され、電気的絶縁性に優れたアイソレーション構造を製造するのに好適なトレンチ埋め込み用組成物、および該組成物を用いたトレンチ・アイソレーション構造の製造方法の提供。
【解決手段】アルキルトリアルコキシシランを５０モル％以上含むアルコキシシラン原料を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含有し、該加水分解縮合物の重量平均分子量が１０００〜５００００であり、該加水分解縮合物の含有量が組成物全量に対して１４質量％超３０質量％以下であるトレンチ埋め込み用組成物の塗膜１４により、基板１０表面上に形成されたトレンチ１２を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された開口幅が狭く高アスペクトなトレンチ内に埋め込むために好適な縮合反応物溶液であって、ポットライフが長く、トレンチ埋め込み用として使用した場合のトレンチ内への埋め込み性が良好で、焼成して酸化シリコンとしたときの硬化収縮率が小さく、クラック耐性及びＨＦ耐性に優れる縮合反応物溶液を用いる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子に形成されたトレンチ埋め込み用絶縁膜の形成方法であって、特定構造のシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物と、シリカ粒子とを含有する縮合成分から得られる縮合反応物、及び溶媒を含み、該シラン化合物が４官能シラン化合物及び３官能シラン化合物を含有する縮合反応物溶液を、基板上に塗布して塗布基板を得る塗布工程と、該塗布工程で得た塗布基板を加熱する焼成工程とを含むトレンチ埋め込み用絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】基体に形成された開口幅が狭く高アスペクトなトレンチ内に、埋め込み性が良好で、低いリーク電流を示す絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】第一の工程としてポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物をトレンチ構造を含む基板に塗布する塗布工程と、第二の工程として前記塗布された縮合反応物を焼成して絶縁膜を形成する焼成工程と、第三の工程として前記絶縁膜の表面を疎水化処理剤にさらす疎水化処理工程を順に行う。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な、トレンチへの埋め込み性が高く、硬化収縮率が小さく、かつ良好なクラック耐性を有するシリコン酸化物塗膜を与えるトレンチ埋め込み用組成物を提供すること。
【解決手段】水素化ポリシラン化合物と、シリカ粒子に由来する構造を有する反応物とを含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】低温の酸化処理により酸化膜を形成する。
【解決手段】酸化膜の作成方法は、主鎖にＳｉ−Ｎ結合を有する高分子化合物を含む第１の膜１６と主鎖にＳｉ−Ｏ結合を有する高分子化合物を含む第２の膜１５とを積層する工程と、前記第１の膜１６及び前記第２の膜１５を水蒸気又は水性の雰囲気中で加熱処理し、前記第１の膜１６及び前記第２の膜１５を酸化膜１８に変化させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内に酸化シリコンを埋め込むために使用するのに好適なトレンチ埋め込み用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】本発明に係るトレンチ埋め込み用樹脂組成物は、酸化シリコン粒子をトレンチ埋め込み用樹脂組成物全体に対して０．３５重量％以上２．２０重量％以下で、並びに、一般式（１）〜（３）で表される化合物の合計に対して、一般式（１）：Ｓｉ（ＯＲ^１）_４で表されるテトラアルキシキシラン化合物を４５ｍｏｌ％以上８７ｍｏｌ％以下で、一般式（２）：Ｒ^２Ｓｉ（ＯＲ^１）_３で表されるトリアルコキシシラン化合物を１０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下で、そして一般式（３）：Ｒ^２_２Ｓｉ（ＯＲ^１）_２で表されるジアルコキシシラン化合物を１．５ｍｏｌ％以上３．６ｍｏｌ％以下で含有する。 （もっと読む）

