【課題】半導体装置を構成する素子の微細化を進めつつ製造不良や動作上の信頼性不良の低減と素子間の特性ばらつきの低減とを実現する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン層１４上にシリコン窒化膜７を含む絶縁層を形成する工程と、形成された絶縁層上に第２のシリコン層１０を形成する工程と、所定領域のシリコン層、絶縁層、第２のシリコン層を選択的に除去して溝を形成する工程と、溝の形成により露出されたシリコン層、絶縁層、第２のシリコン層の側壁を酸素ラジカルを含む雰囲気で酸化してシリコン酸化膜層１５に変える工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】上下方向からそれぞれ成長する熱酸化膜同士の界面において隙間の残存を防止できるようにした半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層／Ｓｉ層１３／ＳｉＧｅ層を成膜し、支持体用の溝を形成する。次に、Ｓｉ基板１上の全面に支持体膜を成膜し、これをドライエッチングして支持体２２を形成する。続いて、支持体２２下から露出しているＳｉＧｅ層／Ｓｉ層１３／ＳｉＧｅ層をドライエッチングして、ＳｉＧｅ層の側面を露出させる溝ｈ２を形成する。この状態でＳｉＧｅ層をフッ硝酸溶液でエッチングすると、支持体２２にＳｉ層１３が支持された形でＳｉ層１３の上下に空洞部２５、２７がそれぞれ形成される。その後、Ｓｉ基板１を熱酸化して空洞部２５、２７内にそれぞれ熱酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】熱放散を効率よく行うことができ、熱応力を緩和して高い信頼性を得ることができる半導体発光素子およびその製造方法、並びに発光装置を提供する。
【解決手段】突条部６１の両側に、塑性変形可能な応力緩和層８１を設ける。半導体レーザアレイ２０とベースとの接合時に発生する熱応力を応力緩和層８１により吸収、緩和して信頼性を高めると共に、熱放散を効率良く行う。応力緩和層８１は、ＳｉＯ₂ ，ＡｌＯ₂ またはＳｉ₃ Ｎ₄ などの絶縁材料を、電子線蒸着することにより形成したものである。応力緩和層を、インジウム（Ｉｎ）あるいはＩｎ−Ａｇ合金などの塑性変形可能な金属材料により構成し、その上側および下側を、インジウム（Ｉｎ）と合金を全く形成しない金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）よりなる合金化防止層で挟んでもよい。応力緩和層８１の間の間隔Ｄ１は、突条部６１の幅Ｗよりも広く、好ましくは幅Ｗの３倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ／誘電体の界面に沿ったエレクトロマイグレーション不良は、ＶＬＳＩ回路の用途において大きな信頼性の問題として認識されている。
【解決手段】 Ｃｕ／誘電体の界面におけるＣｕ移動および原子ボイド形成を低減させるために、Ｃｕ相互接続の上に高い引っ張り応力のキャッピング層を設ける。引っ張り応力の高い誘電膜は、薄い誘電体材料を多層に堆積することによって形成する。これらの層は各々、厚さが約５０オングストローム（５ｎｍ）未満である。各誘電体層にプラズマ処理を行った後に、これに続く各誘電体層を堆積することで、誘電体キャップが内部引っ張り応力を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成されるギャップ内に誘電体層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】 方法は、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップを含む。有機シリコン前駆物質のＣ：Ｓｉ原子比は、８未満であり、酸素前駆物質は、堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む。前駆物質が反応して、ギャップ内に誘電体層を形成する。ギャップを誘電材料で充填する方法も記載する。これらの方法は、Ｃ：Ｓｉ原子比が８未満の有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を供給するステップと、前駆物質からプラズマを生成させて、ギャップ内に誘電材料の第一部分を堆積させるステップとを含んでいる。誘電材料がエッチングされてもよく、誘電材料の第二部分がギャップ内に形成されてもよい。誘電材料の第一部分と第二部分がアニールされてもよい。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＤ法によるペロブスカイト型誘電物質からなる高誘電体膜の形成において、クラックの発生がなく、膜の収縮が小さく、かつ誘電特性に優れた誘電体膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に、下記の工程（１）、（２）を繰返し行うことによって、３層以上積層してなる多層誘電体薄膜を作製した後、次いで、得られた多層誘電体薄膜に本焼成を行うことを特徴とする。
工程（１）：基板上に、混合溶剤に、アルカリ土類金属元素と、チタン、スズ、及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属元素を含有する塗布組成物からなる塗布液を、一回の塗布によって形成される誘電体薄膜の膜厚が仮焼成後で３０〜１２０ｎｍとなるに十分な量だけ塗布した後、乾燥させる。
