【課題】半導体素子に形成されたトレンチの埋め込み用途に好適なポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法の提供。
【解決手段】（ｉ）一般式：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）（式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である）で表される１種類以上のシラン化合物に由来し重量平均分子量が３００以上１０００未満であるポリシロキサン化合物を得る工程と、（ｉｉ）該ポリシロキサン化合物とシリカ粒子とを溶媒中で反応させてポリシロキサン縮合反応物溶液を得る工程と、（ｉｉｉ）該ポリシロキサン縮合反応物溶液に、少なくとも１種類の沸点１００℃以上２００℃以下の溶媒を加えた後に、蒸留により沸点１００℃以下の成分を留去する工程と、を含むポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ポットライフが長く、焼成してシリコン酸化物としたときの硬化収縮率が小さく、更にクラック耐性に優れかつ耐電圧のばらつきが小さい絶縁膜を形成できる縮合反応物溶液の提供。
【解決手段】（Ｉ）（ｉ）下記一般式（１）：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）｛式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である。｝で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物の縮合換算量４０質量％以上９９質量％以下と、（ｉｉ）シリカ粒子１質量％以上６０質量％以下と、を少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び（ＩＩ）溶媒を含み、該シリカ粒子中の炭素量が０．０５質量％以上０．６５質量％未満である、縮合反応物溶液。 （もっと読む）

【課題】特に厚い熱酸化膜を形成する際に発生するウェーハボートへの貼り付きを防止し、熱酸化膜形成中のシリコン単結晶ウェーハのスリップ転位や割れの発生を抑制することのできる熱酸化膜の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハに熱酸化膜を形成する方法であって、前記シリコン単結晶ウェーハを熱処理炉に投入して、熱酸化膜が形成される温度Ｔ１まで昇温して厚さｄ１の熱酸化膜を形成し、その後、前記温度Ｔ１よりも低い温度まで降温した後、前記温度Ｔ１よりも高い温度Ｔ２まで昇温して前記厚さｄ１よりも厚い厚さｄ２の熱酸化膜を追加形成するシリコン単結晶ウェーハの熱酸化膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】バックチャネル部の表面のアルミニウム汚染に起因する漏れ電流を抑制を防止でき、高い信頼性と、高い歩留を実現できる構造の薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】この発明に係る薄膜トランジスタは、シリコンを半導体層とするバックチャネル部を有するボトムゲート構造の薄膜トランジスタであって、アルミニウムを含むソース電極またはドレイン電極と、バックチャネル部の一部であって半導体層の表層を覆うサイアロン化合物の層とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】１回のゲート絶縁膜形成工程で複数の厚みのゲート絶縁膜を同一の半導体基板上に形成することができるとともに、ゲート絶縁膜に酸化促進物質による欠陥が発生するのを抑制することができる半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板の所定領域に拡散性を有する酸化促進物質を注入する酸化促進物質注入工程と、上記半導体基板に熱処理を行うことで当該半導体基板に上記酸化促進物質の注入量に応じた複数の厚みの酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、上記所定領域に注入された酸化促進物質を拡散させることで上記酸化膜中に存在する上記酸化促進物質の濃度を低下させる酸化促進物質拡散工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ成膜後の降温時におけるスリップ発生を抑え、歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを搬入し、支持部材上に載置し、ウェーハの表面に、ソースガスを含むプロセスガスを供給し、ウェーハを第1の回転数で回転させながら、ヒータの出力を制御して所定温度に加熱することにより、ウェーハの表面に成膜を行い、ソースガスの供給を止め、ウェーハの回転数を、ウェーハのオフセットバランスを保持可能な第２の回転数に降下させるとともに、ヒータの出力を止め、第２の回転数で回転させながらウェーハを降温させる。 （もっと読む）

