【課題】耐クラック性に優れた絶縁膜を形成する。
【解決手段】 所定温度の炉内に基板を挿入する工程と、前記炉内を加熱する工程と、前記炉内の基板に膜を堆積させる工程と、前記膜堆積工程後に、前記炉内を前記加熱工程の加熱速度よりも遅い冷却速度で冷却する工程とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 アルコキシシラン化合物含有塗布液により基板上にＳＯＧ膜を形成する際に、温度制御を正確に行って、塗膜の急激なシュリンクを抑制し、また塗布液中のガラス質形成材の消失を防ぐことでＳＯＧ膜のクラックの発生を防ぎ、さらに、回路を形成している金属材を熔融、変形させることのない理想的な塗膜の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも３段階の被処理物表面温度範囲を設定して、低温から段階的に温度を上昇させてＳＯＧ膜形成用塗布液を塗布した被処理物を乾燥し、次に、被処理物表面温度を２５０〜５００℃の範囲に昇温させ、±３℃の範囲に保持して前記被処理物の焼成処理を行い、ＳＯＧ膜を形成させる塗膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】歩留りの高い成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、被塗布基材７に液状の膜形成材料を塗布して膜８を形成する方法である。この成膜方法は、被塗布基材７に膜形成材料を塗布する塗布工程と、膜形成材料を加熱して乾燥させることにより膜８を得る熱処理工程と、膜８の表面の状態を検出して膜８に関する情報を得、該情報に基づいて、膜８の少なくとも一部に対して再加熱を行ない、これにより、膜８の表面の状態が均一になるように該状態を調整する調整工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】 レジストポイズニング対策の技術を提供することである。
【解決手段】 レジスト膜が用いられて構成された素子であって、
前記レジスト膜が設けられる下側に、Ｃを構成元素としたＣ含有膜４と、Ｎを構成元素としたＮ含有膜６とが設けられてなり、
前記Ｃ含有膜の構成成分と前記Ｎ含有膜の構成成分との反応を阻止するバリア層５が構成され、
前記バリア層５は、その厚さが２０ｎｍ以上であって、かつ、Ｃ含有濃度が１０原子％未満である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の積層欠陥の数を十分に減少させることができるエピタキシャルシリコンウェハの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１１の表面をフッ酸水溶液で洗浄し、基板１１表面の酸化膜１３を除去するとともに、基板１１表面に露出しているＣＯＰ１１１内の酸化膜１１２を除去する。その後、基板１１をオゾン水で洗浄して、基板１１の表面に酸化膜１３を形成する。そして、基板１１の熱処理を行ない、基板１１表面の酸化膜１３を除去する。これにより、基板１１表面のＣＯＰ１１１が平滑化されて、基板１１表面のＣＯＰ１１１が消失することとなる。その後、基板１１表面にエピタキシャル層１２を形成する。 （もっと読む）

応力をもたせた膜が基板上に形成される。基板が処理ゾーンに置かれ、処理ゾーンに与えられたシリコン含有ガス及び窒素含有ガスを有する処理ガスのプラズマが形成される。窒素の如き希釈ガスを加えることもできる。堆積直後のままの応力をもたせた物質を、紫外線又は電子ビームに対して露出させることにより、その堆積物質の応力値を増大させることができる。それに加えて、又はそれとは別に、堆積中にその物質の応力値を増大させるために、窒素プラズマ処理を使用することができる。応力をもたせた物質を堆積させるためのパルス化方法も開示する。 （もっと読む）

【課題】 良好な絶縁性、平坦性を有する絶縁膜を形成する。
【解決手段】 シロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が５ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が１ｖｏｌ％以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して絶縁膜を形成することを特徴とする。また、好ましくは酸素の濃度が１ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が０．１ｖｏｌ％以下にする。また、前記シロキサンポリマーを含有する樹脂はメチル基及びフェニル基を含むことを特徴とする。また、前記不活性ガスは窒素であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板の素子形成領域における結晶欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】
ゲート酸化膜の形成をＩＳＳＧ酸化法とその他の酸化法の２つの酸化法で形成する。 （もっと読む）

【課題】多様なエッチング溶液に対して優れた耐性を有するエッチング阻止層を含む半導体装置の製造方法及びその半導体装置と、多様なエッチング溶液に対して優れた耐性を有することで、湿式エッチング工程の間、下部構造物を効果的に保護することができるエッチング阻止層の形成方法とを提供する。
【解決手段】第１構造物上に金属酸化物１１５を蒸着し、その蒸着された金属酸化物１１５をアニーリングし、第１構造物上にエッチング阻止層１１５を形成する。エッチング阻止層１１５上には第２構造物１２０を形成し、エッチング阻止層１１５を用いて第２構造物をエッチングする。金属酸化物はハウニウム及びアルミニウムのうち少なくとも一つを含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 塗布均一性に優れ、熱的に安定な酸化物被膜を形成することができる酸化物被膜形成用塗布液、均一で熱的に安定な酸化物被膜の製造法及び均一で熱的に安定な酸化物被膜を有する半導体装置の製造法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）一般式（Ｉ）
【化１】


