【課題】 耐湿性が低下し難いパシベーション膜を有する半導体装置の製造方法であって、より汎用性が高い製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、基板上に第１パシベーション膜１６を形成する工程と、第１パシベーション膜１６にクラックを生じさせる工程と、クラックを生じさせた第１パシベーション膜１６上に第２パシベーション膜１８を形成する工程を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の優れた絶縁膜のプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理方法の一形態は、絶縁膜が形成された基板を真空容器内に搬入する工程と、上記真空容器内に供給された処理ガスに３００ＭＨｚ以上２５００ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、上記プラズマにより、上記絶縁膜を改質する工程と、を含むプラズマ処理方法であって、上記処理ガスは、希ガスと酸素を含む混合ガス、または希ガスと窒素を含む混合ガスであり、上記プラズマは、上記処理ガスが希ガスと酸素を含む混合ガスの場合、上記酸素ガスの流量を１〜１０００ｓｃｃｍ、上記希ガスの流量を２００〜３０００ｓｃｃｍとして、上記処理ガスが希ガスと窒素を含むガスの場合、窒素ガスの流量を１０〜５００ｓｃｃｍ、上記希ガスの流量を２００〜３０００ｓｃｃｍとして生成される。 （もっと読む）

【課題】Ｌｏｗ−ｋ膜の機械的強度を向上させることができる半導体装置の製造方法、およびそれにより得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＢ上に、ＳｉＯＣを含有する骨格構造部と、炭化水素化合物を含有する空孔形成材料部とを有するＳｉＯＣ膜である層間絶縁膜３が形成される。層間絶縁膜３に２００ｎｍ以上２６０ｎｍ以下の波長を有する光が照射される。 （もっと読む）

【課題】 厚いＣＥＳＬ膜を用いてもＣＥＳＬ膜やその上の層間絶縁膜に生じるボイドを回避し、高い駆動電流と高い信頼性を実現する。
【解決手段】 半導体基板１０上にゲート絶縁膜１２を介してゲート電極１３を形成し、ゲート電極１３を挟んで基板の表面部にソース／ドレイン領域１８を形成してなるＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置であって、ゲート部のゲート長方向の側部に形成された側壁絶縁膜１７と、ソース／ドレイン領域１８上に形成された合金層１９と、側壁絶縁膜１７の側部に設けられ、ゲート長方向の断面で見た基板表面と成すテーパ角度が側壁絶縁膜１７よりも小さいテーパ調整用絶縁膜２１と、ゲート部、側壁絶縁膜１７及びテーパ調整用絶縁膜２１を覆うように形成された、チャネルに歪みを与えるための応力付与用絶縁膜２２と、応力付与用絶縁膜２２上に形成された層間絶縁膜２５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】濡れ性の上昇による塗膜の均一性、適度な乾燥速度によるハンドリング性、及び適度な濡れ性と粘性による厚膜化のための生産性の向上が達成され、しかも、クラックの発生がなく、かつ誘電特性に優れた誘電体薄膜を形成することができる高誘電体薄膜形成用の塗布組成物とその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）の要件を満足する前駆体溶液中に、下記の（Ｂ）の要件を満足する樹脂成分を該前駆体溶液に対し０．２〜２質量％含有することを特徴とする。
（Ａ）前記前駆体溶液は、少なくとも１種のアルコール類、少なくとも１種のエステル類２−エチルヘキサン酸からなる混合溶剤中に、有機酸塩を含有し、かつ金属元素濃度が０．４〜１．２ｍｏｌ／Ｌである。
（Ｂ）前記樹脂成分は、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、メタクリル酸アミド、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸ブチル等からなる。 （もっと読む）

【課題】アンダーカットの発生を抑制することができるとともに、従来に比べて高速に単結晶シリコンをエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン層１０１を、単結晶シリコン層１０１の上部に形成され所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト層１０２を介して処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、単結晶シリコン層１０１のエッチングを行うプラズマエッチング工程を開始する前に、カーボンを含んだガス例えばＣＦ系ガスのプラズマを用いてフォトレジスト層１０２の側壁部に保護膜１０３を形成する保護膜形成工程を行う。 （もっと読む）