工程（２）：基板上に形成された誘電体薄膜を、酸素雰囲気中、５５０〜８００℃の温度で加熱し、仮焼成する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が３．０以下と小さく、しかもヤング弾性率が３．０ GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程、（ｂ）必要に応じて、前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を２５〜３４０℃の温度条件下で乾燥する工程、（ｃ）前記装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を１０５〜４５０℃の温度条件下で加熱して加熱処理する工程、および（ｄ）必要に応じて、前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を３５０〜４５０℃の温度条件下で焼成する工程を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が３．０以下と小さく、しかもヤング弾性率が３．０ GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程、（ｂ）前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を２５〜３４０℃の温度条件下で乾燥する工程、（ｃ）前記装置内に水蒸気を導入し、前記被膜を１０５〜４５０℃の温度条件下で加熱して加熱処理する工程、および（ｄ）前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を３５０〜４５０℃の温度条件下で焼成する工程を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】作製時及び塗膜時における安全性に優れた構成成分を用いて、しかもＭＯＤ法によるペロブスカイト型誘電物質からなる高誘電体薄膜形成用塗布組成物の形成において、クラックの発生がなく、膜の収縮が小さく、かつ誘電特性に優れた誘電体薄膜を形成することができる高誘電体薄膜形成用塗布組成物を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】特定の混合溶剤を用いて特定の条件でアルカリ土類金属元素の有機酸塩液（Ａ）を調製する工程、特定の有機溶剤を用いて特定の条件でチタン、スズ及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素のアルコキシド液（Ｂ）を調製する工程、及び有機酸塩液（Ａ）とアルコキシド液（Ｂ）を用いて特定の条件で複合有機酸塩液（Ｃ）を合成する工程、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンＴＦＴやＳｉＯ_２ゲート絶縁膜等を高圧下で容易に蒸気処理することができる蒸気処理装置及び蒸気処理方法を提供する。
【解決手段】所定の圧力Ｐで被処理物２１を処理するための圧力容器１１と、圧力容器１１内を温度の異なる少なくとも２つの温度領域に制御するための温度制御手段１２とを備えるものであって、圧力容器１１が、所定の温度Ｔ１に設定されて所定の蒸気圧Ｐの下で被処理物２１を処理するための第１領域１３と、第１領域１３よりも低い温度Ｔ２に設定されて前記蒸気圧Ｐと同じ圧力Ｐの下で飽和蒸気を発生させるための第２領域１４とを有するように構成して、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層における膜亀裂を減少させる方法を記載する。
【解決手段】 方法には、基板上に第一誘電体膜を堆積させるステップと、膜上でエッチングを行うことにより第一誘電体膜の最上部を除去するステップとが含まれるのがよい。方法には、また、エッチングされた第一膜の上に第二誘電体膜を堆積させるステップと、第二誘電体膜の最上部を除去するステップとが含まれるのがよい。更に、方法には、第一誘電体膜と第二誘電体膜をアニールして、誘電体層を形成するステップが含まれるのがよく、第一誘電体膜と第二誘電体膜から最上部を除去することにより誘電体層における応力レベルが低下している。 （もっと読む）

【課題】 製作が容易で、断熱性、品質に優れたメンブレン構造素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化ケイ素膜で形成されたメンブレンと、前記メンブレンの周辺の一部を支持することによってメンブレンを中空状態で支持する基板とを備えたメンブレン構造素子の製造方法である。シリコン基板２の表面側に、プラズマＣＶＤ法により熱収縮可能な酸化ケイ素膜１３を形成する膜形成工程と、前記基板１に形成された前記酸化ケイ素膜１３を熱収縮させる加熱処理を施す加熱処理工程と、前記酸化ケイ素膜１３のメンブレン相当部をメンブレンとして基板２に対して中空状態で支持されるように前記基板２の一部を除去し、凹部４を形成する除去工程を備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜の成膜性を向上させつつ、薄膜を形成させる基材への熱影響を抑制することができる薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】大気圧下でのプラズマＣＶＤにより、基材Ａの表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、プラズマＣＶＤにおけるプラズマを発生させるための印加電圧の周波数が５〜９０ｋＨｚの範囲内に設定され、かつ、薄膜形成時の基材Ａの温度が２５〜９０℃の範囲内に設定される。 （もっと読む）