（式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ′は炭素数１〜３のアルキル基、ｍは０、１または２を意味する）で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒の存在下に加水分解及び縮重合させ、加水分解によって生成する１価アルコールを除去してなる酸化物被膜形成用塗布液、この塗布液を、基体表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３００〜１０００℃で焼成することを特徴とする酸化物被膜の製造法及びこの塗布液を、半導体素子表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３００〜１０００℃で焼成して酸化物被膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造法。 （もっと読む）

【課題】 クラックの発生を抑制することができるようにした絶縁膜の形成方法及び、絶縁膜の形成装置を提供する。
【解決手段】 メタル配線が形成された半導体基板上にＴＥＯＳ膜を形成する方法であって、シリコンウエーハに一定の大きさ以上の反りが有るか無いかを検査し（ステップＳ１〜Ｓ３）、反りが有る場合には当該反りを強調する方向に応力が働くＴＥＯＳ膜をシリコンウエーハ上に形成し（ステップＳ４，５）、反りが無い場合には応力特性が中庸であるＴＥＯＳ膜をシリコンウエーハ上に形成する（ステップＳ６）。このような構成であれば、ＴＥＯＳ膜の応力はシリコンウエーハの反りを強調する方向に働くので、シリコンウエーハとＴＥＯＳ膜との間で作用し合う力を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】高誘電率被膜形成用組成物、該高誘電率被膜形成用組成物の製造方法、高誘電率被膜、および該高誘電率被膜を備える電子部品、特に、クラック耐性に優れた高誘電率被膜、該高誘電率被膜の製造に用いる高誘電率被膜形成用組成物、該高誘電率被膜形成用組成物の製造方法、および該高誘電率被膜備えた電子部品を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の高誘電率被膜形成用組成物を、（Ａ）少なくとも、
（ａ−１）下記一般式（１）および（２）
【化１】


（式中、ｎは１〜５の整数を表し、Ｒ¹は炭素数１〜５のアルキル基を表す。）
Ｒ²Ｓｉ（ＯＲ³）₃ ・・・（２）
（式中、Ｒ²は炭素数３以上のアルキル基を表し、Ｒ³は炭素数１〜５のアルキル基を表す。）で示されるトリアルコキシシラン化合物から選択される少なくとも１種と、
（ａ−２）チタンテトラアルコキシドとを含む混合物の加水分解反応による生成物と、
（Ｂ）溶剤とから構成する。 （もっと読む）

金属酸化膜半導体の製造方法である（５００）。金属酸化膜半導体のゲート構造がエッチングされる（５１０）。ＮＯ又はＮ２Ｏである窒素含有ガスが生成され、金属酸化膜半導体に流す（５００）。
プレインプラント膜（６２０）がゲート構造のエッジに成長される。プレインプラント膜は、エッチングプロセスがもたらすゲートスタックエッジの損傷を修復する。実質的に膜は窒化シリコンである。有利にも、そのような膜は従来のsilica oxide膜よりも薄い。より薄い膜は、トンネル酸化膜の不均一さに、有害に起因しない。不均一なトンネル酸化膜は、ゲートとチャネル間に均一でない電界をもたらす。均一でない電界は、多くの悪影響を持つ。有利にも、本発明の実施形態は、ゲートスタックエッジの欠陥を修復することで、従来技術の欠点を克服する。この新たな方法で、ゲートスタックエッジの欠陥が、金属酸化膜半導体デバイスの電気的性質に有害な結果をもたらすことなく、修復される。
この用途に、新たなシリカ酸化膜を応用することにより、薄い修復膜が成長できる。有利にも、本発明の実施形態を用いて製造された半導体は、小型プロセスの加工寸法を用いており、その結果、より密集した半導体デバイスアレイをもたらし、そのようなデバイスの低価格をもたらし、また、本明細書に解説している改良を実現した者たちに対して、競争上の優位性を実現している。
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本発明は、有機シランガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜される絶縁膜の低誘電率化と、機械的な強度の維持を可能とすることを目的としている。
そのため、本発明では、被処理基板に有機シランガスを含む第１の処理ガスを供給してプラズマを励起することで、当該被処理基板上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記被処理基板にＨ₂ガスを含む第２の処理ガスを供給してプラズマ励起することで、当該絶縁膜の処理を行う後処理工程と、を有する基板処理方法であって、前記後処理工程のプラズマ励起は、マイクロ波プラズマアンテナにより行われることを特徴とする基板処理方法を用いている。 （もっと読む）

【課題】配線の信号伝播性能向上を絶縁被膜の誘電率分布の均一化によって実現することを課題とする。
【解決手段】アルコキシシランを加水分解して得られたシリカからなる、平均粒径が１０００Å以下であって、粒径の３σが平均粒径の２０％以下である第一の微粒子と、平均粒径が１第一の微粒子の１／３以下で、粒径の３σが第二の微粒子の平均粒径の２０％以下である第二の微粒子とを含有し、半導体デバイスに用いるに好ましい被膜形成用塗布液。 （もっと読む）