【課題】ＳｉＣ結晶面に低温の化学的酸化の技術を適用して、ＳｉＣ結晶の方位Ｓｉ面及び同方位Ｃ面へ酸化膜（化学的酸化膜）を形成する。
【解決手段】 数百℃に加熱したＳｉＣ結晶基板を気相硝酸雰囲気に曝して、同結晶の方位Ｓｉ面及び方位Ｃ面に夫々酸化膜を直接形成する酸化処理過程で、気相硝酸は、例えば、高濃度硝酸から沸騰加熱して生成して、硝酸の濃度を安定に維持して、約４時間の処理を行うことにより、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ結晶の方位Ｃ面(000-1)の表面に炭素化合物を含まない，極めて良質なＳｉＯ_２／ＳｉＣ構造が創製された。 （もっと読む）

【課題】大気に曝した半導体層の表面上にトンネル絶縁膜を形成した場合であっても、半導体層にスピン偏極率の大きなキャリアを注入できるトンネル接合素子を提供すること。
【解決手段】半導体層１０の表面を大気に曝す工程と、前記半導体層１０の前記表面を還元性ガスに曝す工程と、前記表面を還元性ガスに曝す工程の後前記半導体層１０の前記表面を大気に曝すことなく、前記半導体層１０の前記表面上にトンネル絶縁膜１２を形成する工程と、前記トンネル絶縁膜１２上に強磁性体層１４を形成する工程と、を含むトンネル接合素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素ＭＯＳＦＥＴにおいて、炭化珪素層とゲート絶縁膜との界面に発生する界面準位を十分に低減できず、キャリアの移動度が低下する場合があった。
【解決手段】この発明に係る炭化珪素半導体装置は、炭化珪素層を有し炭化珪素層上にゲート絶縁膜を形成した基板を炉の中に導入する基板導入工程と、基板を導入した炉を加熱して一酸化窒素と窒素とを導入する加熱工程とを備え、加熱工程は、窒素を反応させてゲート絶縁膜と炭化珪素層との界面を窒化する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ半導体素子のための高品質の酸化物からなる絶縁膜を提供する。
【解決手段】半導体積層構造を有する基板３の上に、酸化物を含む絶縁膜を形成する工程において、酸化物を構成する元素単体ないしは元素の化合物を半導体積層構造を有する基板３の上に付着させる際に、水素ガス中に高純度水を加熱ないしは冷却することにより水蒸気圧を精密制御して混入させることにより、元素単体ないしは元素の化合物を酸化させる酸素分圧を精密に制御して、酸化物の組成を精密制御し、もって半導体積層構造を有する基板３と物理化学的に整合する絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】特性を向上できるＳｉＣ半導体装置の製造方法およびＳｉＣ半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ半導体の第１の表面に第１の酸化膜を形成する工程（ステップＳ４）と、第１の酸化膜を除去する工程（ステップＳ５）と、ＳｉＣ半導体において第１の酸化膜が除去されることにより露出した第２の表面に、ＳｉＣ半導体装置を構成する第２の酸化膜を形成する工程（ステップＳ６）とを備える。第１の酸化膜を除去する工程（ステップＳ４）と、第２の酸化膜を形成する工程（ステップＳ６）との間において、ＳｉＣ半導体は大気が遮断された雰囲気内に配置される。 （もっと読む）