二つの有機シリコン化合物を含む混合物からチャンバ内で基板上に低誘電率膜を堆積させる方法が提供される。混合物には、更に、炭化水素化と酸化ガスが含まれてもよい。第一有機シリコン化合物は、Ｓｉ原子あたり平均一つ以上のＳｉ-Ｃ結合を有する。第二有機シリコン化合物のＳｉ原子あたりのＳｉ-Ｃ結合の平均数は、第一有機シリコン化合物におけるＳｉ原子あたりのＳｉ-Ｃ結合の平均数より大きい。低誘電率膜は、良好なプラズマ／ウェットエッチング損傷抵抗、良好な機械的性質、且つ望ましい誘電率を有する （もっと読む）

【課題】高キャパシタンスの高周波薄膜キャパシタを提供することにある。
【解決手段】窒化シリコンバリア層１２をガリウム砒素基板１１上に堆積させて、後の加熱工程における基板の蒸発を防止する。二酸化シリコン応力緩和層１４を上記バリア層上に堆積させる。密着層１８と第２層２０とを含む第１電極１６を応力緩和層上に形成する。実質的に無水のアルコキシカルボキシレート液状先駆体を準備し、使用直前に溶媒交換工程を行った後に、先駆体を第1電極上にスピンオンし、４００℃で乾燥し、６００℃〜８５０℃でアニールしてＢＳＴキャパシタ強誘電体２２を形成する。第２電極２４を強誘電体上に堆積させ、アニールする。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁性と可撓性と優れた耐熱性を有し平坦化され高温に曝されても変質、劣化、変形することのないシリカ系ガラス薄層付き無機質基板、その製造方法、そのためのコーテイング剤および半導体装置を提供する。
【解決手段】無機質基板に環状ジハイドロジェンポリシロキサン(Ａ)または特定の単位式を有するハイドロジェンポリシロキサン(Ｂ)を被覆し硬化させる、鉛筆硬度が２Ｈ〜９Ｈであるシリカ系ガラス薄層を有する無機質基板の製造方法。前記シリカ系ガラス薄層付き無機質基板。前記 (Ａ)または(Ｂ)からなる無機質基板のコーテイング剤。前記シリカ系ガラス薄層付き無機質基板を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】プレメタル誘電体を含む半導体構造および半導体構造にプレメタル誘電体を堆積形成する方法を実現する。
【解決手段】本発明は、各構成要素２、３、４、９、１１を表面に有する基板１を有し、上記各構成要素２、３、４、９、１１は、少なくとも一つのギャップを形成するように互いに離間されており、上記ギャップは、層の有利な組み合わせにより充填され、上記組み合わせが、少なくともスピンオン形成用の誘電体１４の層を含み、さらに、他の絶縁層が配置、または、リンがドープされたシリケートガラスの層１６が配置されているプレメタル誘電体を含む半導体構造に関する。上記の各層の組み合わせの使用により、上記ギャップの充填において、ボイド１７の発生の抑制または防止できて、上記半導体構造では、化学的および／または機械的および／または電子的に有利な各特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】真空紫外光ＣＶＤ膜において、段差被覆性及び表面平坦性を低下させることなく、耐クラック性を向上する。
【解決手段】段差を有する基板Ｓを１００℃以下の温度に保ったままで、真空紫外光ＣＶＤにより主面ＳａにＣＶＤ膜３４を成膜する。まず、直鎖状有機ケイ素化合物からなる第１材料ガスと、環状有機ケイ素化合物からなる第２材料ガスとを混合した第１原料ガスを用いて、下層ＣＶＤ膜２６を成膜する。これに引き続き、環状有機ケイ素化合物からなる第２原料ガスを用いて、下層ＣＶＤ膜上に上層ＣＶＤ膜２８を成膜する。 （もっと読む）

【課題】欠陥が誘起され難く、水素や水分に対する耐性が強い金属酸化物をゲート絶縁膜として用いたＭＩＳ型電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＩＳ型電界効果トランジスタの製造方法は、シリコン基板上に金属酸化物膜を形成する工程と、金属酸化物膜上にゲート電極を形成する工程と、前記金属酸化物膜にフッ素を導入する工程とを有し、金属酸化物膜としてＨｆの酸化物、Ａｌの酸化物を用いる。例えば、金属酸化物膜へのフッ素の導入は、シリコン基板上へ金属酸化物膜を形成する前にシリコン基板にフッ素またはフッ素を含むイオンを導入し、金属酸化物膜を形成した後にシリコン基板を熱処理してシリコン基板から金属酸化物膜へフッ素を拡散させることにより行う。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の優れた絶縁層や半導体層を備えた高品質のＭＯＳ型半導体等の電子デバイス材料の製造方法。
【解決手段】単結晶シリコンを主成分とする被処理基体上にＣＶＤ処理を施して絶縁膜を形成する工程と、前記被処理基体を、複数のスロットを有する平面アンテナ部材（ＳＰＡ）を介して処理ガスにマイクロ波を照射することにより生成したプラズマに晒し、このプラズマを用いて前記絶縁膜を改質する工程と、を含む。 （もっと読む）