【課題】素子分離絶縁膜に含まれる不純物に起因する半導体装置の電気的特性や信頼性の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】過水素化シラザン重合体を、炭素を含む溶媒に分散することによって生成された過水素化シラザン溶液をシリコン基板１上に塗布して塗布膜６を形成し、塗布膜６を加熱して溶媒を揮発させることにより、ポリシラザン膜７を形成し、ポリシラザン膜７を薬液処理することにより、ポリシラザン膜７を二酸化シリコン膜８に変換する。 （もっと読む）

【課題】隣接するゲート電極間の距離が小さい場合であっても、応力膜によりチャネル領域に効果的に応力を発生させて電荷移動度を向上させることのできる半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、素子分離領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に各々ゲート絶縁膜を介して略並列に形成された複数のゲート電極と、前記半導体基板内の前記複数のゲート電極下の領域に各々形成された複数のチャネル領域と、前記半導体基板内の前記複数のチャネル領域を挟んだ領域に形成されたソース・ドレイン領域と、前記半導体基板および前記複数のゲート電極上を覆うように形成された第１の応力膜と、前記複数のゲート電極間の領域に形成された空隙内の少なくとも一部に形成された第２の応力膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】第１半導体部および第２半導体部を含む半導体素子を作製する際に半導体の曲がりを小さくする。
【解決手段】絶縁体マスク１７を用いて、ＬＤエリア１ｂに第１半導体部１９を形成し、ＥＡエリア１ｃに第２半導体部３７を形成する。絶縁体マスク１７内では、キャップ層１５に近い下部では線膨張率が高く、キャップ層１５から遠い上部では線膨張率が低い。ＥＡエリア１ｃに第２半導体部３７を形成する前に、エッチング端面１９ａ側から第１半導体部１９の最上層であるキャップ層１５を部分的にエッチングする。これで、境界１ｄ近傍で、絶縁体マスク１７とキャップ層１５との間にギャップＧを生じさせると、このギャップＧ部分の絶縁体マスク１７において、キャップ層１５に近い下部１７ｅは多く膨張し、キャップ層１５から遠い上部１７ｆは少なく膨張する。その結果、境界１ｄ近傍の絶縁体マスクが上に曲がる。 （もっと読む）

【課題】薄膜表面に延びる長いクラックが存在せず、絶縁体圧の高い誘電体薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】組成がＢａ_1-xＳｒ_xＴｉ_yＯ₃（０≦ｘ≦１、０.９≦ｙ≦１.１）からなる誘電体薄膜の製造において、該薄膜の前駆物質を基板に塗布して乾燥した後、該乾燥薄膜を３０℃／分以下の昇温速度で本焼成を行うことによって、平均１次粒子径が７０ｎｍ以上であり、薄膜表面に連続する直線状の長さ１.５μm以上の亀裂が存在せず、電圧５Ｖにおけるリーク電流密度が１０^-5Ａ/cm²未満、ないし電圧２０Ｖにおけるリーク電流密度が１０^-1Ａ/cm²未満である誘電体薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワー印加によるＳｉＮ膜の埋め込み成膜が可能なプラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】シリコン及び水素を含有する原料ガスと窒素を含有するガスとのプラズマにより、プラズマ処理対象の基板２１に対して窒化シリコン膜を成長させるプラズマ処理方法において、前記基板２１にイオン入射させるバイアスパワーを閾値以上にすることでＳｉ−Ｈ結合量を増加させて圧縮応力を低減させた。 （もっと読む）