【課題】高いしきい値電圧と低いリーク電流のノーマリーオフの半導体素子を提供する。
【解決手段】基板２の上に少なくともＡｌを含むIII族窒化物からなる下地層(バッファー層)３を設けた上で、III族窒化物、好ましくはＧａＮからなる第１の半導体層(チャネル層)４と、少なくともＡｌを含むIII族窒化物、好ましくはＡｌｘＧａ１−ｘＮであってｘ≧０．２である第２の半導体層（電子供給層）６が積層されてなる半導体層群からなるＨＥＭＴ構造の半導体素子の上に、Ａｌ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３の混晶からなる絶縁膜７を形成し、その上にゲート電極９を形成した。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を構成する半導体層の表面上にＡｌＯｘ層を安価に形成でき、且つＡｌＯｘ層を厚膜化できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１と、前記半導体基板１上に形成された窒化物系化合物半導体層２、３、４と、前記窒化物系化合物半導体層２、３、４上に隣接して形成された酸化アルミニウム層７と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記窒化物系化合物半導体層２、３、４上に多結晶又は非晶質の窒化アルミニウム層６を形成する第１の工程と、前記多結晶又は非晶質の窒化アルミニウム層６を熱酸化して前記酸化アルミニウム層７を得る第２の工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡便に界面の欠陥を低減することを可能とする。
【解決手段】大気と遮断された真空成膜室内で、基板上に酸素不定比性のある酸化物を含有する第１層を成膜する第１成膜工程と、前記第１層上に前記第１層と同一材料又は異なる材料からなる第２層を成膜する第２成膜工程と、前記第１成膜工程後前記第２成膜工程前までの間、前記第１層を、前記真空成膜室を含む大気と遮断された室内で、前記第１成膜工程における前記真空成膜室内の酸素分圧よりも高い酸素分圧下に保持する分圧制御工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面粗度によらず膜表面が平坦であり、信頼性が高く、製造コストを低減させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。ゲート絶縁層１２は、絶縁基板１０上に下部層１２ａと該下部層１２ａ上に積層された少なくとも一層以上の上部層１２ｂとがこの順で形成されてなり、下部層１２ａは真空紫外光ＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】安価であって、高品質であり、かつ光取出し効率に優れた薄膜状の金属酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜状の金属酸化物の製造方法は、透明電極上に金属アルコキシドを含む金属溶液を塗布することにより、光重合材料膜を形成するステップと、該光重合材料膜を部分的に露光することにより、３μｍ²以上０．２ｍｍ²以下の上面の面積の露光部を２以上形成する第１露光ステップと、該光重合材料膜に対しアルコール系の現像液を用いて現像することにより、第１露光ステップで露光されていない部分を除去するステップと、露光部を露光することにより、露光部の重合反応を促進する第２露光ステップと、第２露光ステップの後に、露光部を５００℃以下の温度で焼成することにより、薄膜状の金属酸化物を形成するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を低減することができるＧａＮ−ＭＩＳトランジスタ、ＧａＮ−ＩＧＢＴ、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極（Ｍ）１６とＳｉＮゲート絶縁膜（Ｉ）１３と半導体層（ＧａＮ）１２とのＭＩＳ構造を有するＧａＮ−ＭＩＳトランジスタ１５０であって、半導体層は、オーミックコンタクト用ｎ^＋ＧａＮ領域１４が離間した２箇所に形成され、ＳｉＮゲート絶縁膜は、２箇所のオーミックコンタクト用ｎ^＋ＧａＮ領域の基板反対側表面に熱ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＮ膜である。 （もっと読む）

【課題】高い絶縁破壊耐圧のＭＩＭキャパシタを提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された下部電極１２と、前記下部電極上に形成された第１の絶縁体膜１３と、前記第１の絶縁体膜上に形成される第２の絶縁体膜１４と、前記第２の絶縁体膜上に形成される第３の絶縁体膜１５と、前記第３の絶縁体膜上に形成される上部電極１６と、を有し、前記第１の絶縁体膜における密度は、前記第２の絶縁体膜における密度よりも高く、前記第３の絶縁体膜における密度は、前記第２の絶縁体膜における密度よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体／ゲート絶縁膜の界面特性、及び、ゲート絶縁膜の膜質が共に良好である半導体トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体トランジスタ１１は、ＧａＮ系の半導体から成る活性層３と、活性層３上に形成されたゲート絶縁膜とを備える。ゲート絶縁膜は、活性層３上に形成され、Ａｌ_２Ｏ_３，ＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，Ｌａ_２Ｏ_３，Ｙ_２Ｏ_３から成る群から選択された１つ以上の化合物を含む第１の絶縁膜６と、第１の絶縁膜６上に形成され、ＳｉＯ_２から成る第２の絶縁膜７とを有する。 （もっと読む）

