【課題】 界面準位が低減された高品質な炭化珪素／絶縁膜界面を形成する方法を提供し、オン抵抗の低い炭化珪素半導体基板を用いた電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 第１導電型の炭化珪素半導体基板と、炭化珪素半導体基板の一方の面に形成された第１導電型のドリフト層と、ドリフト層の一部に形成された第２導電型のウエル領域と、そのウエル層の一部に形成された第１導電型のソース領域と、ドリフト領域とソース領域の間に挟まれたウエル領域の表面とドリフト層の表面の一部とソース領域の表面の一部に形成されたゲート酸化膜と、該ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極とを含み、前記ゲート酸化膜は、酸化ハフニュウムを含む第１層と、その第１層の上に酸化珪素が堆積されてなる第２層とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体用途における高ｋ誘電体膜を形成するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、多層多成分高ｋ誘電体膜を形成するためのシステム及び方法を提供する。一部の実施形態では、本発明は、ハフニウム、チタン、酸素、窒素、及び他の成分を含む高ｋ誘電体膜を形成するためのシステム及び方法を提供する。本発明の更に別の態様では、誘電体膜は、組成勾配を有して形成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の特性を劣化させることなく保護絶縁層を形成することのできる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いた電界効果型トランジスタ等の表面に、平行平板プラズマＣＶＤにより保護絶縁層としての窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を成膜する際に、波長３９１ｎｍ付近にピークを持つ励起窒素分子の発光強度と、波長４０５ｎｍ付近にピークを持つ励起窒化シリコン分子の発光強度との比率（Ｎ３９１／ＳｉＮ４０５）を０．５以下とするパラメータ条件を意図的に設定し、成膜を制御する。 （もっと読む）

【課題】 高ドレイン電圧を印加したときに生じるコラプス現象を抑制し、高出力動作可能な半導体装置およびその製造方法並びにその半導体装置製造用基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板（１１）上に形成されたＧａＮ系半導体層（１３）と、ＧａＮ系半導体層（１３）の表面に形成された、珪素またはアルミニウムが化学量論的な組成比より多い窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムからなる絶縁膜（２５）と、ＧａＮ系半導体層（１３）上に形成されたゲート電極（１８）と、ゲート電極（１８）を挟んで形成されたソース電極（１４）およびドレイン電極（１６）と、を具備する半導体装置およびその製造方法並びにその半導体装置製造用基板およびその製造方法である。 （もっと読む）

シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低ｋ材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）およびそれらの組み合わせなど、５炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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【課題】チップ間のデバイス特性のばらつきが抑えられ、且つ放熱性を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】活性層を有する半導体発光素子であって、共振器前方端面のうち動作時に光を出射する領域には光密度に応じた膜厚の酸化シリコンからなる保護膜３０が形成されている。保護膜３０は、光が出射される領域にのみ選択的、且つ自己形成的に作製されるので、保護膜の電極上部への回り込みが防止される。また、保護膜３０の厚さは調節可能であるので、保護膜３０が形成された共振器前方端面における反射率のチップごとのばらつきを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 チャネル移動度が高い半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣからなる半導体基板上に酸化膜が形成された半導体素子の製造方法において、上記ＳｉＣを酸化させない条件で、ＳｉＯ_２からなる酸化膜を、上記半導体基板上に形成する酸化膜形成工程と、上記酸化膜と上記半導体基板との界面のＳｉＣを酸窒化させることにより、酸窒化膜を形成する酸窒化膜形成工程とを含む製造方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化パターンのより良い精度及び酸化層のより良い境界をもたらす製造方法を提供する。
【解決手段】第１、第２及び第３の半導体層を形成し、ここで、第１及び第３の層は第２の層に比べて酸化種の濃度が低く、
第３の層の上にマスクを形成し、
第３の層を通って酸化種を拡散させて第２の層を酸化する、
ステップを備える半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの均一な加熱が可能で、III族窒化物半導体デバイスの製造に有用なIII族窒化物単結晶ウエハを提供する。
【解決手段】 ウエハ状に加工したIII族窒化物単結晶１１のIII族窒化物結晶層形成面とは反対側の面に、例えば、カーボン（Ｃ）膜、半導体膜および金属膜からなる群から選択される赤外線吸収層１２を形成する。このように赤外線吸収層１２が形成されているため、この赤外線吸収層１２が赤外線光を均一に吸収することができる。その結果、ウエハ１１を均一に加熱可能となり、高品質な半導体デバイスを、安定して高い歩留まりで容易に製造できる。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ結晶中における結晶欠陥の増加を抑制しつつ、ＳｉＣ結晶上への絶縁膜形成速度を改善した絶縁膜形成方法と、この方法を用いて形成された絶縁膜を含むＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ結晶１上への絶縁膜の形成方法であって、ＳｉＣ結晶１上にＳｉ膜２を形成する工程と、Ｓｉ膜２を酸化または窒化することによりＳｉを含む絶縁膜を形成する工程と、を含む絶縁膜の形成方法である。また、この絶縁膜形成方法を用いた炭化珪素半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