封止するOLEDデバイスの表面に薄膜材料を堆積させてそのOLEDデバイスを薄膜封止パッケージするため、一連のガス流を実質的に平行な細長い出口開口部に沿った方向に向ける操作を含む方法であって、上記一連のガス流が、順番に、少なくとも1つの第1の反応性ガス材料と、不活性なパージ・ガスと、第2の反応性ガス材料を、場合によっては繰り返して含んでおり、上記第1の反応性ガス材料は、上記第2の反応性ガス材料で処理した基板の表面と反応して封止薄膜を形成することができ、上記第1の反応性ガス材料は、揮発性の有機金属前駆体化合物である方法が開示されている。この方法は、実質的に大気圧で、または大気圧よりも大きな圧力で実施され、堆積中の上記基板の温度は250℃未満である。
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シリコン含有膜を形成する方法であって、基板を反応チャンバーに供給すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550℃以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ることを含む方法。窒化シリコン膜を調製する方法であって、シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、シリコン含有化合物を前記反応チャンバー中に導入すること、前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入することを含む方法。
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【課題】層間絶縁膜として低誘電率膜のように機械的強度が低い膜を用いた場合であっても配線の集積度が高く且つ信頼性を確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上にトランジスタ１２等の半導体素子を被覆する第１の層間絶縁膜１６を形成した後、ヤング率が低い低誘電率膜からなる下層側層間絶縁膜Ａと、シリコン酸化膜等のようにヤング率が高く且つ密着性及び耐湿性が優れた膜からなる上層側層間絶縁膜Ｂを形成する。電極パッド７０の直下域の下層側層間絶縁膜Ａ内にはダミー配線及びダミープラグとともに、半導体素子に電気的に接続された有効配線を配置する。また、電極パッド７０の直下域の上層側層間絶縁膜Ｂ内にはダミー配線及びダミープラグのみを配置し、電極パッド７０に応力が印加されたときに下層側層間絶縁膜Ａよりも上層側層間絶縁膜Ｂに大きな応力が印加されるようにする。 （もっと読む）

【課題】最終保護膜形成後の製品のそりを低減した半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に配線を設け、該配線上に最終保護膜を形成する半導体素子の製造方法において、前記配線上に第１保護膜を形成する工程と、前記第１保護膜上に、引張応力を有する第２保護膜を形成する工程と、前記配線のコンタクト領域の前記第１保護膜、及び前記第２保護膜を除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】裏面に厚い酸化膜を有するＳＯＩウェーハを使用し、ＳＯＩ層側である表面にデバイス形成用のシリコン酸化膜を熱酸化により形成しても、熱酸化処理後にＳＯＩウェーハが反ることを抑制し、ＳＯＩウェーハの反りによる露光不良や吸着不良を低減してデバイス製造の歩留を向上できるＳＯＩウェーハのシリコン酸化膜形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、裏面に酸化膜を有するＳＯＩウェーハに熱酸化処理を施して（工程（Ａ））、熱酸化処理後に、さらに熱酸化処理の温度よりも高温の非酸化性雰囲気で熱処理を施し（工程（Ｂ））、ＳＯＩ層の表面にシリコン酸化膜を形成するＳＯＩウェーハのシリコン酸化膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】耐湿性を向上させることができる半導体装置を得る。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１１（半導体基板）上に第１，第２層目のパッシベーション膜１５，１６（第１パッシベーション膜）が形成されている。そして、パッシベーション膜１５，１６上に、触媒化学気相成長法を用いて、最上層のパッシベーション膜としてＳｉＮ膜１９（第２パッシベーション膜）が形成されている。このように触媒化学気相成長で形成したＳｉＮ膜は、従来のようにプラズマ化学気相成長で形成したＳｉＮ膜に比べて吸湿性が低い。 （もっと読む）

【課題】短時間で安定したシート抵抗値の測定結果を得ることができるモニタウエハ、及びモニタウエハを提供する。
【解決手段】モニタウエハに酸化膜（ＳｉＯ_２）を形成する。酸化膜が形成されたモニタウエハに対してｐ型不純物のイオン注入を行うことで、酸化膜の内側にｐウェルを形成する。次に、熱処理をすることでｐ型不純物を内部に拡散させ、ｐウェルを活性化する。酸化膜の除去後すぐに、アンモニア（ＮＨ_３）水と、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）水と、水とが混合された薬液を用いたウエット処理を施して、酸化膜を強制的に形成する。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

基板上に膜を形成するための方法であって：
加熱室中で固体有機シランソースを加熱し、ガス状プリカーサーを形成すること；
ガス状プリカーサーを蒸着室へ移送すること；及び
エネルギー源を用いてガス状プリカーサーを反応させ、基板上に膜を形成すること
を含む、方法。当該膜は、Ｓｉ及びＣ並びに任意でＮ、Ｏ、Ｆ、Ｂ、Ｐ又はそれらの組み合わせ等の、他の元素を含む。 （もっと読む）