【課題】側壁部の形成の基礎となるパターンをレジストにより形成する場合であっても、側壁部の傾きを抑制できる微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたエッチング対象層の上に有機膜を形成する有機膜形成ステップと、有機膜上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニングするパターニングステップと、パターニングされたレジスト膜から露出する有機膜と、パターニングされたレジスト膜とを覆うように酸化シリコン膜を常温にて堆積する堆積ステップと、基板を加熱して酸化シリコン膜に引っ張り応力を生じさせる加熱ステップと、処理ステップの後に、パターニングされたレジスト膜の側壁に酸化シリコン膜が残るように当該酸化シリコン膜をエッチングする第１のエッチングステップと、パターニングされたレジスト膜を除去する除去ステップとを含む、微細パターンの形成方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】信頼性が損なわれるのを防止しつつ、電気的特性の良好な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、化学気相堆積法により、シリコンと酸素と炭素とを含む絶縁膜４２を形成する工程と、絶縁膜を形成する工程の後、３５０℃以下の温度で加熱しながら絶縁膜に対して紫外線キュアを行う工程と、紫外線キュアを行う工程の後、絶縁膜に対してヘリウムプラズマ処理を行う工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワーを印加して、窒化珪素膜を成膜する際、基板周辺部におけるブリスタの発生を抑制する窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体素子に用いる窒化珪素膜を、プラズマ処理により基板上に形成する窒化珪素膜の製造方法及び装置において、時間ｂ１において基板にバイアスを印加すると共に、バイアスを印加した後、時間ｂ３において、窒化珪素膜の原料ガスＳｉＨ₄の供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】従来においては、基板の表面に付着する異物によって反応容器に接続される複数の配管が閉塞しつつあるか否かを判定する方法がなかった。
【解決手段】データ処理装置４０において、複数の配管が接続される成膜装置１に関して、直近のメンテナンス後の累積成膜量又は累積稼働時間と成膜過程で前記基板に付着する異物密度との関係において、１個の変曲点を有し、かつ、累積成膜量又は累積稼働時間の増加に対して異物密度の最大値が一定値に飽和する漸近線で近似可能か否かを判定する判定手段３３と、漸近線で近似できる場合に、直近のメンテナンス時期から変曲点を得た時期に至るまでの間隔と、登録された過去のメンテナンスした配管に係るメンテナンス時期から変曲点を得た時期に至るまでの間隔と、を比較することにより、異物によって閉塞しつつある配管の候補を特定する候補特定手段３５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上に寄与し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０にトランジスタ３６を形成する工程と、半導体基板上に、トランジスタを覆う第１のシリコン窒化膜３８を形成する工程と、第１のシリコン窒化膜にＮＨ_４Ｆラジカルを供給する工程と、ＮＨ_４Ｆラジカルを供給する工程の後、第１のシリコン窒化膜に対して熱処理を行う工程と、熱処理を行う工程の後、第１のシリコン窒化膜上に第２のシリコン窒化膜を形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】安価であって、高品質であり、かつ光取出し効率に優れた薄膜状の金属酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜状の金属酸化物の製造方法は、透明電極上に金属アルコキシドを含む金属溶液を塗布することにより、光重合材料膜を形成するステップと、該光重合材料膜を部分的に露光することにより、３μｍ²以上０．２ｍｍ²以下の上面の面積の露光部を２以上形成する第１露光ステップと、該光重合材料膜に対しアルコール系の現像液を用いて現像することにより、第１露光ステップで露光されていない部分を除去するステップと、露光部を露光することにより、露光部の重合反応を促進する第２露光ステップと、第２露光ステップの後に、露光部を５００℃以下の温度で焼成することにより、薄膜状の金属酸化物を形成するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 膜ストレス低減を図った無機ＳＯＧ膜を有した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成された下層配線３と、前記下層配線３上及び下層配線３間に形成され、不純物がイオン注入されることで圧縮応力を示す無機ＳＯＧ膜５ａと、前記無機ＳＯＧ膜５ａを含む層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホールを介して前記下層配線に接続する上層配線とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の膜種を改質することで、従来の膜質よりも優れた膜質を実現する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内にＣＶＤ反応が生じる条件下で所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素を含む第１の層を形成する工程と、処理容器内に炭素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素を含む層を形成して、所定元素および炭素を含む第２の層を形成する工程と、処理容器内にＣＶＤ反応が生じる条件下で原料ガスを供給することで、第２の層の上に所定元素を含む層を更に形成して、所定元素および炭素を含む第３の層を形成する工程と、処理容器内に窒素含有ガスを供給することで、第３の層を窒化して、所定元素、炭素および窒素を含む第４の層として炭窒化層を形成する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、基板上に所定膜厚の炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積方法および原子層堆積装置は、従来のような防湿性を維持しつつ、内部応力の小さな薄膜を形成する。
【解決手段】基板に薄膜を形成するとき、基板が配置された、減圧した成膜空間内に、原料ガスを一定期間供給する。この後、原料ガスの前記成膜空間への供給後、原料ガスの成分を吸着した基板に向けて、前記成膜空間内に反応ガスを供給し、プラズマ生成素子を用いて反応ガスを活性化させることにより、基板に吸着された原料ガスの成分と反応ガスの成分を反応させて、基板に所定の薄膜を形成させる。上記原料ガスの供給と反応ガスの供給を繰り返し行うことにより、所定の厚さの薄膜を基板に形成する。このとき、上記原料ガスの供給と反応ガスの供給の繰り返し回数が増えるに従って、段階的にあるいは連続的にプラズマ生成素子への供給電力を増加させる。 （もっと読む）

