【課題】ＳｉＣを酸化する際に生成された炭素が不純物として酸化膜（ＳｉＯ_２）中に残留してしまうことを抑制し、チャネル移動度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、炭化シリコンを含む基板１１上に酸化シリコン膜１２を形成する工程と、酸化シリコン膜１２上に金属酸化膜１３を形成する工程と、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行い、酸素を金属酸化膜１３に透過させて酸化シリコン膜１２に拡散させることにより、酸化シリコン膜１２に残留する炭素を酸化させる残留炭素酸化工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素上のグラフェン・バッファ層の活性化のための方法およびデバイスを提供する。
【解決手段】炭化ケイ素層上に形成された１つ以上のグラフェン層を有する構造を電気的に活性化させる方法は、炭化ケイ素層と１つ以上のグラフェン層の最下層との間に配置された酸化シリコン層を形成するように構造に酸化プロセスを行うことによって最下層グラフェン層を電気的に活性化するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素ＭＯＳＦＥＴにおいて、炭化珪素層とゲート絶縁膜との界面に発生する界面準位を十分に低減できず、キャリアの移動度が低下する場合があった。
【解決手段】この発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素層上に接して二酸化珪素で構成されるゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜形成工程後に、一酸化窒素または一酸化二窒素とトランス−１，２−ジハロゲノエチレンとを含有するガス中で前記ゲート絶縁膜が形成された前記炭化珪素層を加熱処理する窒化工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】膜質を高く維持し、且つスループットも低下させることなく原料ガスの消費量を大幅に抑制することが可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを収容する処理容器２２と、原料ガスを供給する原料ガス供給系５４と、反応ガスを供給する反応ガス供給系５６と、弁開度が調整可能な開閉弁８０Ｂを有して真空引きする真空排気系７８とを備えた成膜処理装置２０による成膜方法において、真空排気系の開閉弁８０Ｂを閉じた状態で原料ガス供給系の開閉弁６２Ｂを最初の所定の期間は開状態した後に直ちに閉状態にして処理容器内へ原料ガスを一時的に供給して吸着させる吸着工程と、反応ガス供給系の開閉弁６６Ｂを開状態にして反応ガスを処理容器内へ供給しつつ真空排気系の開閉弁８０Ｂを最初は開状態としてその後は弁開度を徐々に小さくして反応ガスを反応させて薄膜を形成する反応工程とを、間欠期間を挟んで交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成する。酸化物半導体層を減圧されたチャンバー内に導入後、窒素雰囲気下で加熱処理工程、プラズマ（少なくとも酸素プラズマを含む）の導入工程を行い、成膜ガスを導入して酸化物絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ベーパライザーなしでソースガスを供給できるとともに、成膜レートを安定させ、良質なカーボン膜を形成して、アニール炉内清浄化の妨げとなる炉内低温部でのタール成分の発生を抑制し、炭化珪素半導体装置の品質の安定と歩留まりの向上を実現する炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ソースガスとして一酸化炭素を使用し、化学気相成長法によって炭化珪素ウエハＷＦの全表面にカーボン保護膜６を形成する。具体的には、成膜装置内を真空ポンプにより真空排気し、残存する酸素を極力除去した後、ＡｒやＨｅなどの不活性ガスを流しながら、減圧下で成膜装置内の温度を５００℃から１０００℃の範囲に加熱する。この温度に達したら、不活性ガスの流入を停止し、成膜装置内にソースガスとして一酸化炭素を流入させることで、炭化珪素ウエハＷＦの全表面にカーボン保護膜６を形成する。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを抑制しながら、高いドレイン電流を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２と、化合物半導体積層構造２上方に形成されたソース電極５ｓ、ドレイン電極５ｄ及びゲート電極５ｇと、が設けられている。更に、ソース電極５ｓとゲート電極５ｇとの間の化合物半導体積層構造２上に形成され、シリコンを含む第１の保護膜６と、ドレイン電極５ｄとゲート電極５ｇと間の化合物半導体積層構造２上に形成され、第１の保護膜６より多くシリコンを含む第２の保護膜７と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極が微細化されても電流コラプスを抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面保護膜１０を形成する際に、化合物半導体積層構造上に第１の絶縁膜１０ａを形成し、第１の絶縁膜１０ａの表面に、酸素原子又は窒素原子の少なくとも一方を第１の絶縁膜１０ａよりも多く含む第２の絶縁膜１０ｂを形成し、第２の絶縁膜１０ｂの上方に、第１の絶縁膜１０ａよりもＳｉ−Ｈ結合を少なく含み、第１の絶縁膜１０ａよりも高い絶縁性を示す第３の絶縁膜１０ｃを形成する。 （もっと読む）