ショットキー層のゲート電極接触領域とショットキー接触するゲート電極を有する、電界効果トランジスタのＩＩＩ−Ｖ族材料のショットキー層を不活性化する方法。ゲート電極は、そのようなトランジスタのソース電極とドレイン電極との間のキャリアの流れを制御するようになっている。トランジスタは、ショットキー層のゲート電極接触領域に隣接するソース電極とドレイン電極との間のショットキー層の露出表面部を有する。本方法は、酸素プラズマを用いてショットキー層の露出表面部から有機汚染物質を除去することを含む。ショットキー層の、汚染物質を除去した表面部は、硫化アンモニウムおよびＮＨ_４ＯＨの溶液にさらされる。さらされた領域は、溶液の除去後、窒素環境において乾燥させる。乾燥させた表面部の上にパッシベーション材料の層を堆積させる。
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【課題】酸化膜を簡便に形成し得る酸化膜形成方法、この酸化膜形成方法により形成された酸化膜、この酸化膜を備える部品および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の酸化膜形成方法は、無機物で構成される表層１２（基材）の表面に、無機物の酸化物を主材料として構成される酸化膜３を形成する方法であり、被処理部材１（表層１２）の表面にアルコールを含有する処理液を供給して、この処理液の液状被膜２を形成し、液状被膜２中において、無機物とアルコールとの反応を経て、無機物の酸化物を生成させるとともに、液状被膜２中に残存する処理液を除去して酸化膜３を得る。 （もっと読む）

【課題】 誘電率及び／又はＳｉＣＯＨ膜の信頼性に影響を及ぼさない方法を用いて、漏れ電流が改善されたＳｉＣＯＨ膜を提供すること。
【解決手段】 深紫外線（ＤＵＶ）に曝されていない従来技術のＳｉＣＯＨ誘電体膜を含む従来技術の誘電体膜に比べて改善された絶縁特性を有するＳｉ、Ｃ、Ｏ及びＨ原子（以下ＳｉＣＯＨ）からなる誘電体膜の製造方法が開示される。改善された特性は、ＳｉＣＯＨ誘電体膜の誘電率に悪影響を及ぼす（増加させる）ことなく達成される、漏れ電流の減少を含む。本発明によれば、堆積時のＳｉＣＯＨ誘電体膜をＤＵＶレーザ・アニールに曝すことにより、減少された漏れ電流及び改善された信頼性を呈するＳｉＣＯＨ誘電体膜が得られる。本発明のＤＵＶレーザ・アニール・ステップは、おそらく、膜から弱く結合されたＣを除去し、それにより漏れ電流を改善する。 （もっと読む）

基板（４０、１２５）上におけるケイ素−窒素−含有膜の低温プラズマ化学蒸着のための方法である。前記方法は、プロセスチャンバ（１０、１１０）に基板（４０、１２５）を提供し、リモートプラズマ源（９４、２０５）の反応物ガスを励起し、その後励起された反応物ガスをシラザン前駆体ガスと混合し、及び化学蒸着プロセスで励起したガス混合物から基板（４０、１２５）上にケイ素−窒素−含有膜を堆積する段階を含む。ひとつの実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＨ膜を堆積するため窒素含有ガスを含んでよい。また他の実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＯＨ膜を堆積するため酸素含有ガスを含んでよい。
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本発明は、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＡｓ_zＳｂ_1-zを含有し、ここでパラメータx, y, zは、バンドギャップが３５０ｍｅＶよりも小さくなるよう選定されている半導体素子に関する。この場合、半導体素子はメサ形構造を有しており、このメサ形構造の少なくとも１つの側面に、少なくとも部分的にＡｌ_nＧａ_1-nＡｓ_mＳｂ_1-mを含有するパッシベーション層が設けられており、ここでパラメータnは０．４〜１の範囲から選択され、パラメータmは０〜１の範囲から選択される。
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【課題】面発光型レーザのメサに成形した部分のＡｌＡｓ層を周囲から酸化し周囲部分をＡｌ_ｘＯ_ｙにする装置であって酸化距離を正確に制御できるようにすること。
【解決手段】抵抗加熱ヒータを内蔵する加熱ステージ７に３本以上の昇降自在のピン３６を設け、酸化終了時にはヒータ加熱および水蒸気含有ガス供給を停止し、ピン３６を押し上げて基板ホルダー６を持ち上げ、加熱ステージ７から基板ホルダー６を切り離し熱容量を小さくしてパージガス４８を吹き付けて水蒸気を追い払って冷却し酸化の進行を直ちに停止させる。 （もっと読む）

【解決課題】 低誘電率と高機械強度を両立する絶縁膜を得ること
【解決手段】 エチル基、ビニル基、エチニル基、プロピル基、アリル基、ブチル基またはフェニル基よりなる群から選ばれる置換基を有する環状シロキサンを含むＣＶＤ用絶縁膜原料組成物及び、該ＣＶＤ用絶縁膜原料組成物を気化または昇華して生成させたガスを、基材を静置した反応容器に導入した後、該ガスをプラズマ化して該基材上に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、第１３族元素窒化物の層から本質的に製造される高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を提供する。
【解決手ュ段】 このタイプの最近利用できるトランジスタとは反対に、本発明に係るトランジスタはホモ基板１１上に製造され、そのホモ基板はガリウム含有窒化物から製造され、核化層を有さず、そのバッファ層３は公知のＨＥＭＴより極めて薄い。好ましくは、少なくともバッファ層３は本発明にかかるトランジスタの一部であって、エピタキシャル法により製造され、エピタキシャルプロセスにおける上記層の成長方向は基板１１の成長方向と本質的に垂直をなす。この発明はまた、高電子動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）の製造方法にも関するものである。 （もっと読む）