【課題】応力の発生が緩和され、かつ、良質な埋め込み構造を有する半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の領域ＡＲ１、第２の領域ＡＲ２を有し、さらｗに、第１の領域ＡＲ１が第１の溝ＴＲ１を、第２の領域ＡＲ２が第２の溝ＴＲ２、を有する基板の溝に絶縁膜を埋設する。このとき、第１の溝ＴＲ１、第２の溝ＴＲ２のそれぞれを、その溝の幅の相違に応じて、径の異なる第１のナノ粒子ＣＳ１、第２のナノ粒子ＣＳ２で、埋め込んで絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉチヤネルを有するＮＭＯＳとＳｉＧｅチャネルを有するＰＭＯＳで、ＮＭＯＳには引張り歪みを与える、ＰＭＯＳには、表面のダングリングボンドを減少させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板５０の一部領域にシリコンゲルマニウムチャネル膜５４ａを形成し、ＰＭＯＳトランジスタを、シリコン膜６０ａを形成し、ＮＭＯＳトランジスタを形成する。単結晶シリコン基板、シリコンゲルマニウムチャネル膜、ＰＭＯＳトランジスタ、ＮＭＯＳトランジスタの表面上に、反応ガス、雰囲気ガス及び水素ガスを含む蒸着ガスを用いて、シリコン窒化膜８２を形成し、ＰＭＯＳトランジスタは、シリコンゲルマニウムチャネル膜表面のダングリングボンドの除去により、ホールスキャタリングが抑制され、ＮＭＯＳトランジスタには引張り歪みを与えることにより動作特性の改善ができる。 （もっと読む）

光照射を通して回折格子を用いて人間の眼に見える技術用途向けの色パターンを作成する方法において、ナノ秒範囲又はピコ秒若しくはフェムト秒範囲の少なくとも１つのレーザー装置によるレーザー微細構造化プロセスによって、固体表面上に回折格子アレイが直接生成される。各回折格子アレイは、長手方向寸法が眼の分解能力を下回る値を有する、スペクトル色を生成する限定された回折格子構造である少なくとも１つの画素８１、８２、８３を含む副領域８１で構成される。この色生成回折格子構造を固体表面に直接適用することによって、エンボス加工用具から宝石まで及ぶ多種多様な装飾及び認証の発展性が可能になる。
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【課題】基板と素子分離層との剥離やクラックが発生し難く、凹状の溝を有する基板上に平坦な素子分離層を形成することができる素子分離材料用塗布液等を提供する。
【解決手段】素子分離材料用塗布液は、アルコキシシラン化合物と金属アルコキシドとの混合物が加水分解、縮合された絶縁膜形成前駆体と、絶縁膜形成前駆体の濃度を所望の濃度に調製する溶媒と、を備えている。絶縁膜形成前駆体は、Ｓｉ−Ｏ−Ｍ−Ｏ−（Ｍは１種もしくは２種以上の金属）を主骨格としたポリマーであり、その分子の末端に炭素数２〜６個のアルコキシル基を有している。 （もっと読む）

【課題】低コストで安定した品質の薄膜を製造することができる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造方法であって、基板２０上に形成させる薄膜の原料溶液中に、基板２０を配置する配置工程と、第１光源１３から原料溶液中の溶媒の光吸収率が所定の閾値以上となる波長の第１の光を照射し、第２光源１４から第１の光に比べて溶媒の光吸収率が低い波長の第２の光を照射することにより、基板２０の第１主面２０ａ上に薄膜を形成する第１形成工程とを有する。 （もっと読む）