【課題】フッ素添加カーボン膜（ＣＦ膜）上にハードマスク用の薄膜であるＳｉＣＯ膜あるいはＳｉＣＮ膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。
【解決手段】 ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。ＳｉＣＯ膜の成膜時に、酸素の活性種がＣＦ膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってＣＦ膜の脱ガス量が低減する。またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部ＰＮＪＣに当たるメサ溝内壁１１の第２の絶縁膜１０の厚みが薄くなり耐圧の劣化やリーク電流が発生するという従来の問題を安価な材料を使用することにより解決し、高耐圧、高信頼性のメサ型半導体装置及びその製造方法の確立を図る。
【解決手段】メサ型半導体装置のメサ溝５内壁に熱酸化膜６からなる安定した保護膜を形成しＰＮ接合部ＰＮＪＣを被覆保護すると共に、Ｎ−型半導体層２の熱酸化膜６との界面に電子の蓄積層が形成されにくいように、メサ溝５内の熱酸化膜６で挟まれた空隙に負電荷を有する絶縁膜７を埋め込む。係る構成を採ることにより熱酸化膜６中の正電荷による影響を弱め熱酸化膜６との界面におけるＮ−型半導体層２への空乏層の拡がりを確保する。 （もっと読む）

デュアルダマシンプロセスに使用される組成物が開示される。
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【課題】信号処理速度が速く、かつ、配線膜の信頼性が高い半導体装置を提供することである。
【解決手段】膜２に凹部３を形成する凹部形成工程を具備する半導体装置の製造方法において、
前記凹部形成工程の後、電磁波硬化性薬剤を該凹部の内面側に設ける電磁波硬化性薬剤在工程と、前記電磁波硬化性薬剤在工程の後、電磁波を照射して該電磁波硬化性薬剤を硬化させる硬化工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】素子分離絶縁膜に含まれる不純物に起因する半導体装置の電気的特性や信頼性の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】過水素化シラザン重合体を、炭素を含む溶媒に分散することによって生成された過水素化シラザン溶液をシリコン基板１上に塗布して塗布膜６を形成し、塗布膜６を加熱して溶媒を揮発させることにより、ポリシラザン膜７を形成し、ポリシラザン膜７を薬液処理することにより、ポリシラザン膜７を二酸化シリコン膜８に変換する。 （もっと読む）

【課題】誘電体中にボイドやシームを生ずることなく充填するシリコン酸化物層を基板上に形成する方法を提供する。
【解決手段】基板の少なくとも一部を覆う第１の酸化物層を形成するステップであって、該第１の酸化物層が、残留する水、水酸基及び炭素種を含むステップとを含む。該方法はさらに、該第１のシリコン酸化物層と部分的に混合されている複数の非晶質シリコン成分を形成するために、該第１の酸化物層を複数のシリコン含有種に曝すステップを含む。また、該方法は、該複数の非晶質シリコン成分と部分的に混合されている該第１のシリコン酸化物層を、酸化環境中でアニーリングして、第２のシリコン酸化物層を該基板上に形成するステップを含む。非晶質シリコン成分の少なくとも一部は、酸化されて、該第２のシリコン酸化物層の一部になり、該第２のシリコン酸化物層内の未反応の残留する水酸基及び炭素種は、実質的に除去される。 （もっと読む）

【課題】凹部を備えた基板の上への所謂ＳＴＰ法を用いた薄膜の形成において、凹部の領域における破損などがない状態で薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】基材１０５の主表面に、例えばスピン塗布法により塗布液を塗布することで、塗布膜１０４が形成された状態とする。塗布液は、薄膜材料となる薄膜原料及びこの薄膜原料より表面エネルギーの小さい有機化合物からなる有機材料を含んで作製されたものである。例えば、薄膜材料はポリイミドであり、薄膜原料はポリイミドの前駆体であるポリアミド酸であり、有機材料は、ポリカプロラクトンである。また、塗布液は、これらのポリアミド酸及びポリカプロラクトンを１−メチル−２−ピロリドンに溶解させて作製したものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の比誘電率が小さくて高速応答性に優れ、かつ、絶縁膜の機械的強度にも優れ、更には配線の信頼性が高い半導体素子を提供することである
【解決手段】膜２に凹部３を形成する工程を有する半導体素子の製造方法において、前記凹部３を形成した後、該凹部が形成された膜２に電磁エネルギを照射する照射工程を有する。 （もっと読む）