【課題】導電体領域から絶縁体領域までの範囲内で所望の電気抵抗値有し、且つ、電気的ストレスに対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する
【解決手段】ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後アニール処理してＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、成膜装置内の水分量とアニール処理の温度の組み合わせを変化させて、導電体領域から絶縁体領域の範囲内の任意の電気抵抗値を有するアモルファス酸化物薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた、低オン抵抗、かつ信頼性にも優れた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素層と、炭化珪素層上に形成され、珪素、酸素、窒素を主成分とし、窒素の最低濃度が１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。炭化珪素層の（０００−１）面または（１１−２０）面上に酸化物膜または酸窒化物膜を形成する工程と、酸化物膜または酸窒化物膜の形成後に、アンモニアガスを含む雰囲気中で熱処理しゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

エンハンスメント・モードＧａＮ ＭＯＳＦＥＴ（１００）が、ＡｌＧａＮ（又はＩｎＡｌＧａＮ）障壁層（１１８）上のＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４ゲート絶縁層（１２４）を用いて形成される。ＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４ゲート絶縁層（１２４）のＳｉ_３Ｎ_４部分（１２０）は、ゲート絶縁層（１２４）と障壁層（１１８）との間の接合での界面準位の形成を低減させ、ＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４ゲート絶縁層（１２４）のＳｉＯ_２部分（１２２）は、漏れ電流を著しく低減させる。

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【課題】 絶縁膜／炭化珪素界面の窒化処理においてＮＯガスもしくはＮ_２Ｏガスを高温の反応炉内に導入すると、これらのガスが熱分解し、この熱分解時に発生する酸素による再酸化によって新たな界面準位が発生するため、低減できる界面準位密度が抑制される問題があった。
【解決手段】 本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスが添加された酸化窒素系ガス雰囲気中で所定の処理温度で熱処理することにより炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板や石英基板等をベースとした材料・プロセスを用いることによって、高品質なグラフェン膜を有する基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層上の金属炭化物膜、例えばＳｉＣ膜を酸化処理することによって得られる、絶縁層上にグラフェン膜と金属酸化物膜、例えばＳｉＯ_２膜が順次積層されてなる基板。更に、かかる基板の表面の金属酸化物膜を除去することによって得られる、絶縁層とその表面に積層されたグラフェン膜とからなる基板。絶縁層としては、Ｓｉ基板上にＳｉＯ_２層が形成されたもの、あるいは、石英基板が好ましい。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法により、酸化物半導体膜上に薄膜を成膜する際に、酸化物半導体膜のプラズマダメージを膜面内均一性良く抑制して成膜する。
【解決手段】基板Ｂ上に成膜された、Ｉｎと、Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｓｂ，ＣｄおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素とを含む酸化物半導体膜１上に、基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いるスパッタ法によりターゲットＴの構成元素を含む薄膜２を形成する成膜方法において、薄膜２の成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）と、基板Ｂの基板電位Ｖｓｕｂ（Ｖ）との電位差を０Ｖ超２０Ｖ以下とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁性保護膜と金属層との密着性を向上させて、素子の信頼性を向上させる。
【解決手段】結晶成長基板上に、III族窒化物系化合物半導体層から成るエピタキシャル成長層を結晶成長させ、エピタキシャル成長層の最終成長層を金属層により支持基板に接合し、前記結晶成長基板を除去して、エピタキシャル成長層の初期の成長層である基底層を前記支持基板上のエピタキシャル成長層の最上層とした半導体素子の製造方法である。最終成長層の側から、窒素反応性を有する金属から成る第１層、塩素プラズマエッチングに対する耐性を有し、ウエットエッチング可能な金属から成る第２層、窒素反応性を有し、ウエットエッチングに対して耐性を有する金属から成る第３層を形成する。半導体素子の基底層から塩素プラズマによりエッチングして第２層の表面が露出するように素子分離溝を形成する。素子分離溝の底面に露出した第２層をウェットエッチングにより除去して、第３層を前記素子分離溝の底面に露出させ、素子分離溝に絶縁性保護膜を被覆する。 （もっと読む）