本発明は、混合金属酸化物、ＳｒＭ_１−ｘＴｉ_ｘＯ_３に関し、ｘは０<ｘ<１でありＭはＨｆ又はＺｒであり、例えばストロンチウム−ハフニウム−チタニウム酸化物、ストロンチウムジルコニウム−チタニウム酸化物である。また本発明は、前記混合金属酸化物を含む機能装置に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、共振器端面にダメージを与えずに表面のクリーニングを行い、瞬時光学損傷への耐性が維持された信頼性の高い窒化物半導体レーザを得ることを目的とする。
【解決手段】この発明にかかる窒化物半導体レーザの製造方法は、窒化物半導体層を有する窒化物半導体レーザ２００の製造方法であって、（ａ）前記窒化物半導体層に、光出射側共振器端面２０，光反射側共振器端面２１を形成する工程と、（ｂ）窒素を含むガスを熱分解してラジカル化した雰囲気に、前記光出射側共振器端面２０，光反射側共振器端面２１を暴露する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート・トランジスタに対するスレショルド電圧制御および駆動電流改良のための方法および構造体を提供する。
【解決手段】デバイスを形成する方法は、基板を用意するステップと、基板上に界面層を形成するステップと、界面層上にＨｉｇｈ−ｋ誘電体層を堆積するステップと、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層上に酸素除去層を堆積するステップと、アニールを実施するステップとを含む。Ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート・トランジスタは、基板と、基板上の界面層と、界面層上のＨｉｇｈ−ｋ誘電体層と、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層上の酸素除去層とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、デバイス特性及び信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置を、半導体基板６上に形成された化合物半導体積層構造１と、少なくとも化合物半導体積層構造１の表面に露出している部分を覆う第１絶縁膜４と、第１絶縁膜４上に形成された第２絶縁膜５とを備えるものとし、第１絶縁膜４を、引張応力が作用する膜とし、第２絶縁膜５を、第１絶縁膜４よりも水素を多く含んでおり、引張応力が作用する膜とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の侵食を抑制し、ＦＥＴの故障や不良の発生を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上にＧａＮ系半導体層１５を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層１５上に酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜１８を４５０℃以下の成膜温度で形成する工程と、ゲート絶縁膜１８の上面に保護膜１９を形成する工程、ゲート絶縁膜１８を熱処理する工程、及びゲート絶縁膜１８をプラズマ処理する工程のいずれか一つと、前記いずれか一つの工程の後に、ゲート絶縁膜１８を形成する工程の後のアルカリ溶液を用いた処理を実行する工程と、前記ゲート絶縁膜１８上にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸素を含む化合物半導体を活性層とする薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板１０上に形成されたゲート電極１２と、ゲート絶縁膜１３によりゲート電極１２と絶縁され、ゲート電極１２を覆うようにゲート絶縁膜１３上に形成された、酸素を含む化合物半導体からなる活性層１４と、活性層１４の上部に形成された保護層１５と、活性層１４と接触するソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂと、を備え、保護層１５が、チタン酸化物（ＴｉＯｘ）またはチタン酸窒化物（ＴｉＯｘＮｙ）で形成される。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体と絶縁性材料との界面に形成される界面準位が低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する３−５族化合物半導体と、３−５族化合物半導体の（１１１）面、（１１１）面と等価な面、または、（１１１）面もしくは（１１１）面と等価な面から傾いたオフ角を有する面に接する絶縁性材料と、絶縁性材料に接し、金属伝導性材料を含むＭＩＳ型電極とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのリーク電流の低減。
【解決手段】半導体材料の表面に沿って互いに隣接する、シリサイド化される金属を含有する複数の電気素子要素と、複数の電気素子要素を覆い、電気素子要素に含まれる金属が実質的にシリサイド化しない温度で薄膜形成したシリコンを含む保護絶縁膜と、を備える半導体装置が提供される。上記半導体装置において、保護絶縁膜は、シリコンおよび窒素を含有できる。保護絶縁膜は、２６０℃以下の温度で薄膜形成した窒化シリコン膜であってよく、好ましくは１００℃以下の温度で薄膜形成した窒化シリコン膜である。 （もっと読む）

【課題】プラスチックなどの有機材料で構成された基板を用いた場合であっても、高い比誘電率を有し、閾値電圧または動作電圧を低減することができるゲート絶縁膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスタ１０は、半導体材料で形成される活性層６；活性層に結合するソース電極４；活性層に結合し、活性層を通してソース電極と導通可能なドレイン電極５；活性層に結合し、複数の有機高分子材料層と複数の無機化合物層とが交互に積層されて構成されるゲート絶縁膜３；および、ゲート絶縁膜に接し、ゲート絶縁膜を介して活性層にチャネル領域を形成できるよう構成されるゲート電極２；を備える。 （もっと読む）

【課題】プラスチックなどの有機材料で構成された基板を用いた場合であっても、高い比誘電率を有し、閾値電圧または動作電圧を低減することができるゲート絶縁膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスタ１０は、半導体材料で形成される活性層６；活性層６に結合するソース電極４；活性層６に結合し、活性層６を通してソース電極４と導通可能なドレイン電極５；活性層に結合し、有機高分子材料と無機化合物とが混合された層が複数層積層されて構成されるゲート絶縁膜３；並びに、ゲート絶縁膜３に接し、このゲート絶縁膜３を介して活性層６にチャネル領域を形成できるよう構成されるゲート電極２；を備える。 （もっと読む）

【課題】数ｎｍ程度のセルサイズを実現可能な強誘電体及び記憶装置を提供すること。
【解決手段】強誘電体２は、分子内で正に帯電された水素原子群（第一原子群）１５と負に帯電された酸素原子群（第二原子群）１６とが結合された水分子（極性分子）１７同士が、さらに水素原子群１５又は酸素原子群１６が一端２ａ又は他端２ｂに配されるよう一方向に交互に配列された５本の一次元鎖１３Ａ〜１３Ｅを有するアイスナノチューブ１１Ａと、アイスナノチューブ１１Ａを内包するカーボンナノチューブ（ナノチューブ）１１Ｂと、を備えている。 （もっと読む）

ＡＬＤ及びＭＯＣＶＤ法などの薄膜堆積プロセスに使用される前駆体材料を保持するための前駆体ソース容器を記載する。特に、該容器は、液体前駆体又は溶解前駆体溶液及び濯ぎ溶媒の両方を別個のチャンバに保持し、総体的なスペース要件を削減している。一態様において、シリンダー内シリンダーの配置が、二つの別個のチャンバ、すなわち一つは前駆体溶液用、もう一つは濯ぎ溶媒用のチャンバを提供している。 （もっと読む）