【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な溶液の保存安定性が良く、埋め込み性が高く、厚膜化ができ、かつ良好なクラック耐性を有するトレンチ埋め込み用縮合反応物、及びトレンチ埋め込み膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物、並びに２０℃における蒸気圧が５３０Pａ以上であり、かつ、沸点が８０℃以上１３０℃未満である有機溶媒（Ａ）、及び２０℃における蒸気圧が５３０Pａ未満であり、かつ、沸点が１３０℃以上２００℃以下である有機溶媒（Ｂ）から成る混合溶媒、又は２０℃における蒸気圧が５３０Ｐａ以上であり、かつ、沸点が１３０℃以上２００℃以下である有機溶媒（Ｃ）を含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用縮合反応物。 （もっと読む）

【課題】塗布法や印刷法などによって簡便に成膜することができ、有機トランジスタ用絶縁体材料に求められる低表面エネルギー、高誘電率、良絶縁性、良表面平坦性などの特徴を有する優れた有機絶縁体材料を提供し、これを適用することで、低閾値電圧、高電界効果移動度の有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁体層及び有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタであって、該絶縁体層が、鎖状炭化水素基含有アルコキシシランとテトラアルコキシシランとを共加水分解・縮重合して、あるいは、鎖状炭化水素基含有アルコキシシランを加水分解・縮重合して得られる両親媒性オリゴマーを、薄膜成膜して得られるシリカ系有機無機ハイブリッド膜であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを備える装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の安定化を図ることができるとともに、半導体装置の耐圧を向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２の活性領域Ａでは、半導体層４の上側の少なくとも一部に第１絶縁層１８が形成されている。第１絶縁層１８は、半導体層４が有するダングリングボンドを終端させる終端材料を含んでいる。耐圧領域Ｂでは、半導体層４の上側に第１絶縁層と異なる材料からなる第２絶縁層２０が形成されており、第１絶縁層１８は形成されていない。そして、第２絶縁層２０が第１絶縁層１８より絶縁度が高くされている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の配線を形成するための積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域が形成されている濡れ性変化層を形成する工程と、高表面エネルギー領域を覆うように、濡れ性変化層から所定の間隔を隔て対向基板を設置する工程と、高表面エネルギー領域上に導電性材料を含む溶液を供給する工程と、導電性材料を含む溶液を乾燥または硬化させることにより、高表面エネルギー領域上に導電層を形成する工程を有することを特徴とする積層構造体の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ウェハにおける制約上のＴＥＣの違いによる衝撃を減少させ、製造された装置および接着層の間の接触面（界面）を改良した、ウェハのスケールでのマイクロシステムまたはナノシステムの組立てによる電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、ａ）前面８の側部分に現れる部品の活性面、ｂ）部品に対して少なくとも横方向に存在し、いわゆる部品が装置において保持されるのを確実にする、コーティング材３、ｃ）部品の活性面１０にはなく、コーティング材３がこの部品４から分離される、絶縁緩衝層６を具える。 （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、特性が経時的に劣化し難い有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】ソース電極２０ａと、ドレイン電極２０ｂと、ゲート電極５０と、ゲート電極５０に対してソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを絶縁するゲート絶縁層４０と、ゲート絶縁層４０に接触して設けられた有機半導体層３０と、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０と反対側に接触して設けられたバッファ層６０とを有し、ゲート絶縁層４０およびバッファ層６０の少なくとも一方を、下記一般式（１）、または（２）で表される絶縁性高分子を主材料として構成される。
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【課題】ゲート絶縁膜の膜厚ムラや点欠陥を低減し、デバイスエラー率が低減可能なゲート絶縁膜を有する電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ソース-ドレイン電極と、チャネル層を構成する半導体層と、前記ゲート電極と前記チャネル層とに挟まれたゲート絶縁膜とを備えた電界効果型トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜が絶縁性有機高分子からなり、前記ゲート絶縁膜を形成させる際、被着体の界面に、アルミニウム含有有機化合物溶液によりアルミニウム含有有機化合物層を形成してなる、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】反射型表示装置の製造工程を大幅に簡略化する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上方に配置された絶縁層及び画素電極を有し、画素電極は、薄膜トランジスタに電気的に接続され、表面に凹凸を有し、かつ、反射機能を有し、絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素及び有機性樹脂から選ばれた材料を積層した構造を有し、絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料及び顔料の少なくともいずれか一を含む遮光膜である表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層を形成する材料を改良することにより有機電界効果トランジスタのヒステリシスを小さくする有機薄膜トランジスタゲート絶縁層用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される基を含有する高分子化合物と、（Ｂ）架橋剤とを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタゲート絶縁層用樹脂組成物。
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【課題】電極の縁端部が絶縁膜で覆われた構造の電極基板を製造するときに、電極と絶縁膜との重なり幅が設計どおりの幅となるようにする。
【解決手段】電極材料１４１からなる層の上に、膜厚が薄い領域、その領域に隣接する膜厚が厚い領域および膜の無い領域からなる絶縁膜パターン１５１を形成する（Ｅ）。絶縁膜パターン１５１をエッチングマスクとして電極材料１４１をエッチングし、電極１４ａ、１４ｂを形成（Ｆ）した後、縁端部の絶縁材料１５２のみ残して絶縁膜パターン１５１を除去する（Ｇ）。残存する絶縁材料１５２を溶解変形させることにより、電極１４ａ、１４ｂの縁端部を覆う絶縁膜１５を形成する。 （もっと読む）

デュアルダマシンプロセスに使用される組成物が開示される。
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【課題】基板に発生する応力を低減できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体素子が形成される素子領域を有する基板と、素子領域の隣接部分の基板に形成されるビアホールと、ビアホール内に絶縁層を介して設けられる導通部と、基板と絶縁層との間に設けられる緩衝層とを備え、緩衝層は、基板の熱膨張係数と緩衝層の熱膨張係数との差が、基板の熱膨張係数と絶縁層の熱膨張係数との差より小さい材料から形成される。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁膜の形成方法及び貫通ビアの金属化への適用。
【解決手段】本発明は主に、シリコン基板などの電気導体基板又は半導体基板の表面に電気絶縁膜を形成する方法に関する。本発明によれば、上記方法は、ａ）上記表面を溶液と接触させる工程と、ｂ）少なくとも６０ナノメートル、好ましくは８０〜５００ナノメートルの厚さの膜が形成されるのに充分な時間、上記表面を定電圧パルスモード又は定電流パルスモードで分極する工程とを含み、上記溶液は、プロトン性溶媒と、少なくとも一種のジアゾニウム塩と、連鎖重合可能であって上記プロトン性溶媒に可溶である少なくとも一種のモノマーと、上記溶液のｐＨ値を７未満、好ましくは２．５未満に調整して上記ジアゾニウム塩を安定化するのに十分な量の少なくとも一種の酸とを含有する。適用：貫通ビア、特に３Ｄ集積回路の貫通ビアの金属化。 （もっと読む）

【課題】電位を印加した溶液中の化学物質の測定の際、リーク電流が半導体基板に流れない膜厚のシリコン酸化膜にてゲート絶縁膜が形成され、容易にシランカップリングによるアミノ酸基の導入が行え、かつ溶液と配線間に流れるリーク電流を抑える溶液測定用半導体センサチップを提供する。
【解決手段】本発明の溶液測定用半導体センサチップは、ゲート絶縁膜が露出されたMOSトランジスタからなり、電位の印加された溶液中に浸して化学物質の検出を、MOSトランジスタに流れる電流変化を検出することで行うものであり、半導体基板上に形成されたMOSトランジスタのゲート絶縁膜上に固定された有機単分子層と、MOSトランジスタのソース及びドレインに接続された配線と、有機単分子層部分が露出する開口部を有するパッシベーション膜とを有し、ゲート絶縁膜の最表層がシリコン酸化膜で形成され、このゲート絶縁膜が30nm以上の厚さにて形成されている。 （もっと読む）

【課題】比較的低温の焼成温度でＴＦＴ素子上に低誘電率の平坦化膜を形成することが可能なＴＦＴ平坦化膜形成用組成物、及びそのような平坦化膜を有する表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ平坦化膜形成用組成物は、（Ａ）シロキサン樹脂、（Ｂ）重合促進剤、及び（Ｃ）有機溶剤を含有する。（Ｂ）重合促進剤としてはオニウム塩が好ましく、その含有量は、（Ａ）シロキサン樹脂のＳｉＯ_２換算質量に対して１２０〜１０００質量ｐｐｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電気・電子デバイスの部材として好適に用いることができ、イオン液体を内包するカプセルを提供する。
【解決手段】〔１〕芯物質と該芯物質を内包する壁膜とからなり、該芯物質がイオン液体を含有し、該壁膜が無機質壁膜であることを特徴とするカプセル。
〔２〕該無機質壁膜が加水分解性金属化合物の加水分解生成物であることを特徴とする〔１〕記載のカプセル。
〔３〕該イオン液体が親水性のイオン液体であることを特徴とする〔１〕〜〔２〕のいずれかに記載のカプセル。
〔４〕有機溶媒および前記〔１〕〜〔３〕のいずれかのカプセルを含有することを特徴とするカプセル分散液。 （もっと読む）

【課題】 第一に、低温での焼成が可能であり、耐溶剤性、絶縁性を十分に兼ね備えた絶縁膜を形成するための絶縁性インキ組成物を提供する。第二に、該インキ組成物から形成される絶縁性膜を提供する。更に第三に、該インキ組成物を用いた柔軟性基材上に絶縁膜を設けた電子素子を提供する。
【解決手段】 第一に、有機溶剤、固形多官能型変性エポキシ樹脂、及び架橋剤を必須成分として含有することを特徴とする絶縁膜形成用インキ組成物を提供する。特に、前記固形多官能型変性エポキシ樹脂をインキ組成物中の全固形成分に対し７０％以上含有する絶縁膜形成用インキ組成物を提供する。第二に、前記絶縁膜形成用インキ組成物より形成される絶縁膜、第三に、前記した絶縁膜をゲート絶縁膜としての構成部材とする有機トランジスタ素子を提供する。 （もっと読む）

自己組織化ブロック共重合体を使用して、ラインアレイにおいて、サブリソグラフィーでナノスケールの微細構造を作製するための方法、ならびに、これらの方法から形成される膜およびデバイスが提供される。
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【課題】電界効果型トランジスタにおいて、表面平滑性及び低表面エネルギーを有するゲート絶縁層を用いて作製された電界効果型トランジスタに十分高いチャージキャリア伝導性能を与える電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供すること。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に形成された有機半導体、ソース電極及びドレイン電極と、を備え、ゲート絶縁層は、二層以上の積層体であり、かつ前記有機半導体と接するゲート絶縁層表面との算術平均粗さＲａまたは二乗平均粗さＲＭＳが０．３ｎｍ未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着又は原子層蒸着の前駆体として使用される三座β-ケトイミネートの金属錯体の提供。
【解決手段】三座βケトイミネートの金属含有錯体、例えばビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ストロンチウム、ビス(2,2-ジメチル-5-(1-メチルエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ニッケル、Ti(O-iPr)3(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト、ビス(4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)コバルト、トリス(4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)ランタン、トリス(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト)イットリウムなどの化合物が挙げられる。 （もっと読む）